KR20150079720A - 실리콘 내의 양자 점을 위한 pdms-기재 리간드 - Google Patents

실리콘 내의 양자 점을 위한 pdms-기재 리간드 Download PDF

Info

Publication number
KR20150079720A
KR20150079720A KR1020157013314A KR20157013314A KR20150079720A KR 20150079720 A KR20150079720 A KR 20150079720A KR 1020157013314 A KR1020157013314 A KR 1020157013314A KR 20157013314 A KR20157013314 A KR 20157013314A KR 20150079720 A KR20150079720 A KR 20150079720A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grafting
siloxane
ligand
group
light
Prior art date
Application number
KR1020157013314A
Other languages
English (en)
Inventor
로엘로프 쿨레
리파트 아타 무스타파 히크메트
패트릭 존 배스쥬
마르셀 르네 보메르
요한 룹
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20150079720A publication Critical patent/KR20150079720A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/005—Reinforced macromolecular compounds with nanosized materials, e.g. nanoparticles, nanofibres, nanotubes, nanowires, nanorods or nanolayered materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04—Polysiloxanes
    • C08J2383/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/779—Possessing nanosized particles, powders, flakes, or clusters other than simple atomic impurity doping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y10S977/897—Polymerization
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 (a) (i) 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖는 광 변환 나노입자와 (ii) 경화성 실록산 중합체를 혼합하는 단계, (b) 경화성 실록산 중합체를 경화시킴으로써 광 변환기를 제조하는 단계를 포함하고; 상기 그라프팅 리간드는 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산 그라프팅 리간드를 포함하고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 적어도 하나의 Si 골격 원소는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함하고; 상기 경화성 실록산 중합체는 y1개의 Si 골격 원소를 갖고; x1은 적어도 20이고, y1은 적어도 2이고, x1/y1 ≥ 0.8인, 광 변환 나노입자가 그 안에 매립된 실록산 중합체 매트릭스를 포함하는 광 변환기의 제조 방법을 제공한다.

Description

실리콘 내의 양자 점을 위한 PDMS-기재 리간드{PDMS-BASED LIGANDS FOR QUANTUM DOTS IN SILICONES}
본 발명은 중합체 내에 광 변환 나노입자가 매립된 중합체의 제조 방법, 이렇게 얻어진 광 변환기, 및 이러한 (중합체) 광 변환기를 포함하는 조명 유닛에 관한 것이다.
조명 응용을 위한 양자 점(QD)과 같은 나노입자의 사용은 당업계에 공지되어 있다. 예를 들어, US20110240960은 광 방출원, 광 방출원으로부터의 광의 파장을 변환함으로써 파장-변환된 광을 발생시키기 위한 복수의 제1 양자 점, 제1 양자 점을 분산시켜 그 안에 매립하는 제1 분산 매질, 및 제1 양자 점을 매립하는 분산 매질의 외부 표면 전체를 팩에 밀봉하기 위한 제1 밀봉재를 포함하는, 광 방출원 위에 배치된 제1 양자 점 파장 변환기를 포함하는 발광 장치를 기술한다.
제1 캡슐화제가 제1 양자 점 파장 변환기의 외부 표면 전체를 캡슐화하기 위해 적용된다. 나아가, 광 방출원으로부터의 광의 파장을 변환함으로써 파장-변환된 광을 발생시키기 위한 복수의 제2 양자 점, 제2 양자 점을 분산시켜 그 안에 매립하는 제2 분산 매질, 및 제2 양자 점을 매립하는 제2 분산 매질의 외부 표면 전체를 팩에 밀봉하기 위한 제2 밀봉재를 포함하는 제2 양자 점 파장 변환기가 제1 양자 점 파장 변환기 위에 배치되며, 여기에서 제1 양자 점 파장 변환기, 제2 양자 점 파장 변환기 및 광 방출원은 서로 떨어져 배치된다. 제2 캡슐화제는 제2 양자 점 파장 변환기의 외부 표면 전체 위에 놓이는데 이는 제2 양자 점 파장 변환기의 외부 표면 전체를 캡슐화하기 위함이다. 나아가, 광 방출원은 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드이다.
양자 점(QD)과 같은 나노입자는 조명 응용에서 매우 관심을 끌어왔다. 이들은 예를 들어 청색 광을 다른 색으로 변환하는 데 있어서 무기 인광체로 쓰일 수 있고 비교적 좁은 방출 밴드의 이점 및 고품질의 순수 백색 광을 얻을 수 있도록 QD의 크기에 따라 색을 조정할 수 있는 이점을 가질 수 있다.
QD를 LED 응용을 위해 사용하기 위해, 이들은 적절한 매트릭스에 혼입되어야 한다. QD 파우더(매트릭스 없는)는 농도 소광 효과뿐만 아니라 이러한 순수 QD 파우더의 좋지 않은 가공성 때문에 바람직하지 않다. 현재까지, 많은 종류의 중합체 내의 나노입자의 매립은 나노입자의 응집으로 이어지는 것으로 보인다. 현재, 아크릴계 매트릭스가 QD를 위한 매트릭스로 주로 사용되지만, 이들은 고 청색 광 플럭스(flux)에 대한 안정성이 좋지 않은 것으로 알려져 있다. 고 청색 광 플럭스에 대한 실리콘의 입증된 안정성(즉 이들의 LED와의 입증된 상용성) 때문에 우리는 실리콘을 QD를 위한 가장 선호되는 매트릭스로 여긴다.
실리콘은 현재 많은 LED-제조 공정의 표준 매트릭스/수지로 사용된다. 그러나, QD는 일반적으로 실리콘과 상용성이 없도록 하는 소수성 유기 코팅(일반적으로 QD의 외부 표면으로부터 뻗은 리간드의 형태)을 갖고: QD가 실리콘과 혼합될 때 QD의 뭉침으로 인해 일반적으로 탁한 혼합물이 얻어진다. 이는 농도 소광 효과, 예상되는 열화 효과의 증가, 및 공간 농도 변화를 초래하는 이들 필름의 통제되지 않는 처리 방법 때문에 바람직하지 않다. 우리가 아는 한, 광학 실리콘과 정말로 혼화성인 QD(배위 리간드를 갖는)의 예는 존재하지 않는다.
요약하면, 광학 실리콘에 대한 QD의 혼화성을 향상시키는 보다 일반적인 방법이 매우 요망된다. 따라서, 다른 나노입자-중합체 시스템, 특히 중합체 양자 점 시스템을 제공하는 것이 본 발명의 한 측면이다. 특히, 나노입자가 매립된 이러한 중합체의 다른 제조 방법을 제공하는 것이 본 발명의 한 측면이다. 나아가, 나노입자가 그 안에 매립된 다른 광 변환기를 제공하는 것이 본 발명의 한 측면이다. 또한, QD가 매립된 이러한 중합체를 포함하는 다른 조명 유닛을 제공하는 것이 다른 측면이다. 바람직하게는, 다른 방법 및/또는 다른 광 변환기 및/또는 다른 조명 유닛은 하나 이상의 전술한(및 또한 후술하는) 선행 기술 해법의 문제점을 적어도 부분적으로 제거한다.
놀랍게도, 본 발명자들은 그 중에서도 광 변환 나노입자의 본래의 QD 리간드를 특정한 PDMS-유사 리간드로 교환하는 것에 의해, 특정한 조건이 만족될 때 QD는 실리콘과 정말로 혼화성이 되고/되거나 실리콘과의 혼화성이 현저히 향상될 수 있다는 것을 발견하였다. 나아가, 혼화성이 좋은 시스템을 얻기 위해 현저한 양의 헥산 및 아세톤과 같은 추가적인 용제 또는 다른 용제를 사용할 필요가 없다는 이점이 있다.
따라서, 제1 측면에서, 본 발명은
(a) (i) 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖는 광 변환 나노입자와 (ii) 경화성 실록산 중합체를 혼합하는 단계, 및
(b) 경화성 실록산 중합체를 경화시킴으로써 광 변환기를 제조하는 단계를 포함하고;
- 상기 그라프팅 리간드는 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산을 포함하고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 적어도 하나의 Si 골격 원소는 아민을 포함하는 측기 또는 카르복시산을 포함하는 측기(그러나 다른 관능기도 가능함, 아래를 참고할 것)로 이루어지는 군에서 선택되는 측기와 같은 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함하고;
- 상기 경화성 실록산 중합체는 y1개의 Si 골격 원소를 갖고;
- x1은 특히 적어도 20, 예컨대 특히 적어도 40, 보다 특히 적어도 50이고, y1은 특히 적어도 2, 예컨대 적어도 7, 예컨대 적어도 10이고, 특히 x1/y1 ≥ 0.8, 예컨대 x1/y1 ≥ 0.95, 예컨대 > 1, 예컨대 적어도 ≥ 1.2인,
광 변환 나노입자(본원에서 "나노입자"로도 나타냄)가 그 안에 매립된 실록산 중합체 매트릭스를 포함하는 광 변환기의 제조 방법을 제공한다.
나노입자는 특히 UV 및/또는 청색 광에 의해 여기된 후 스펙트럼의 가시 영역의 적어도 일부에서 발광을 제공하도록 구성될 수 있는 광 변환 나노입자이다. 따라서, 이들 입자는 본원에서 광 변환 나노입자로도 나타내며, QD(양자 점)가 이의 특정한 실시태양이다.
본원에서 기술된 방법에 의해 얻을 수 있는 이러한 광 변환기는 높은 양자 효율 및 안정성을 갖는 발광을 나타낼 수 있다(경화된 실록산 중합체의 매트릭스 내에 매립되었을 때). 나아가, 광 변환기는 비교적 온도 및/또는 광화학 안정성이고/이거나 투명할 수 있다. 나아가, 이 방법으로, 나노입자는 응집의 실질적인 불편 없이 중합체 내에 비교적 고른 방식으로 분산될 수 있다.
따라서, 추가적인 측면에서, 본 발명은 또한 본 발명의 방법에 의해 얻을 수 있는 광 변환기를 제공한다. 특히, 본 발명은 또한
(a) 광 변환 나노입자는 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖고,
(b) 실록산 중합체 매트릭스는 가교-결합된 실록산 중합체를 포함하고;
- 상기 리간드는 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산 그라프팅 리간드를 포함하고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 적어도 하나의 Si 골격 원소는 그라프팅 관능성을 갖는 측기(예를 들어 아민을 포함하는 측기 또는 카르복시산을 포함하는 측기로 이루어지는 군에서 선택되는 것과 같은)를 포함하고;
- 상기 경화성 실록산 중합체는 y1개의 Si 골격 원소를 갖고;
- x1은 특히 적어도 20, 예컨대 특히 적어도 40, 보다 특히 적어도 50, 예컨대 적어도 80이고, y1은 특히 적어도 2, 예컨대 적어도 7, 예컨대 적어도 10이고, x1/y1 ≥ 0.8, 예컨대 x1/y1 ≥ 0.95, 예컨대 > 1, 예컨대 적어도 ≥ 1.2인,
광 변환 나노입자가 그 안에 매립된 (경화된) 실록산 중합체 (매트릭스)를 (그 자체로) 포함하는 광 변환기를 제공한다.
이들 광 변환기가 조명 장치에 잘 적용될 수 있으므로, 본 발명은 더 추가적인 측면에서
- 광원 광(즉 광원으로부터의 광)을 발생시키도록 구성된 광원,
- 광원 광의 적어도 일부를 가시 변환 광으로 변환시키도록 구성된, 본원에서 정의되고/되거나 그 자체로 정의된 방법에 의해 얻을 수 있는 광 변환기를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
더 추가적인 측면에서, 본 발명은 또한 본원에서 정의된 하나 이상의 조명 장치를 포함하는 하나 이상의 백라이팅 유닛을 포함하는 액정 디스플레이 장치를 제공한다.
용어 광 변환기는 광을 제1 파장에서 제2 파장의 광으로 변환시키도록 구성된 시스템을 가리킨다. 특히, UV 및/또는 청색 광(여기 파장)은 (여기 파장보다 높은 파장의) 가시 광으로 (적어도 부분적으로) 변환될 수 있다. 이는 아래에서 더 설명될 것이다; 먼저 실록산 중합체, 그라프팅 리간드 및 경화성 실록산 중합체에 관한 일부 측면 및 광 변환기를 얻는 방법의 실시태양이 기술된다.
보다 정확히는 중합된 또는 중합가능한 실록산 또는 폴리실록산으로 불리는 실리콘은 화학식 [(R1,R2)SiO]n(말단기는 고려하지 않음)(식 중, R은 예를 들어 수소, 탄화수소 또는 탄화불소, 특히 메틸, 에틸 또는 페닐과 같은 기이다)의 혼성 무기-유기 중합체이다. 특히, 하나 이상의 Si 골격 원소의 하나 이상의 R기는 탄화수소 및 탄화불소 중 하나 이상을 포함한다. 하나 이상의 이들 측기는 또한 비닐기와 같은 가교-결합성 관능성을 가질 수 있다.
이들 중합된 실록산 또는 폴리실록산 물질은 4-배위인 규소 원자에 유기 측기가 부착된 무기 규소-산소 골격(…-Si-O-Si-O-Si-O-…)으로 이루어진다. R 측기는 원칙적으로 상이할 수 있으므로, 화학식 [(R2)SiO]n 대신 화학식 [(R1,R2)SiO]n(말단기는 고려하지 않음) 또한 적용될 수 있다. 여기에서 x1 및 y1은 각각 그라프팅 리간드 및 (경화성) 실록산 중합체(호스트 물질을 형성)의 실록산 골격의 Si 원소 수에 적용된다는 것에 주의하기 바란다.
본원에서 단지 R, 또는 보다 정확히, R1,R2가 언급된다는 사실은 상이한 Si 골격 원소가 동일한 측기를 포함할 수 있다는 것을 배제하지 않고, 또한 둘 초과의 상이한 종류의 측기가 실리콘에 포함될 수 있다. 따라서, R은 예를 들어 메틸, 페닐 등으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한 할로겐, 주로 염소가 측 화합물 R로 가능하다. 나아가, [R2SiO] 또는 [-Si(R)2-O-]는 실리콘 단위 또는 실리콘 특징화 기(즉 실리콘을 특징화하는 기)를 가리킨다.
실록산은 R2SiO 형태(식 중, R은 예를 들어, 수소 원자, 탄화수소기, 또는 말단기와 결합된 하나 이상의 R2SiO 단위(들)이지만 이에 제한되지 않는다)의 단위로 구성되는 임의의 화학 화합물이다. 실록산은 규소 원자에 측쇄 R이 부착된 교대되는 규소 및 산소 원자 -Si-O-Si-O-로 이루어진 분지형 또는 비분지형 골격을 가질 수 있다. 유기 측쇄(R ≠ H)를 갖는 중합된 실록산은 흔히 실리콘으로 또는 폴리실록산으로 알려져 있다. 본원에서, 이들은 "실록산" 또는 "실록산 중합체"로도 나타낸다. 대표적인 예는 [SiO(CH3)2]n(폴리디메틸실록산) 및 [SiO(C6H5)2]n(폴리디페닐실록산)이다. 이들 화합물은 유기 및 무기 화합물 둘 다의 혼성체로 볼 수 있다. 유기 측쇄는 소수성 성질을 부여하는 반면 -Si-O-Si-O- 골격은 완전히 무기물이다. 위에서 나타낸 대로, 골격 내의 Si 원소는 본원에서 Si 골격 원소로도 나타낸다. [R2SiO]n 실록산은 n개의 Si 골격 원소를 포함한다. 따라서, 임의의 실록산 특징화 부분 R2SiO는 하나의 규소 골격 원소(두 개의 측기를 가짐)를 제공한다. 예를 들어 PDMS는 CH3[Si(CH3)2O]nSi(CH3)3이고, n+1개의 Si 원소를 가지므로 따라서 사실은 n+1개의 Si 골격 원소를 가진다는 것에 주의하기 바란다. 이러한 실록산이 그라프팅 리간드로 사용되면, x1=n+1이고; 이러한 실록산이 경화를 위한 실록산 중합체로 사용되면, y1=n+1이다. 나아가, PDMS(화학식 참조)는 n-1개의 비-말단 Si 골격 원소를 갖는다.
-Si-O- 사슬 길이, 측기 및 가교 결합을 변화시킴에 의해, 다양한 특성 및 조성을 갖는 실리콘이 합성될 수 있다. 이들은 액체부터 겔, 고무, 단단한 플라스틱까지 컨시스턴시가 다를 수 있다.
가장 흔한 실록산은 실리콘 오일인 선형 폴리디메틸실록산(PDMS; 위를 참조할 것)이다. 두 번째로 큰 부류의 실리콘 물질은, 분지형이고 새장과 같은 올리고실록산에 의해 형성되는 실리콘 수지에 기초한다.
본원에서, 특히 선형 실록산이 경화성 실록산 중합체 및/또는 실록산 그라프팅 리간드로 사용된다. 그러나, 비-선형 실록산 또한 경화성 실록산 중합체 및/또는 실록산 그라프팅 리간드로 사용될 수 있다. 나아가, 실록산이 경화되므로, 일반적으로 광 변환기는 고체 광 변환기(고체 중합체 광 변환기)일 것이다. 그럼에도 불구하고, 광 변환기는 한 실시태양에서 가요성일 수 있다.
위에서 나타낸 대로, 그라프팅 리간드는 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산 그라프팅 리간드를 포함하고; 특히, 그라프팅 리간드는 실록산 그라프팅 리간드(x1개의 Si 골격 원소를 가짐)이다. 용어 "그라프팅 리간드"는 양자 점과 같은 광 변환 나노입자(이들 입자는 아래에서 자세히 설명됨)의 외부 표면에 배위되거나 결합되는 리간드를 가리킨다. 그라프팅 리간드는 예를 들어 당업계에서 공지되어 있고, 예를 들어 WO/2009/035657, WO/2010/014198 및 WO/2008/063653 등에 기술된다. 그라프팅 리간드는 종종 캡핑 리간드로도 나타낸다.
그라프팅 리간드는, 일반적으로 흔히 알려진 측기를 가질 수 있고 또한 그라프팅 관능성을 갖는 적어도 하나의 측기를 갖는 실록산 분자를 포함한다. 그라프팅 관능성을 갖는 측기는 아민 및 카르복시산으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 아민은 각각 -NH2 또는 COOH일 수 있지만, 또한 -R-NH2 또는 R-COOH(식 중, R은, 바람직하게는 20개 미만의 탄소 원자를 포함하는, 탄화수소이다)일 수 있다. 그러나, 그라프팅 관능성을 갖는 측기는 또한 포스핀, 산화 포스핀, 인산염, 티올 등(그리고 실시태양에서 이들 둘 이상의 조합)을 포함할 수 있다. 따라서, 그라프팅 리간드는, 일반적으로 흔히 알려진 측기를 가질 수 있고 또한 아민, 카르복시산, 포스핀, 산화 포스핀, 인산염, 티올, 보다 특히 아민, 카르복시산, 포스핀, 산화 포스핀 및 인산염으로 이루어지는 군에서 선택되는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 적어도 하나 갖는 실록산 분자이다. 리간드는 한 실시태양에서 다른 종류의 이러한 측기를 포함할 수 있는(또는 모두 동일할 수 있는) 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 복수 개 포함할 수 있다. Si 골격 원소는 또한 그라프팅 관능성을 갖는 두 개의 측기를 포함할 수 있다. 구절 "그라프팅 관능성을 갖는 측기"는 본원에서 기술하는 대로 발광 나노입자에 그라프트되는 능력을 갖는 측기(말단기가 아님)를 가리킨다. 따라서, 그라프팅 관능성을 갖는 측기는 실록산에 그라프팅 능력(그리고 따라서 그라프팅 리간드 관능성)을 제공한다.
따라서, 특히 측기는 비-말단 Si 골격 원소의 측기이다(아래를 또한 참조할 것). 아민은 발광 나노입자의 외부 표면에 아민으로 그라프트될 수 있고; 카르복시산은 발광 나노입자에 카르복시산염으로 그라프트될 수 있다. 특히, 관능기는 특히 말단기가 아니라 측기로 배열되어야 하는 것으로 보인다. 따라서, 특히, 그라프팅 리간드는 아민, 카르복시산, 포스핀, 산화 포스핀, 인산염 및 티올로 이루어지는 군에서 선택되는 기를 포함하지 않는 말단기를 갖는, 즉 그라프팅 관능성을 (실질적으로) 갖는 말단기를 갖지 않는 실록산 분자를 포함한다. 그라프팅 리간드는 특히, 본원에서 말하는 반도체 양자 점, 특히 본원에서 말하는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs 나노입자, 보다 특히 황화물, 텔루륨화물 및 셀렌화물을 위한 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 갖는다.
그라프팅 관능성을 갖는 측기는 그라프팅 리간드의 실록산 골격 상의 어디든 배열될 수 있다. x1개의 규소 골격 단위를 갖는 선형 실록산을 가정하면, 특히 관능성을 갖는 하나(또는 그 이상)의 측기(들)는 골격 길이의 20 내지 80 % 사이에서 발견된다. 예를 들어 50개의 Si 골격 원소를 포함하는 골격을 가정하면, 특히 그라프팅 관능성을 갖는 측기는 10번 Si 또는 40번 Si 또는 그 사이에서 발견된다(1번 및 50번은 말단기임).
적어도 하나의 이러한 측기가 있지만, 아민 및 카르복시산 또는, 포스핀, 산화 포스핀, 인산염, 티올과 같은 다른 것들로 이루어지는 군에서 선택되는 것과 같은 그라프팅 관능성을 갖는 측기가 임의적으로 하나를 초과하여 있을 수 있다. 이러한 그라프팅 관능성을 갖는 측기의 수는 실록산 그라프팅 리간드의 사슬 길이에 의해 결정될 수 있지만, 특히 10을 넘지 않는다. 따라서, 특히 각 실록산 그라프팅 리간드의 10개 이하의 Si 골격 원소(말단 Si 골격 원소가 아님)가 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함한다. 특히 각 실록산 그라프팅 리간드의 10개 이하의 Si 골격 원소(말단 Si 골격 원소가 아님)는 아민을 포함하는 측기, 카르복시산을 포함하는 측기, 포스핀을 포함하는 측기, 산화 포스핀을 포함하는 측기, 인산염을 포함하는 측기 및 티올을 포함하는 측기로 이루어지는 군에서 선택되는 (그라프팅 관능성을 갖는) 측기를 포함한다. 그라프팅 관능성을 갖는 측기가 하나를 초과하여 존재할 때, 특히 그라프팅 관능성을 갖는 측기의 비율은 5 몰% 이하이고(모든 R1,R 골격 측기의 5 % 이하가 이러한 관능기를 포함한다), 보다 특히 그라프팅 관능성을 갖는 측기의 비율은 2.5 몰% 이하이다. 따라서, 예를 들어 22개의 Si 골격 원소(따라서 두 개의 말단 Si 골격 원소를 포함하여)를 가정하면, 40개의 측기가 가능하고; 이들의 5 %가 그라프팅 관능성을 가질 때, 이는 두 개까지의 측기가 그라프팅 관능성을 가질 것이라는 것을 의미할 것이며; 메틸, 페닐 등과 같이 다른 것들은 그라프팅 관능성을 갖지 않을 것이다. 이들 그라프팅 관능성을 갖는 복수(p)의 측기는 p/2-p개의 실리콘 골격 단위에 걸쳐 분포될 수 있다.
용어 "그라프팅 리간드" 또는 "실록산 그라프팅 리간드"는 또한 복수의 다른 종류의 그라프팅 리간드를 가리킬 수 있다는 것에 주의하기 바란다. 한 실시태양에서, 이들 그라프팅 리간드는 실질적으로 동일하다. 그러나, 다른 실시태양에서, 그라프팅 리간드는 복수의 다른 종류의 그라프팅 리간드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이들은 사슬 길이(x1)가 다를 수 있고/있거나 측기가 다를 수 있고/있거나 그라프팅 관능성을 갖는 측기가 다를 수 있고/있거나 그라프팅 관능성을 갖는 측기의 수가 다를 수 있고/있거나 그라프팅 관능성을 갖는 측기의 위치가 다를 수 있(고/있거나 말단기의 종류가 다를 수 있)다. 예를 들어, 실록산 그라프팅 리간드는, 각각 오직 하나의 (아민) 측기를 갖지만, (아민) 측기의 위치는 실록산 중합체에 걸쳐 랜덤으로 분포하는, 복수의 실록산 중합체를 포함할 수 있다.
일반적으로, 광 변환기(중합체 장치)의 경화성 실록산 중합체, 또는 (가교-결합된) 실록산 중합체는 아민 및 카르복시산으로 이루어지는 군에서 선택되는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 하나 이상 갖지 않는다.
그라프팅 관능성을 갖는 측기를 제외하고, 실록산 그라프팅 리간드에 관한 위에서 나타낸 정보는 경화성 실록산 중합체에도 실질적으로 적용된다.
용어 "경화성 실록산 중합체"는 또한 복수의 다른 종류의 경화성 실록산 중합체를 가리킬 수 있다. 한 실시태양에서, 이들 경화성 실록산 중합체는 실질적으로 동일하다. 그러나, 다른 실시태양에서, 경화성 실록산 중합체는 복수의 상이한 경화성 실록산 중합체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이들은 사슬 길이(y1)가 다를 수 있고/있거나 측기(의 종류)가 다를 수 있다. 나아가, 이들은 말단기의 종류가 다를 수 있다. 경화성 실록산 중합체는 경화 시에 가교-결합을 형성하도록 구성된 말단기를 가질 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 또한 경화성 실록산 중합체 당 하나 이상의 측기가 경화 시에 가교-결합을 형성하도록 구성될 수 있다는 것에 주의하기 바란다. 예를 들어, 측기는 비닐 기(또는 수소 기)를 포함할 수 있다. 위에서 이해할 수 있는 대로, 경화성 실록산 중합체는 경화 시에 가교-결합을 형성하도록 구성된 말단기 및/또는 측기를 포함할 수 있다.
특정한 실시태양에서, x1은 적어도 40, 예컨대 적어도 50, 특히 적어도 80이다. 그러면 더 좋고/좋거나 더 안정한 시스템이 얻어질 수 있다. 한 실시태양에서, x1은 2000 이하, 특히 1000 이하, 예컨대 800 이하이다. 특정한 실시태양에서, x1은 40-1000의 범위 내, 예컨대 40-800, 예컨대 100-800이다. 위에서 언급한 대로, 상이한 그라프팅 리간드의 조합이 적용될 수 있고; 이러한 경우 x1은 (중량) 평균 값이다.
나아가, y1은 적어도 7, 예컨대 특히 적어도 10, 그리고 특히 400 이하, 예컨대 200 이하이다. 위에서 언급한 대로, 상이한 경화성 실록산 중합체의 조합이 적용될 수 있고; 이러한 경우 y1은 (중량) 평균 값이다.
나아가, x1/y1 ≥ 0.80일 때 좋은 결과가 얻어질 수 있지만, (광 변환기의) 투과율 및/또는 안정성의 의미에서, 일반적으로 더 좋은 결과가 x1/y1 ≥ 0.95, 예컨대 x1/y1≥1.2일 때 얻어진다.
특히, 그라프팅 리간드와 경화성 실록산 중합체는 화학적으로 실질적으로 동일하다. 이는 예를 들어 그라프팅 리간드와 경화성 실록산 중합체 모두가 폴리 메틸 실록산 또는 폴리 페닐 실록산 또는 폴리 메틸페닐(특히 50/50) 실록산이고, 그라프팅 관능성을 갖는 측기인 적어도 하나의 측기를 갖는 것을 의미할 수도 있다.
특정한 실시태양에서, 실록산 그라프팅 리간드와 경화성 실록산 중합체의 측기의 적어도 75 %, 특히 80 %, 보다 특히 85 %, 보다 특히 적어도 90 %, 예컨대 특히 적어도 95 %가 화학적 본질에서 중복된다. 화학적 본질의 중복은 그라프팅 리간드 및 경화성 실록산 중합체 상의 특정한 측기의 비율을 측정하고 비율의 중복되는 부분을 더함으로써 구할 수 있다. 예를 들어 가상의 예에서, 실록산 그라프팅 리간드가 72 % 메틸 및 25 % 페닐 측기를 포함하고, 경화성 실록산 중합체가 66 % 메틸 및 29 % 페닐 측기를 포함할 때, 중복되는 비율의 합은 66 % + 25 % = 91 %이다. 따라서, 이러한 실록산 그라프팅 리간드와 경화성 실록산 중합체는 실질적으로 화학적으로 동일하다.
위에서 나타낸 대로, 실록산 그라프팅 리간드 및/또는 경화성 실록산 중합체는 각각 복수의 다른 분자를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 평균 값이 사용된다. 예를 들어, 74 % 메틸 및 22 % 페닐 측기를 갖는 제1 실록산 그라프팅 리간드 및 70 % 메틸 및 28 % 페닐 측기를 갖는 제2 실록산 그라프팅 리간드를 가정하면, 평균 비율은 72 % 메틸 및 25 % 페닐이다.
특정한 실시태양에서, 실록산 그라프팅 리간드의 Si 골격 원소(말단기는 포함하지 않음)의 적어도 75 %, 특히 80 %, 보다 특히 85 %, 보다 특히 적어도 90 %, 예컨대 특히 적어도 95 %가 메틸 측기를 갖고, (경화성) 실록산 중합체의 Si 골격 원소(말단기는 포함하지 않음)의 특히 적어도 75 %, 특히 80 %, 더욱 특히 85 %, 더욱 특히 적어도 90 %, 예컨대 특히 적어도 95 %는 메틸 측기를 갖는다. 따라서, 한 실시태양에서, (고체) 실록산 중합체 (매트릭스) 및 실록산 그라프팅 리간드는 폴리 디메틸 실록산 중합체를 포함한다. 10개의 규소 골격 단위(말단기는 포함하지 않음) 및 90 % 메틸 측기를 포함하는 실록산을 가정하면, 16개의 메틸 측기가 존재할 것이다.
특히, 그라프팅 리간드 및 경화성 실록산 중합체 둘 다를 위한 실록산은 100 % 메틸 측기, 또는 50/50 메틸/페닐 측기이다(그러나 그라프팅 리간드의 경우 적어도 하나의 측기는 그라프팅 관능성을 갖는 측기이고, 따라서 이러한 측기는 메틸 또는 페닐일뿐만 아니라, 대안적으로 또는 추가적으로 예를 들어 아민 또는 카르복시산을 포함한다).
또 다른 실시태양에서, 실록산 그라프팅 리간드의 Si 골격 원소(말단기는 포함하지 않음)의 적어도 75 %, 특히 80 %, 더욱 특히 85 %, 더욱 특히 적어도 90 %, 예컨대 특히 적어도 95 %는 페닐 측기를 갖고, 실록산 중합체의 Si 골격 원소(말단기는 포함하지 않음)의 적어도 75 %, 특히 80 %, 더욱 특히 85 %, 더욱 특히 적어도 90 %, 예컨대 특히 적어도 95 %는 페닐 측기를 가진다.
명확한 바와 같이, 말단기는 또한 메틸, 페닐 또는 임의적으로 가교-결합 관능성을 갖는 기와 같은 다른 기를 포함할 수 있다.
여기에서 광 변환 나노입자로 나타낸 양자 점 또는 발광 나노입자는 예를 들어 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 이루어지는 군에서 선택되는 II-VI족 화합물 반도체 양자 점을 포함할 수 있다. 다른 실시태양에서, 발광 나노입자는 예를 들어 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs로 이루어지는 군에서 선택되는 III-V족 화합물 반도체 양자 점일 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 발광 나노입자는 예를 들어 CuInS2, CuInSe2, CuGaS2, CuGaSe2, AgInS2, AgInSe2, AgGaS2 및 AgGaSe2로 이루어지는 군에서 선택되는 I-III-VI2 황동석-종류 반도체 양자 점일 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 발광 나노입자는 예를 들어 LiAsSe2, NaAsSe2 및 KAsSe2로 이루어지는 군에서 선택되는 것과 같은 I-V-VI2 반도체 양자 점일 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 발광 나노입자는 예를 들어 SbTe와 같은 IV-VI족 화합물 반도체 나노결정일 수 있다. 특정한 실시태양에서, 발광 나노입자는 InP, CuInS2, CuInSe2, CdTe, CdSe, CdSeTe, AgInS2 및 AgInSe2로 이루어지는 군에서 선택된다. 또 다른 실시태양에서, 발광 나노입자는 예를 들어 ZnSe:Mn, ZnS:Mn와 같은 내부 도펀트를 갖고 전술한 물질에서 선택되는 II-VI, III-V, I-III-V 및 IV-VI족 화합물 반도체 나노결정 중의 하나일 수 있다. 도펀트 원소는 Mn, Ag, Zn, Eu, S, P, Cu, Ce, Tb, Au, Pb, Tb, Sb, Sn 및 Tl에서 선택될 수 있다. 여기에서, 발광 나노입자 기재의 발광 물질은 또한 CdSe 및 ZnSe:Mn과 같은 다른 종류의 QD를 포함할 수 있다.
II-VI 양자 점을 사용하는 것이 특히 유리한 것으로 보인다. 따라서, 한 실시태양에서 반도체 기재의 발광 양자 점은, 특히 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 이루어지는 군에서 선택되는, 보다 특히 CdS, CdSe, CdSe/CdS 및 CdSe/CdS/ZnS로 이루어지는 군에서 선택되는 II-VI 양자 점을 포함한다.
한 실시태양에서, 무-Cd QD가 적용된다. 특정한 실시태양에서, 광 변환 나노입자는 III-V QD, 보다 구체적으로 코어-쉘 InP-ZnS QD와 같은 InP 기재의 양자 점을 포함한다. 용어 "InP 양자 점" 또는 "InP 기재의 양자 점" 및 유사한 용어는 "맨(bare)" InP QD 뿐만 아니라, InP-ZnS QD 막대-내-점(dot-in-rod)과 같은 코어-쉘 InP-ZnS QD과 같이 InP 코어 상의 쉘을 갖는 코어-쉘 InP QD를 가리킬 수도 있다는 점에 주의하기 바란다.
발광 나노입자(코팅이 없는)는 약 2-50 nm의 범위 내의, 특히 2-20 nm, 예컨대 5-15 nm의 치수를 가질 수 있고; 특히 적어도 90 %의 나노입자는 각각 언급한 범위의 치수를 갖는다(즉 예를 들어 적어도 90 %의 나노입자가 2-50 nm의 범위 내의 치수를 갖거나, 특히 적어도 90 %의 나노입자가 5-15 nm의 범위 내의 치수를 갖는다). 용어 "치수"는 나노입자의 모양에 따라 특히 길이, 너비 및 지름 중 하나 이상을 가리킨다.
한 실시태양에서, 광 변환 나노입자는 약 1 내지 약 1000 나노미터(nm)의 범위 내, 바람직하게는 약 1 내지 약 100 nm의 범위 내의 평균 입자 크기를 갖는다. 한 실시태양에서, 나노입자는 약 1-50 nm, 특히 1 내지 약 20 nm 범위 내의, 그리고 일반적으로 적어도 1.5 nm, 예컨대 적어도 2 nm의 평균 입자 크기를 갖는다. 한 실시태양에서, 나노입자는 약 1 내지 약 20 nm 범위 내의 평균 입자 크기를 갖는다.
통상적인 점은 셀렌화 카드뮴, 황화 카드뮴, 비화 인듐 및 인화 인듐과 같은 이원 합금으로 만들어진다. 그러나, 점은 또한 황화 셀렌화 카드뮴과 같은 삼원 합급으로 만들어질 수 있다. 이들 양자 점은 10 내지 50 원자 직경으로 양자 점 부피 내에 100 내지 100,000개의 적은 원자를 포함할 수 있다. 이는 약 2 내지 10 나노미터에 대응한다. 예를 들어, 약 3 nm의 직경을 갖는 CdSe, InP 또는 CuInSe2와 같은 구형 입자가 제공될 수 있다. 발광 나노입자(코팅이 없는)는 한 치수의 크기가 10 nm 미만인 구, 입방체, 막대, 선, 원반, 멀티포드(multi-pods) 등의 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 20 nm의 길이 및 4 nm의 직경을 갖는 CdSe의 나노 막대가 제공될 수 있다. 따라서, 한 실시태양에서 반도체 기재의 발광 양자 점은 코어-쉘 양자 점을 포함한다. 다른 실시태양에서, 반도체 기재의 발광 양자 점은 막대-내-점 나노입자를 포함한다. 다른 종류의 입자의 조합이 또한 적용될 수 있다. 예를 들어, 코어-쉘 입자 및 막대-내-점이 적용될 수 있고/있거나 CdS 및 CdSe와 같은 둘 이상의 전술한 나노입자의 조합이 적용될 수 있다. 여기에서, 용어 "다른 종류의"는 상이한 기하형 및 상이한 종류의 반도체 발광 물질을 가리킬 수 있다. 따라서, 둘 이상의 (위에서 나타낸) 양자 점 또는 발광 나노-입자의 조합 또한 적용될 수 있다.
WO 2011/031871에서 유래한 것과 같이, 반도체 나노결정의 제조 방법의 한 예는 콜로이드 성장 방법이다. 콜로이드 성장은 M 도너 및 X 도너를 고온의 배위 용매에 주입함에 의해 일어난다. 단분산 반도체 나노결정의 선호되는 제조 방법의 한 예는 고온의 배위 용매에 주입된 디메틸 카드뮴과 같은 유기 금속 시약의 열분해를 포함한다. 이는 불연속 핵생성을 가능하게 하고 그 결과 거시적인 양의 반도체 나노결정의 통제된 성장을 가져온다. 주입은 통제된 방식으로 성장하여 반도체 나노결정을 형성할 수 있는 핵을 생성한다. 반응 혼합물은 반도체 나노결정을 성장하고 어닐링하기 위해 약하게 가열될 수 있다. 샘플 내의 반도체 나노결정의 평균 크기 및 크기 분포 모두는 성장 온도에 따라 결정된다. 안정된 성장을 유지하기 위해 필요한 성장 온도는 평균 결정 크기가 증가하면 상승한다. 반도체 나노결정은 반도체 나노결정 집단의 일원이다. 불연속 핵생성 및 통제된 성장의 결과, 얻어질 수 있는 반도체 나노결정 집단은 좁은 단분산 분포의 직경을 갖는다. 직경의 단분산 분포는 크기로도 지칭될 수 있다. 바람직하게는, 단분산 입자 집단은 집단 내의 적어도 약 60 %의 입자가 특정한 입자 크기 범위 내에 드는 입자 집단을 포함한다. 단분산 입자 집단은 직경이 바람직하게는 15 % rms(제곱 평균 제곱근) 미만, 보다 바람직하게는 10 % rms 미만, 가장 바람직하게는 5 % 미만의 편차를 갖는다.
한 실시태양에서, 나노입자는 제1 반도체 물질을 포함하는 코어 및 제2 반도체 물질을 포함하는 쉘을 포함하고 쉘은 코어 표면의 적어도 일부 위에 배치되는 반도체 나노결정을 포함할 수 있다. 코어 및 쉘을 포함하는 반도체 나노결정은 "코어/쉘" 반도체 나노결정으로도 불린다.
예를 들어, 반도체 나노결정은 화학식 MX를 갖는 코어를 포함할 수 있고, 식 중 M은 카드뮴, 아연, 마그네슘, 수은, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탈륨 또는 이들의 혼합물일 수 있고, X는 산소, 황, 셀레늄, 텔루륨, 질소, 인, 비소, 안티몬 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 반도체 나노결정 코어로의 사용에 적합한 물질의 예는ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InN, InP, InSb, AlAs, AIN, AlP, AlSb, TIN, TIP, TlAs, TlSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si, 삼원 및 사원 혼합물 또는 합금을 포함하여 임의의 전술한 것을 포함하는 합금, 및/또는 전술한 임의의 것을 포함하는 혼합물을 포함하나, 이에 제한되지 않는다.
쉘은 코어의 조성과 같거나 다른 조성을 갖는 반도체 물질일 수 있다. 쉘은 코어 반도체 나노결정의 표면에 반도체 물질의 오버코트를 포함한다. IV족 원소, II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III- VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물, II-IV-V족 화합물, 삼원 및 사원 혼합물 또는 합금을 포함하여 임의의 전술한 것을 포함하는 합금, 및/또는 임의의 전술한 것을 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다. 예는 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InN, InP, InSb, AlAs, AIN, AlP, AlSb, TIN, TIP, TlAs, TlSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si, 임의의 전술한 것을 포함하는 합금, 및/또는 임의의 전술한 것을 포함하는 혼합물을 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, ZnS, ZnSe 또는 CdS 오버코팅이 CdSe 또는 CdTe 반도체 나노결정 위에 성장될 수 있다. 오버코팅 방법은, 예를 들어, 미국 특허 6,322,901에 기술된다. 오버코팅 도중 반응 혼합물의 온도를 조절하고 코어의 흡수 스펙트럼을 관찰함에 의해, 높은 방출 양자 효율 및 좁은 크기 분포를 갖는 오버코팅된 물질이 얻어질 수 있다. 오버코팅은 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 오버코팅은 코어의 조성물과 같거나 다른 적어도 하나의 반도체 물질을 포함한다. 바람직하게는, 오버코팅은 약 1 내지 약 10 단층의 두께를 갖는다. 오버코팅은 또한 10 단층 초과의 두께를 가질 수 있다. 한 실시태양에서, 하나 초과의 오버코팅이 코어 위에 포함될 수 있다.
한 실시태양에서, 둘러싸는 "쉘" 물질은 코어 물질의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 가질 수 있다. 특정한 다른 실시태양에서, 둘러싸는 쉘 물질은 코어 물질의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 가질 수 있다.
한 실시태양에서, 쉘은 "코어" 기재의 그것과 가까운 원자 간격을 갖도록 선택될 수 있다. 특정한 다른 실시태양에서, 쉘과 코어 물질은 동일한 결정 구조를 가질 수 있다.
반도체 나노결정 (코어)쉘 물질의 예는 제한 없이 다음을 포함한다: 적색(예를 들어, (CdSe)ZnS (코어)쉘), 녹색(예를 들어, (CdZnSe)CdZnS (코어)쉘 등), 및 청색(예를 들어, (CdS)CdZnS (코어)쉘 (반도체 기재의 특정한 광 변환 나노입자의 예는 위를 또한 참조할 것)
따라서, 위에서 언급된 외부 표면은 맨 양자 점(즉 추가적인 쉘 또는 코팅을 포함하지 않는 QD)의 표면일 수 있거나, 코어-쉘 양자 점(예컨대 코어-쉘 또는 막대-내-점)과 같은 코팅된 양자 점의 표면, 즉 쉘의 (외부) 표면일 수 있다. 그라프팅 리간드는 따라서 특히, 막대-내-점 QD의 외부 표면 같은, 양자 점의 외부 표면에 그라프트된다.
따라서, 특정 실시태양에서, 광 변환 나노입자는 코어-쉘 나노입자로 이루어지는 군에서 선택되고, 이 때 코어 및 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs 중 하나 이상을 포함한다.
일반적으로 코어 및 쉘은 같은 종류의 물질을 포함하지만, CdSe 코어를 둘러싸는 ZnS 쉘 등과 같이 본질적으로 반드시 상이한 물질로 구성된다.
여기에서, 용어 "고체 중합체"는 본 발명의 방법의 중합체 최종 생성물이 액체 또는 용해된 중합체가 아니라 예를 들어 입자, 필름, 플레이트 등의 형상의 유형의 생성물(실온(및 대기압)에서)이라는 것을 나타내기 위해 사용된다. 따라서, 한 실시태양에서, 광 변환기는 코팅, 자체 지지 층 및 플레이트로 이루어지는 군에서 선택되고; 광 변환기는 따라서 특히 실온에서, 특히 100 ℃ 이하에서도, 특히 150 ℃ 이하에서도, 특히 200 ℃ 이하에서도 고체이다. 광 변환기는 연질일 수 있거나 경질일 수 있다. 나아가, 광 변환기는 평평하거나 곡선형일 수 있다(하나 또는 두 차원에서). 나아가, 임의적으로 광 변환기는 광 변환기의 외부 표면의 적어도 일부에 아웃커플링 구조를 포함할 수 있다.
본 발명의 방법은, 제1 방법 요소가 제2 방법 요소에 선행하여 일반적으로 연이어 수행될 수 있는 두 개의 방법 요소를 적어도 포함한다. 두 개의 방법 요소가 명시적으로 언급된다는 사실은, 제1 방법 요소 전, 및/또는 제1 및 제2 방법 요소 사이, 및/또는 제2 방법 요소 후의 공정에 포함될 수 있는 하나 이상의 다른 방법 요소의 존재를 배제하지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 방법은 또한 양자 나노입자 상에 존재하는 그라프팅 분자를 본 발명에서 정의된 그라프팅 분자로 교환하는 것을 또한 포함할 수 있다. 이 방법은 추가로 과량의 리간드(즉 광 변환 나노입자에 결합되지 않은 리간드)의 제거를 임의적으로 포함할 수 있다.
제1 방법 요소는 그라프트된 나노입자(즉 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖는 변환기 나노입자)와 경화성 실록산 중합체를 혼합하는 단계를 포함한다. 일반적으로, 이는 QD가 분산될 수 있고 특히 경화성 실록산 중합체를 위한 용매인 액체의 존재 하에서 가속되거나 최적화될 수 있다. 본원에서, 용매는 실온에서 적어도 0.1 그램/l의 용해될 물질이 용매에 용해될 수 있을 때 용매인 것으로 여겨진다. 용매는 임의의 흔한, 바람직하게는 비-극성인, 바람직하게는 120 ℃보다 낮은 끓는 점을 갖는 용매일 수 있다. 예를 들어, 용매는 톨루엔, 벤젠, 헥산, 시클로헥산 등일 수 있다. 용매는 극성 용매일 수 있다. 예를 들어, 용매는 클로로포름, 아세톤, 아세톤 니트릴, 에틸 아세테이트, 석유 에테르 등일 수 있다. 혼합은 종래의 기술로 이루어질 수 있다. 임의적으로, 혼합물은 가열될 수 있다.
경화는 당업계에 공지된 기술로 이루어질 수 있다. 위에서 나타낸 대로, 이를 위해 경화성 실록산 중합체의 적어도 일부는 경화 시에 가교-결합을 형성하도록 구성된 반응성기를 가질 수 있다. 경화는 촉매의 도움을 받을 수 있다. 나아가, 혼합물은 경화를 개시하고/하거나 퍼뜨리기 위해 가열되고/되거나 조사될 수 있다. 경화에 의해, 그라프트된 광 변환 나노입자를 위한 (고체) 매트릭스 또는 호스트가 얻어진다(전자는 후자 내에 매립되고 분산된다).
위에서 제안된 대로, 본 발명의 방법은 그라프팅 분자로 그라프트된 외부 표면을 갖는 광 변환 나노입자가 중합체 물품 내에 매립된 (고체)중합체를 포함하는 (발광) 광 변환기를 제공할 수 있다. 위에서 나타낸 대로, (발광) 광 변환기는 예를 들어 투명하거나 반투명, 특히 실질적으로 투명할 수 있다. 본 발명의 방법은 한 실시태양에서 적어도 일부의 그라프팅 리간드가 실록산 중합체(들)와 엮인(예를 들어 가교-결합을 통해) 생성물로 이어질 수 있다. 뒤의 실시태양은 그라프팅 리간드가 경화성 (또는 경화된) 실록산 중합체와 반응할 수 있는 경우일 수 있다. 따라서, 한 실시태양에서, 하나 이상의 그라프팅 리간드는 특히 경화성 실록산 중합체(호스트 물질 또는 매트릭스를 형성함)와 가교-결합을 형성하도록 구성된 관능기를 포함할 수 있다.
본 발명의 방법은 따라서 본원에서 정의된 광 변환 나노입자가 그 안에 매립된 광 변환기(또는 광 변환기 요소)를 또한 제공할 수 있다. 따라서, 본원에서 정의된 광 변환 나노입자가 그 안에 매립된 광 변환기(또는 광 변환기 요소)는 한 실시태양에서 본원에서 정의된 방법에 의해 얻어질 수 있다. 따라서, 위에서 나타낸 대로, 추가의 측면에서, 본 발명은
(a) 광 변환 나노입자는 그라프팅 리간드로 그라프트 된 외부 표면을 갖고,
(b) 실록산 중합체 매트릭스는 가교-결합된 실록산 중합체를 포함하고;
- 상기 그라프팅 리간드는 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산 그라프팅 리간드를 포함하고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 적어도 하나의 Si 골격 원소는 아민을 포함하는 측기 또는 카르복시산을 포함하는 측기로 이루어지는 군에서 선택되는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함하고;
- 상기 경화성 실록산 중합체는 y1개의 Si 골격 원소를 갖고;
- x1은 특히 적어도 20, 예컨대 특히 적어도 40, 보다 특히 적어도 50이고, y1은 특히 적어도 2, 예컨대 적어도 7, 예컨대 적어도 10이고, 특히 x1/y1 ≥ 0.8, 예컨대 x1/y1 ≥ 0.95, 예컨대 > 1, 예컨대 적어도 ≥ 1.2인, 광 변환 나노입자가 그 안에 매립된 실록산 중합체 매트릭스를 포함하는 광 변환기를 제공한다.
특히, 광 변환기는 광 변환기의 총 중량 대비 0.001-25 wt.%, 예컨대 0.1-20 wt.%, 특히 5 wt.% 이하, 예컨대 0.1-2 wt.%의 광 변환 나노입자를 포함한다.
특히, 경화된 (경화성) 실록산 중합체의 매트릭스는 380-750 nm 범위에서 선택되는 파장을 갖는 빛을 투과시킨다. 예를 들어, 경화된 (경화성) 실록산 중합체의 매트릭스는 청색, 및/또는 녹색, 및/또는 적색 광을 투과시킬 수 있다. 특히, 경화된 (경화성) 실록산 중합체의 매트릭스는 적어도 420-680 nm의 전 범위를 투과시킨다. 특히, 경화된 (경화성) 실록산 중합체의 매트릭스는 조명 유닛의 광원에 의해 발생되고(아래를 또한 참조할 것) 가시 파장 범위에서 선택된 파장을 갖는 빛에 대해 50-100 %의 범위 내의, 특히 70-100 %의 범위 내의 광 투과도를 갖는다. 이 방식으로, 경화된 (경화성) 실록산 중합체의 매트릭스는 조명 유닛으로부터의 가시 광을 투과시킨다. 투과도 또는 광 통과도는 제1 세기를 갖는 특정 파장의 빛을 물질에 제공하고 물질을 투과한 후에 측정된 그 파장의 빛의 세기를, 물질에 제공된 그 특정 파장의 빛의 제1 세기에 관련시켜 측정할 수 있다 (CRC Handbook of Chemistry and Physics, 69판, 1088-1989의 E-208 및 E-406을 또한 참조할 것). 광 변환기는 투명하거나 반투명할 수 있지만, 특히 투명할 수 있다. 특히, 광 변환기는 실질적으로 투명하고/하거나 실질적으로 빛을 산란시키지 않는다. 광 변환기가 투명할 때, 광원의 광은 광 변환기에 의해 모두 흡수되지 않을 수 있다. 특히 청색 광을 사용할 때, 이는, 청색 광은 광 변환 나노입자를 여기시키는 데에 사용될 수 있고 청색 성분(백색 광 내의)을 제공하는 데에 사용될 수 있으므로 흥미로울 수 있다. 따라서, 특히 광 변환 나노입자를 위한 실질적으로 투과성인 매트릭스(또는 호스트)를 제공하는 경화성 실록산 중합체가 적용된다.
나아가, 위에서 언급된 대로, 본 발명은 또한 (i) 광원 광을 발생시키도록 구성된 광원 및 (ii) 광원 광의 적어도 일부를 변환 광으로 변환시키도록 구성된 광 변환기를 포함하고, 상기 광 변환기는 본원에서 정의된 방법에 따라 얻을 수 있는 고체 중합체 또는 본원에서 정의된 광 변환기를 포함하는 조명 유닛을 제공한다. 따라서, 다른 측면에서, 본 발명은
- 광원 광을 발생시키도록 구성된 광원,
- 광원 광의 적어도 일부를 가시 변환 광으로 변환시키도록 구성된, 본원에서 정의된 방법에 의해 얻을 수 있는 광 변환기 또는 그 자체로 본원에서 정의된 광 변환기를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
효율성 및/또는 안정성의 관점에서, 나노입자, 또는 특히 광 변환기를, 광원으로부터 0이 아닌 거리, 예컨대 0.5-50 mm, 예컨대 1-50 mm에 배열하는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 한 실시태양에서, 광 변환기는 광원으로부터 0이 아닌 거리에 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 변환기, 또는 특히 발광 물질은, 조명 유닛의 창에 적용될 수 있거나 포함될 수 있다. 광원이 청색 광을 제공하도록 구성된 경우, 발광 물질은 광원 광의 일부 만을 변환하도록 구성될 수 있다. 광원의 청색 광 및 광 변환 나노입자 기재의 발광 물질의 발광 물질 광은 함께 한 실시태양에서 백색 조명 유닛 광을 제공할 수 있다. 따라서, 한 실시태양에서, 광 변환기는 광원으로부터 0이 아닌 거리에 배열된다. 그러나 본 발명은 광 변환기와 광원 사이의 거리가 0이 아닌 응용에 제한되지 않는다는 점에 주의하기 바란다. 본 발명, 및 본원에서 기술된 특정한 실시태양은, 광원과 광 변환기가 물리적으로 접촉하는 다른 실시태양에 또한 적용될 수 있다. 그러한 경우에는, 광 변환기는 특히 예를 들어 LED 다이와 물리적으로 접촉하여 구성될 수 있다.
다른 실시태양에서, 광원은 고체 발광 장치 또는 고체 레이저와 같은 고체 광원을 포함한다. 용어 광원은 또한 복수의 광원을 가리킬 수 있다.
위에서 언급된 대로, 조명 장치는 LCD 응용의 백라이팅 유닛으로 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 다른 측면에서 본원에서 정의된 하나 이상의 조명 장치를 포함하는 백라이팅 유닛을 포함하는 액정 디스플레이 장치를 제공한다.
광 변환 나노입자에 더하여, 광 변환기는 TiO2와 같은 예를 들어 하나 이상의 유기 염료 및 반사성 (비 발광) 입자와 같은 다른 호스트 (입자) 물질을 포함할 수 있다. 이러한 (입자) 물질(들)은 광 변환 나노입자 및 경화성 실록산 중합체와 혼합될 수 있다. 따라서, 구절 "(i) 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖는 광 변환 나노입자(본원에서 "나노입자"로도 나타냄)를 (ii) 경화성 실록산 중합체와 혼합하는 단계"는 또한 "(i) 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖는 광 변환 나노입자(본원에서 "나노입자"로도 나타냄)를 (ii) 경화성 실록산 중합체 및 임의적으로 하나 이상의 다른 물질과 혼합하는 단계"를 가리킬 수도 있다.
본원에서 용어 백색 광은, 당업자에게 알려져 있다. 이는 특히 약 2000 내지 20000 K 사이, 특히 2700-20000 K 사이, 일반적인 조명의 경우 특히 약 2700 K 내지 6500 K의 범위 내의, 그리고 백라이팅 목적의 경우 특히 약 7000 K 내지 20000 K의 범위 내의 상관 색 온도(CCT), 및 특히 BBL(흑체 궤적)로부터 약 15 이내의 SDCM(배색 표준 편차), 특히 BBL로부터 약 10 이내의 SDCM, 보다 특히 BBL로부터 약 5 이내의 SDCM을 갖는 빛을 가리킨다.
용어 "자색 광" 또는 "자색 방출"은 특히 약 380-440 nm의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다. 용어 "청색 광" 또는 "청색 방출"은 특히 약 440-490 nm(일부 자색 및 청록색 색조를 포함하여)의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다. 용어 "녹색 광" 또는 "녹색 방출"은 특히 약 490-560 nm의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다. 용어 "황색 광" 또는 "황색 방출"은 특히 약 560-590 nm의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다. 용어 "주황색 광" 또는 "주황색 방출"은 특히 약 590-620의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다. 용어 "적색 광" 또는 "적색 방출"은 특히 약 620-750 nm의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다. 용어 "가시 광" 또는 "가시 방출"은 약 380-750 nm의 범위 내의 파장을 갖는 광을 가리킨다.
본원에서 "실질적으로 모든 방출" 또는 "실질적으로 구성하는"에서와 같은 용어 "실질적으로"는 당업자에 의해 이해될 것이다. 용어 "실질적으로"는 또한 "전부", "완전히", "모두" 등을 갖는 실시태양을 또한 포함할 수 있다. 따라서, 실시태양에서 형용사 실질적으로는 제거될 수도 있다. 적용가능한 경우, 용어 "실질적으로"는 100 %를 포함하여 90 % 이상, 예컨대 95 % 이상, 특히 99 % 이상, 보다 특히 99.5 % 이상을 가리킬 수도 있다. 용어 "포함하다"는 또한 용어 "포함하다"가 "구성되다"인 실시태양을 포함한다.
나아가, 명세서 및 청구범위 내의 용어 제1, 제2, 제3 등은 유사한 요소 사이의 구별을 위해 사용되며 반드시 순차적 또는 시간적 순서를 기술하기 위한 것은 아니다. 이렇게 사용되는 용어는 적절한 상황에서 교체가능하고 본원에서 기술된 본 발명의 실시태양이 본원에서 기술되거나 예시된 것과 다른 순서로 작동가능하다는 점을 이해해야 한다.
본원에서 장치는 그 중에서도 작동 중인 것으로 기술된다. 당업자에게 명백한 바와 같이, 본 발명은 작동 방법 또는 작동 중인 장치에 제한되지 않는다.
상기 언급된 실시태양은 본 발명을 제한하기보다는 예시하며, 당업자는 첨부된 청구항의 범위에서 벗어나지 않고 많은 다른 실시태양을 설계할 수 있음을 주의해야 한다. 청구항에서, 괄호 안에 위치한 임의의 참조 부호는 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 동사 "포함하다" 및 그 활용형의 사용은 청구항에서 언급된 것 이외의 요소 또는 단계의 존재를 배제하지 않는다. 요소 앞에 오는 관사 "한" 또는 "하나의"는 복수의 이러한 요소의 존재를 배제하지 않는다. 특정한 수단이 서로 다른 종속항에서 인용되었다는 단순한 사실이 이들 수단의 조합이 이용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
본 발명은 나아가 명세서에 기술되고/되거나 첨부된 도면에 나타낸 특징적 특징 중 하나 이상을 포함하는 장치에 적용된다. 본 발명은 또한 명세서에 기술되고/되거나 첨부된 도면에 나타난 특징적 특징 중 하나 이상을 포함하는 방법 또는 공정에 적용된다.
이 특허에서 논의된 다양한 측면은 추가적인 이점을 제공하기 위해 조합될 수 있다. 나아가, 일부 특징은 하나 이상의 분할 출원을 위한 기초를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시태양이 오직 예시의 방식으로, 대응하는 참조 부호가 대응하는 부분을 나타내는 개략적인 첨부 도면을 참조로 하여 이제 기술될 것이며,
도 1a-1c는 본 발명의 장치(들)의 일부 측면을 개략적으로 묘사한다;
도 2a-2d는 본 발명의 일부 다른 측면을 개략적으로 묘사한다;
도 3a-3j는 실록산의 일부 다른 측면 및 본 발명의 일부 추가적 측면을 개략적으로 묘사한다.
도면은 반드시 비율에 맞추어 그려지지 않는다.
도 4a 및 4b는 각각 본 발명에 따른 그라프팅 리간드 교환 전후의 QD의 TEM 사진을 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 그라프팅 리간드 교환 후의 QD를 포함하는 실리콘 겔의 사진을 나타낸다.
도 1a는 광원 광(11)을 발생시키도록 구성된 광원(10) 및 광원 광(11)의 적어도 일부를 가시 변환 광(121)으로 변환시키도록 구성된 광 변환기(100)를 포함하는 조명 장치(1)를 개략적으로 묘사한다. 여기에서 개략적으로 오직 하나의 광원(10)이 묘사된다. 그러나 하나 초과의 광원(10)이 존재할 수 있다.
광 변환기는 적어도 부분적으로 광원(10)을 향하는 업스트림 면(101)(광 변환기의 외부 표면의 일부) 및 광원(10)의 반대편을 향하는 다운스트림 면(102)(광 변환기의 외부 표면의 일부)을 가진다(이러한 투과성 배열).
광 변환기(100)는 중합체 호스트 물질(110) 내에 매립된 광 변환 나노입자(120)를 갖는 중합체 호스트 물질(110)을 포함한다. 이들은 점, 막대, 이들의 조합 등일 수 있다(위를 또한 참고할 것). 광 변환 나노입자(120)는 광원 광(11)에 의한 여기에 의해 가시 변환 광(및 또한 임의적으로 비-가시 광선, 예컨대 적외선)을 발생시킨다. 변환 광(121)의 적어도 일부는 조명 장치 광(5)으로서 다운스트림 면(102)를 빠져나간다. 적어도 일부가 가시 범위인 이 조명 장치 광(5)은 적어도 변환 광(121)의 일부를 포함하고, 임의적으로 일부 잔여 광원 광(11)을 또한 포함할 수 있다.
도 1a는 작동 중인 조명 장치를 개략적으로 묘사한다.
도 1b는 광 변환기(100)가 캡슐화되는 다른 실시태양을 개략적으로 묘사한다. 캡슐화기(400)는 광 변환기를 둘러싸고; 이 캡슐화기는 대기에서 광 변환기로의 산소(및/또는 H2O) 수송을 실질적으로 차단할 수 있다. 이는 광 변환 나노입자(120)(및 중합체 호스트)의 안정성을 더할 수 있다. 광 변환기(100) 및 캡슐화기(400)의 조합은 여기에서 또한 광 변환기 유닛(1100)으로 나타낸다.
도 1c는 조명 유닛(1)의 응용 중의 하나, 여기에서는 하나 이상의 조명 유닛(1)(여기에서, 하나의 조명 유닛이 개략적으로 묘사된다)을 포함하는 백라이팅 유닛(200) 및 백라이팅 유닛(200)의 조명 유닛(100)의 조명 장치 광(5)으로 백라이트 될 수 있는 LCD 패널(300)을 포함하는 액정 디스플레이 장치(2)를 개략적으로 묘사한다.
변환기(100)는 특히 예를 들어 발광 다이오드일 수 있는 광원(10)으로부터 0이 아닌 거리 d에 배열될 수 있지만, 예를 들어 발광 물질(30)이 LED 다이에 적용될 때 또는 LED 다이 위의 (실리콘) 원뿔 내에 매립될 때 거리 d는 0일 수도 있다. 변환기는 임의적으로 광원 빛(21)의 적어도 일부가 변환기를 관통하도록 할 수 있다. 이 방식으로, 변환기의 하류, 변환기 광(121) 및 광원 광(11)의 조합이 발견될 수 있다. 광 변환기의 다운스트림의 광은 조명 장치 광(5)으로 나타낸다. 거리 d는 특히 0.1-100 mm의 범위 내, 특히 0.5-100 mm, 예컨대 1-20 mm, 예컨대 특히 1-50 mm, 예컨대 광원에 가까운 응용의 경우 약 1-3이고 보다 먼 응용의 경우 5-50 mm일 수 있다. 그러나 본 발명은 d>0인 응용에 제한되지 않는다는 것에 주의하기 바란다. 본 발명 및 여기에서 기술된 특정한 실시태양은, d=0인 다른 실시태양에 또한 적용될 수 있다. 그러한 경우에, 광 변환기는 특히 LED 다이와 물리적으로 접촉하여 구성될 수 있다.
리간드 그라프트된 반도체 기재의 광 변환 나노입자(120)에 더하여, 광 변환기(100)는, 예를 들어 조명 유닛 광(5)의 색 조정, 연색성 향상, 색 온도 조정 등을 위해 다른 종류의 발광 물질을 또한 임의적으로 포함할 수 있다.
용어 "업스트림" 및 "다운스트림"은 광 발생 수단(여기에서 특히 제1 광원)으로부터의 광의 진행 방향에 대한 항목 또는 특징의 배열을 가리키며, 광 발생 수단으로부터의 광선 내의 제1 위치에 대하여, 광 발생 수단에 더 가까운 광선 내의 제2 위치가 "업스트림"이고, 광 발생 수단으로부터 더 떨어진 광선 내의 제3 위치가 "다운스트림"이다.
도 2a는 광 변환 나노입자(120), 여기에서 양자 점(QD)의 비제한적 수의 예를 개략적으로 묘사한다. 예를 들어, (i)은 추가적인 층 없이 점의 모양을 갖는 QD 입자를 나타낸다. 예를 들어, 이는 예를 들어 CdSe일 수 있다. 그라프팅 리간드는 명확성을 위해 나타내지 않는다(아래를 참조할 것). QD 예 (ii)는 코어 쉘 시스템, 예를 들어 (CdSe)ZnS (코어)쉘을 개략적으로 묘사한다. QD 예 (iii)은 막대 내 점 QD 시스템, 예를 들어 (역시 코어-쉘 QD의 일종인)(CdS)ZnS 막대 내 점 을 개략적으로 묘사한다. 광 변환 나노입자는 참조 부호 (127)로 나타낸 외부 표면을 갖는다.
도 2b는 그라프팅 리간드를 갖는 QD를 개략적으로 묘사한다. 볼 수 있는 대로, 이 예에서 그라프팅 관능성을 갖는 측기(기는 참조 부호 (131)로 나타냄)는 말단기가 아니고; 그라프팅 리간드는 광 변환 나노입자의 외부 표면(127)에 부착된다. 따라서, 그라프팅 리간드는 (적어도) 두 개의 꼬리를 가질 수 있다. 그라프팅 리간드가 그라프팅 관능성을 갖는 하나 초과의 측기를 가지면, 다른 (보다 복잡한) 구조가 발견될 수 있다. 삽입 도면에서, 광 변환 나노입자의 외부 표면(127)에 결합하는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 갖는 실리콘 골격 원소의 양 측에 두 개의 꼬리를 갖는 확대 도면이 나타난다.
도 2c는, 예를 들어 미경화 실록산 중합체(참조 부호 (330)으로 나타냄) 및 나노입자의 외부 표면에 결합된 그라프팅 리간드를 갖는 광 변환 나노입자가, 용기 내의 액체에 분산되어 있는 경화 전의 상황(참조 부호 (300)으로 나타냄)을 매우 개략적으로 묘사한다. 액체는 참조 부호 (31)로 나타내고; 이는 그라프트된 나노입자(120)를 분산하는 데에 사용될 수 있고; 나아가, 이는 경화성 실록산 중합체를 용해시키는 데에 적용될 수 있다.
예컨대 가열에 의해서 및 용기 내 혼합물 내의 촉매(명확성을 위해 나타내지 않음) 존재 하에서, 경화 후에 도 2d에서 개략적으로 묘사된 대로 경화된 시스템, 즉 광 변환기가 얻어진다. 이제 실리콘을 형성하는 경화된 실록산 중합체는 QD와 같은 광 변환 나노입자(120)를 위한 중합체 호스트 물질(110)로 여겨진다(위를 또한 참조할 것).
도 3a-3h는 아래의 실험 부분에서 자세히 논의된다.
도 3i는 6개의 실리콘 골격 원소가 묘사된 실록산 중합체의 일부를 매우 개략적으로 묘사하는데; Si 골격 원소 1 및 6은 각각, 예를 들어 말단기 R3' 내지 R3''' 및 말단기 R4' 내지 R4'''을 갖는 말단기이다. 이들 말단기는 당업계에 공지된 것과 같이 예를 들어 (하나 이상의) OH, 메틸, 페닐, 비닐, 수소 등을 포함할 수 있다. 각 (비-말단) 실리콘 골격 원소는 전술한 대로 그라프팅 리간드가 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 적어도 하나 갖는다는 사실을 제외하고 원칙적으로 모두 다를 수 있지만 또한 모두 같을 수 있는 두 개의 측기를 갖는다.
도 3j는 어떻게 화학적 중복을 결정할 수 있는지를 보여주도록 나타낸다. 위에서 나타낸 대로, 실록산 그라프팅 리간드와 경화성 실록산 중합체의 측기의 특히 적어도 75 %, 특히 80 %, 보다 특히 85 %, 보다 특히 적어도 90 %, 예컨대 특히 적어도 95 %가 화학적 본질이 중복된다. R3' 내지 R3'', R4' 내지 R4''', R5' 내지 R5'' 및 R6' 내지 R6'''은 말단기이고, 측기의 화학적 중복을 평가할 때 고려하지 않는다. 도 3j는 두 개의 다른 측기를 갖는 단순한 (그러나 흔한) 시스템을 개략적으로 나타낸다. 그라프팅 리간드는 예를 들어 4개의 비-말단 실리콘 골격 원소(및 두 개의 말단 Si 골격 원소)를 갖고; 경화성 실록산 중합체는 예를 들어 3개의 실리콘 골격 원소(및 두 개의 말단 Si 골격 원소)를 갖는다. 그라프팅 리간드는 예를 들어 하나의 그라프팅 관능성을 갖는 측기(FSG)를 갖는다. 아래 표에서, 화학적 본질의 중복이 표시된다. 오직 이들이 측기를 제공할 수 있기 때문에 II 열 및 V 열에서 오직 비-말단 Si 골격 원소의 수가 주어지는 것에 주의하기 바라며; 말단 Si 골격 원소는 말단기를 갖는다.
Figure pct00001
따라서, 여기에서 화학적 중복은 79,2 %이다. 실제로, 화학적 중복은 적어도 90 %와 같이 일반적으로 더 높을 것이다.
<실험>
실리콘 내의 양자 점의 실험 결과
다양한 크기 및 관능기를 갖는 리간드의 예
상용성 있는 QD-리간드/실리콘 시스템을 찾기 위해 20개까지의 다른 조성/관능성의 리간드 및 10개까지의 다른 실리콘을 체계적으로 조사했다. 대략, 리간드는 다음으로 분류될 수 있다:
단쇄 단관능 실록산 (예를 들어 3-아미노프로필펜타메틸디실록산, AB129258; 공급자 ABCR); 도 3a를 참조할 것;
단쇄 이관능 실록산 (예를 들어 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, AB 110832); 도 3b를 참조할 것;
양 말단에 아민 또는 산을 갖는 말단관능화 PDMS ("대칭", 예를 들어 폴리디메틸실록산, 아미노프로필 말단, AB111872); 도 3c를 참조할 것;
한쪽 말단에 아민 또는 산을 갖는 말단관능화 PDMS ("비대칭", 예를 들어 모노카르복시데실 말단 폴리디메틸실록산, 비대칭, AB 252409); 도 3d를 참조할 것;
아민 또는 산을 갖는 측-관능화 PDMS (2-3 % 아미노프로필메틸실록산) - 디메틸실록산 공중합체, AB109373); 도 3e를 참조할 것, 참조 부호 (131)은 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 가리킴.
모든 경우에서, 톨루엔 내의 적은 양의 QD가 1 ml의 순수 리간드에 첨가되었고, 거의 모든 경우에서 이는 매우 탁한 혼합물을 내었다. 혼합물을 100 ℃에서 12 시간 이상 교반하였다. 대부분의 경우에서, 순수 리간드-QD 혼합물은 한 시간 이내에 투명해졌는데, 이는 리간드 교환의 증거를 제공한다. 냉각 후에, 이 혼합물은 다양한 실리콘에 직접 첨가되었고, 혼합의 정도가 얻어진 혼합물의 육안 검사에 의해 측정되었다. 이 문서의 앞으로의 예에서의 실험과 대조적으로, 여기에서 기술된 실험에서 QD는 과량의 리간드에서 정제되지 않았다. 시험한 모든 리간드의 개요는 아래의 표에서 볼 수 있다.
오직 측-관능화 리간드를 갖는 QD(마지막 범주)가 선택된 실리콘과 향상된 혼화성을 보이는 것으로 관찰되었다. AB109373(AB109374, AB124359, AB116669(마지막 두 개는 분지형임))와 매우 유사한 리간드는 유사한 투명 혼합물을 나타내는 것으로 뒤에 발견되었다. 공통점은 측쇄에 평균적으로 1개의 아민기(랜덤으로 분포됨)를 갖고, 100-300 cSt의 점도에 대응되는 ~5000-1000의 분자량을 갖는 PDMS 사슬을 포함한다는 점이다. 이들 분자의 설명은 도 3f 및 3g에 주어진다.
위의 실험으로부터 단쇄 리간드, 및/또는 말단-관능화 리간드는 실리콘과 향상된 혼화성을 나타내지 않는 것으로 보인다. 단쇄와 대비되는 장쇄 리간드의 효과는 아래에서 보다 자세히 설명된다. 그러한 목적으로, 우리는 다시 한번 두 개의 장쇄 말단-관능성 실록산 리간드(각각 점도 100 및 1000 cSt를 갖는 AB109371 및 153374)를 시험했지만, 리간드 교환 자체는 성공적이지 않음, 즉 QD-리간드 혼합물은 시간에 지남에 따라 투명해지지 않음을 발견했다.
요약하면, 결과는 측-관능화 실록산 리간드가 선호된다는 것을 명확히 나타낸다.
화학적 상용성은 아래에서 보다 자세히 논의될 것이다:
Figure pct00002
AB109373 분자 기재의 카르복시산기를 갖는 맞춤 합성된 리간드
위의 측쇄에 관능기를 갖는 리간드의 성공적인 예는 아민 관능기 기재이다. 그러나, QD-안정성 측면에서 카르복시산 측기가 보다 선호되는 것으로 알려져 있다. 또한, 과량의 아민 리간드는 실리콘 경화 반응을 저해하는 반면 과량의 카르복시산 리간드는 그렇지 않음이 관찰된다. 따라서, 예를 들어 AB109373과 유사하지만 아민 측기 대신 카르복시산을 갖고 100-300 cSt의 점도 및 유사한 분자량을 갖는 분자가 가장 선호된다. 분자는 분지형이거나 분지형이 아닐 수 있다. 그러나, 우리가 아는 한 이러한 분자는 상업적으로 입수가능하지 않다. 따라서 우리는 무수물 성분을 AB109373 리간드의 아민기에 반응시킴으로써 이러한 분자를 맞춤-합성했다. 반응 및 결과물 카르복시-리간드가 도 3h에 나타난다(숙신산 무수물과의 반응에 의해 AB109373 리간드를 카르복시-관능화 리간드로 변환).
맞춤 합성한 AB109373-COOH 리간드를 시험하였다. CdSe 양자 점을 비-희석 AB109373-COOH 리간드와 혼합하자 좋지 않은 상용성이 다시 관찰되었다. 그러나, 혼합물은 100 ℃에서 몇 분 후 이미 투명해졌다. 이러한 높은 반응성은 아민기와 대비되는 카르복시산기 때문이거나 측쇄가 약간 더 연장되었다는 사실 때문일 수 있다. 이는 카르복실 측쇄기를 갖는 PDMS 리간드 또한 사용될 수 있다는 중요한 증거이다.
이 실험은 탄화수소 용매(도데칸)에 희석된 AB109373-COOH 리간드로 반복되었고, 100 ℃에서 가열한 후에 용매 내의 1 wt.%의 리간드의 농도로 감소된, 다시 투명한 혼합물이 얻어졌다. 통상적으로 5-10 wt.%의 리간드 농도가 실험에서 사용되었다.
이 실험은 희석된 AB109373-COOH 리간드 용액(용매 내의 5 wt.%의 AB109373-COOH 리간드) 내의 InP 양자 점으로 다시 반복되었다. 리간드 교환 후에 다시 투명한 혼합물이 얻어졌다.
다른 실리콘에 혼합하기 전에, 그라프팅 리간드를 갖는 광 변환 나노입자 시스템(톨루엔 내의)은 과량의 리간드를 실질적으로 제거함으로써 정제되었다.
그리드 상의 AB109373 맞춤 리간드를 갖는 건조된 QD의 TEM - 세정 절차를 포함하는 리간드 교환의 증거.
도 4a는 림(Lim) 등에 의해 기술된 방법(문헌 [Advanced Materials, 2007, 19, p. 1927-1932])에 따라 준비되고, TEM 그리드에서 건조된 세정된 CdSe 양자 점의 TEM 사진을 나타낸다. 도 4b는, 도 4a에 나타난 동일한 배치로부터의, AB109373 맞춤 리간드로 리간드 교환 후의 CdSe 양자 점의 TEM 사진을 나타낸다.
도 4a는 리간드 교환 전의 양자 점이 약 1 nm의 입자간 거리를 가진다는 것을 나타낸다. 도 4b는 리간드 교환 후의, 건조 처리 도중 2-차원 응집체에 형성된 양자 점은 약 7-8 nm의 입자간 거리를 갖고 서로 잘 떨어져 위치한다는 것을 나타낸다. 후자는 양자 점 위의 리간드 층의 두께가 3,5 - nm 근처라는 것을 나타낸다. 통상적으로 4-5 nm 입자간 거리가 관찰된다.
유사한 결과가 리간드가 용매로 희석된 리간드 교환 후의 세정된 CdSe 양자 점에서 관찰되었고, 이 경우 약간 더 짧은 약 3 nm의 입자간 거리가 관찰되었다. 얻어진 입자간 거리는 다른 것 중에 리간드 교환의 정도에 따라 결정될 수 있다.
유사한 결과가 리간드 교환 후의 InP 양자 점을 사용했을 때 관찰되었다.
다양한 실리콘 내의 리간드 교환 없는 QD의 TEM - 큰 응집체의 증거
림(Lim) 등의 방법(문헌 [Advanced Materials, 2007, 19, p. 1927-1932])에 따라 준비된 CdSe 양자점이 실리콘에 혼합되면 종종 즉각적으로 강한 응집이 관찰된다. 큰 응집체가 형성되고 육안에는 층이 투명해 보이더라도, 현미경은 응집체가 존재한다는 것을 보여준다.
정제된 QD를 사용한, 다양한 사슬-길이의 실록산 내의 장쇄 리간드(x1=68)를 갖는 QD의 예
톨루엔에 재분산된 정제된 QD는 저분자량의 pdms와 혼합되어 안정한 분산액을 만들 수 있다. 점은 1250, 2000, 3800 및 6000의 분자량(10, 20, 50 및 100 cSt의 점도 또는 17, 27, 50, 80 Si 골격 단위에 대응됨))의 pdms에 분산되어 비-산란 분산액을 낼 수 있다. 200 cSt (Mw 9430, y1=127) pdms에서 샘플은 산란성이었다.
리간드 교환 도중 더 낮은 리간드 농도가 사용된 CdSe 양자 점에서 유사한 결과가 얻어졌다.
리간드 교환된 InP 양자 점에서 유사한 결과가 얻어졌다.
다양한 사슬-길이의 실록산 내의 단쇄 리간드를 갖는 QD의 예
QD를 단쇄 말단-관능화 실록산 리간드(7-14 cSt의 점도 및 800-1100의 Mw을 갖는 모노아미노프로필 말단, AB 250914, x1=12))로 개질하였다.
리간드 교환은 성공적이었다, 즉 QD-리간드 혼합물은 리간드 교환(>12h @ 100 ℃) 후 투명했다. 혼합 후, AB250914 리간드를 갖는 QD는 약 30 초 동안 10 cSt PDMS (y1=17) 내에서 완전히 투명한 상태로 관찰되었지만, 그 후 서서히 응집되기 시작해서, 결국 탁해졌다. 이러한 결과는 여러 번 재현되었다. 이는 리간드가 10 cSt PDMS 내에서 QD를 안정화시키기에 충분히 긴 한계치의 바로 아래인 것으로 분석된다. 그 결과, 혼합물은 처음에는 안정하지만, 시간에 지남에 따라 천천히 응집하기 시작한다. 100 cSt, (y1=80)와 혼합될 때 예상대로 즉시 탁한 현탁액을 만들었다.
다양한 종류의 실록산기를 갖는 실록산 내의 장쇄 리간드를 갖는 QD의 예.
리간드와 실록산 중합체 사이의 화학적 상용성의 중요성을 조사하기 위해, 맞춤 AB109373-COOH 리간드(x1=68)를 갖는 QD를 다양한 측기를 갖는 실록산 분자와 혼합하였다. 요약이 아래의 표에서 주어진다.
아래의 표의 결과는 AB109373-COOH 리간드를 갖는 QD는 100 cSt(y1=80)의 점도까지의 PDMS 실록산 분자와 투명한 혼합물을 형성한다는 것을 다시 한번 확인시켜준다. 그러나 AB109373-COOH 리간드를 갖는 동일한 QD가 다양한 측쇄를 갖는 다른 실록산 분자와 혼합될 때. 앞의 예에서 알게된 대로, AB109373-COOH 리간드를 갖는 QD는 100 cSt보다 훨씬 높은 점도를 갖는 실록산 분자와는 투명한 혼합물을 만들지 않을 것이다. 그러나, 아래의 표는 비교적 저점도를 가진 실록산의 경우라도, AB109373-COOH 리간드를 갖는 이들 QD는 탁한 혼합물을 만든다는 것을 나타낸다. 이는 리간드의 실록산 골격은 혼합될 실록산 중합체의 골격과 화학적으로 맞는 것이 바람직하다는 것을 나타낸다. 이 경우에, 우리의 AB109373-COOH 리간드는 100 % 디메틸기를 가지므로, 100 % PDMS 실록산에 잘 분산된다. QD가 예를 들어 페닐메틸(50 %) 실리콘과 혼합될 필요가 있는 경우에는, QD 상의 리간드는 유사한 예를 들어 페닐메틸(50 %) 실록산 골격을 가져야 할 것이라고 예상된다.
Figure pct00003
저분자량 실리콘을 사용한 경화성 조성물의 예
경화된 층을 준비하기 위해 다음의 조성물이 사용되었다:
Figure pct00004
100 μl 톨루엔에 재분산된 AB109373-COOH 그라프팅 리간드를 갖는 점(CdSe)을 사용한 보다 농축된 QD(CdSe) 실리콘 액체를 사용하여 층을 만들었다. 액체를 이소-프로판올 및 아세톤으로 사전 세정된 이글 글라스 슬라이드 3*3 cm에 드롭캐스팅하였다. 층은 150 ℃에서 한 시간 동안 경화되어 투명한 유색 필름이 생성되었다. 70 ℃에서 2 시간 동안 경화함에 의해 벌크 겔을 만들었다. 단어 "meet"가 명확히 보이는 문서 조각 위에 놓음으로써 물질의 투명도가 입증되는 도 5에 나타난 대로 5 mm 두께의 투명층 및 벌크 물질이 얻어졌다. 다른 실험에서 개질되지 않은, 즉 AB109373-COOH 그라프팅 리간드를 갖지 않는 동일한 CdSe QD를 사용하고, 바로 위의 표에서 나타낸 동일한 실리콘 액체 조성물을 사용하여 벌크 겔을 만들었고, 생성된 벌크 겔은 매우 탁하고 비교적 큰 양자 점 응집체를 갖는 것으로 보였다.

Claims (16)

  1. (a) (i) 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖는 광 변환 나노입자와 (ii) 경화성 실록산 중합체를 혼합하는 단계; 및
    (b) 경화성 실록산 중합체를 경화시킴으로써 광 변환기(100)를 제조하는 단계를 포함하고;
    - 상기 그라프팅 리간드가 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산 그라프팅 리간드를 포함하고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 적어도 하나의 Si 골격 원소가 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함하고;
    - 상기 경화성 실록산 중합체가 y1개의 Si 골격 원소를 갖고;
    - x1은 적어도 20이고, y1은 적어도 2이고, x1/y1 ≥ 0.8인;
    광 변환 나노입자(120)가 그 안에 매립된 실록산 중합체 매트릭스를 포함하는 광 변환기(100)의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 x1이 적어도 40이고, 상기 y1이 적어도 7인 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그라프팅 리간드와 경화성 실록산 중합체가 화학적으로 실질적으로 동일한 것인, 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 실록산 그라프팅 리간드 및 경화성 실록산 중합체의 그라프팅 관능성을 갖는 측기의 적어도 80 %가 화학적 본질이 중복되는, 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 실록산 그라프팅 리간드의 Si 골격 원소의 적어도 90 %가 메틸 측기를 갖고 실록산 중합체의 Si 골격 원소의 적어도 90 %가 메틸 측기를 갖는, 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 그라프팅 리간드 및 경화성 실록산 중합체 모두가 폴리 메틸 실록산, 또는 폴리 페닐 실록산, 또는 폴리 메틸페닐 실록산인, 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, x1이 적어도 50이고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 Si 골격 원소의 10개 이하가 아민을 포함하는 측기, 카르복시산을 포함하는 측기, 포스핀을 포함하는 측기, 산화 포스핀을 포함하는 측기, 인산염을 포함하는 측기, 및 티올을 포함하는 측기로 이루어지는 군에서 선택되는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함하는, 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 그라프팅 관능성을 갖는 측기가 아민을 포함하는 측기, 카르복시산을 포함하는 측기, 포스핀을 포함하는 측기, 산화 포스핀을 포함하는 측기, 인산염을 포함하는 측기 및 티올을 포함하는 측기로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 광 변환 나노입자(120)가 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs 중 하나 이상을 포함하는 코어 및 쉘을 갖는 코어-쉘 나노입자로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 방법.
  10. (a) 광 변환 나노입자가 그라프팅 리간드로 그라프트된 외부 표면을 갖고,
    (b) 실록산 중합체 매트릭스가 가교-결합된 실록산 중합체를 포함하고;
    - 상기 그라프팅 리간드는 x1개의 Si 골격 원소를 갖는 실록산 그라프팅 리간드를 포함하고, 각 실록산 그라프팅 리간드의 적어도 하나의 Si 골격 원소는 아민을 포함하는 측기 또는 카르복시산을 포함하는 측기로 이루어지는 군에서 선택되는 그라프팅 관능성을 갖는 측기를 포함하고;
    - 상기 경화성 실록산 중합체는 y1개의 Si 골격 원소를 갖고;
    - x1은 적어도 20이고, y1은 적어도 2이고, x1/y1 ≥ 0.8인,
    광 변환 나노입자(120)가 그 안에 매립된 실록산 중합체 매트릭스를 포함하는 광 변환기(100).
  11. 제10항에 있어서, x1이 적어도 40이고, y1이 적어도 7이고, 실록산 그라프팅 리간드의 Si 골격 원소의 적어도 90 %가 메틸 측기를 갖고, 실록산 중합체의 Si 골격 원소의 적어도 90 %가 메틸 측기를 갖고, 광 변환 나노입자(120)가 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs 중 하나 이상을 포함하는 코어 및 쉘을 갖는 코어-쉘 나노입자로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 광 변환기.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 광 변환기가 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있는 것인, 광 변환기.
  13. - 광원 광(11)을 발생시키도록 구성되는 광원(10) 및
    - 광원 광(11)의 적어도 일부를 가시 변환 광(121)으로 변환시키도록 구성되는, 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있거나 제10항 내지 제12항 중의 어느 한 항에서 정의된 바와 같은 광 변환기(100)를 포함하는 조명 장치(1).
  14. 제13항에 있어서, 광 변환기(100)가 광원(10)으로부터 0이 아닌 거리에 구성되는, 조명 장치(1).
  15. 제13항에 있어서, 광 변환기(100)가 광원(10)과 물리적으로 접촉하여 구성되는, 조명 장치(1).
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 조명 장치(1)를 하나 이상 포함하는 백라이팅 유닛(200)을 포함하는 액정 디스플레이 장치(2).
KR1020157013314A 2012-10-25 2013-10-23 실리콘 내의 양자 점을 위한 pdms-기재 리간드 KR20150079720A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261718260P 2012-10-25 2012-10-25
US61/718,260 2012-10-25
PCT/IB2013/059577 WO2014064620A1 (en) 2012-10-25 2013-10-23 Pdms-based ligands for quantum dots in silicones

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150079720A true KR20150079720A (ko) 2015-07-08

Family

ID=49998608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157013314A KR20150079720A (ko) 2012-10-25 2013-10-23 실리콘 내의 양자 점을 위한 pdms-기재 리간드

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10035952B2 (ko)
EP (1) EP2912141B1 (ko)
JP (1) JP6325556B2 (ko)
KR (1) KR20150079720A (ko)
CN (2) CN111500281A (ko)
BR (1) BR112015009085B1 (ko)
RU (1) RU2648084C2 (ko)
TW (1) TWI633168B (ko)
WO (1) WO2014064620A1 (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2880124B1 (en) * 2012-08-06 2019-01-16 Lumileds Holding B.V. Highly stable qds-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization
US10030851B2 (en) 2013-03-20 2018-07-24 Lumileds Llc Encapsulated quantum dots in porous particles
EP3172291B1 (en) * 2014-07-22 2018-09-19 Lumileds Holding B.V. Siloxane ligands to be used for dispersing quantum dots in silicone hosts to obtain color converters for led lighting
US10509319B2 (en) * 2015-02-27 2019-12-17 Merck Patent Gmbh Photosensitive composition and color converting film
EP3072944A3 (en) * 2015-03-27 2016-10-12 Nexdot Core-shell nanoplatelets film and display device using the same
KR102558128B1 (ko) * 2015-07-07 2023-07-21 루미리즈 홀딩 비.브이. 광을 방출하는 디바이스
JP7034908B2 (ja) 2015-09-29 2022-03-14 メルク パテント ゲーエムベーハー 感光性組成物および色変換フィルム
KR20180075599A (ko) * 2015-10-27 2018-07-04 루미레즈 엘엘씨 발광 디바이스를 위한 파장 변환 물질
EP3433881A1 (en) 2016-03-24 2019-01-30 Nexdot Core-shell nanoplatelets and uses thereof
US11189488B2 (en) 2016-03-24 2021-11-30 Nexdot Core-shell nanoplatelets and uses thereof
US10923634B2 (en) 2016-06-30 2021-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength converter having a polysiloxane material, method of making, and solid state lighting device containing same
CN106929000A (zh) * 2017-03-31 2017-07-07 厦门大学 一种量子点‑聚二甲基硅氧烷复合材料及其制备方法
US10475967B2 (en) 2017-04-27 2019-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength converters with improved thermal conductivity and lighting devices including the same
JP6935745B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 色変換層および画像表示装置
CN108441221B (zh) * 2018-05-10 2021-06-01 河北工业大学 一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法
EP3643765A1 (en) 2018-10-22 2020-04-29 SABIC Global Technologies B.V. Stable quantum dot compositions
KR102334956B1 (ko) 2018-11-01 2021-12-02 주식회사 엘지화학 차량용 램프 및 이의 제조 방법
GB2579785A (en) * 2018-12-13 2020-07-08 Lambda Stretch Ltd Photovoltaic device
KR20200087715A (ko) 2019-01-11 2020-07-21 삼성전자주식회사 코어쉘 양자점 및 이를 포함하는 전자 소자
CN113272973A (zh) * 2019-01-15 2021-08-17 夏普株式会社 发光元件、发光装置、发光元件的制造方法
CN113046057A (zh) * 2021-03-05 2021-06-29 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点、由其制备的核壳量子点及该核壳量子点的制备方法
KR20230124161A (ko) * 2022-02-17 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 광제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556725A (en) 1985-01-24 1985-12-03 Union Carbide Corporation Process for preparing triacetoxysilanes from tris(amino)silanes
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
WO2004081141A1 (en) 2003-03-11 2004-09-23 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Electroluminescent device with quantum dots
KR100657891B1 (ko) 2003-07-19 2006-12-14 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 및 그 제조방법
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7374807B2 (en) * 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
KR101249078B1 (ko) 2006-01-20 2013-03-29 삼성전기주식회사 실록산계 분산제 및 이를 포함하는 나노입자 페이스트조성물
WO2010014198A1 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
JP5710255B2 (ja) 2007-09-12 2015-04-30 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 官能化ナノ粒子および方法
JP2009087783A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
JP2009120437A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Niigata Univ シロキサンをグラフト化したシリカ及び高透明シリコーン組成物並びに該組成物で封止した発光半導体装置
RU2381304C1 (ru) 2008-08-21 2010-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
JP5555167B2 (ja) 2008-09-05 2014-07-23 株式会社日本触媒 シリコーン樹脂組成物、酸化金属粒子及びその製造方法
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
KR101631986B1 (ko) 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2010126606A2 (en) 2009-05-01 2010-11-04 Nanosys, Inc. Functionalized matrixes for dispersion of nanostructures
JP2012003073A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sharp Corp 液晶表示装置
CN102483543A (zh) 2009-08-31 2012-05-30 夏普株式会社 液晶显示装置
EP2473620A4 (en) * 2009-09-02 2013-06-05 Univ Kansas State MRI AND OPTICAL ANALYSIS OF PROTEASE
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
JP2011144272A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Nippon Shokubai Co Ltd ジルコニアナノ粒子を含むシリコーン樹脂組成物
EP2528990B1 (en) * 2010-01-28 2017-04-26 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. Lighting devices with prescribed colour emission
JP4949525B2 (ja) * 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
KR101695005B1 (ko) 2010-04-01 2017-01-11 삼성전자 주식회사 나노결정/수지 조성물, 나노결정-수지 복합체 및 나노결정-수지 복합체의 제조방법
DE102010028306A1 (de) * 2010-04-28 2011-11-03 Wacker Chemie Ag Entschäumerzusammensetzungen
KR20120012642A (ko) 2010-08-02 2012-02-10 삼성전기주식회사 나노 복합재 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20120067541A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2013078309A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-30 University Of South Carolina Silicone based nanocomposites including inorganic nanoparticles and their methods of manufacture and use
KR102043269B1 (ko) * 2012-02-03 2019-11-12 루미리즈 홀딩 비.브이. 높은 양자 수율과 안정성으로 매트릭스 내에 나노 입자를 분산시키는 신규 방법 및 물질

Also Published As

Publication number Publication date
BR112015009085A2 (pt) 2017-07-04
BR112015009085B1 (pt) 2021-06-15
WO2014064620A1 (en) 2014-05-01
CN111500281A (zh) 2020-08-07
JP6325556B2 (ja) 2018-05-16
CN104755585A (zh) 2015-07-01
TWI633168B (zh) 2018-08-21
US20150291876A1 (en) 2015-10-15
RU2648084C2 (ru) 2018-03-22
RU2015119545A (ru) 2016-12-20
TW201422765A (zh) 2014-06-16
EP2912141B1 (en) 2019-09-18
JP2016506527A (ja) 2016-03-03
US10035952B2 (en) 2018-07-31
EP2912141A1 (en) 2015-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6824203B2 (ja) シリコーン内の量子ドット用ｐｄｍｓ系リガンド
TWI633168B (zh) 用於在聚矽氧中之量子點之基於聚二甲基矽氧烷（ｐｄｍｓ）之配位體
KR102497674B1 (ko) Led 조명용 색 변환기를 수득하기 위해 양자점을 실리콘 호스트 중에 분산시키는데 사용되는 실록산 리간드
JP6118825B2 (ja) 新規材料並びに高量子収率及び高安定性を有するナノ粒子のマトリックス中への分散方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application