TWI627454B - 背光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種背光裝置，其包含光源以及包含多個綠色量子點之波長轉換薄膜。光源包含多個藍光半導體發光二極體裸晶以及多個紅光半導體發光二極體裸晶。波長轉換薄膜係配置使多個紅光半導體發光二極體裸晶發射的紅色光線與多個藍光半導體發光二極體裸晶發射的藍色光線通過波長轉換薄膜，並且多個綠色量子點吸收藍色光線之一部份將其降頻成綠色光線。紅色光線、綠色光線與藍色光線之其餘部份混光成白色光線。

Description

背光裝置

本發明係關於一種背光裝置，並且特別是關於本身的鎘含量低甚至微鎘、進一步組裝成液晶顯示系統無殘紅問題之背光裝置。

眾所皆知，液晶顯示系統係藉由液晶面板來顯示影像。但是，液晶面板本身不發光，必須藉由所謂的背光裝置來達到發光功能，因此背光裝置是液晶顯示裝置重要的零組件。

現行背光裝置大多採用已封裝的半導體發光二極體(semiconductor light-emitting diode)做為發光光源，其架構大致區分為直下式背光裝置以及側光式背光裝置。直下式背光裝置具有出光效率高、不需導光板、零組件較少等優點，但是也具有光均齊度較低、模組較厚等缺點。直下式背光裝置區分為兩種型式。第一種型式的直下式背光裝置是直接將發光二極體排列在燈箱內。側光式背光裝置的主要結構由發光光源、導光板、光學膜片(例如：稜鏡片、擴散片、反射片等)、光源反射罩以及外部結構體(例如，邊框等)所構成。

目前已有液晶顯示系統的背光裝置採用量子點來提升顯示的品質。量子點是成奈米晶體形式的半導體，能提供替換的顯示。量子點的電子特性通常由奈米晶體的尺寸與形狀決定。相同材料的量子點，但具有不同的尺寸，可以在激發時發出不同顏色的光。更具體地，量子點發射光線的波長隨量子點的大小和形狀而變化。於一範例中，較大顆的 量子點可以發射較長波長的光(例如，紅光)，而較小顆的量子點可以發射較短波長的光(例如，藍光或紫光)。例如，硒化鎘(CdSe)形成的量子從點可以逐漸調變，從直徑為5nm的量子點發射在可見光譜的紅光區域，到直徑為1.5nm的量子點發射紫光區域。藉由改變量子點的尺寸，可以發射從波長約460nm(藍光)到波長約650nm(紅光)的整個可見光波長。

目前已見採用量子點的背光裝置之先前技術是採用藍光半導體發光二極體以及將藍光降頻成綠光、紅光的量子點薄膜，以組成混成白光的背光裝置。考量光學效率及演色性，此類先前技術採用硒化鎘形成的量子點含鎘量超過歐盟標準100PPM以下，所以目前是歐盟特許豁免鎘含量。

另有先前技術採用藍光半導體發光二極體以及將藍光轉換成綠光、紅光的量子點薄膜，形成量子點的材料改採用磷化銦(InP)。此類先前技術的優點是無鎘。但是，磷化銦形成的量子點其光學效率及演色性較硒化鎘形成的量子點差。

另有先前技術採用藍光半導體發光二極體與KSF螢光粉(紅光螢光粉)封裝成發光元件，並採用將藍光降頻成綠光的量子點薄膜。此類先前技術採用硒化鎘形成的綠色量子點僅將藍光降頻成綠光，量子點尺寸較小，加上紅色量子點被KSF螢光粉取代相較下含鎘量較少。但是，此類先前技術因採用的KSF螢光粉其中含有磷，採用該先前技術之背光裝置之液晶顯示系統執行高動態範圍成像(High Dynamic Range,HDR)以及區域調光(Local dimming)時會有殘紅的問題，其T_f(白畫面變黑所需的時間)>10000μs。

從上文對先前技術的描述，可以清楚了解採用量子點的背光裝置之先前技術仍有改良的空間。

因此，本發明所欲解決之一技術問題在於提供一種採用量子點的背光裝置。本發明之背光裝置本身的鎘含量低甚至微鎘、進一步組裝成液晶顯示系統無殘紅問題。

本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置包含光源以及波長轉換薄膜。光源包含多個藍光半導體發光二極體裸晶以及多個紅光半導體發光二極體裸晶。多個藍光半導體發光二極體裸晶用以發射藍色光線。多個紅光半導體發光二極體裸晶用以發射紅色光線。光源係配置致使藍色光線與紅色光線朝前進方向傳遞。波長轉換薄膜包含多個綠色量子點。波長轉換薄膜係配置使紅色光線與藍色光線通過波長轉換薄膜，並且多個綠色量子點吸收藍色光線的一部份將其降頻成綠色光線。紅色光線、綠色光線與藍色光線的其餘部份混光成白色光線。

於一具體實施例，多個藍光半導體發光二極體裸晶與多個紅光半導體發光二極體裸晶係封裝成多個發光元件。每一個發光元件包含N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶，其中N與M分別為一自然數。光源並且包含導光板以及反射板。導光板具有出光面以及至少一入光側面。導光板的出光面之第一法線方向與前進方向平行。多個發光元件係設置緊鄰導光板的至少一入光側面，致使多個發光元件發射之藍色光線與紅色光線從至少一入光側面射入且由導光板導引從出光面射出。反射板係置於導光板之下方，用以反射紅色光線與藍色光線。

根據本發明之第一較佳具體實施例之一變形，多個藍光半導體發光二極體裸晶與多個紅光半導體發光二極體裸晶係封裝成多個發光元件。每一個發光元件包含N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶，其中N與M分別為一自然數。光源並且包含電路板以及反射板。電路板的第二法線方向與前進方向平行。多個發光元件 係成一陣列排列且電連接於電路板上，致使多個發光元件發射之藍色光線與紅色光線朝第二法線方向射出。反射板係置於電路板之下方，用以反射紅色光線與藍色光線。

根據本發明之第一較佳具體實施例之另一變形，多個藍光半導體發光二極體裸晶與多個紅光半導體發光二極體裸晶係未封裝且分組成多個叢集。每一個叢集包含N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶，其中N與M分別為一自然數。光源並且包含電路板以及反射板。電路板的第二法線方向與前進方向平行。多個叢集係成一陣列排列且電連接於電路板上，致使多個藍光半導體發光二極體裸晶之藍色光線與多個紅光半導體發光二極體裸晶發射之紅色光線朝向該第二法線方向射出。反射板係置於該導光板之下方，用以反射紅色光線與藍色光線。

本發明之第二較佳具體實施例之背光裝置包含多個發光元件、導光板以及反射板。每一個發光元件包含N個藍光半導體發光二極體裸晶、M個紅光半導體發光二極體裸晶、透明封裝材料以及多個綠色量子點。N個藍光半導體發光二極體裸晶用以發射藍色光線，其中N為一自然數。M個紅光半導體發光二極體裸晶用以發射紅色光線，其中M為一自然數。透明封裝材料覆蓋N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶。多個綠色量子點係均勻地分佈於透明封裝材料內。紅色光線與藍色光線通過透明封裝材料，並且多個綠色量子點吸收藍色光線的一部份將其降頻成綠色光線。紅色光線、綠色光線與藍色光線的其餘部份混光成白色光線。導光板具有出光面以及至少一入光側面。多個發光元件係設置緊鄰導光板的至少一入光側面，致使多個發光元件發射之白色光線從導光板的至少一入光側面射入且由導光板導引從出光面射出。反射板係置於導光板之下方，用以反射白色光線。

本發明之第三較佳具體實施例之背光裝置包含多個發光元件、電路板以及反射板。每一個發光元件包含N個藍光半導體發光二極體裸晶、M個紅光半導體發光二極體裸晶、透明封裝材料以及多個綠色量子點。N個藍光半導體發光二極體裸晶用以發射藍色光線，其中N為一自然數。M個紅光半導體發光二極體裸晶用以發射紅色光線，其中M為一自然數。透明封裝材料覆蓋N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶。多個綠色量子點係均勻地分佈於透明封裝材料內。紅色光線與藍色光線通過透明封裝材料，並且多個綠色量子點吸收藍色光線的一部份將其降頻成綠色光線。紅色光線、綠色光線與藍色光線的其餘部份混光成白色光線。多個發光元件係成一陣列排列且電連接於電路板上，致使多個發光元件發射之白色光線朝向電路板之法線方向射出。反射板係置於電路板之下方，用以反射白色光線。

於一具體實施例中，多個綠色量子點可以由II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物或上述化合物之混合物所形成。

與先前技術不同，本發明之背光裝置具有較佳的光學效率及演色性，但是其本身的鎘含量低甚至微鎘、進一步組裝成液晶顯示系統無殘紅問題。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

1‧‧‧背光裝置

10‧‧‧光源

101‧‧‧發光元件

102‧‧‧藍光半導體發光二極體裸晶

104‧‧‧紅光半導體發光二極體裸晶

105‧‧‧導光板

1052‧‧‧出光面

1054‧‧‧入光側面

106‧‧‧反射板

107‧‧‧電路板

108‧‧‧叢集

12‧‧‧波長轉換薄膜

122‧‧‧綠色量子點

2‧‧‧背光裝置

20‧‧‧發光元件

202‧‧‧藍光半導體發光二極體裸晶

204‧‧‧紅光半導體發光二極體裸晶

206‧‧‧透明封裝材料

208‧‧‧綠色量子點

22‧‧‧導光板

222‧‧‧出光面

224‧‧‧入光側面

24‧‧‧反射板

3‧‧‧背光裝置

30‧‧‧發光元件

302‧‧‧藍光半導體發光二極體裸晶

304‧‧‧紅光半導體發光二極體裸晶

306‧‧‧透明封裝材料

308‧‧‧綠色量子點

32‧‧‧電路板

34‧‧‧反射板

LB‧‧‧藍色光線

LR‧‧‧紅色光線

LG‧‧‧綠色光線

LW‧‧‧白色光線

D‧‧‧前進方向

N1‧‧‧第一法線方向

N2‧‧‧第二法線方向

N3‧‧‧第三法線方向

圖1係本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置的剖面視圖。

圖2係本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置之一變形的剖面視圖。

圖3係圖2中背光裝置之局部元件的頂視圖。

圖4係本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置之另一變形的剖面視圖。

圖5係圖4中背光裝置之局部元件的頂視圖。

圖6係本發明之第二較佳具體實施例之背光裝置的剖面視圖。

圖7係本發明之第三較佳具體實施例之背光裝置的剖面視圖。

圖8係圖7中背光裝置之局部元件的頂視圖。

請參閱圖1，圖1係以剖面視圖示意地描繪本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置1。

如圖1所示，本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置1包含光源10以及波長轉換薄膜12。光源10包含多個藍光半導體發光二極體裸晶102以及多個紅光半導體發光二極體裸晶104。

多個藍光半導體發光二極體裸晶102用以發射藍色光線LB。於一具體實施例中，每一個藍光半導體發光二極體裸晶102可以是氮化鎵(GaN)基二極體裸晶。

多個紅光半導體發光二極體裸晶104用以發射紅色光線LR。於一具體實施例中，每一個紅光半導體發光二極體裸晶104可以是砷化鎵(GaAs)基二極體裸晶。

光源10係配置致使藍色光線LB與紅色光線LR朝前進方向D傳遞。波長轉換薄膜12包含多個綠色量子點122。

波長轉換薄膜12係配置使紅色光線LR與藍色光線LB通過波長轉換薄膜12，並且多個綠色量子點122吸收藍色光線LB的一部份將其降頻成綠色光線LG。紅色光線LR、綠色光線LG與藍色光線LB的其餘部份混光成白色光線LW。

波長轉換薄膜12的基底可以是由高分子材料所形成，例如，聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚酰亞胺(polyimide)、聚丙烯酰胺(polyacrylamide)、聚乙烯(polyethylene)、聚乙烯基(polyvinyl)、聚-二乙炔(poly-diacetylene)、聚亞苯基亞乙烯基(polyphenylene-vinylene)、多肽(polypeptide)、多醣(polysaccharide)、聚砜(polysulfone)、聚吡咯(polypyrrole)、聚咪唑(polyimidazole)、聚噻吩(polythiophene)、聚醚(polyether)、環氧樹脂(epoxy)、石英玻璃(silica glass)二氧化矽凝膠(silica gel)、矽氧烷(siloxane)、多磷酸鹽(polyphosphate)、水凝膠(hydrogel)、瓊脂糖(agarose)、纖維素(cellulose)，等。

同樣示於圖1，於一具體實施例，多個藍光半導體發光二極體裸晶102與多個紅光半導體發光二極體裸晶104係封裝成多個發光元件101。如圖2所示，每一個發光元件101包含N個藍光半導體發光二極體裸晶102以及M個紅光半導體發光二極體裸晶104，其中N與M分別為一自然數。於圖2中，每一個發光元件101包含一個藍光半導體發光二極體裸晶102以及一個紅光半導體發光二極體裸晶104，但本發明之發光元件101並不以此為限。

請再參閱圖1，於該具體實施例中，光源10並且包含導光板105以及反射板106。導光板105具有出光面1052以及至少一入光側面1054。導光板105的出光面1052之第一法線方向N1與前進方向D平行。多個發光元件101係設置緊鄰導光板105的至少一入光側面1054，致使多個發光元件101發射之藍色光線LB與紅色光線LR從至少一入光側面1054射入且由導光板105導引從出光面1052射出。反射板106係置於導光板105之下方，用以反射紅色光線LR與藍色光線LB。

於一具體實施例中，多個綠色量子點122可以由II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物或上述化合物之混合物所形成。

於一具體實施例中，形成本發明所採用之綠色量子點122的II-VI族化合物可以由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或其他II-VI族化合物所形成。於實際應用中，因為本發明所採用的綠色量子點122僅將藍色光線降頻成綠色光線，其顆粒尺寸較小，所以即便含有鎘等重金屬，也讓本發明之背光裝置整體的鎘(或其他重金屬)含量小。

於一具體實施例中，形成本發明所採用之綠色量子點122的III-V族化合物可以由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、 GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或III-V族化合物所形成。

於一具體實施例中，形成本發明所採用之綠色量子點122的IV-VI族化合物可以由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或其他IV-VI族化合物所形成。

於一具體實施例中，形成本發明所採用之綠色量子點122的IV族化合物可以由Si、Ge、SiC、SiGe或其他IV族化合物所形成。

請參閱圖2及圖3，圖2係以剖面視圖示意地描繪本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置1之一變形。圖3係圖2所示背光裝置1之局部元件的頂視圖。

如圖2及圖3所示，多個藍光半導體發光二極體裸晶102與多個紅光半導體發光二極體裸晶104係封裝成多個發光元件101。每一個發光元件101包含N個藍光半導體發光二極體裸晶102以及M個紅光半導體發光二極體裸晶104，其中N與M分別為一自然數。光源10並且包含電路板107以及反射板106。電路板107的第二法線方向N2與前進方向D平行。如圖2所示，多個發光元件101係成一陣列排列且電連接於電路板107上，致使多個發光元件101發射之藍色光線LB與紅色光線LR朝第二法線方向N2射出。反射板106係置於電路板107之下方，用以反射紅色光線LR與藍色光線LB。圖2中具有與圖1中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。

於實際應用中，電路板107的基底可以是透明的，或者電路板107與反射板106整合成一個元件。

於實際應用中，圖2所示的背光裝置1與液晶顯 示面板之間還設置光學膜片，例如，稜鏡片、擴散片、反射片，等。

請參閱圖4及圖5，圖4係以剖面視圖示意地描繪本發明之第一較佳具體實施例之背光裝置1之另一變形。圖5係圖4所示背光裝置1之局部元件的頂視圖。

如圖4及圖5所示，多個藍光半導體發光二極體裸晶102與多個紅光半導體發光二極體裸晶104係未封裝且分組成多個叢集108。每一個叢集108包含N個藍光半導體發光二極體裸晶102以及M個紅光半導體發光二極體裸晶104，其中N與M分別為一自然數。光源10並且包含電路板107以及反射板106。電路板107的第二法線方向N2與前進方向D平行。如圖5所示，多個叢集108係成一陣列排列且電連接於電路板107上，致使多個藍光半導體發光二極體裸晶102之藍色光線LB與多個紅光半導體發光二極體裸晶104發射之紅色光線LR朝向該第二法線方向N2射出。反射板106係置於電路板107之下方，用以反射紅色光線LR與藍色光線LB。圖4中具有與圖1中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。

於實際應用中，圖4所示的背光裝置1與液晶顯示面板之間還設置光學膜片，例如，稜鏡片、擴散片、反射片，等。

請參閱圖6，圖6係以剖面視圖示意地描繪本發明之第二較佳具體實施例之背光裝置2。

如圖6所示，本發明之第二較佳具體實施例之背光裝置2包含多個發光元件20、導光板22以及反射板24。每一個發光元件20包含N個藍光半導體發光二極體裸晶202、M個紅光半導體發光二極體裸晶204、透明封裝材料206以及多個綠色量子點208。

N個藍光半導體發光二極體裸晶202用以發射藍色光線LB，其中N為一自然數。於一具體實施例中，每一個藍光半導體發光二極體裸晶202可以是氮化鎵(GaN)基二極體裸晶。

M個紅光半導體發光二極體裸晶204用以發射紅色光線LR，其中M為一自然數。於一具體實施例中，每一個紅光半導體發光二極體裸晶204可以是砷化鎵(GaAs)基二極體裸晶。

透明封裝材料206覆蓋N個藍光半導體發光二極體裸晶202以及M個紅光半導體發光二極體裸晶204。多個綠色量子點208係均勻地分佈於透明封裝材料206內。紅色光線LR與藍色光線LB通過透明封裝材料206，並且多個綠色量子點208吸收藍色光線LB的一部份將其降頻成綠色光線LG。紅色光線LR、綠色光線LG與藍色光線的其餘部份混光成白色光線LW。

形成多個綠色量子點208的材料同形成多個綠色量子點122的材料，已於上文中詳述，在此不再贅述。

導光板22具有出光面222以及至少一入光側面224。多個發光元件20係設置緊鄰導光板22的至少一入光側面224，致使多個發光元件20發射之白色光線LW從導光板22的至少一入光側面224射入且由導光板22導引從出光面222射出。反射板24係置於導光板22之下方，用以反射白色光線LW。

請參閱圖7及圖8，圖7係以剖面視圖示意地描繪本發明之第三較佳具體實施例之背光裝置3。圖8係圖7所示背光裝置3之局部元件的頂視圖。

如圖7及圖8所示，本發明之第三較佳具體實施例之背光裝置3包含多個發光元件30、電路板32以及反射板 34。每一個發光元件30包含N個藍光半導體發光二極體裸晶302、M個紅光半導體發光二極體裸晶304、透明封裝材料306以及多個綠色量子點308。

N個藍光半導體發光二極體裸晶302用以發射藍色光線LB，其中N為一自然數。於一具體實施例中，每一個藍光半導體發光二極體裸晶302可以是氮化鎵(GaN)基二極體裸晶。

M個紅光半導體發光二極體裸晶304用以發射紅色光線LR，其中M為一自然數。於一具體實施例中，每一個紅光半導體發光二極體裸晶304可以是砷化鎵(GaAs)基二極體裸晶。

透明封裝材料306覆蓋N個藍光半導體發光二極體裸晶302以及M個紅光半導體發光二極體裸晶304。多個綠色量子點308係均勻地分佈於透明封裝材料306內。紅色光線LR與藍色光線LB通過透明封裝材料306，並且多個綠色量子點308吸收藍色光線LB的一部份將其降頻成綠色光線LG。紅色光線LR、綠色光線LG與藍色光線LB的其餘部份混光成白色光線LW。

形成多個綠色量子點308的材料同形成多個綠色量子點122的材料，已於上文中詳述，在此不再贅述。

如圖8所示，多個發光元件30係成一陣列排列且電連接於電路板32上，致使多個發光元件30發射之白色光線LW朝向電路板32之第三法線方向N3射出。反射板34係置於電路板32之下方，用以反射白色光線LW。

於實際應用中，電路板32的基底可以是透明的，或者電路板32與反射板34整合成一個元件。

於實際應用中，圖7所示的背光裝置1與液晶顯 示面板之間還設置光學膜片，例如，稜鏡片、擴散片、反射片，等。

須強調的是，本發明之背光裝置因沒有先前技術採用的KSF螢光粉，所以採用本發明之背光裝置之液晶顯示系統執行高動態範圍成像與區域調光時，不會有殘紅的問題，經實測其T_f(白畫面變黑所需的時間)<3μs，遠低於先前技術的T_f(>10000μs)。並且，本發明之背光裝置具有較佳的光學效率及演色性，

與先前技術不同，本發明之背光裝置具有光學效率及演色性，但是其本身的鎘含量低甚至微鎘、進一步組裝成液晶顯示系統無殘紅問題。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的面向內。因此，本發明所申請之專利範圍的面向應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。

Claims (10)

1. 一種背光裝置，包含：一光源，包含多個藍光半導體發光二極體裸晶以及多個紅光半導體發光二極體裸晶，該多個藍光半導體發光二極體裸晶用以發射一藍色光線，該多個紅光半導體發光二極體裸晶用以發射一紅色光線，該光源係配置致使該藍色光線與該紅色光線朝一前進方向傳遞；以及一波長轉換薄膜，包含多個綠色量子點，該波長轉換薄膜係配置使該紅色光線與該藍色光線通過該波長轉換薄膜且該多個綠色量子點吸收該藍色光線之一部份將其降頻成一綠色光線，該紅色光線、該綠色光線與該藍色光線之其餘部份混光成一白色光線。
2. 如請求項1所述之背光裝置，其中該多個藍光半導體發光二極體裸晶與該多個紅光半導體發光二極體裸晶係封裝成多個發光元件，每一個發光元件包含N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶，N與M分別為一自然數，該光源並且包含一導光板以及一反射板，該導光板具有一出光面以及至少一入光側面，該出光面之一第一法線方向與該前進方向平行，該多個發光元件係設置緊鄰該至少一入光側面，致使該多個發光元件發射之該藍色光線與該紅色光線從該至少一入光側面射入且由該導光板導引從該出光面射出，該反射板係置於該導光板之一下方，用以反射該紅色光線與該藍色光線。
3. 如請求項1所述之背光裝置，其中該多個藍光半導體發光 二極體裸晶與該多個紅光半導體發光二極體裸晶係封裝成多個發光元件，每一個發光元件包含N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶，N與M分別為一自然數，該光源並且包含一電路板以及一反射板，該電路板之一第二法線方向與該前進方向平行，該多個發光元件係成一陣列排列且電連接於該電路板上，致使該多個發光元件發射之該藍色光線與該紅色光線朝向該第二法線方向射出，該反射板係置於該電路板之一下方，用以反射該紅色光線與該藍色光線。
4. 如請求項1所述之背光裝置，其中該多個藍光半導體發光二極體裸晶與該多個紅光半導體發光二極體裸晶係未封裝且分組成多個叢集，每一個叢集包含N個藍光半導體發光二極體裸晶以及M個紅光半導體發光二極體裸晶，N與M分別為一自然數，該光源並且包含一電路板以及一反射板，該電路板之一第二法線方向與該前進方向平行，該多個叢集係成一陣列排列且電連接於該電路板上，致使該多個藍光半導體發光二極體裸晶之該藍色光線與該多個紅光半導體發光二極體裸晶發射之該紅色光線朝向該第二法線方向射出，該反射板係置於該電路板之一下方，用以反射該紅色光線與該藍色光線。
5. 如請求項1所述之背光裝置，其中該多個綠色量子點係由選自由一II-VI族化合物、一III-V族化合物、一IV-VI族化合物、一IV族化合物以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一所形成。
6. 如請求項5所述之背光裝置，其中該II-VI族化合物係由選自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe所組成之群組中之其一所形成，該III-V族化合物係由選自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb所組成之群組中之其一所形成，該IV-VI族化合物係由選自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe所組成之群組中之其一所形成，該IV族化合物係由選自由Si、Ge、SiC以及SiGe所組成之群組中之其一所形成。
7. 一種背光裝置，包含：多個發光元件，每一個發光元件包含：N個藍光半導體發光二極體裸晶，用以發射一藍色光線，其中N為一自然數； M個紅光半導體發光二極體裸晶，用以發射一紅色光線，其中M為一自然數；一透明封裝材料，覆蓋該N個藍光半導體發光二極體裸晶以及該M個紅光半導體發光二極體裸晶；以及多個綠色量子點，係均勻地分佈於該透明封裝材料內，其中該紅色光線與該藍色光線通過該透明封裝材料且該多個綠色量子點吸收該藍色光線之一部份將其降頻成一綠色光線，該紅色光線、該綠色光線與該藍色光線之其餘部份混光成一白色光線；一導光板，該導光板具有一出光面以及至少一入光側面，該多個發光元件係設置緊鄰該至少一入光側面，致使該多個發光元件發射之該白色光線從該至少一入光側面射入且由該導光板導引從該出光面射出；以及一反射板，係置於該導光板之一下方，用以反射該白色光線。
8. 如請求項7所述之背光裝置，其中該多個綠色量子點係由選自由一II-VI族化合物、一III-V族化合物、一IV-VI族化合物、一IV族化合物以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一所形成。
9. 一種背光裝置，包含：多個發光元件，每一個發光元件包含：N個藍光半導體發光二極體裸晶，用以發射一藍色光線，其中N為一自然數； M個紅光半導體發光二極體裸晶，用以發射一紅色光線，其中M為一自然數；一透明封裝材料，覆蓋該N個藍光半導體發光二極體裸晶以及該M個紅光半導體發光二極體裸晶；以及多個綠色量子點，係均勻地分佈於該透明封裝材料內，其中該紅色光線與該藍色光線通過該透明封裝材料且該多個量子點吸收該藍色光線之一部份將其降頻成一綠色光線，該紅色光線、該綠色光線與該藍色光線之其餘部份混光成一白色光線；一電路板，該多個發光元件係成一陣列排列且電連接於該電路板上，致使該多個發光元件發射之該白色光線朝向該電路板之一法線方向射出；以及一反射板，係置於該電路板之一下方，用以反射該白色光線。
10. 如請求項9所述之背光裝置，其中該多個綠色量子點係由選自由一II-VI族化合物、一III-V族化合物、一IV-VI族化合物、一IV族化合物以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一所形成。