RU2017114129A - Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства - Google Patents
Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017114129A RU2017114129A RU2017114129A RU2017114129A RU2017114129A RU 2017114129 A RU2017114129 A RU 2017114129A RU 2017114129 A RU2017114129 A RU 2017114129A RU 2017114129 A RU2017114129 A RU 2017114129A RU 2017114129 A RU2017114129 A RU 2017114129A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- mesfet
- crystal
- sioc
- carbon
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 51
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims 51
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 11
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/977—Preparation from organic compounds containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/571—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62695—Granulation or pelletising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
- C04B37/005—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of glass or ceramic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/04—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass
- C04B37/045—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass characterised by the interlayer used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/02—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the solid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
- C04B2235/383—Alpha silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
- C04B2235/3834—Beta silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/721—Carbon content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/94—Products characterised by their shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/95—Products characterised by their size, e.g. microceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/08—Non-oxidic interlayers
- C04B2237/083—Carbide interlayers, e.g. silicon carbide interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/365—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/38—Fiber or whisker reinforced
- C04B2237/385—Carbon or carbon composite
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F41—WEAPONS
- F41H—ARMOUR; ARMOURED TURRETS; ARMOURED OR ARMED VEHICLES; MEANS OF ATTACK OR DEFENCE, e.g. CAMOUFLAGE, IN GENERAL
- F41H5/00—Armour; Armour plates
- F41H5/02—Plate construction
- F41H5/04—Plate construction composed of more than one layer
- F41H5/0414—Layered armour containing ceramic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/744—Gate-turn-off devices
- H01L29/745—Gate-turn-off devices with turn-off by field effect
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Claims (54)
1. Способ получения изделия, содержащего карбид кремния сверхвысокой чистоты, причем способ включает стадии, в которых:
а. объединяют первую жидкость, включающую кремний, углерод и кислород со второй жидкостью, содержащей углерод;
b. отверждают комбинацию первой и второй жидкостей с получением отвержденного SiOC твердого материала, состоящего по существу из кремния, углерода и кислорода;
с. нагревают указанный SiOC твердый материал в инертной атмосфере и при температуре, достаточной для конверсии SiOC в SiC, тем самым конвертируя указанный SiOC твердый материал в образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты, имеющий чистоту по меньшей мере 99,9999%;
d. формируют монокристаллическую структуру из SiC путем осаждения из паровой фазы указанного образованного из полимера SiС сверхвысокой чистоты, при этому указанная полученная методом осаждения из паровой фазы структура свободна от дефектов и имеет чистоту по меньшей мере 99,9999%..
2. Способ по п.1, в котором указанный образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты содержит избыточный углерод.
3. Способ по п.1, в котором указанный образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты не содержит избыточный углерод.
4. Способ по п.1, в котором указанный образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты обеднен по углероду.
5. Способ по п.1, в котором указанный образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты имеет общее содержание примесей, выбранных из группы элементов, состоящей из Al, Fe, B, P, Pt, Ca, Mg, Li, Na, Ni, V, Ti, Ce, Cr, S и As, менее 1 ч./млн.
6. Способ по п.1, в котором указанная комбинация первой и второй жидкостей представляет собой поликарбосилоксановую прекурсорную композицию, имеющую молярную долю от около 30% до 85% углерода, от около 5% до 40% кислорода, и от около 5% до 35% кремния.
7. Способ по п.1, 5 или 6, в котором указанная монокристаллическая структура из SiC представляет собой слиток.
8. Способ по п.1, 5 или 6, в котором указанная монокристаллическая структура из SiC представляет собой слой.
9. Способ по п.1, 5 или 6, в котором указанная монокристаллическая структура из SiC представляет собой слой на подложке.
10. Способ по п.1, в котором указанная монокристаллическая структура из SiC представляет собой слой на подложке, при этом подложка состоит из Si.
11. Способ по п.1, в котором указанная монокристаллическая структура из SiC представляет собой слой на подложке, при этом подложка состоит из SiС.
12. Способ по п.1, 5 или 6, в котором указанный монокристаллический SiC разрезают и тем самым получают пластину.
13. Способ по п.1, 5 или 6, в котором указанный монокристаллический SiC разрезают и протравливают, и тем самым получают полупроводник.
14. Способ по п.1, в котором указанный монокристаллический SiC разрезают и протравливают, и тем самым получают полевой транзистор структуры металл-полупроводник (MESFET).
15. Способ по п.14, в котором указанный MESFET встраивают в составное полупроводниковое устройство, за счет чего MESFET представляет собой компонент составного полупроводникового устройства, при этом указанное полупроводниковое устройство работает в частотном диапазоне 45 ГГц.
16. Способ по п.14, в котором MESFET встраивают в компонент базовой станции сотовой связи, за счет чего MESFET представляет собой компонент базовой станции сотовой связи.
17. Способ по п.16, в котором указанный компонент представляет собой источник питания.
18. Способ получения изделия, содержащего карбид кремния сверхвысокой чистоты, причем способ включает стадии, в которых:
а. объединяют первую жидкость, включающую кремний, углерод и кислород со второй жидкостью, содержащей углерод;
b. отверждают комбинацию первой и второй жидкостей с получением отвержденного SiOC твердого материала, состоящего по существу из кремния, углерода и кислорода;
с. нагревают указанный SiOC твердый материал в инертной атмосфере и при температуре, достаточной для конверсии SiOC в SiC, тем самым конвертируя указанный SiOC твердый материал в образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты, имеющий чистоту по меньшей мере 99,9999%;
d. формируют монокристаллическую структуру из SiC путем осаждения из паровой фазы указанного образованного из полимера SiС сверхвысокой чистоты, при этому указанная полученная методом осаждения из паровой фазы структура имеет чистоту по меньшей мере 99,9999%, и при этом указанный монокристаллический SiC представляет собой слиток, состоящий по существу из SiC альфа-типа, и по существу свободен от микропор.
19. Способ по п.1, в котором указанный монокристаллический SiC разрезают и тем самым получают полевой транзистор структуры металл-полупроводник (MESFET), при этом указанный MESFET представляет собой компонент источника питания.
20. Способ по п.1, в котором указанный образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты имеет общее содержание примесей, выбранных из группы элементов, состоящей из Al, Fe, B и P, менее 1 ч./млн.
21. Способ по п.1, в котором указанный образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты имеет общее содержание примесей, выбранных из группы элементов, состоящей из Al, Fe, B, P, Na и Ti, менее 1 ч./млн.
22. Способ изготовления SiC, причем способ включает стадии, в которых:
a. помещают частицы образованного из полимера SiС в аппарат для осаждения из паровой фазы, при этом указанные частицы SiC имеют чистоту по меньшей мере 99,9999%, и при этом указанные частицы SiC проявляют устойчивость и не образуют оксидный слой, когда подвергаются воздействию воздуха при стандартных температуре и давлении, за счет чего частицы SiC свободны от оксидного слоя; и
b. немедленно испаряют частицы SiC и осаждают пары на деталь-инициатор с образованием кристаллического SiC, при этом испарение происходит без необходимости осуществлять стадию предварительного нагрева SiC.
23. Способ по п.22, в котором кристалл SiC представляет собой монокристаллический слиток SiC.
24. Способ по п.22, в котором кристалл SiC представляет собой монокристаллический слой SiC.
25. Способ по п.22, в котором деталь-инициатор представляет собой подложку.
26. Способ по п.25, в котором подложка состоит из Si.
27. Способ по п.25, в котором подложка состоит из SiС.
28. Способ по п.22, в котором кристалл SiC разрезают и тем самым получают пластину.
29. Способ по п.22, в котором кристалл SiC разрезают и тем самым получают полупроводник.
30. Способ по п.22, в котором кристалл SiC представляет собой слиток, состоящий по существу из SiC альфа-типа, и по существу свободен от микропор.
31. Способ по п.22, в котором кристалл SiC разрезают и протравливают, и тем самым получают полевой транзистор структуры металл-полупроводник (MESFET).
32. Способ по п.31, в котором указанный MESFET встраивают в составное полупроводниковое устройство, за счет чего MESFET представляет собой компонент составного полупроводникового устройства, при этом указанное полупроводниковое устройство работает в частотном диапазоне 45 ГГц.
33. Спосо по п. 31, в котором MESFET встраивают в компонент базовой станции сотовой связи, за счет чего MESFET представляет собой компонент базовой станции сотовой связи.
34. Способ по п.33, в котором указанный компонент представляет собой источник питания.
35. Способ по п.22, в котором монокристалл SiC разрезают и протравливают, и тем самым получают полевой транзистор структуры металл-полупроводник (MESFET), при этом указанный MESFET представляет собой компонент источника питания.
36. Способ получения карбида кремния сверхвысокой чистоты, причем способ включает стадии, в которых:
а. объединяют первую жидкость, включающую кремний, углерод и кислород со второй жидкостью, содержащей углерод;
b. отверждают комбинацию первой и второй жидкостей с получением отвержденного SiOC твердого материала, состоящего по существу из кремния, углерода и кислорода;
с. нагревают указанный SiOC твердый материал в инертной атмосфере и при температуре, достаточной для конверсии SiOC в SiC, тем самым конвертируя указанный SiOC твердый материал в образованный из полимера SiС сверхвысокой чистоты, имеющий чистоту по меньшей мере 99,9999%.
37. Способ по п.36, в котором указанная комбинация первой и второй жидкостей представляет собой поликарбосилоксановую прекурсорную композицию, имеющую молярную долю от около 30% до 85% углерода, от около 5% до 40% кислорода, и от около 5% до 35% кремния.
38. Способ по п.36, в котором указанная температура выше 1200°С.
39. Способ по п.36, в котором указанная температура составляет от 1200°С до 2500°С.
40. Способ по п.36, в котором указанная температура составляет от 1600°С до 1900°С.
41. Способ по п.36, в котором стадия с включает пропускание инертного газа над SiOC твердым материалом в процессе нагревания.
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462055497P | 2014-09-25 | 2014-09-25 | |
US201462055397P | 2014-09-25 | 2014-09-25 | |
US201462055461P | 2014-09-25 | 2014-09-25 | |
US62/055,497 | 2014-09-25 | ||
US62/055,397 | 2014-09-25 | ||
US62/055,461 | 2014-09-25 | ||
US201562112025P | 2015-02-04 | 2015-02-04 | |
US62/112,025 | 2015-02-04 | ||
PCT/US2015/051997 WO2016049344A2 (en) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2017114129A true RU2017114129A (ru) | 2018-10-25 |
RU2017114129A3 RU2017114129A3 (ru) | 2018-10-25 |
RU2707772C2 RU2707772C2 (ru) | 2019-11-29 |
Family
ID=55582251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017114129A RU2707772C2 (ru) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (3) | EP3197847B1 (ru) |
JP (3) | JP6784679B2 (ru) |
KR (3) | KR20220155608A (ru) |
CN (3) | CN107001152A (ru) |
CA (2) | CA3199812A1 (ru) |
RU (1) | RU2707772C2 (ru) |
WO (2) | WO2016049344A2 (ru) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220155608A (ko) * | 2014-09-25 | 2022-11-23 | 멜리어 이노베이션즈, 인크. | 폴리실로카브 계열 탄화 규소 물질, 이의 응용 및 장치 |
EP3353339A4 (en) * | 2015-09-24 | 2019-05-08 | Melior Innovations Inc. | STEAM-VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND TECHNIQUES USING SILICON CARBIDE DERIVED FROM HIGH-PURITY POLYMER |
CN109562340B (zh) | 2016-07-08 | 2022-07-26 | 美铝美国公司 | 用于制造陶瓷粉末的系统和方法 |
US11264214B2 (en) * | 2016-09-27 | 2022-03-01 | Hokuriku Seikei Industrial Co., Ltd. | Silicon carbide member for plasma processing apparatus, and production method therefor |
CN115594508A (zh) * | 2017-03-29 | 2023-01-13 | 帕里杜斯有限公司(Us) | 碳化硅空间形体及形成球状体的方法 |
CN107963631A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-04-27 | 宁波爱克创威新材料科技有限公司 | 纳米碳化硅及其制备方法 |
CN108117078B (zh) * | 2018-01-16 | 2020-12-08 | 西北工业大学 | 一种SiC纳米线的表面改性方法 |
CA3108004C (en) * | 2018-07-31 | 2024-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Modular power converter |
CN110921670B (zh) * | 2018-09-19 | 2022-01-07 | 比亚迪股份有限公司 | 碳化硅及其制备方法 |
CN110042653B (zh) * | 2019-04-17 | 2021-08-10 | 华南理工大学 | 一种表面具有多尺度SiC-SiOC陶瓷涂层的碳纤维及其制备方法 |
CN110734552B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-12-14 | 哈尔滨工业大学 | 一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的制备方法 |
KR102195325B1 (ko) | 2020-06-16 | 2020-12-24 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
DE102021104292A1 (de) * | 2020-03-02 | 2021-09-02 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Siliziumkarbidkristalle und verfahren zu ihrer herstellung |
CN113698215B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-10-11 | 中国科学院金属研究所 | 一种致密的层状碳化硅陶瓷及其制备方法 |
KR102236398B1 (ko) | 2020-09-22 | 2021-04-02 | 에스케이씨 주식회사 | 웨이퍼의 세정방법 및 불순물이 저감된 웨이퍼 |
EP4001475A1 (en) | 2020-11-19 | 2022-05-25 | Zadient Technologies SAS | Improved furnace apparatus for crystal production |
CN113408945B (zh) * | 2021-07-15 | 2023-03-24 | 广西中烟工业有限责任公司 | 一种烤烟纯度的检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN115745614B (zh) * | 2022-11-29 | 2023-06-30 | 厦门大学 | 一种纳米金属增韧碳化硅陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US560291A (en) | 1896-05-19 | Electrical furnace | ||
US492767A (en) | 1893-02-28 | Edward g | ||
US3520656A (en) * | 1966-03-30 | 1970-07-14 | Du Pont | Silicon carbide compositions |
DE2803658A1 (de) * | 1977-01-27 | 1978-08-10 | Kyoto Ceramic | Verfahren zur herstellung von dichten, gesinterten siliciumcarbidkoerpern aus polycarbosilan |
US4696827A (en) * | 1982-03-12 | 1987-09-29 | Sony Corporation | Silicon carbide-carbon composite molded product and process for manufacturing the same |
EP0143122A3 (en) * | 1983-08-26 | 1987-02-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | An ultrafine powder of silcon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom |
US5635250A (en) * | 1985-04-26 | 1997-06-03 | Sri International | Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products |
US5180694A (en) | 1989-06-01 | 1993-01-19 | General Electric Company | Silicon-oxy-carbide glass method of preparation and articles |
US5162480A (en) * | 1990-12-14 | 1992-11-10 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Self-curing ceramicizable polysiloxanes |
DE4320787A1 (de) * | 1992-07-02 | 1994-01-05 | Hoechst Ag | Borhaltige Polycarbosiloxane, Verfahren zu ihrer Herstellung, aus ihnen herstellbare Bor und Silicium enthaltende keramische Materialien, sowie deren Herstellung |
US5283019A (en) * | 1993-05-04 | 1994-02-01 | Dow Corning Corporation | Porous silicon carbide ceramics using filled polysiloxanes |
US5436207A (en) * | 1993-12-10 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparing silicon carbide powder from vaporized polysiloxanes |
CA2144037C (en) * | 1995-03-03 | 2000-12-05 | Jiayu Simon Xue | Carbonaceous insertion compounds and use as anodes in rechargeable batteries |
US5863325A (en) * | 1995-05-31 | 1999-01-26 | Bridgestone Corporation | Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal |
RU2094547C1 (ru) * | 1996-01-22 | 1997-10-27 | Юрий Александрович Водаков | Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа |
US5872070A (en) * | 1997-01-03 | 1999-02-16 | Exxon Research And Engineering Company | Pyrolysis of ceramic precursors to nanoporous ceramics |
CA2231665A1 (en) * | 1997-03-25 | 1998-09-25 | Dow Corning Corporation | Method for forming an electrode material for a lithium ion battery |
US7485570B2 (en) | 2002-10-30 | 2009-02-03 | Fujitsu Limited | Silicon oxycarbide, growth method of silicon oxycarbide layer, semiconductor device and manufacture method for semiconductor device |
TW200416208A (en) * | 2002-11-12 | 2004-09-01 | Bridgestone Corp | Silicon carbide sintered product and method for production the same |
US20060004169A1 (en) * | 2003-01-10 | 2006-01-05 | Sherwood Walter J Jr | Ceramic-forming polymer material |
JP4480349B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-06-16 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
CN1210204C (zh) * | 2003-07-15 | 2005-07-13 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种制备碳化硅的方法 |
US8470279B2 (en) * | 2004-04-13 | 2013-06-25 | Si Options, Llc | High purity silicon-containing products and method of manufacture |
FR2882356B1 (fr) * | 2005-02-23 | 2008-08-15 | Snecma Propulsion Solide Sa | Procede de fabrication de piece en materiau composite a matrice ceramique et piece ainsi obtenue |
US7323047B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-01-29 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing granular silicon crystal |
US9388509B2 (en) | 2005-12-07 | 2016-07-12 | Ii-Vi Incorporated | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide |
DE102006022791A1 (de) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Vadym Bakumov | Polymerabgeleitete mikro-, submikro- und nanoskalige Keramiken und Komposite durch Quervernetzung in Emulsionen |
CN100554210C (zh) * | 2007-06-27 | 2009-10-28 | 天津大学 | 液态聚硅氧烷合成致密硅氧碳陶瓷的方法 |
JP5177793B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-04-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 炭化ケイ素の製造方法 |
US8119057B2 (en) * | 2008-02-19 | 2012-02-21 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Method for synthesizing bulk ceramics and structures from polymeric ceramic precursors |
RU2389109C2 (ru) * | 2008-04-07 | 2010-05-10 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) | Способ подготовки поверхности бинарных и многокомпонентных материалов |
RU83643U1 (ru) * | 2008-11-19 | 2009-06-10 | Адылбек Кадырханович Толстунов | Электронная система охраны и дистанционного контроля удаленных объектов по беспроводным сетям |
JP5630333B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-11-26 | 信越化学工業株式会社 | 易焼結性炭化ケイ素粉末及び炭化ケイ素セラミックス焼結体 |
KR20120136217A (ko) * | 2011-06-08 | 2012-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 장치 및 이의 제조 방법 |
US10221660B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-03-05 | Melior Innovations, Inc. | Offshore methods of hydraulically fracturing and recovering hydrocarbons |
US10167366B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Melior Innovations, Inc. | Polysilocarb materials, methods and uses |
US9815943B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-11-14 | Melior Innovations, Inc. | Polysilocarb materials and methods |
US9815952B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-14 | Melior Innovations, Inc. | Solvent free solid material |
RU2524509C1 (ru) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
US8981564B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-03-17 | Invensas Corporation | Metal PVD-free conducting structures |
CN103613365B (zh) * | 2013-11-19 | 2015-02-11 | 桂林电器科学研究院有限公司 | 一种聚硅氧烷树脂合成硅氧碳陶瓷材料的方法 |
KR20220155608A (ko) * | 2014-09-25 | 2022-11-23 | 멜리어 이노베이션즈, 인크. | 폴리실로카브 계열 탄화 규소 물질, 이의 응용 및 장치 |
-
2015
- 2015-09-24 KR KR1020227038608A patent/KR20220155608A/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 CN CN201580063973.2A patent/CN107001152A/zh active Pending
- 2015-09-24 RU RU2017114129A patent/RU2707772C2/ru active
- 2015-09-24 EP EP15843769.9A patent/EP3197847B1/en active Active
- 2015-09-24 CA CA3199812A patent/CA3199812A1/en active Pending
- 2015-09-24 WO PCT/US2015/051997 patent/WO2016049344A2/en active Application Filing
- 2015-09-24 KR KR1020217017944A patent/KR102465014B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 CN CN201580063896.0A patent/CN107108234B/zh active Active
- 2015-09-24 CN CN202110332426.7A patent/CN113072072A/zh active Pending
- 2015-09-24 WO PCT/US2015/052038 patent/WO2016049362A2/en active Application Filing
- 2015-09-24 CA CA2962602A patent/CA2962602C/en active Active
- 2015-09-24 KR KR1020177011175A patent/KR102267106B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 JP JP2017536220A patent/JP6784679B2/ja active Active
- 2015-09-24 EP EP20207926.5A patent/EP3838866A1/en active Pending
- 2015-09-24 EP EP15844428.1A patent/EP3197845A4/en active Pending
-
2020
- 2020-10-23 JP JP2020177808A patent/JP7196375B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-06 JP JP2022091771A patent/JP7472196B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3197845A4 (en) | 2018-09-12 |
EP3197845A2 (en) | 2017-08-02 |
CA3199812A1 (en) | 2016-03-31 |
JP2017537052A (ja) | 2017-12-14 |
JP2021020852A (ja) | 2021-02-18 |
KR20220155608A (ko) | 2022-11-23 |
KR102267106B1 (ko) | 2021-06-18 |
JP7196375B2 (ja) | 2022-12-27 |
EP3197847A2 (en) | 2017-08-02 |
JP6784679B2 (ja) | 2020-11-11 |
RU2707772C2 (ru) | 2019-11-29 |
JP2022116321A (ja) | 2022-08-09 |
CN113072072A (zh) | 2021-07-06 |
CN107001152A (zh) | 2017-08-01 |
WO2016049362A2 (en) | 2016-03-31 |
CN107108234B (zh) | 2021-04-20 |
CN107108234A (zh) | 2017-08-29 |
CA2962602A1 (en) | 2016-03-31 |
WO2016049362A3 (en) | 2016-06-16 |
EP3197847A4 (en) | 2018-08-22 |
KR102465014B1 (ko) | 2022-11-09 |
KR20170073606A (ko) | 2017-06-28 |
EP3838866A1 (en) | 2021-06-23 |
JP7472196B2 (ja) | 2024-04-22 |
WO2016049344A3 (en) | 2016-05-19 |
WO2016049344A2 (en) | 2016-03-31 |
CA2962602C (en) | 2023-09-05 |
EP3197847B1 (en) | 2020-11-18 |
KR20210074407A (ko) | 2021-06-21 |
RU2017114129A3 (ru) | 2018-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2017114129A (ru) | Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства | |
US7314520B2 (en) | Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer | |
JP4987707B2 (ja) | 低ドーピング半絶縁性SiC結晶と方法 | |
TWI518748B (zh) | Semiconductor device or crystal | |
TWI516648B (zh) | 使用多片晶種來生長碳化矽單晶之製造裝置 | |
JP6067532B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4427470B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
US20070209577A1 (en) | Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer | |
TWI660076B (zh) | 碳化矽晶體及其製造方法 | |
JP2014072517A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 | |
CN105463575A (zh) | 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法 | |
WO2006070480A1 (ja) | 炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
WO2009090831A1 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶 | |
CN104561926B (zh) | 一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法 | |
CN105441902A (zh) | 一种外延碳化硅-石墨烯复合薄膜的制备方法 | |
TW201743451A (zh) | 13族氮化物複合基板、半導體元件及13族氮化物複合基板的製造方法 | |
JP2005041710A (ja) | 炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
JP2016172674A (ja) | 炭化珪素単結晶及びそれを用いた電力制御用デバイス基板 | |
JP2010077023A (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
JP2014181178A5 (ru) | ||
Huber et al. | New CVD-based method for the growth of high-quality crystalline zinc oxide layers | |
JP2006232669A (ja) | 低窒素濃度黒鉛材料、低窒素濃度炭素繊維強化炭素複合材料、低窒素濃度膨張黒鉛シート | |
WO2010082574A1 (ja) | 窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 | |
CN108046247A (zh) | 提高碳化硅热解石墨烯薄层数均匀性的方法 | |
Nakamura et al. | Porosity-controlled multilayer TaC coatings prepared via wet powder process for multi-functional reactor components in GaN crystal growth system |