RU2016145417A - Прозрачный электрод на подложке для осид - Google Patents
Прозрачный электрод на подложке для осид Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016145417A RU2016145417A RU2016145417A RU2016145417A RU2016145417A RU 2016145417 A RU2016145417 A RU 2016145417A RU 2016145417 A RU2016145417 A RU 2016145417A RU 2016145417 A RU2016145417 A RU 2016145417A RU 2016145417 A RU2016145417 A RU 2016145417A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- ppo
- enamel
- barrier layer
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims 5
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
- C03C17/04—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass by fritting glass powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Claims (18)
1. Прозрачный электрод на подложке для ОСИД, включающий в себя, последовательно
(i) прозрачную подложку из минерального стекла,
(ii) рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащий по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
(iii) барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, осажденного путем АСО,
(iv) слой из прозрачного проводящего оксида (ППО).
2. Электрод по п. 1, характеризующийся тем, что барьерный слой, осажденный путем АСО, содержит несколько слоев Al2O3, чередующихся со слоями оксидов с более высоким показателем преломления (n>2), выбранных среди TiO2, ZrO2 и HfO2.
3. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что он включает в себя дополнительно металлическую решетку под или на слое ППО и непосредственно в контакте с ним.
4. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что барьерный слой, осажденный путем АСО, имеет толщину, заключенную между 5 и 200 нм, предпочтительно, между 10 и 100 нм.
5. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что эмаль с высоким показателем преломления, образующая рассеивающий слой, содержит светорассеивающие элементы, рассредоточенные по толщине слоя.
6. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что граница раздела между эмалью с высоким показателем преломления и нижележащей средой с меньшим показателем преломления имеет профиль шероховатости со среднеарифметическим отклонением Ra, по меньшей мере равным 0,1 мкм, предпочтительно, заключенным между 0,2 и 5 мкм, в частности, между 0,3 и 3 мкм.
7. ОСИД, содержащий электрод по любому из пп. 1-6.
8. Способ изготовления прозрачного электрода на подложке для ОСИД по любому из пп. 1-6, включающий в себя следующие последовательные этапы:
(a) предоставление прозрачной подложки, несущей на одной из своих сторон рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
(b) образование, путем атомно-слоевого осаждения (АСО), барьерного слоя из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, на эмали с высоким показателем преломления и непосредственно в контакте с ней,
(c) образование слоя из прозрачного проводящего оксида (ППО) поверх слоя из диэлектрического оксида металла (b).
9. Способ по п. 8, характеризующийся тем, что он включает в себя дополнительный этап (d) образования металлической решетки непосредственно в контакте со слоем прозрачного проводящего оксида, причем этот этап (d) содержит по меньшей мере один этап травления кислотой.
10. Способ по п. 9, характеризующийся тем, что этап (d) осуществляют после этапа (b) и перед этапом (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте одновременно с барьерным слоем из диэлектрического оксида металла и со слоем ППО.
11. Способ по п. 9, характеризующийся тем, что этап (d) осуществляют после этапа (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте со слоем ППО, но не с барьерным слоем оксида металла.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1453584A FR3020179B1 (fr) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | Electrode supportee transparente pour oled |
| FR1453584 | 2014-04-22 | ||
| PCT/FR2015/051069 WO2015162367A1 (fr) | 2014-04-22 | 2015-04-20 | Electrode supportee transparente pour oled |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016145417A true RU2016145417A (ru) | 2018-05-23 |
| RU2016145417A3 RU2016145417A3 (ru) | 2018-11-19 |
| RU2685086C2 RU2685086C2 (ru) | 2019-04-16 |
Family
ID=50976932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016145417A RU2685086C2 (ru) | 2014-04-22 | 2015-04-20 | Прозрачный электрод на подложке для осид |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10319934B2 (ru) |
| EP (1) | EP3134929B1 (ru) |
| JP (1) | JP6684225B2 (ru) |
| KR (1) | KR20160145596A (ru) |
| CN (1) | CN106463641B (ru) |
| ES (1) | ES2702210T3 (ru) |
| FR (1) | FR3020179B1 (ru) |
| RU (1) | RU2685086C2 (ru) |
| TW (1) | TWI663761B (ru) |
| WO (1) | WO2015162367A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3082172A1 (en) | 2015-04-16 | 2016-10-19 | Saint-Gobain Glass France | Layered structure for an oled and a method for producing such a structure |
| CN112876078A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-06-01 | 亚细亚建筑材料股份有限公司 | 一种高透感面釉 |
| US11527732B1 (en) | 2022-05-31 | 2022-12-13 | Applied Materials, Inc. | OLED anode structures including amorphous transparent conducting oxides and OLED processing method comprising the same |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1360522A (fr) | 1962-06-15 | 1964-05-08 | Automotive Prod Co Ltd | Système de freinage fonctionnant par une pression de liquide pour véhicules |
| JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2002343562A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Pioneer Electronic Corp | 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| US20060154550A1 (en) | 2002-10-16 | 2006-07-13 | Nellissen Antonius J M | Method for manufacturing a light emitting display |
| WO2005053053A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device comprising an etch-protective layer |
| US7508130B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| EP1916725A1 (en) | 2006-10-27 | 2008-04-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Organic light emitting diode device with multilayer seal |
| CN101766052B (zh) * | 2007-07-27 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 透光性基板、其制造方法、有机led元件及其制造方法 |
| KR20100138939A (ko) * | 2008-03-18 | 2010-12-31 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 전자 디바이스용 기판, 유기 ｌｅｄ 소자용 적층체 및 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법 |
| DE102009024411A1 (de) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement |
| DE102009022900A1 (de) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP2490506A1 (en) * | 2009-10-15 | 2012-08-22 | Asahi Glass Company, Limited | Organic led element, glass frit for diffusion layer for use in organic led element, and method for production of diffusion layer for use in organic led element |
| WO2011046156A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子の散乱層用ガラス及びそれを用いた有機ｌｅｄ素子 |
| RU2408957C1 (ru) * | 2009-11-25 | 2011-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Органический светоизлучающий диод |
| FR2955575B1 (fr) * | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
| JP5742838B2 (ja) * | 2010-04-08 | 2015-07-01 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| BR112013001133A2 (pt) * | 2010-07-16 | 2016-05-17 | Agc Glass Europe | substrato condutivo translúcido para dispositivos de emissão de luz orgânica. |
| WO2012014812A1 (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子の散乱層用ガラス及び有機ｌｅｄ素子 |
| FR2963705B1 (fr) * | 2010-08-06 | 2012-08-17 | Saint Gobain | Support a couche diffusante pour dispositif a diode electroluminescente organique, dispositif electroluminescent organique comportant un tel support |
| JP5938757B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-06-22 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 発光素子基板とその製造方法、面発光素子、照明器具およびバックライト |
| WO2012133832A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および透光性基板の製造方法 |
| WO2012147685A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 旭硝子株式会社 | 有機ｅｌ素子、透光性基板および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| WO2013054820A1 (ja) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子の散乱層用ガラス、有機ｌｅｄ素子用の積層基板及びその製造方法、並びに有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JP6056765B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2017-01-11 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子用の積層基板及び有機ｌｅｄ素子 |
| FR2986909B1 (fr) * | 2012-02-10 | 2014-11-21 | Saint Gobain | Electrode supportee transparente pour oled |
| KR20130111156A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| KR101715112B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2017-03-10 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | Ｏｌｅｄ 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 ｏｌｅｄ 소자 |
| FR2993707B1 (fr) * | 2012-07-17 | 2015-03-13 | Saint Gobain | Electrode supportee transparente pour oled |
| EP2712851B1 (en) * | 2012-09-28 | 2015-09-09 | Saint-Gobain Glass France | Method of producing a transparent diffusive oled substrate |
| JP6449788B2 (ja) | 2013-02-25 | 2019-01-09 | サン−ゴバン グラス フランス | 有機発光ダイオードを有するデバイスのための基材 |
-
2014
- 2014-04-22 FR FR1453584A patent/FR3020179B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-31 TW TW104110455A patent/TWI663761B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-04-20 EP EP15723259.6A patent/EP3134929B1/fr not_active Not-in-force
- 2015-04-20 ES ES15723259T patent/ES2702210T3/es active Active
- 2015-04-20 JP JP2016563841A patent/JP6684225B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-20 KR KR1020167029067A patent/KR20160145596A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-04-20 WO PCT/FR2015/051069 patent/WO2015162367A1/fr active Application Filing
- 2015-04-20 US US15/305,529 patent/US10319934B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-20 CN CN201580018195.5A patent/CN106463641B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-20 RU RU2016145417A patent/RU2685086C2/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015162367A1 (fr) | 2015-10-29 |
| CN106463641A (zh) | 2017-02-22 |
| JP6684225B2 (ja) | 2020-04-22 |
| FR3020179A1 (fr) | 2015-10-23 |
| JP2017514279A (ja) | 2017-06-01 |
| RU2016145417A3 (ru) | 2018-11-19 |
| RU2685086C2 (ru) | 2019-04-16 |
| EP3134929A1 (fr) | 2017-03-01 |
| TWI663761B (zh) | 2019-06-21 |
| KR20160145596A (ko) | 2016-12-20 |
| ES2702210T3 (es) | 2019-02-27 |
| US20170040565A1 (en) | 2017-02-09 |
| US10319934B2 (en) | 2019-06-11 |
| TW201605095A (zh) | 2016-02-01 |
| EP3134929B1 (fr) | 2018-09-19 |
| FR3020179B1 (fr) | 2017-10-06 |
| CN106463641B (zh) | 2018-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA027212B1 (ru) | Полупрозрачное остекление, содержащее по меньшей мере один узор, который предпочтительно является прозрачным | |
| JP2014057061A5 (ru) | ||
| JP2013058729A5 (ru) | ||
| JP2016535441A5 (ru) | ||
| EA201491639A1 (ru) | Противоконденсатное остекление | |
| JP2011054812A5 (ru) | ||
| JP2012142594A5 (ru) | ||
| CN105870358B (zh) | 一种散射层的制备方法、有机发光二极管 | |
| EA201290679A1 (ru) | Стеклянная подложка, покрытая слоем с высоким показателем преломления ниже электродного покрытия, и электролюминесцентное органическое устройство, содержащее такую подложку | |
| RU2016145417A (ru) | Прозрачный электрод на подложке для осид | |
| RU2017105085A (ru) | Электропроводная основа для органического светоизлучающего диода (oled), oled, включающий в себя указанную основу, и его изготовление | |
| FR2985092B1 (fr) | Anode transparente pour oled | |
| RU2014134901A (ru) | Емкостной преобразователь, полученный микрообработкой, и способ его изготовления | |
| JP2013021296A5 (ru) | ||
| RU2014134810A (ru) | Емкостной преобразователь, полученный микрообработкой, и способ его изготовления | |
| JP2018002544A5 (ru) | ||
| JP2014207356A5 (ru) | ||
| JP2011513955A5 (ru) | ||
| RU2017104776A (ru) | Прозрачная диффузионная подложка осид и способ для изготовления такой подложки | |
| JP2018516431A5 (ru) | ||
| MX2016006195A (es) | Acristalamiento que comprende un sustrato recubierto con una pila que comprende una capa funcional formada de plata y una capa inferior de bloqueo grueso formada de tiox. | |
| JP2017514279A5 (ru) | ||
| RU2017134935A (ru) | Слоистая структура для oled и способ получения такой структуры | |
| RU2017103773A (ru) | Электрохромные устройства и способы создания таких устройств | |
| JP2014116283A5 (ru) |