RU2015119545A - Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах - Google Patents

Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах Download PDF

Info

Publication number
RU2015119545A
RU2015119545A RU2015119545A RU2015119545A RU2015119545A RU 2015119545 A RU2015119545 A RU 2015119545A RU 2015119545 A RU2015119545 A RU 2015119545A RU 2015119545 A RU2015119545 A RU 2015119545A RU 2015119545 A RU2015119545 A RU 2015119545A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
side groups
siloxane
grafted
main chain
light converter
Prior art date
Application number
RU2015119545A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2648084C2 (ru
Inventor
Рулоф КОЛЕ
Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ
Патрик Джон БАШАУ
Марсель Рене БОМЕР
Йохан ЛУБ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2015119545A publication Critical patent/RU2015119545A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2648084C2 publication Critical patent/RU2648084C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/005—Reinforced macromolecular compounds with nanosized materials, e.g. nanoparticles, nanofibres, nanotubes, nanowires, nanorods or nanolayered materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04—Polysiloxanes
    • C08J2383/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/779—Possessing nanosized particles, powders, flakes, or clusters other than simple atomic impurity doping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y10S977/897—Polymerization
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления светового преобразователя (100), включающего силоксановую полимерную матрицу с внедренными в нее наночастицами (120) светового преобразователя, причем данный способ включает:(a) смешивание (i) наночастиц светового преобразователя, у которых на внешнюю поверхность привиты прививаемые лиганды, и (ii) отверждаемых силоксановых полимеров, и(b) отверждение отверждаемых силоксановых полимеров, в результате чего получается световой преобразователь (100);- причем прививаемые лиганды включают силоксановые прививаемые лиганды, содержащие x1 атомов Si основной цепи, при этом по меньшей мере к одному атому Si основной цепи каждого силоксанового прививаемого лиганда присоединена боковая группа, имеющая функциональную возможность прививки;- причем отверждаемые силоксановые полимеры содержат y1 атомов Si основной цепи;- причем x1 составляет по меньшей мере 20, при этом y1 составляет по меньшей мере 2 и при этом x1/y1>1.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что x1 составляет по меньшей мере 40, при этом y1 составляет по меньшей мере 7.3. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что прививаемые лиганды и отверждаемые силоксановые полимеры являются практически идентичными в химическом отношении.4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что по меньшей мере у 80% боковых групп, имеющих функциональную возможность прививки, силоксановых прививаемых лигандов и отверждаемых силоксановых полимеров совпадает химическая идентичность.5. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что по меньшей мере к 90% атомов Si основной цепи силоксановых прививаемых лигандов присоединены метильные боковые группы и причем по меньшей мере к 90% атомов Si основной цепи силоксановых полимеров

Claims (16)

1. Способ изготовления светового преобразователя (100), включающего силоксановую полимерную матрицу с внедренными в нее наночастицами (120) светового преобразователя, причем данный способ включает:
(a) смешивание (i) наночастиц светового преобразователя, у которых на внешнюю поверхность привиты прививаемые лиганды, и (ii) отверждаемых силоксановых полимеров, и
(b) отверждение отверждаемых силоксановых полимеров, в результате чего получается световой преобразователь (100);
- причем прививаемые лиганды включают силоксановые прививаемые лиганды, содержащие x1 атомов Si основной цепи, при этом по меньшей мере к одному атому Si основной цепи каждого силоксанового прививаемого лиганда присоединена боковая группа, имеющая функциональную возможность прививки;
- причем отверждаемые силоксановые полимеры содержат y1 атомов Si основной цепи;
- причем x1 составляет по меньшей мере 20, при этом y1 составляет по меньшей мере 2 и при этом x1/y1>1.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что x1 составляет по меньшей мере 40, при этом y1 составляет по меньшей мере 7.
3. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что прививаемые лиганды и отверждаемые силоксановые полимеры являются практически идентичными в химическом отношении.
4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что по меньшей мере у 80% боковых групп, имеющих функциональную возможность прививки, силоксановых прививаемых лигандов и отверждаемых силоксановых полимеров совпадает химическая идентичность.
5. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что по меньшей мере к 90% атомов Si основной цепи силоксановых прививаемых лигандов присоединены метильные боковые группы и причем по меньшей мере к 90% атомов Si основной цепи силоксановых полимеров присоединены метильные боковые группы.
6. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что как
прививаемые лиганды, так и отверждаемые силоксановые полимеры представляют собой полиметилсилоксаны, или полифенилсилоксаны, или полиметилфенилсилоксаны, причем x1/y1≥1,2.
7. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что x1 составляет по меньшей мере, 50, при этом не более чем к 10 атомам Si основной цепи каждого силоксанового прививаемого лиганда присоединены боковые группы, имеющие функциональную возможность прививки, выбранные из группы, состоящей из содержащих амины боковых групп, содержащих карбоновые кислоты боковых групп, содержащих фосфины боковых групп, содержащих фосфиноксиды боковых групп, содержащих фосфаты боковых групп и содержащих тиолы боковых групп.
8. Способ по п. 1 или 2, в котором боковые группы, имеющие функциональную возможность прививки, выбирают из содержащих амины боковых групп, содержащих карбоновые кислоты боковых групп, содержащих фосфины боковых групп, содержащих фосфиноксиды боковых групп, содержащих фосфаты боковых групп и содержащих тиолы боковых групп.
9. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что наночастицы (120) светового преобразователя выбирают из группы, состоящей из содержащих ядро и оболочку наночастиц, причем их ядра и оболочки содержат одно или несколько из следующих соединений: CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs и InAlPAs.
10. Световой преобразователь (100), включающий силоксановую полимерную матрицу с внедренными в нее наночастицами (120) светового преобразователя, в котором:
(a) наночастицы светового преобразователя имеют внешнюю поверхность, на которую привиты прививаемые лиганды, и
(b) силоксановая полимерная матрица включает сшитые силоксановые полимеры;
- при этом прививаемые лиганды включают силоксановые прививаемые лиганды, содержащие x1 атомов Si основной цепи, причем по меньшей мере к одному атому Si основной цепи каждого силоксанового прививаемого лиганда присоединена боковая группа, имеющая функциональную возможность прививки, выбранная из группы, состоящей из содержащей амин боковой группы или содержащей карбоновую кислоту боковой группы;
- при этом отверждаемые силоксановые полимеры содержат y1 атомов Si основной цепи;
- при этом x1 составляет по меньшей мере 20, при этом y1 составляет по меньшей мере 2, причем x1/y1>1.
11. Световой преобразователь по п. 10, отличающийся тем, что x1 составляет по меньшей мере 40, при этом y1 составляет по меньшей мере 7, при этом по меньшей мере к 90% атомов Si основной цепи силоксановых прививающихся лигандов присоединены метильные боковые группы, при этом по меньшей мере к 90% атомов Si основной цепи силоксановых полимеров присоединены метильные боковые группы, причем наночастицы (120) светового преобразователя выбирают из группы, состоящей из содержащих ядро и оболочку наночастиц, причем их ядра и оболочки содержат одно или несколько из следующих соединений: CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs и InAlPAs.
12. Световой преобразователь по любому из пп. 10 и 11, отличающийся тем, что световой преобразователь может быть изготовлен способом по любому из пп. 1-9, причем x1/y1≥1,2.
13. Осветительный элемент (1), включающий:
- источник (10) света, предназначенный, чтобы производить
свет (11) источника света,
- световой преобразователь (100), изготавливаемый способом по любому из пп. 1-9, или по любому из пп. 10-12 и предназначенный, чтобы преобразовывать по меньшей мере часть света (11) источника света в видимый преобразованный свет (121).
14. Осветительный элемент (1) по п. 13, отличающийся тем, что световой преобразователь (100) находится на ненулевом расстоянии от источника (10) света.
15. Осветительный элемент (1) по п. 13, отличающийся тем, что световой преобразователь (100) находится в физическом контакте с источником (10) света.
16. Жидкокристаллическое дисплейное устройство (2),ф включающее заднее подсвечивающее устройство (200), отличающееся тем, что заднее подсвечивающее устройство (200) включает один или несколько осветительных элементов (1) по любому из пп. 13-15.
RU2015119545A 2012-10-25 2013-10-23 Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах RU2648084C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261718260P 2012-10-25 2012-10-25
US61/718,260 2012-10-25
PCT/IB2013/059577 WO2014064620A1 (en) 2012-10-25 2013-10-23 Pdms-based ligands for quantum dots in silicones

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015119545A true RU2015119545A (ru) 2016-12-20
RU2648084C2 RU2648084C2 (ru) 2018-03-22

Family

ID=49998608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015119545A RU2648084C2 (ru) 2012-10-25 2013-10-23 Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10035952B2 (ru)
EP (1) EP2912141B1 (ru)
JP (1) JP6325556B2 (ru)
KR (1) KR20150079720A (ru)
CN (2) CN111500281A (ru)
BR (1) BR112015009085B1 (ru)
RU (1) RU2648084C2 (ru)
TW (1) TWI633168B (ru)
WO (1) WO2014064620A1 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9506627B2 (en) * 2012-08-06 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Highly stable QDS-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization
EP2976409B1 (en) 2013-03-20 2017-05-10 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
JP6609618B2 (ja) * 2014-07-22 2019-11-20 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 赤色照明のカラーコンバータを得るための、シリコーンホスト中で量子ドットを分散させるために使用されるシロキサン配位子
US10509319B2 (en) * 2015-02-27 2019-12-17 Merck Patent Gmbh Photosensitive composition and color converting film
EP3072944A3 (en) * 2015-03-27 2016-10-12 Nexdot Core-shell nanoplatelets film and display device using the same
US10516082B2 (en) * 2015-07-07 2019-12-24 Lumileds Holding B.V. Device for emitting light
EP3356888B1 (en) * 2015-09-29 2021-03-03 Merck Patent GmbH A photosensitive composition and color converting film
JP2018533658A (ja) * 2015-10-27 2018-11-15 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置用の波長変換材料
EP3433881A1 (en) 2016-03-24 2019-01-30 Nexdot Core-shell nanoplatelets and uses thereof
US11189488B2 (en) 2016-03-24 2021-11-30 Nexdot Core-shell nanoplatelets and uses thereof
WO2018002334A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength converter having a polysiloxane material, method of making, and solid state lighting device containing same
CN106929000A (zh) * 2017-03-31 2017-07-07 厦门大学 一种量子点‑聚二甲基硅氧烷复合材料及其制备方法
US10475967B2 (en) * 2017-04-27 2019-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength converters with improved thermal conductivity and lighting devices including the same
JP6935745B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 色変換層および画像表示装置
CN108441221B (zh) * 2018-05-10 2021-06-01 河北工业大学 一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法
EP3643765A1 (en) * 2018-10-22 2020-04-29 SABIC Global Technologies B.V. Stable quantum dot compositions
KR102334956B1 (ko) 2018-11-01 2021-12-02 주식회사 엘지화학 차량용 램프 및 이의 제조 방법
GB2579785A (en) * 2018-12-13 2020-07-08 Lambda Stretch Ltd Photovoltaic device
US11390804B2 (en) 2019-01-11 2022-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Core shell quantum dot and electronic device including the same
US20220059766A1 (en) * 2019-01-15 2022-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element, light-emitting device, and method of manufacturing light-emitting element
CN113046057A (zh) * 2021-03-05 2021-06-29 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点、由其制备的核壳量子点及该核壳量子点的制备方法
KR20230124161A (ko) * 2022-02-17 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 광제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556725A (en) 1985-01-24 1985-12-03 Union Carbide Corporation Process for preparing triacetoxysilanes from tris(amino)silanes
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
EP1603991A1 (en) 2003-03-11 2005-12-14 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescent device with quantum dots
KR100657891B1 (ko) 2003-07-19 2006-12-14 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 및 그 제조방법
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7374807B2 (en) * 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
KR101249078B1 (ko) * 2006-01-20 2013-03-29 삼성전기주식회사 실록산계 분산제 및 이를 포함하는 나노입자 페이스트조성물
WO2010014198A1 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
KR101616968B1 (ko) 2007-09-12 2016-04-29 큐디 비젼, 인크. 관능화된 나노입자 및 방법
JP2009087783A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
JP2009120437A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Niigata Univ シロキサンをグラフト化したシリカ及び高透明シリコーン組成物並びに該組成物で封止した発光半導体装置
RU2381304C1 (ru) 2008-08-21 2010-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
JP5555167B2 (ja) 2008-09-05 2014-07-23 株式会社日本触媒 シリコーン樹脂組成物、酸化金属粒子及びその製造方法
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
KR101631986B1 (ko) 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN104387772B (zh) * 2009-05-01 2017-07-11 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
BR112012004505A2 (pt) 2009-08-31 2016-03-29 Sharp Kk dispositivo de cristal líquido
JP2012003073A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2013503634A (ja) * 2009-09-02 2013-02-04 カンザス ステイト ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション プロテアーゼのｍｒｉアッセイおよび光学アッセイ
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
JP2011144272A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Nippon Shokubai Co Ltd ジルコニアナノ粒子を含むシリコーン樹脂組成物
WO2011092647A2 (en) * 2010-01-28 2011-08-04 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Phosphor-nanoparticle combinations
JP4949525B2 (ja) * 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
KR101695005B1 (ko) 2010-04-01 2017-01-11 삼성전자 주식회사 나노결정/수지 조성물, 나노결정-수지 복합체 및 나노결정-수지 복합체의 제조방법
DE102010028306A1 (de) * 2010-04-28 2011-11-03 Wacker Chemie Ag Entschäumerzusammensetzungen
KR20120012642A (ko) 2010-08-02 2012-02-10 삼성전기주식회사 나노 복합재 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20120067541A (ko) 2010-12-16 2012-06-26 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US9187643B2 (en) 2011-11-21 2015-11-17 University Of South Carolina Silicone based nanocomposites including inorganic nanoparticles and their methods of manufacture and use
JP6118825B2 (ja) 2012-02-03 2017-04-19 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 新規材料並びに高量子収率及び高安定性を有するナノ粒子のマトリックス中への分散方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI633168B (zh) 2018-08-21
EP2912141A1 (en) 2015-09-02
CN104755585A (zh) 2015-07-01
KR20150079720A (ko) 2015-07-08
US20150291876A1 (en) 2015-10-15
EP2912141B1 (en) 2019-09-18
WO2014064620A1 (en) 2014-05-01
RU2648084C2 (ru) 2018-03-22
JP2016506527A (ja) 2016-03-03
BR112015009085B1 (pt) 2021-06-15
CN111500281A (zh) 2020-08-07
JP6325556B2 (ja) 2018-05-16
TW201422765A (zh) 2014-06-16
US10035952B2 (en) 2018-07-31
BR112015009085A2 (pt) 2017-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015119545A (ru) Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах
US9971076B2 (en) Quantum dot color filter and display apparatus including the same
JP2010258469A5 (ru)
RU2014135769A (ru) Новые материалы и способы для диспергирования наночастиц в матрицы с высокими квантовыми выходами и стабильностью
CN101666952B (zh) 量子点波长转换器及其制造方法以及包括其的发光装置
US20140036528A1 (en) Light guiding plate, manufacturing method thereof, and backlight unit including light guiding plate
KR20120129604A (ko) 광전자 소자 및 적층 구조
CN109031777A (zh) 量子点膜片及其制备方法和背光模组
KR20170103421A (ko) 양자점을 포함하는 도광판
CN110471207B (zh) 量子点偏光片及背光模组
US20150070932A1 (en) Light source unit using quantum dot package and display having the same
KR102108994B1 (ko) 광 변환 소자 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 광원 유닛
US20160047070A1 (en) Fabric
US20190006328A1 (en) Display device
KR102177480B1 (ko) 색변환 패널
TWI554790B (zh) 複合式光學膜
CN109880613A (zh) 量子点复合物及其制备方法、量子点led光源
CN108922958B (zh) 白光led及显示装置
TWI627454B (zh) 背光裝置
CN208580768U (zh) 白光led及显示装置
KR20160117091A (ko) 양자점을 포함하는 광학 필름의 제조방법
CN114503021B (zh) 色彩转换面板
CN109946924A (zh) 树脂组合物及显示装置
US11302678B2 (en) Light-emitting package structure
KR102167982B1 (ko) 색변환 패널

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant