TW201422765A - 用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷（ｐｄｍｓ）之配位體 - Google Patents

用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷（ｐｄｍｓ）之配位體 Download PDF

Info

Publication number
TW201422765A
TW201422765A TW102138792A TW102138792A TW201422765A TW 201422765 A TW201422765 A TW 201422765A TW 102138792 A TW102138792 A TW 102138792A TW 102138792 A TW102138792 A TW 102138792A TW 201422765 A TW201422765 A TW 201422765A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
ligand
group
pendant
grafting
Prior art date
Application number
TW102138792A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI633168B (zh
Inventor
Roelof Koole
Rifat Mustafa Hikmet
Patrick John Baesjou
Marcel Rene Bohmer
Original Assignee
Koninkl Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninkl Philips Nv filed Critical Koninkl Philips Nv
Publication of TW201422765A publication Critical patent/TW201422765A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI633168B publication Critical patent/TWI633168B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/005—Reinforced macromolecular compounds with nanosized materials, e.g. nanoparticles, nanofibres, nanotubes, nanowires, nanorods or nanolayered materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04—Polysiloxanes
    • C08J2383/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/779—Possessing nanosized particles, powders, flakes, or clusters other than simple atomic impurity doping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y10S977/897—Polymerization
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本發明提供一種用於製造包含包埋光轉換器奈米粒子於其中之矽氧烷聚合物基質之光轉換器的方法，該方法包括(a)將(i)具有經接枝配位體接枝之外表面之光轉換器奈米粒子與(ii)可固化矽氧烷聚合物混合，及(b)固化該等可固化矽氧烷聚合物，因而製得該光轉換器；其中該等接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基；其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；及其中x1為至少20，其中y1為至少2，及其中x1/y1≧0.8。

Description

用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷(PDMS)之配位體
本發明係關於一種用於製備聚合物中包埋光轉換器奈米粒子之該聚合物的方法，關於如此獲得之光轉換器，及關於包括該(聚合物)光轉換器之發光單元。
相關技藝中已知將奈米粒子(諸如量子點(QD))用於發光應用。例如，US20110240960描述一種發光裝置，其包括發光源、配置在該發光源上方之第一量子點波長轉換器，該第一量子點波長轉換器包括複數個用於藉由轉換來自該發光源之光的波長產生波長轉換光之第一量子點、分散地包埋該等第一量子點於其中之第一分散介質、及用於在包裝中密封包埋該等第一量子點之分散介質之整個外表面之第一密封件。
應用第一封裝劑來封裝第一量子點波長轉換器之整個外表面。此外，第二量子點波長轉換器係配置在該第一量子點波長轉換器上方，該第二量子點波長轉換器包括複數個用於藉由轉換來自發光源之光的波長產生波長轉換光之第二量子點、分散地包埋該等第二量子點於其中之第二分散介質、及用於在包裝中密封包埋第二量子點之該第二分散介質之整個外表面之第二密封件，其中該第一量子點波長轉換器、該第二量子點波長轉換器及該發光源彼此間隔開。該第二封裝劑 係沉積於該第二量子點波長轉換器之整個外表面上及用於封裝該第二量子點波長轉換器之整個外表面。此外，該發光源為發光二極體或雷射二極體。
已表明奈米粒子(諸如量子點(QD))在發光應用中受到高度關注。奈米粒子可例如在將藍光轉換成其他顏色時充當無機磷光體及其優點在於相當狹窄的發射帶及藉由QD的尺寸而色彩可調以可獲得高品質純白光。
為了將QD用於LED應用，需要將其併入適宜之基質中。QD粉末(在無基質下)因濃度淬滅效應及該純QD粉末之不良加工能力而為非所需。迄今，將奈米粒子包埋於許多種聚合物中似乎會導致奈米粒子之聚集。目前，丙烯酸系基質主要用作用於QD之基質，然而，因其對高藍光通量之不良穩定性而眾所周知。吾人認為聚矽氧為用於QD之最佳基質，此乃因已證實聚矽氧對高藍光通量之穩定性(即，已證實其與LED之相容性)。
聚矽氧目前係用作用於許多LED-製造方法之標準基質/樹脂。然而，QD一般具有致使其與聚矽氧不相容之疏水有機塗層(呈配位體形式，一般而言係自QD之外表面延伸)：一般而言，當在QD與聚矽氧混合時獲得渾濁混合物，此乃因QD之凝結所致。由於濃度淬滅效應、預期之會增進之降解效應、及不受控地處理該等膜而導致空間濃度差異，該渾濁混合物係非所需的。據吾人所知，尚不存在可真正與光學聚矽氧混溶之QD(具有配位配位體)之實例。
總言之，極需一種增進QD對光學聚矽氧可混溶性之更一般方式。因此，本發明之一態樣係提供一種替代奈米粒子-聚合物系統，特別是聚合物量子點系統。尤其地，本發明之一態樣係提供一種用於製備具有包埋的奈米粒子之該聚合物之替代方法。此外，本發明之一 態樣係提供一種包埋奈米粒子於其中之替代光轉換器。然另一態樣係提供一種包含具有包埋的QD之該聚合物之替代發光單元。較佳地，該等替代方法及/或替代光轉換器及/或替代發光單元至少部分地消除先前技術解決方案之一或多個上文所述(以及進一步於下文所述)缺陷。
令人意外地，本發明者已發現，尤其藉由由特定類PDMS配位體交換光轉換器奈米粒子之原生QD配位體，QD會變成可真正與聚矽氧混溶且/或當在滿足特定條件時顯著提高其與聚矽氧之可混溶性。此外，有利地無需使用顯著量的額外溶劑(諸如己烷及丙酮)或其他溶劑即可獲得充分可混溶系統。
因此，於第一態樣中，本發明提供一種用於製造包含包埋光轉換器奈米粒子(本文中亦稱為「奈米粒子」)於其中之矽氧烷聚合物基質之光轉換器的方法，該方法包括：(a)將(i)具有經接枝配位體接枝之外表面之光轉換器奈米粒子與(ii)可固化矽氧烷聚合物混合，及(b)固化該等可固化矽氧烷聚合物，因而製得該光轉換器；-其中該等接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基，諸如選自由以下組成之群之側基：含胺之側基或含羧酸之側基(然其他官能基亦可行，參見下文)；-其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；-其中x1尤其係至少20，諸如尤其係至少40，甚至更特別係至少50，其中y1尤其係至少2，諸如至少7，例如至少10，及其中尤其地，x1/y10.8，諸如x1/y10.95，諸如>1，例如至少1.2。
該等奈米粒子為光轉換器奈米粒子，其可尤其經組態成以在由UV及/或藍光激發時提供在至少一部分光譜可見光部分中之發光。因 此，該等粒子於本文中亦指明為光轉換器奈米粒子，其中QD(量子點)為一具體實施例。
可由本文中所描述方法獲得之該光轉換器可顯示具有高量子產率及穩定性之發光(當包埋於固化矽氧烷聚合物之基質中時)。此外，該光轉換器可為相對溫度及/或光化學穩定及/或透明的。此外，藉由該方法，奈米粒子可以相當均勻方式分散於聚合物中，而無實質的凝結缺點。
因此，於另一態樣中，本發明亦提供一種可由本發明之方法獲得之光轉換器。尤其地，本發明亦提供包含包埋光轉換器奈米粒子於其中之(固化)矽氧烷聚合物(基質)之光轉換器(本身)，其中：(a)該等光轉換器奈米粒子具有經配位體接枝之外表面，及(b)該矽氧烷聚合物基質包含交聯矽氧烷聚合物；-其中該等配位體包含具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基(諸如(例如)係選自由含胺之側基或含羧酸之側基組成之群)；-其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；-其中x1尤其係至少20，諸如尤其係至少40，甚至更特別係至少50，例如至少80，其中y1尤其係至少2，諸如至少7，例如至少10，及其中x1/y10.8，諸如x1/y10.95，諸如>1，例如至少1.2。
因該等光轉換器可極佳地適用於發光裝置，故本發明在又一態樣中提供一種發光裝置，其包括：- 光源，其經組態以產生光源光(即，來自光源之光)，- 可由本文所述方法獲得及/或如本身所定義之光轉換器，其經組態以將至少一部分光源光轉換成可見轉換器光。
於又一態樣中，本發明亦提供一種液晶顯示器裝置，其包括一 或多個背光單元，其中該等一或多個背光單元包括一或多個如本文中定義之發光裝置。
術語光轉換器係指經組態以將光自第一波長轉換成第二波長之光之系統。尤其地，UV及/或藍光(激發波長)可(至少部分地)經轉換成(具有大於激發波長之波長)之可見光。此點將進一步於下文作說明；首先描述關於矽氧烷聚合物、接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物之一些態樣，以及可獲得光轉換器之方法之實施例。
聚矽氧(更準確地稱為聚合或可聚合矽氧烷或聚矽氧烷)為具有化學式[(R1,R2)SiO]n(不考慮端基)之混合無機-有機聚合物，其中R為諸如(例如)氫、烴或氟碳化物之基團，尤其係甲基、乙基、或苯基。尤其地，一或多個Si主鏈元素之一或多個R基包括烴及氟碳化物中之一或多者。該等側基中之一或多者亦可具有交聯官能度，諸如，乙烯基。
該等聚合矽氧烷或聚矽氧烷物質係由具有附接至矽原子之有機側基的無機矽-氧主鏈(...-Si-O-Si-O-Si-O-...)所組成，該矽原子為四配位的。因R側基原則上可能不同，故亦可改用式[(R1,R2)SiO]n來替代式[(R2)SiO]n(不考慮端基)。注意本文中使用x1及y1分別表示接枝配位體及(可固化)矽氧烷聚合物(其形成主體材料)中矽氧烷主鏈之Si元素數。
本文中僅提到R(或更確切地說，R1、R2)之事實不排除不同Si主鏈元素可包含相同側基，然聚矽氧亦可包含多於兩種不同類型的側基。因此，例如但非限制性地，R可選自由甲基、苯基等等組成之群。鹵素(主要是氯)亦可作為側基化合物R。此外，[R2SiO]或[-Si(R)2-O-]係指聚矽氧單元或聚矽氧特徵基團(即，具有聚矽氧特徵之基團)。
矽氧烷為由式R2SiO之單元、或與端基組合之一或多個R2SiO單 元所組成之任何化學化合物，其中R為例如(但不限於)氫原子、烴基。矽氧烷可具有由交替矽及氧原子-Si-O-Si-O-所組成之分支或無分支主鏈及附接至矽原子之側鏈R。具有有機側鏈(R≠H)之聚合矽氧烷通常稱為聚矽氧或聚矽氧烷。本文中，其等亦稱為「矽氧烷」或「矽氧烷聚合物」。代表性實例為[SiO(CH3)2]n(聚二甲基矽氧烷)及[SiO(C6H5)2]n(聚二苯基矽氧烷)。該等化合物可視作是有機及無機化合物之混合物。該等有機側鏈賦予疏水性而-Si-O-Si-O-主鏈為完全無機。如上文所指出，本文中，主鏈中Si元素亦指示為Si主鏈元素。[R2SiO]n矽氧烷包含n個Si主鏈元素。因此，任何矽氧烷特徵部分R2SiO提供一個矽主鏈元素(其具有兩個側基)。注意例如PDMS為CH3[Si(CH3)2O] n Si(CH3)3，具有n+1個Si元素，因而，事實上是n+1個Si主鏈元素。將該矽氧烷用作接枝配位體，x1=n+1；將該矽氧烷用作用於固化之矽氧烷聚合物，y1=n+1。此外，PDMS(參見結構式)具有n-1個非末端Si主鏈元素。
藉由改變-Si-O-鏈長度、側基、及交聯，可合成具有各種性質及組成之聚矽氧。其稠度可自液體至凝膠至橡膠至硬質塑料改變。
最常見的矽氧烷為直鏈聚二甲基矽氧烷(PDMS；參見上述)，一種聚矽氧油。聚矽氧材料之第二大群組係基於由分支及籠狀寡聚矽氧烷形成之聚矽氧樹脂。
本文中，尤其地使用直鏈矽氧烷作為可固化矽氧烷聚合物及/或矽氧烷接枝配位體。然而，亦可使用非直鏈矽氧烷作為可固化矽氧烷聚合物及/或矽氧烷接枝配位體。此外，隨著矽氧烷固化，故光轉換器一般將為固體光轉換器(固體聚合物光轉換器)。然而，於一實施例中，該光轉換器可係撓性的。
如上文所指出，接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體；尤其地，該等接枝配位體為(具有x1個Si主鏈元素的)矽氧 烷接枝配位體。術語「接枝配位體」係指配位至或結合至光轉換器奈米粒子(該等粒子進一步於下文中作說明)(諸如量子點)之外表面之配位體。接枝配位體為例如相關技藝已知，及例如述於WO/2009/035657、WO/2010/014198及WO/2008/063653等等中。接枝配位體有時亦稱為封端配位體。
該等接枝配位體包含矽氧烷分子，該等矽氧烷分子一般將具有通常已知之側基，然亦可具有至少一個具有接枝官能度之側基。具有接枝官能度之側基可選自由胺及羧酸組成之群。例如，胺可為-NH2或COOH，然亦可分別為-R-NH2或R-COOH，其中R為較佳包含小於20個碳原子之烴。然而，具有接枝官能度之側基亦可包括膦、氧化膦、磷酸酯、硫醇等等(及於實施例中，其中之兩者或更多者之組合)。因此，該等接枝配位體為矽氧烷分子，其一般將具有通常已知之側基，然亦可具有至少一個具有接枝官能度之側基，該至少一個側基係選自由以下組成之群：胺、羧酸、膦、氧化膦、磷酸酯、硫醇，甚至更特定言之係胺、羧酸、膦、氧化膦及磷酸酯。於一實施例中，該配位體可包含複數個具有接枝官能度之側基，該等側基可包括不同類型之此等側基(或其等可全部相同)。Si主鏈元素亦可包括兩個具有接枝官能度之側基。詞語「具有接枝官能度之側基」係指有能力接枝至本文所述發光奈米粒子之側基(不是端基)。因此，具有接枝官能度之側基給該矽氧烷提供其接枝能力(且因而接枝配位體官能度)。
因此，該側基尤其為非末端Si主鏈元素之側基(亦可參見下文)。胺可呈胺接枝至發光奈米粒子之外表面；羧酸可呈羧酸酯接枝至發光奈米粒子。尤其地，看來該等官能基應尤其經配置作為側基而不是作為端基。因此，尤其地，該等接枝配位體包括具有不含選自由胺、羧酸、膦、氧化膦、磷酸酯、及硫醇組成之群之基團之端基之矽氧烷分子；亦即，其不具有(實質上)具有接枝官能度之端基。該等接枝配位 體尤其具有對於本文所述之半導體量子點，尤其係本文所述之CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、及InAlPAs奈米粒子，甚至更特別是硫化物、碲化物及硒化物具有接枝官能度之側基。
具有接枝官能度之側基可經配置在接枝配位體之矽氧烷主鏈上之任何處。假設直鏈矽氧烷具有x1個矽主鏈單元，則尤其發現該一(或多個)具有官能基之側基係在主鏈長度之20至80%之間。假設主鏈例如包含50個Si主鏈元素，則尤其發現具有接枝官能度之側基係在第10個Si、或第40個Si或介於其之間(其中第1個及第50個為端基)。
有至少一個此側基，然而，可視需要有多於一個具有接枝官能度之側基，諸如選自由胺及羧酸、或其他(諸如膦、氧化膦、磷酸酯、硫醇)組成之群。具有接枝官能度之該等側基的數量可根據矽氧烷接枝配位體之鏈長度改變，但尤其不超過10個。因此，各矽氧烷接枝配位體之尤其不多於10個的Si主鏈元素(不是末端Si主鏈元素)包括具有接枝官能度之側基。各矽氧烷接枝配位體之尤其不多於10個的Si主鏈元素(不是末端Si主鏈元素)包含(具有接枝官能度)之側基，其係選自由含胺側基、含羧酸之側基、含膦之側基、含氧化膦之側基、含磷酸酯之側基、及含硫醇之側基組成之群。當在存在多於一個的具有接枝官能度之側基時，尤其地，具有接枝官能度之側基之百分比等於 或小於5莫耳%(總R1、R主鏈側基中不大於5%包含該官能基)，甚至更尤其係，具有接枝官能度之側基之百分比等於或小於2.5莫耳%。因此，假設(例如)22個Si主鏈元素(因而包含兩個末端Si主鏈元素)，則可得40個側基；當在其中之5%將具有接枝官能度時，這意味著至多兩個側基將具有接枝官能度；其他側基將不具有接枝官能度，諸如，甲基、苯基等等。該等複數(p)個具有接枝官能度之側基可分佈在p/2-p個聚矽氧主鏈元素上。
注意術語「接枝配位體」或「矽氧烷接枝配位體」亦可指複數個不同類型的接枝配位體。於一實施例中，該等接枝配位體實質上相同。然而，於另一實施例中，該等接枝配位體可包括複數個不同接枝配位體。例如，其鏈長度(x1)可不同，及/或其側基可不同，及/或其具有接枝官能度之側基可不同，及/或其具有接枝官能度之側基的數目可不同及/或其具有接枝官能度之側基的位置可不同(及/或端基類型可不同)。例如，該等矽氧烷接枝配位體可包括複數個各僅具有一個(胺)側基之矽氧烷聚合物，然其中該(胺)側基的位置係隨機分佈於矽氧烷聚合物上。
一般而言，光轉換器(聚合物裝置)之可固化矽氧烷聚合物或(交聯)矽氧烷聚合物不具有一或多個選自由胺及羧酸組成之群之具有接枝官能度之側基。
除了具有接枝官能度之側基之外，關於矽氧烷接枝配位體之上述資訊實質上亦適用於可固化矽氧烷聚合物。
術語「可固化矽氧烷聚合物」亦可指複數個不同類型的可固化矽氧烷聚合物。於一實施例中，該等可固化矽氧烷聚合物實質上相同。然而，於另一實施例中，該等可固化矽氧烷聚合物可包括複數個不同的可固化矽氧烷聚合物。例如，其鏈長度(y1)可不同，及/或其側基(類型)可不同。此外，其端基類型可不同。該等可固化矽氧烷聚合 物可具有經組態以在固化時形成交聯之端基。注意，另外或或者，每個可固化矽氧烷聚合物中一或多個側基亦可經組態以在固化時形成交聯。例如，該等側基可包括乙烯基(或氫基)。由上述可瞭解，該等可固化矽氧烷聚合物可包括經組態以在固化時形成交聯之端基及/或側基。
於一具體實施例中，x1為至少40，諸如至少50，尤其係至少80。然後可獲得更佳及/或更穩定之系統。於一實施例中，x1不大於2000，尤其不大於1000，諸如不大於800。於一具體實施例中，x1係在40至1000，諸如40至800，例如100至800範圍內。如上所述，可應用不同接枝配位體之組合，於該實例中，x1為(重量)平均值。
此外，y1為至少7，諸如尤其係至少10，及尤其不大於400，諸如不大於200。如上所述，可應用不同可固化矽氧烷聚合物之組合；於該實例中，y1為(重量)平均值。
此外，可利用x1/y10.80獲致良好結果，然一般而言，當x1/y10.95、諸如x1/y11.2時，獲致在(光轉換器之)穩定性及/或透射率意義上之更佳結果。
尤其地，該等接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物之化學性實質上相同。此例如可意味著接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物二者均為聚甲基矽氧烷或聚苯基矽氧烷或聚甲基苯基(尤其地，50/50)矽氧烷，且該等接枝配位體具有至少一個為具有接枝官能度之側基的側基。
於一具體實施例中，矽氧烷接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物之側基中之至少75%(尤其係80%，甚至更特別係85%，又更特別係至少90%，諸如，尤其至少95%)之化學同一性(chemical identity)重疊。可藉由測定於接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物上之特定側基之百分比及將該等百分比之重疊部分加總來評估化學同一性之重疊。例如，於一假設性實例中，當矽氧烷接枝配位體包含72%甲基及25%苯基側 基、及可固化矽氧烷聚合物包含66%甲基及29%苯基側基時，則重疊百分比之總和為66%+25%=91%。因此，該等矽氧烷接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物之化學性實質上相同。
如上文所指出，該等矽氧烷接枝配位體及/或可固化矽氧烷聚合物可分別包含複數個不同分子。於該實例中，使用平均值。例如，假設第一矽氧烷接枝配位體具有74%甲基及22%苯基側基及第二矽氧烷接枝配位體具有70%甲基及28%苯基側基，則平均百分比為72%甲基及25%苯基。
於一具體實施例中，矽氧烷接枝配位體之Si主鏈元素(不含端基)之至少75%(尤其係80%，甚至更特別係85%，甚至又更特別係至少90%，諸如特別係至少95%)具有甲基側基，及(可固化)矽氧烷聚合物之Si主鏈元素(不含端基)之尤其至少75%(尤其係80%，甚至更特別係85%，甚至又更特別係至少90%，諸如尤其係至少95%)具有甲基側基。因此，於一實施例中，(固體)矽氧烷聚合物聚合物(基質)及矽氧烷接枝配位體包括聚二甲基矽氧烷聚合物。假設矽氧烷包含10個矽主鏈單元(不含端基)及90%甲基側基，則將存在16個甲基側基。
尤其地，針對接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物二者之矽氧烷為100%甲基側基、或50/50甲基/苯基側基(以針對接枝配位體而言，至少一個側基然而為具有接枝官能度之側基，因而該側基不僅為甲基或苯基，而是或者或另外可包括例如胺或羧酸)。
於又一實施例中，矽氧烷接枝配位體之Si主鏈元素(不含端基)之至少75%(尤其係80%，甚至更特別係85%，甚至又更特別係至少90%，諸如尤其係至少95%)具有苯基側基及矽氧烷聚合物之Si主鏈元素(不含端基)之至少75%(尤其係80%，甚至更特別係85%，甚至又更特別係至少90%，諸如尤其係至少95%)具有苯基側基。
如可明瞭，端基亦可包括甲基、苯基、或其他基團(諸如，視需 要之具有交聯官能度之基團)。
本文中指定為光轉換器奈米粒子之量子點或發光奈米粒子可例如包括第II族-第VI族化合物半導體量子點，其係選自由以下組成之群：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe。於另一實施例中，該等發光奈米粒子可例如為第III族-第V族化合物半導體量子點，其係選自由以下組成之群：GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、及InAlPAs。於又一實施例中，該等發光奈米粒子可例如為第I族-第III族-第VI2族黃銅礦類半導體量子點，其係選自由CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、AgInS2、AgInSe2、AgGaS2、及AgGaSe2組成之群。於又一實施例中，該等發光奈米粒子可例如為第I族-第V族-第VI2族半導體量子點，諸如選自由LiAsSe2、NaAsSe2及KAsSe2組成之群。於又一實施例中，該等發光奈米粒子可為例如第IV族-第VI族化合物半導體奈米結晶(諸如SbTe)。於一具體實施例中，該等發光奈米粒子係選自由InP、CuInS2、CuInSe2、CdTe、CdSe、CdSeTe、AgInS2及AgInSe2組成之群。於又一實施例中，該等發光奈米粒子可例如為第II族-第VI族、第III族-第V族、第I族-第III族-第V族及第IV族-第VI族化合物半導體奈米結晶中之一者，其係選自由具有諸如ZnSe：Mn、ZnS：Mn之內部摻雜劑之如上所述之材料組成之群。該等摻雜劑元素可選自Mn、Ag、Zn、Eu、S、P、Cu、Ce、 Tb、Au、Pb、Tb、Sb、Sn及Tl。本文中，發光奈米粒子基發光材料亦可包括不同類型之QD(諸如CdSe及ZnSe：Mn)。
看來使用第II族-第VI族量子點尤其有利。因此，於一實施例中，半導體基發光量子點包括第II族-第VI族量子點，其尤其係選自由以下組成之群：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe，甚至更特別係選自由CdS、CdSe、CdSe/CdS及CdSe/CdS/ZnS組成之群。
於一實施例中，應用不含Cd之QD。於一具體實施例中，光轉換器奈米粒子包括第III族-第V族QD，更具體言之InP基量子點，諸如核-殼InP-ZnS QD。注意術語「InP量子點」或「InP基量子點」及類似術語可係關於「裸」InP QD，然亦可係關於核-殼InP QD，其中殼位於InP核上，諸如核-殼InP-ZnS QD(例如，點桿(dots-in-rods)InP-ZnS QD)。
該等發光奈米粒子(不具有塗層)可具有在約2至50nm，尤其2至20nm(諸如5至15nm)範圍內之尺寸；尤其該等奈米粒子之至少90%具有在各別指定範圍內之尺寸(亦即，例如奈米粒子之至少90%具有在2至50nm範圍內之尺寸，或尤其奈米粒子之至少90%具有在5至15nm範圍內之尺寸)。術語「尺寸」尤其係關於隨奈米量子形狀改變之長度、寬度、及直徑中之一或多者。
於一實施例中，光轉換器奈米粒子具有在約1至約1000奈米(nm)範圍內，及較佳在約1至約100nm範圍內之平均粒度。於一實施例中，奈米粒子具有在約1至50nm，尤其1至約20nm，及一般至少1.5 nm(諸如至少2nm)範圍內之平均粒度。於一實施例中，奈米粒子具有在約1至約20nm範圍內之平均粒度。
典型點係由二元合金(諸如硒化鎘、硫化鎘、砷化銦、及磷化銦)製成。然而，點亦可自三元合金(諸如硒硫化鎘)製成。該等量子點可容納在具有10至50個原子直徑之量子點體積內之少至100至100,000個原子。此對應於約2至10奈米。例如，球形粒子，諸如CdSe、InP、或CuInSe2，可具有約3nm之直徑。發光奈米粒子(不具有塗層)可具有球形、立方體、桿、線、盤、多腳(multi-pods)等等之形狀，且於一維度上之尺寸小於10nm。例如，CdSe之奈米桿可具有20nm之長度及4nm之直徑。因此，於一實施例中，該等半導體基發光量子點包括核-殼量子點。於又一實施例中，該等半導體基發光量子點包含點桿奈米粒子。亦可應用不同類型粒子之組合。例如，可應用核-殼粒子及點桿及/或可應用兩種或更多種上述奈米粒子之組合，諸如，CdS及CdSe。此處術語「不同類型」可係關於不同幾何形態以及係關於不同類型之半導體發光材料。因此，亦可應用兩種或更多種(於上文所指出)量子點或發光奈米粒子之組合。
一種製造半導體奈米結晶之方法之一實例(諸如源自於WO 2011/031871者)為膠態生長方法。膠態生長藉由將M施體及X施體注射至熱配位溶劑中發生。製造單分散型半導體奈米結晶之較佳方法之一實例包括注射至熱配位溶劑中之有機金屬試劑(諸如二甲基鎘)之熱解。此作法准許離散型晶核生成及導致宏觀量半導體奈米結晶之受控生長。注射產生出可以受控方式生長形成半導體奈米結晶之核。可緩慢地加熱該反應混合物以使該半導體奈米結晶生長及退火。試樣中之半導體奈米結晶平均尺寸及尺寸分佈均與生長溫度相關。維持穩態生長所需的生長溫度係隨平均結晶尺寸增加而增加。半導體奈米結晶為半導體奈米結晶群體中的一員。由於離散型晶核生成及受控生長的結 果，可獲致具有單分散性狹窄直徑分佈之半導體奈米結晶群體。該單分散性直徑分佈亦可稱為尺寸。較佳地，單分散型粒子群體包括該群體中至少約60%粒子落在指定粒度範圍內的粒子群體。單分散型粒子群體的直徑較佳偏離小於15% rms(均方根)及更佳偏離小於10% rms且最佳偏離小於5%。
於一實施例中，奈米粒子可包括包括含第一半導體材料之核及含第二半導體材料之殼之半導體奈米結晶，其中該殼係配置於該核之至少一部分表面上。包括核及殼之半導體奈米結晶亦稱為「核/殼」半導體奈米結晶。
例如，該等半導體奈米結晶可包括具有式MX之核，其中M可為鎘、鋅、鎂、汞、鋁、稼、銦、鉈、或其混合物，及X可為氧、硫、硒、碲、氮、磷、砷、銻、或其混合物。適於使用作為半導體奈米結晶核之材料之實例包括(但不限於)ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InP、InSb、AlAs、AIN、AlP、AlSb、TIN、TIP、TlAs、TlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si、包含上述任一者之合金、及/或包含上述任一者之混合物(包括三元及四元混合物或合金)。
該殼可為具有與核組成相同或不同之組成之半導體材料。該殼包含一於核半導體奈米結晶表面上之半導體材料外塗層(overcoat)，其可包括第IV族元素、第II族-第VI族化合物、第II族-第V族化合物、第III族-第VI族化合物、第III族-第V族化合物、第IV族-第VI族化合物、第I族-第III族-第VI族化合物、第II族-第IV族-第VI族化合物、第II族-第IV族-第V族化合物、包含上述任一者之合金、及/或包含上述任一者之混合物(包括三元及四元混合物或合金)。實例包括(但不限於)ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、 MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InP、InSb、AlAs、AIN、AlP、AlSb、TIN、TIP、TlAs、TlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si、包含上述任一者之合金、及/或包含上述任一者之混合物。例如，可在CdSe或CdTe半導體奈米結晶上生長ZnS、ZnSe或CdS外塗層。外塗佈方法述於例如美國專利案6,322,901中。藉由調整外塗佈期間反應混合物之溫度及監測核之吸收光譜，可獲得具有高發射量子效率及狹窄尺寸分佈之經外塗佈之材料。該外塗層可包括一或多層。該外塗層包含至少一種與核之組成相同或不同之半導體材料。較佳地，該外塗層具有約一至約十個單層之厚度。外塗層亦可具有大於十個單層之厚度。於一實施例中，核上可包含多於一個外塗層。
於一實施例中，外圍「殼」材料可具有大於核材料之能帶隙之能帶隙。於某些其他實施例中，該外圍殼材料可具有小於核材料之能帶隙之能帶隙。
於一實施例中，該殼可經選擇以具有接近「核」基材之原子間距之原子間距。於某些其他實施例中，該等殼及核材料可具有相同的結晶結構。
半導體奈米結晶(核)殼材料之實例包括(但不限於)：紅色(例如，(CdSe)ZnS(核)殼)、綠色(例如，(CdZnSe)CdZnS(核)殼等等)、及藍色(例如，(CdS)CdZnS(核)殼(針對於基於半導體之特定光轉換器奈米粒子之實例，亦可進一步參見上述)。
因此，上述之外表面可為裸量子點(即，不含另一殼或塗層之QD)之表面或可為經塗佈之量子點(諸如，核-殼量子點(例如核-殼或點桿))之表面(即，殼之(外)表面)。接枝配位體因而尤其接枝至量子點之外表面(諸如，點桿QD之外表面)。
因此，於一具體實施例中，該等光轉換器奈米粒子係選自由核- 殼奈米粒子組成之群，其中核及殼包含以下中之一或多者：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、及InAlPAs。
一般而言，該等核及殼包含相同類別的材料，然基本上由不同材料(例如，環繞CdSe核之ZnS殼等等)所組成。
本文中使用術語「固體聚合物」欲指本發明方法之聚合性最終產物不為液體或已溶聚合物，而是(於室溫(及大氣壓))下呈例如顆粒、膜、板等等之形式之有形產物。因此，於一實施例中，光轉換器係選自由塗層、自支撐層、及板組成之群；該光轉換器因而尤其於室溫，甚至尤其至高100℃，甚至尤其至高150℃，甚至尤其至高200℃下為固體。該光轉換器可係撓性或可係剛性。此外，該光轉換器可為扁平或彎曲(於一或二維度上)。此外，視情況，該光轉換器可在該光轉換器之至少一部分外表面處包含外偶聯結構。
本發明之方法至少包括兩個製程要素，其一般將會以第一製程要素先於第二製程要素地連續執行。明確提及兩個製程要素之事實不排除存在一或多個其他製程要素，其可在該第一製程要素之前、及/或在該第一製程要素與該第二製程要素之間、及/或在該第二製程要素之後含於本方法中。例如，本發明之方法亦可包括由如本發明所定義之接枝分子交換量子奈米粒子上原有的接枝分子。本方法可視需要 進一步包括移除過量的配位體(即，未結合至光轉換器奈米粒子之配位體)。
該第一製程要素包括經接枝之奈米粒子(亦即，具有經接枝配位體接枝之外表面的轉換器奈米粒子)與可固化矽氧烷聚合物混合。一般而言，在其中可分散QD且其尤其係可固化矽氧烷聚合物之溶劑之液體的存在下，會加速或最佳化該第一製程要素。此處溶劑被認為是當在室溫下可溶解至少0.1公克/升欲溶解物質於溶劑中之該溶劑。該溶劑可為較佳具有低於120℃之沸點之任何常見(較佳係非極性)溶劑。例如，該溶劑可為甲苯、苯、己烷、環己烷等等。該溶劑可為極性溶劑。例如，該溶劑可為氯仿、丙酮、丙酮腈、乙酸乙酯、石油醚等等。可利用習知技術來進行混合。視情況，可對該混合物加熱。
可利用相關技藝中已知的技術來進行固化。如上文所指出，為此目的，至少一部分可固化矽氧烷聚合物可具有經組態會在固化時形成交聯之反應性基團。可藉由觸媒協助固化。此外，該混合物可經加熱及/或經輻射以引發及/或傳播固化。藉由固化，獲得針對於經接枝之光轉換器奈米粒子之(固體)基質或主體(經接枝之光轉換器奈米粒子係包埋且分佈在(固體)基質或主體中)。
如上所顯示，本發明之方法可提供一種包含聚合物物體中包埋具有經接枝分子接枝之外表面之光轉換器奈米粒子之(固體)聚合物之(發光)光轉換器。如上文所指出，該(發光)光轉換器可例如為透明或半透明，尤其係實質上透明。於一實施例中，本發明之方法可產生出其中至少一部分接枝配位體與矽氧烷聚合物相交織(透過例如交聯)之產物。後一實施例可為當在接枝配位體可有能力與可固化(或固化)矽氧烷聚合物反應時之情況。因此，於一實施例中，一或多個接枝配位體可包含經組態尤其與可固化矽氧烷聚合物(其形成主體材料或基質)形成交聯之官能基。
本發明之方法因而亦可提供本文中所定義之其中包埋光轉換器奈米粒子之光轉換器(或光轉換器元件)。因此，於一實施例中，本文中所定義之其中包埋光轉換器奈米粒子之光轉換器(或光轉換器元件)可由本文中所定義之方法獲得。因此，如上文所指出，於另一態樣中，本發明提供一種包含包埋光轉換器奈米粒子於其中之矽氧烷聚合物基質之光轉換器，其中：(a)該等光轉換器奈米粒子具有經接枝配位體接枝之外表面，及(b)該矽氧烷聚合物基質包含交聯矽氧烷聚合物；-其中該等接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基，該側基係選自由含胺之側基或含羧酸之側基組成之群；-其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；-其中x1尤其係至少20，諸如，尤其係至少40，甚至更特別係至少50，其中y1尤其係至少2，諸如至少7，例如至少10，且其中尤其地，x1/y10.8，諸如x1/y10.95，諸如>1，例如至少1.2。
尤其地，該光轉換器包含相對於光轉換器總重量之0.001至25重量%(諸如0.1至20重量%，尤其係不大於5重量%，諸如，0.1至2重量%)之光轉換器奈米粒子。
尤其地，固化(可固化)矽氧烷聚合物之基質可透射具有選自380至750nm範圍之波長的光。例如，該等固化(可固化)矽氧烷聚合物之基質可透射藍光、及/或綠光、及/或紅光。尤其地，該等固化(可固化)矽氧烷聚合物之基質係透射至少整個420至680nm範圍。尤其地，針對於由發光單元之光源(亦可參見下文)所產生且具有選自可見光波長範圍之波長之光，該等固化(可固化)矽氧烷聚合物之基質具有在50至100%範圍、尤其在70至100%範圍內之光透射率。該等固化(可固 化)矽氧烷聚合物之基質依此方式可以透射來自發光單元之可見光。透射率或光透過率可藉由提供具有第一強度之特定波長之光至材料及透過該材料透射之後所測得的該波長下之光的強度相對於以該特定波長提供至該材料之光的第一強度之關係測定(亦可參見CRC Handbook of Chemistry and Physics(第69版)之E-208及E-406，第1088至1989頁)。該光轉換器可為透明或半透明，然而，可尤其係透明。尤其地，該光轉換器係實質上透明及/或不會實質上散射光。當在光轉換器為透明時，光源之光可不被該光轉換器完全吸收。尤其當在使用藍光時，此點可能會因藍光可用於激發光轉換器奈米粒子及可用於提供藍色組分(於白光中)而受到關注。因此，尤其應用可提供光轉換器奈米粒子之實質上透射基質(或主體)之可固化矽氧烷聚合物。
此外，如上所述，本發明亦提供一種發光單元，其包括(i)經組態以產生光源光之光源及(ii)經組態以將至少一部分該光源光轉換成轉換器光之光轉換器，其中該光轉換器包括可根據如本文中定義之方法獲得之固體聚合物或如本文中定義之光轉換器。因此，於另一態樣中，本發明提供一種發光裝置，其包括：-經組態以產生光源光之光源，-可由本文中定義之方法獲得或如本文中定義之光轉換器本身之光轉換器，其係經組態以將至少一部分光源光轉換成可見轉換器光。
有鑑於效率及/或穩定性，可有利地將奈米粒子(或尤其係光轉換器)配置在離光源非零之距離(諸如0.5至50mm，例如1至50mm)之處。因此，於一實施例中，該光轉換器可經組態在離光源非零之距離上。例如，該光轉換器(或尤其係發光材料)可施加至發光單元之窗或可由發光單元之窗組成。若光源係經組態以提供藍光，則發光材料可經組態成僅轉換一部分光源光。於一實施例中，光源之藍光及光轉換器奈米粒子基發光材料之發光材料光可一起提供白光發光單元光。因 此，於一實施例中，該光轉換器係經組態在離光源非零之距離上。然而請注意本發明不限於其中光轉換器與光源間之距離為非零之應用。本發明及其中所述之具體實施例亦可應用於其中光源及光轉換器呈物理接觸狀態之其他實施例中。於該等實例中，該光轉換器可尤其經組態成與例如LED晶粒物理接觸。
於另一實施例中，該光源包括固態光源(諸如固態發光裝置或固態雷射器)。術語光源亦可係關於複數個光源。
如上文所指出，該發光裝置可用作用於LCD應用中之背光單元。因此，本發明在另一態樣中提供一種包括背光單元之液晶顯示器裝置，其中該背光單元包括一或多個如本文中定義之發光裝置。
光轉換器除了光轉換器奈米粒子外尚可包含主體其他(顆粒)材料(諸如(例如)有機染料及反射性(非發光)粒子(例如TiO2)中之一或多者)。可將該等(顆粒)材料與光轉換器奈米粒子及可固化矽氧烷聚合物混合。因此，詞語「將(i)具有經接枝配位體接枝之外表面之光轉換器奈米粒子(本文中亦稱為「奈米粒子」)與(ii)可固化矽氧烷聚合物混合」亦可係關於「將(i)具有經接枝配位體接枝之外表面之光轉換器奈米粒子(本文中亦稱為「奈米粒子」)與(ii)可固化矽氧烷聚合物、及視需要之一或多種其他材料混合」。
本文中之術語白光為熟習此項技藝者所熟知。白光尤其係關於具有介於約2000與20000K(尤其係2700至20000K)之間之相關色溫(CCT)之光，對於一般照明其尤其在約2700K至6500K範圍內，及對於背光用途其尤其在約7000K至20000K範圍內，及尤其在自BBL(黑體軌跡)起約15SDCM(顏色匹配標準偏差)以內，尤其在自BBL起約10SDCM以內，甚至更特別在自BBL起約5SDCM以內。
術語「紫外光」或「紫外光發射」尤其係指具有在約380至440nm範圍內之波長之光。術語「藍光」或「藍光發射」尤其係指具有 在約440至490nm範圍內之波長之光(包含部分紫色及青色色調)。術語「綠光」或「綠光發射」尤其係指具有在約490至560nm範圍內之波長之光。術語「黃光」或「黃光發射」尤其係指具有在約560至590nm範圍內之波長之光。術語「橙色光」或「橙光發射」尤其係指具有在約590至620nm範圍內之波長之光。術語「紅光」或「紅光發射」尤其係指具有在約620至750nm範圍內之波長之光。術語「可見」光或「可見光發射」係指具有在約380至750nm範圍內之波長之光。
熟習此項技藝者當明瞭本文中諸如在「實質上所有發射」或「實質上由...組成」中之術語「實質上」。術語「實質上」亦可包括「整個」、「完全」、「所有」等等之實施例。因此，於實施例中，亦可省去形容詞性之實質上。在適用的情況下，術語「實質上」亦可係關於90%或更高(諸如95%或更高)，尤其係99%或更高，甚至更特別係99.5%或更高(包括100%)。術語「包括」亦包括其中術語「包括」意指「由...組成」之實施例。
此外，本發明說明及申請專利範圍中之術語第一、第二、第三及類似係用於相似元件間之區分而不一定用於說明順序或時序次序。應明瞭如此使用的術語於適宜情況下可互換及本文所述之本發明實施例可以除本文中所述或所說明的順序外之其他順序操作。
本發明之裝置尤其描述為操作期間。如熟習此項技藝者當明瞭，本發明不限於操作之方法或操作中之裝置。
應注意，上述實施例係說明而非限制本發明，及熟習此項技藝者可在不脫離隨附申請專利範圍之範疇下設計許多替代實施例。於申請專利範圍中，置於圓括號中之任何參考標記不應被解釋為限制申請專利範圍。使用動詞「包括」及其詞形變化不排除存在除申請專利範圍中所述之其等外之元件或步驟。置於元件前面的冠詞「一」或「一 種」不排除存在複數個該等元件。在相互不同的附屬項中列舉某些措施之純粹事實不指示無法有利地使用該等措施之組合。
本發明進一步適用於包括一或多個本發明說明中所述及/或附圖中所示之特徵性特徵之裝置。本發明進一步係關於一種包括一或多個本發明說明中所述及/或附圖中所示之特徵性特徵之方法或製程。
本專利案中所闡述的各態樣可經組合以提供額外的優點。此外，有些特徵可構成一或多個分割案之基礎。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧液晶顯示器裝置
5‧‧‧發光裝置光
10‧‧‧光源
11‧‧‧光源光
100‧‧‧光轉換器
101‧‧‧上游側
102‧‧‧下游側
110‧‧‧聚合物主體材料
120‧‧‧光轉換器奈米粒子
121‧‧‧可見轉換器光
127‧‧‧光轉換器奈米粒子之外表面
130‧‧‧接枝配位體
131‧‧‧具有接枝官能度之側基
200‧‧‧背光單元
300‧‧‧LCD板
310‧‧‧牆
330‧‧‧矽氧烷聚合物
400‧‧‧封裝
1100‧‧‧光轉換單元
現將參照附隨示意圖，僅以舉例方式來描述本發明之實施例，其中對應參考符號指示對應部件，及其中：圖1a至1c示意性地繪示本發明之裝置之一些態樣；圖2a至2d示意性地繪示本發明之一些其他態樣；圖3a至3j示意性地繪示矽氧烷之一些其他態樣及本發明之一些其他態樣。
該等附圖不一定按比例繪示。
圖4a與4b分別顯示在根據本發明之接枝配位體交換之前及之後之QD的TEM像。
圖5顯示在根據本發明之接枝配位體交換之後之包含QD之聚矽氧凝膠的照片。
圖1a示意性地繪示發光裝置1，其包括經組態以產生光源光11之光源10及經組態以將至少一部分光源光11轉換成可見轉換器光121之光轉換器100。此處僅示意性繪示一個光源10。然而，可存在多於一個光源10。
該光轉換器具有至少部分被引導至光源10之上游側101(光轉換器外表面之一部分)及背對遠離光源10(在該透射組態中)之下游側102(光 轉換器之外表面之一部分)。
該光轉換器100包括聚合物主體材料110，該聚合物主體材料110中包埋有光轉換器奈米粒子120。其等可為點、桿、其組合等等(亦可參見上述)。該等光轉換器奈米粒子120在由光源光11激發時產生可見轉換器光(及視需要亦產生不可見輻射，例如IR輻射)。轉換器光121之至少一部分自下游側102作為發光裝置光5逃逸。其中至少一部分為可見之該發光裝置光5至少包含該轉換器光121之一部分，及亦可視需要包含部分殘留光源光11。
圖1a示意性地繪示在操作中之發光裝置。
圖1b示意性地繪示另一實施例，其中光轉換器100被密封。封裝400圍住光轉換器；此封裝可實質上封阻氧氣(及/或H2O)自大氣傳播至光轉換器。此作法可增加光轉換器奈米粒子120(及聚合物主體)之穩定性。光轉換器100及封裝400之組合於本文中亦稱為光轉換單元1100。
圖1c示意性地繪示發光單元1之一種應用，此處呈液晶顯示器裝置2，其包括包括一或多個發光單元1(此處，示意性地繪示一個發光單元)之背光單元200、以及可利用背光單元200之發光單元100之發光裝置光5而呈背光之LCD板300。
該轉換器100可尤其配置在離光源10(其可例如為發光二極體)非零之距離上，然而，例如，當將發光材料30應用於LED晶粒上或包埋於LED晶粒上之(聚矽氧)錐中時，該距離d亦可為零。該轉換器可視需要容許至少一部分光源光11穿透該轉換器。依此方式可以在轉換器的下游發現轉換器光121及光源光11之組合。光轉換器下游之光被指定為發光裝置光5。距離d可尤其在0.1至100mm範圍內，尤其係0.5至100mm，諸如，1至20mm，例如尤其係1至50mm，例如，針對靠近光源之應用為約1至3mm及針對較遠程應用為5至50mm。然而請注意 本發明不限於其中d>0之應用。本發明及本文所述之具體實施例亦可應用於其中d=0之其他實施例中。於該等實例中，光轉換器可尤其經組態成與LED晶粒物理接觸。
除了經配位體接枝之半導體基光轉換器奈米粒子120之外，該光轉換器100亦可視需要包含其他類型的發光材料，例如，以對發光單元光5進行調色來增進演色，以調諧色溫等等。
術語「上游」及「下游」係關於相對於來光產生裝置(在此尤其係第一光源)之光傳播之項或特徵之配置，其中相對於來自光產生裝置之光束中之第一位置更靠近光產生裝置之光束中之第二位置為「上游」，及於更遠離光產生裝置之光束中之第三位置為「下游」。
圖2a示意性地繪示非限制性數目之光轉換器奈米粒子120(此處為量子點(QD))之實例。舉例言之，(i)指示具有點形狀無其他層之QD粒子。例如，此可為例如CdSe。為了清楚起見未顯示接枝配位體(參見下文)。QD實例(ii)示意性地繪示核殼系統(例如，(CdSe)ZnS(核)殼)。QD實例(iii)示意性地繪示點桿QD系統(例如(CdS)ZnS點桿(其亦為核-殼QD)之一種類型)。該等光轉換器奈米粒子具有由參考數字127指示之外表面。
圖2b示意性地繪示具有接枝配位體之QD。如所見，於本實例中，具有接枝官能度之側基(由參考數字131指示之基團)不為端基；該等接枝配位體附接至光轉換器奈米粒子之外表面127。因此，該等接枝配位體可具有(至少)兩條曳尾(tail)。若接枝配位體具有多於一個的具有接枝官能度之側基，可觀察到其他(更複雜)結構。於插圖中，顯示放大圖，在承載結合至光轉換器奈米粒子之外表面127之具有接枝官能度之側基的聚矽氧主鏈元素的兩側具有兩條曳尾。
圖2c恰好示意性地繪示固化前之情況，其中(例如)具有結合至奈米粒子之外表面之接枝配位體之光轉換器奈米粒子以及以參考數字 330指示之未固化矽氧烷聚合物分佈在以參考數字300指示之容器內之液體中。該保存在容器300之牆310中之液體可用於分散經接枝之奈米粒子120；此外，該液體可用於溶解可固化矽氧烷聚合物。
於固化後，諸如藉由加熱及在容器內之混合物中存有觸媒(為了清楚起見，未顯示)下，獲得如圖2d中示意性地繪示之固化系統(即，光轉換器)。現形成聚矽氧之該等固化矽氧烷聚合物被視為是光轉換器奈米粒子120(諸如QD(亦可參見上述))之聚合物主體材料110。
圖3a至3h進一步論述於下文之實驗部分中。
圖3i恰好示意性地繪示矽氧烷聚合物之一部分，僅繪示6個矽主鏈元素；Si主鏈元素第1及第6個分別為端基，例如端基R3'-R3'''及端基R4'-R4'''。如相關技藝中已知，該等端基可包括例如OH、甲基、苯基、乙烯基、氫等等(中之一或多者)。各(非末端)聚矽氧主鏈元素具有兩個側基，其等原則上可全部不同，然其等亦可均相同，不包括接枝配位體具有至少一個具有如上文中定義之接枝官能度之側基之事實。
顯示圖3j以指示如何可確定化學重疊。如上文所指出，矽氧烷接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物之側基中之尤其至少75%，尤其80%，甚至更特別85%，又甚至更特別至少90%，諸如尤其至少95%之化學同一性重疊。R3'-R3"、R4'-R4'''、R5'-R5"及R6'-R6'''為端基，當在評估側基之化學重疊時不予考慮。圖3j示意性地顯示僅具有兩個不同側基之簡單(但常見)系統。接枝配位體具有例如4個非末端聚矽氧主鏈元素(及兩個末端Si主鏈元素)；可固化矽氧烷聚合物具有例如3個聚矽氧主鏈元素(及兩個末端Si主鏈元素)。接枝配位體具有例如一個具有接枝官能度之側基(FSG)。於下表中，顯示化學同一性重疊。注意在第II及第V欄中僅給出非末端Si主鏈元素數，此乃因僅其等可提供側基；該等末端Si主鏈元素具有端基。
因此，其中化學重疊為79,2%。實際上，化學重疊一般將更高(諸如至少90%)。
實驗 在聚矽氧中之量子點之實驗結果 具有各種尺寸及官能基之配位體之實例
在關於可相容QD-配位體/聚矽氧系統之研究中，吾人已系統地研究多達20種具有不同組成/官能度之配位體、及多達10種不同聚矽氧。該等配位體可粗略被歸類為：短單官能基矽氧烷(例如，3-胺基丙基五甲基二矽氧烷，AB129258；供應商ABCR)；參見圖3a；短雙官能基矽氧烷(例如，1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷，AB 110832)；參見圖3b；於兩端具有胺或酸之末端官能化之PDMS(「對稱」，例如，胺基丙基封端之聚二甲基矽氧烷，AB111872)；參見圖3c；於一端具有胺或酸之末端官能化之PDMS(「不對稱」，例如，單羧基癸基封端之聚二甲基矽氧烷，不對稱，AB 252409)；參見圖3d； 具有胺或酸之側官能化之PDMS(2至3%胺基丙基甲基矽氧烷)-二甲基矽氧烷共聚物，AB109373)；參見圖3e，參考數字131係指具有接枝官能度之側基。
於所有情況中，少量含於甲苯中之QD添加至1ml純配位體，幾乎所有情況中此作法均獲得非常渾濁之混合物。於100℃下攪拌該混合物超過12小時。於大多數情況中，該純配位體-QD混合物在一小時內變成透明，此提供配位體交換之證據。於冷卻後，將該混合物直接添加至各種聚矽氧，及藉由目測檢查所獲得的混合物判定混合程度。不同於本文件中其他實例中之實驗，在此所述實驗中，QD未自過量配位體純化。經測試之所有配位體的概述可參見下表。
觀察到只有具側官能化之配位體之QD(最後類別)獲致改良的與所選擇聚矽氧之可混溶性。後來發現高度類似AB109373(AB109374、AB124359、AB116669(後兩者係分支化))之配位體顯示相似之透明混合物。共同因素係其涉及側鏈中平均具有1個胺基(隨機分佈)、及具有~5000至1000之分子量(對應於100至300cSt之黏度)之PDMS鏈。於圖3f及3g中給出該等分子之說明。
自上述實驗可見，短配位體、及/或末端官能化之配位體似乎不顯示改良之與聚矽氧之可混溶性。於下文更詳細地闡明長配位體相對短配位體之效應。為達該目的，吾人已再次測試兩種長鏈末端官能化之矽氧烷配位體(分別具有黏度100及1000cSt之AB109371及153374)，但發現配位體自身交換不成功，亦即，QD-配位體混合物並沒有隨時間變透明。
總言之，該等結果清楚地顯示側基官能化之矽氧烷配位體較佳。
將於下文中更詳細地論述化學相容性：
基於AB109373分子，定製合成具有羧酸基之配位體
側鏈中具有官能基之配位體之上述成功實例係基於胺官能基。然而，有鑑於QD穩定性，已知羧酸側基為更佳。此外，觀察到過量的胺配位體抑制聚矽氧固化反應，而過量的羧酸配位體不會抑制該反應。因此，類似例如AB109373但改為具有羧酸替代胺側基且具有100至300cSt黏度及類似分子量之分子為最佳。該分子可為分支化或非分支化。然而，據吾人所知，該等分子尚不可購得。吾人已因此藉由使酸酐部分與AB109373配位體之胺基反應來定製合成該分子。該反應及所得的羧基-配位體顯示於圖3h中(AB109373配位體經與琥珀酸酐反應轉換成羧基官能化之配位體)。
吾人已測試經定製合成之AB109373-COOH配位體。在將CdSe量子點與未經稀釋之AB109373-COOH配位體混合後，再次觀察到不良的可混溶性。然而，該混合物於100℃下在幾分鐘後已經變透明。此較高之反應性可歸因於羧酸基而非胺基，或歸因於側鏈略為更延長之事實。此乃亦可使用具有羧酸側鏈基之PDMS配位體之重要證據。
使用於烴溶劑(十二烷)中稀釋之AB109373-COOH配位體重複本 實驗，及於100℃下加熱之後，再次獲得透明混合物，往下至1重量%配位體(於溶劑中)之濃度。典型地，於該等實驗中使用5至10重量%之配位體濃度。
使用在經稀釋之AB109373-COOH配位體溶液(含於溶劑中之5重量% AB109373-COOH配位體)中之InP量子點再次重複本實驗。於配位體交換之後再次獲得透明混合物。
在混合至其他聚矽氧中之前，藉由實質上移除過量配位體來純化具有接枝配位體之光轉換器奈米粒子(含於甲苯中)之系統。
具有AB109373定製配位體之乾燥QD在網格上之TEM，配位體交換(包括洗滌步驟)的證據。
圖4a顯示遵循如由Lim等人(Advanced Materials，2007年，19，第1927至1932頁)所述之方法所製得且於TEM網格上乾燥之經洗滌之CdSe量子點之TEM影像。圖4b顯示在配位體與AB109373定製配位體交換之後，來自與圖4a中所顯示同一批次之CdSe量子點之TEM影像。
圖4a顯示在配位體交換之前量子點具有約1nm之粒子間距。圖4b顯示將在配位體交換之後且在乾燥製程期間呈2-維聚集物形成之量子點放置成彼此恰好分開約7至8nm之粒子間距。後圖表明量子點上之配位體層的厚度為約3至5nm。通常，觀察到粒子間距為4至5nm。
對於在配位體交換(其中配位體係經溶劑稀釋)之後之經洗滌之CdSe量子點，觀察到類似結果，於此情況中，觀察到略為更短的約3nm之粒子間距。所達成的粒子間距可尤其取決於配位體交換程度。
當在使用InP量子點時，在配位體交換之後，觀察到類似結果。
在各種聚矽氧中無配位體交換之QD之TEM，大聚集物的證據
若將依照Lim等人之方法(Advanced Materials，2007年，19，第1927至1932頁)所製得的CdSe量子點混合至聚矽氧中，通常會立刻觀 察到強絮凝。形成大聚集物且即使裸眼看來透明，顯微鏡揭示存在聚集物。
在具有各種鏈長度之矽氧烷中具有長配位體(x1=68)之QD之實例，其利用經純化之QD
可將再分散於甲苯中之純化QD與具有低分子量之PDMS混合以產生穩定分散液。可將該等點分散於具有1250、2000、3800及6000之分子量(對應於10、20、50及100cSt之黏度或17個、27個、50個、80個Si主鏈單元))之PDMS中以獲得非散射性分散液。於200cSt(Mw 9430，y1=127)PDMS中，試樣具散射性。
利用其中在配位體交換期間使用較低配位體濃度之CdSe量子點獲得類似結果。
利用經配位體交換之InP量子點獲得類似結果。
在具有各種鏈長度之矽氧烷中具有短配位體之QD之實例
吾人以短末端官能化之矽氧烷配位體(單胺基丙基封端之AB 250914，其具有7至14cSt之黏度及800至1100之Mw，x1=12))改性QD。
配位體交換成功，亦即，QD-配位體混合物在配位體交換後(>12h，於100℃下)為透明。觀察到在混合時，具有AB250914配位體之QD在10cSt PDMS(y1=17)中保持完全透明持續約30秒，此後其開始逐漸絮凝，且最終變渾濁。該結果再現若干次。此應解釋為配位體正好在足夠長以使使QD穩定於10cSt PDMS中之臨限值以下。因此，該混合物最初係穩定的，但隨時間緩慢地開始絮凝。當在與100cSt(y1=80)混合時，此可如所預期立刻提供渾濁懸浮液。
在具有各種類型矽氧烷基之矽氧烷中具有長配位體之QD之實例。
為了研究配位體與矽氧烷聚合物之間之化學相容性的重要性，將具有定製AB109373-COOH配位體(x1=68)之QD與具有各種側基之矽 氧烷分子混合。概述提供於下表中。
下表中之結果再次證實具有AB109373-COOH配位體之QD與黏度達至100cSt之PDMS矽氧烷分子(y1=80)形成透明混合物。吾人自上述實例可知，具有AB109373-COOH配位體之QD與黏度遠高於100cSt之矽氧烷分子將不會提供透明混合物。然而，下表顯示甚至就具有相當低黏度之矽氧烷而言，具有AB109373-COOH配位體之該等QD提供渾濁混合物。此表明配位體之矽氧烷主鏈之化學性較佳地與其所欲混合之矽氧烷聚合物之主鏈匹配。於此情況中，本發明AB109373-COOH配位體具有100%二甲基，因此其可較佳分散於100% PDMS矽氧烷中。可預見若QD需要與例如苯基甲基(50%)聚矽氧混合，則於該等QD上之配位體應具有類似(例如苯基甲基(50%))矽氧烷主鏈。
使用低分子量聚矽氧之可固化組合物之實例
使用下述組合物，以製得固化層：
使用更高濃度的QD(CdSe)聚矽氧液體，利用再分散於100μl甲苯中之點(該等點(CdSe)具有AB109373-COOH接枝配位體)製得層。將該液體滴鑄於預先經異丙醇及丙酮清潔之依格(eagle)載玻片3*3cm上。於150℃下固化該等層1小時，產生透明彩色層。藉由在70℃下固化2小時製得塊狀凝膠。獲得如圖5中所示之5mm厚的透明層及塊狀材料，其中該材料之透明度係藉由將其置於一頁文字上，詞語「meet」清晰可見來證實。於另一實驗中，使用未經改性之相同CdSe QD，亦即，不具有AB109373-COOH接枝配位體之CdSe QD，及使用如最近上表中所指示之相同聚矽氧液體組合物，製得塊狀凝膠，其中所得塊狀凝膠看起來非常渾濁且具有相當大的量子點聚集物。
1‧‧‧發光裝置
5‧‧‧發光裝置光
10‧‧‧光源
11‧‧‧光源光
100‧‧‧光轉換器
101‧‧‧上游側
102‧‧‧下游側
110‧‧‧聚合物主體材料
120‧‧‧光轉換器奈米粒子
121‧‧‧可見轉換器光

Claims (16)

  1. 一種用於製造包含包埋光轉換器奈米粒子(120)於其中之矽氧烷聚合物基質之光轉換器(100)的方法，該方法包括：(a)將(i)具有經接枝配位體接枝之外表面之光轉換器奈米粒子與(ii)可固化矽氧烷聚合物混合，及(b)固化該等可固化矽氧烷聚合物，因而製得該光轉換器(100)；其中該等接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基；其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；其中x1為至少20，其中y1為至少2，及其中x1/y10.8。
  2. 如請求項1之方法，其中x1為至少40，其中y1為至少7。
  3. 如前述請求項中任一項之方法，其中該等接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物之化學性實質上相同。
  4. 如前述請求項中任一項之方法，其中該等矽氧烷接枝配位體與可固化矽氧烷聚合物之具有接枝官能度之側基的至少80%的化學同一性重疊。
  5. 如前述請求項中任一項之方法，該等矽氧烷接枝配位體之Si主鏈元素之至少90%具有甲基側基及其中該等矽氧烷聚合物之Si主鏈元素之至少90%具有甲基側基。
  6. 如前述請求項中任一項之方法，其中該等接枝配位體及可固化矽氧烷聚合物二者均為聚甲基矽氧烷、或聚苯基矽氧烷、或聚甲基苯基矽氧烷。
  7. 如前述請求項中任一項之方法，其中x1為至少50，其中各矽氧 烷接枝配位體之不多於10個Si主鏈元素包含具有接枝官能度之側基，該側基係選自由以下組成之群：含胺之側基、含羧酸之側基、含膦之側基、含氧化膦之側基、含磷酸酯之側基、及含硫醇之側基。
  8. 如前述請求項中任一項之方法，其中具有接枝官能度之側基係選自由以下組成之群：含胺之側基、含羧酸之側基、含膦之側基、含氧化膦之側基、含磷酸酯之側基、及含硫醇之側基。
  9. 如前述請求項中任一項之方法，其中該等光轉換器奈米粒子(120)係選自由核-殼奈米粒子組成之群，其中該等核及殼包含以下之一或多者：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、及InAlPAs。
  10. 一種包含包埋光轉換器奈米粒子(120)於其中之矽氧烷聚合物基質之光轉換器(100)，其中：(a)該等光轉換器奈米粒子具有經接枝配位體接枝之外表面，及(b)該矽氧烷聚合物基質包含交聯矽氧烷聚合物；其中該等接枝配位體包括具有x1個Si主鏈元素之矽氧烷接枝配位體，其中各矽氧烷接枝配位體之至少一個Si主鏈元素包含具有 接枝官能度之側基，該側基係選自由含胺之側基或含羧酸之側基組成之群；其中該等可固化矽氧烷聚合物具有y1個Si主鏈元素；其中x1為至少20，其中y1為至少2，及其中x1/y10.8。
  11. 如請求項10之光轉換器，其中x1為至少40，其中y1為至少7，及其中該等矽氧烷接枝配位體之Si主鏈元素之至少90%具有甲基側基，其中該等矽氧烷聚合物之Si主鏈元素之至少90%具有甲基側基，及其中該等光轉換器奈米粒子(120)係選自由核-殼奈米粒子組成之群，其中該等核及殼含有以下之一或多者：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、及InAlPAs。
  12. 如請求項10至11中任一項之光轉換器，其中該光轉換器可藉由如請求項1至9中任一項之方法獲得。
  13. 一種發光裝置(1)，其包括：光源(10)，其經組態以產生光源光(11)，可藉由如請求項1至9中任一項之方法獲得或如請求項10至12中任一項所定義之光轉換器(100)，其經組態以將至少一部分光源光(11)轉換成可見轉換器光(121)。
  14. 如請求項13之發光裝置(1)，其中該光轉換器(100)經組態以位在 離該光源(10)非零之距離處。
  15. 如請求項13之發光裝置(1)，其中該光轉換器(100)經組態以與該光源(10)物理接觸。
  16. 一種包括背光單元(200)之液晶顯示器裝置(2)，其中該背光單元(200)包括一或多個如請求項13至15中任一項之發光裝置(1)。
TW102138792A 2012-10-25 2013-10-25 用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷（ｐｄｍｓ）之配位體 TWI633168B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261718260P 2012-10-25 2012-10-25
US61/718,260 2012-10-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201422765A true TW201422765A (zh) 2014-06-16
TWI633168B TWI633168B (zh) 2018-08-21

Family

ID=49998608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102138792A TWI633168B (zh) 2012-10-25 2013-10-25 用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷（ｐｄｍｓ）之配位體

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10035952B2 (zh)
EP (1) EP2912141B1 (zh)
JP (1) JP6325556B2 (zh)
KR (1) KR20150079720A (zh)
CN (2) CN111500281A (zh)
BR (1) BR112015009085B1 (zh)
RU (1) RU2648084C2 (zh)
TW (1) TWI633168B (zh)
WO (1) WO2014064620A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI662721B (zh) * 2014-07-22 2019-06-11 荷蘭商皇家飛利浦有限公司 用於分散量子點於聚矽氧主體以獲得發光二極體（ｌｅｄ）發光之色彩轉換器之新穎類型之矽氧烷配位體
US10678134B2 (en) 2015-09-29 2020-06-09 Merck Patent Gmbh Photosensitive composition and color converting film

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9506627B2 (en) * 2012-08-06 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Highly stable QDS-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization
EP2976409B1 (en) 2013-03-20 2017-05-10 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
US10509319B2 (en) * 2015-02-27 2019-12-17 Merck Patent Gmbh Photosensitive composition and color converting film
EP3072944A3 (en) * 2015-03-27 2016-10-12 Nexdot Core-shell nanoplatelets film and display device using the same
US10516082B2 (en) * 2015-07-07 2019-12-24 Lumileds Holding B.V. Device for emitting light
JP2018533658A (ja) * 2015-10-27 2018-11-15 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置用の波長変換材料
EP3433881A1 (en) 2016-03-24 2019-01-30 Nexdot Core-shell nanoplatelets and uses thereof
US11189488B2 (en) 2016-03-24 2021-11-30 Nexdot Core-shell nanoplatelets and uses thereof
WO2018002334A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength converter having a polysiloxane material, method of making, and solid state lighting device containing same
CN106929000A (zh) * 2017-03-31 2017-07-07 厦门大学 一种量子点‑聚二甲基硅氧烷复合材料及其制备方法
US10475967B2 (en) * 2017-04-27 2019-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength converters with improved thermal conductivity and lighting devices including the same
JP6935745B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 色変換層および画像表示装置
CN108441221B (zh) * 2018-05-10 2021-06-01 河北工业大学 一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法
EP3643765A1 (en) * 2018-10-22 2020-04-29 SABIC Global Technologies B.V. Stable quantum dot compositions
KR102334956B1 (ko) 2018-11-01 2021-12-02 주식회사 엘지화학 차량용 램프 및 이의 제조 방법
GB2579785A (en) * 2018-12-13 2020-07-08 Lambda Stretch Ltd Photovoltaic device
US11390804B2 (en) 2019-01-11 2022-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Core shell quantum dot and electronic device including the same
US20220059766A1 (en) * 2019-01-15 2022-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element, light-emitting device, and method of manufacturing light-emitting element
CN113046057A (zh) * 2021-03-05 2021-06-29 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点、由其制备的核壳量子点及该核壳量子点的制备方法
KR20230124161A (ko) * 2022-02-17 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 광제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556725A (en) 1985-01-24 1985-12-03 Union Carbide Corporation Process for preparing triacetoxysilanes from tris(amino)silanes
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
EP1603991A1 (en) 2003-03-11 2005-12-14 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescent device with quantum dots
KR100657891B1 (ko) 2003-07-19 2006-12-14 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 및 그 제조방법
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7374807B2 (en) * 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
KR101249078B1 (ko) * 2006-01-20 2013-03-29 삼성전기주식회사 실록산계 분산제 및 이를 포함하는 나노입자 페이스트조성물
WO2010014198A1 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
KR101616968B1 (ko) 2007-09-12 2016-04-29 큐디 비젼, 인크. 관능화된 나노입자 및 방법
JP2009087783A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
JP2009120437A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Niigata Univ シロキサンをグラフト化したシリカ及び高透明シリコーン組成物並びに該組成物で封止した発光半導体装置
RU2381304C1 (ru) 2008-08-21 2010-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
JP5555167B2 (ja) 2008-09-05 2014-07-23 株式会社日本触媒 シリコーン樹脂組成物、酸化金属粒子及びその製造方法
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
KR101631986B1 (ko) 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN104387772B (zh) * 2009-05-01 2017-07-11 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
BR112012004505A2 (pt) 2009-08-31 2016-03-29 Sharp Kk dispositivo de cristal líquido
JP2012003073A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2013503634A (ja) * 2009-09-02 2013-02-04 カンザス ステイト ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション プロテアーゼのｍｒｉアッセイおよび光学アッセイ
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
JP2011144272A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Nippon Shokubai Co Ltd ジルコニアナノ粒子を含むシリコーン樹脂組成物
WO2011092647A2 (en) * 2010-01-28 2011-08-04 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Phosphor-nanoparticle combinations
JP4949525B2 (ja) * 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
KR101695005B1 (ko) 2010-04-01 2017-01-11 삼성전자 주식회사 나노결정/수지 조성물, 나노결정-수지 복합체 및 나노결정-수지 복합체의 제조방법
DE102010028306A1 (de) * 2010-04-28 2011-11-03 Wacker Chemie Ag Entschäumerzusammensetzungen
KR20120012642A (ko) 2010-08-02 2012-02-10 삼성전기주식회사 나노 복합재 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20120067541A (ko) 2010-12-16 2012-06-26 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US9187643B2 (en) 2011-11-21 2015-11-17 University Of South Carolina Silicone based nanocomposites including inorganic nanoparticles and their methods of manufacture and use
JP6118825B2 (ja) 2012-02-03 2017-04-19 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 新規材料並びに高量子収率及び高安定性を有するナノ粒子のマトリックス中への分散方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI662721B (zh) * 2014-07-22 2019-06-11 荷蘭商皇家飛利浦有限公司 用於分散量子點於聚矽氧主體以獲得發光二極體（ｌｅｄ）發光之色彩轉換器之新穎類型之矽氧烷配位體
US10756241B2 (en) 2014-07-22 2020-08-25 Lumileds Llc Siloxane ligands to be used for dispersing quantum dots in silicone hosts to obtain color converters for LED lighting
US10678134B2 (en) 2015-09-29 2020-06-09 Merck Patent Gmbh Photosensitive composition and color converting film
TWI707200B (zh) * 2015-09-29 2020-10-11 德商馬克專利公司 光敏組合物及色轉變膜、彼等之應用以及製備方法
TWI749817B (zh) * 2015-09-29 2021-12-11 德商馬克專利公司 光敏組合物及色轉變膜、彼等之應用以及製備方法
US11269255B2 (en) 2015-09-29 2022-03-08 Merck Patent Gmbh Photosensitive composition and color converting film

Also Published As

Publication number Publication date
TWI633168B (zh) 2018-08-21
EP2912141A1 (en) 2015-09-02
CN104755585A (zh) 2015-07-01
KR20150079720A (ko) 2015-07-08
US20150291876A1 (en) 2015-10-15
EP2912141B1 (en) 2019-09-18
RU2015119545A (ru) 2016-12-20
WO2014064620A1 (en) 2014-05-01
RU2648084C2 (ru) 2018-03-22
JP2016506527A (ja) 2016-03-03
BR112015009085B1 (pt) 2021-06-15
CN111500281A (zh) 2020-08-07
JP6325556B2 (ja) 2018-05-16
US10035952B2 (en) 2018-07-31
BR112015009085A2 (pt) 2017-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6824203B2 (ja) シリコーン内の量子ドット用ｐｄｍｓ系リガンド
TWI633168B (zh) 用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷（ｐｄｍｓ）之配位體
JP6118825B2 (ja) 新規材料並びに高量子収率及び高安定性を有するナノ粒子のマトリックス中への分散方法
TWI662721B (zh) 用於分散量子點於聚矽氧主體以獲得發光二極體（ｌｅｄ）發光之色彩轉換器之新穎類型之矽氧烷配位體
US10340427B2 (en) Quantum dots with inorganic ligands in an inorganic matrix