KR102167982B1 - 색변환 패널 - Google Patents

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KR102167982B1
KR102167982B1 KR1020190123273A KR20190123273A KR102167982B1 KR 102167982 B1 KR102167982 B1 KR 102167982B1 KR 1020190123273 A KR1020190123273 A KR 1020190123273A KR 20190123273 A KR20190123273 A KR 20190123273A KR 102167982 B1 KR102167982 B1 KR 102167982B1
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김훈식
박슬기
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동우 화인켐 주식회사
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    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G02F2203/05Function characteristic wavelength dependent
    • G02F2203/055Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering

Abstract

색변환 패널은 기재, 색변환층을 구비한다. 기재는 다수의 광원이 이격되어 결합될 수 있다. 색변환층은 기재에 이격 또는 밀착하여 결합하고, 광원을 내장하면서 화소 단위로 공간 분리하는 색변환 화소 격벽과 색변환 화소 격벽의 분리 공간에 삽입되는 색변환 화소를 구비한다. 색변환 화소는 광원보다 큰 면적을 갖는다.

Description

색변환 패널{Color Conversion Panel}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 색변환 효율을 높인 색변환 패널에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 널리 사용되고 있는 디스플레이 장치 중 하나로서, 특정 색상을 가지는 화소를 구비하여 원하는 색상을 생성/표시하는 디스플레이 장치이다.
액정 표시 장치는 컬러 형성을 위해 색변환 패널을 사용하고 있다. 그런데, 백색을 가지는 백라이트 광원으로부터 방출된 광이 적색, 녹색, 청색의 컬러필터를 통과할 때, 특정파장의 빛은 흡수하고 특정파장의 빛은 투과시켜 원하는 색상을 나타낸다. 그런데, 투과된 빛은, 빛이 발생한 백라이트를 기준으로 보면, 흡수, 투과 등을 거치면서 손실이 많이 발생할 수 있는데, 이러한 손실을 최소화하려는 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1a~1c는 종래기술에 따른 색변환 패널을 도시하는 평면도 및 결합/분리 단면도이다.
도 1a에 도시한 바와 같이, 종래의 색변환 패널은 기재(100), 광원(200), 격벽(300), 색변환 화소(400) 등을 포함할 수 있다.
도 1a~1c의 종래의 색변환 패널에서, 기재(100)는 광원(200)과 색변환 화소 격벽(300)을 지지하는 베이스(base)로 기능하고, 색변환 화소 격벽(300)은 색변환 화소(400)를 분리 내장하는 공간을 제공하며, 그리고 색변환 화소(400)는 광원(200)으로부터 청색광을 수신할 때 화소에 입사한 청색광을 적색광, 녹색광, 또는 청색광으로 변경 또는 유지시켜 방출할 수 있다. 여기서, 종래의 색변환 패널은 색변환 화소(400)를 광원(200)과 동일 면적으로 구성하고 있다.
그런데, 광원(200)과 색변환 화소(400) 사이의 여러 변수에 따라, 개구율, 색변환 효율 등이 달라질 수 있는데, 종래기술에서의 색변환 패널은 광원(200)과 색변환 화소(400)의 최적화를 통한 빛 손실 최소화를 달성하는데 미흡한 점이 있다.
[선행기술문헌]
한국특허공개 제2019-0093823호(색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법)
한국특허공개 제2019-0047592호(색변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치)
한국특허공개 제2019-0006430호(마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법)
본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광원과 색변환 화소 사이를 최적화하여 빛 손실 최소화, 색변환 효율 최대화 등을 달성할 수 있는 색변환 패널을 제공하고자 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 색변환 패널은 기재와 색변환층을 포함하여 구성할 수 있다.
기재는 다수의 광원이 이격되어 결합될 수 있다.
색변환층은 기재에 이격 또는 밀착하여 결합할 수 있다. 색변환층은 광원을 내장하면서 화소 단위로 공간 분리하는 색변환 화소 격벽과, 색변환 화소 격벽의 분리 공간에 삽입되는 색변환 화소를 구비할 수 있다. 여기서, 색변환 화소는 광원보다 큰 면적을 가질 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 색변환 화소의 면적은 광원의 면적보다 1.5~10배 클 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 광원과 색변환 화소를 이격시켜 구성하는 경우, 광원과 색변환 화소의 이격 거리는 50~170㎛로 구성할 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 색변환 화소는 산란 입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 색변환 패널은 색변환층에 이격 또는 밀착하여 광 방출 방향으로 결합하는 컬러필터층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 컬러필터층은, 색변환 화소 격벽 상에 형성되는 컬러필터 화소 격벽과, 컬러필터 화소 격벽 사이에 삽입되는 컬러필터 화소를 포함할 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 컬러필터 화소의 두께는 색변환 화소의 두께의 5~30%로 구성할 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 색변환 화소는 5~20㎛의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 색변환 화소 격벽과 컬러필터 화소 격벽은 별도로 형성되어 적층되는 분리형일 수 있다.
본 발명의 색변환 패널에서, 색변환 화소 격벽과 컬러필터 화소 격벽은 동시에 형성되는 일체형일 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 색변환 패널에 의하면, 색변환 화소의 면적을 광원의 면적보다 크게, 바람직하게는 1.5~10배로 함으로써, 광원에서 방출되는 광을 색변환 화소에서 최대로 색변환하여 색변환 효율을 최대화할 수 있다.
도 1a~1c는 종래기술에 따른 색변환 패널을 도시하는 평면도 및 결합/분리 단면도이다.
도 2a~2c는 본 발명에 따른 색변환 패널을 도시하는 평면도 및 결합/분리 단면도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2a~2c는 본 발명에 따른 색변환 패널을 도시하는 평면도 및 결합/분리 단면도이다.
도 2a~2c에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 색변환 패널은 기재(100), 광원(200), 색변환 화소 격벽(310), 색변환 화소(410) 등을 포함할 수 있다.
기재(100)는 광원(200), 색변환 화소 격벽(310), 색변환 화소(410) 등을 지지하는 것으로, 유리 내지 플라스틱 재질, 예를 들어, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트(예, PMMA), 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아믹산, 폴리비닐알코올, 폴리올레핀(예, PE, PP), 폴리스티렌, 폴리노보넨, 폴리말레이미드, 폴리아조벤젠, 폴리에스테르(예, PET, PBT), 폴리아릴레이트, 폴리프탈이미딘, 폴리페닐렌프탈아미드, 폴리비닐신나메이트, 폴리신나메이트, 쿠마린계 고분자, 칼콘계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체, 이들의 공중합체, 및 이들의 블렌드로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 사용할 수 있다.
광원(200)은 색변환 화소(410)에 청색광(또는 백색광)을 공급할 수 있다. 광원(200)은 기재(100) 내에 함몰되거나 상면에 돌출되어 이격 배열되는, 즉 어레이(array) 형태의 백라이트 유닛일 수 있다. 광원은 유기 발광 다이오드 내지는 발광 다이오드 일 수 있으며, 발광다이오드를 사용하는 경우 수평형 칩, 수직형 칩, 플립 칩 등의 형태를 가질 수 있다. 방출되는 청색광의 파장은 430nm 내지 470nm 범위를 가질 수 있다.
색변환 화소 격벽(310)은 기재(100) 상에 광원(200)을 내장하면서 기재(100)에서 먼 방향을 개방시키는 형태로 구성할 수 있다. 색변환 화소 격벽(310)은 광원(200), 색변환 화소(410)를 화소 단위로 공간 분리하여 이격시킬 수 있다. 색변환 화소 격벽(310)은 색변환 화소(410)와 함께 색변환층을 구성할 수 있다. 색변환 화소 격벽(310)은 아크릴계 또는 에폭시계 고분자를 포함하는 감광성 조성물을 사용할 수 있으며 포토 리소 공정을 통하여 패턴화 되어있는 구조를 제조할 수 있다.
색변환 화소 격벽(310)은 예를들어 5~20㎛ 두께로 형성할 수 있다.
색변환 화소 격벽(310)은 개구부 형태를 다양하게 구성할 수 있는데, 예를 들어 원형, 타원, 삼각형, 사각형 등의 개구부를 가질 수 있다.
색변환 화소(410)는 기재(100) 상에서 광원(200)을 덮으면서 색변환 화소 격벽(310) 내에 삽입될 수 있다. 색변환 화소(410)는, 색변환 화소 격벽(310)과 동일한 두께, 예를들어 5~20㎛ 두께를 가질 수 있다.
색변환 화소(410)는 입사하는 광의 색을 변환하는 색변환 부재를 포함할 수 있다. 색변환 부재는 양자점을 포함할 수 있다. 양자점은, 양자점의 밴드 갭보다 큰 에너지를 갖는 파장의 광이 조사되면, 입사광을 흡수하여 들뜬 상태로 된 후 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어지는데, 이때 밴드 갭에 해당되는 파장의 광을 방출한다. 양자점은 크기에 따라 발광 파장이 달라질 수 있는데, 보통 크기가 작아질수록 짧은 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를들어, 색변환 화소(322)는, 외부로부터 광(예를 들어, 청색광)이 입사하면, 620 nm 내지 670 nm의 파장을 갖는 적색광, 520 nm 내지 570 nm의 파장을 갖는 녹색광, 또는 입사하는 청색광을 색변환없이 그대로 방출할 수 있다.
양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, 및 IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합, 및 이들의 합금 중에서 선택될 수 있다. 합금은, 전술한 화합물 및 전이금속과의 합금을 포함할 수 있다.
II-VI족계 화합물로는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등이 있고, III-V족 계 화합물로는 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, InAlPAs 등이 있으며, IV-VI족계 화합물로는 SbTe 등이 있다.
색변환 화소(410)는 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자는 색변환 화소(410)로 입사되는 광을 산란시켜 방출 광의 정면 휘도, 측면 휘도를 균일하게 할 수 있다. 산란 입자는 무기 산화물 입자, 유기 입자, 또는 이들의 조합, 예를들어 BiFeO3, Fe2O3, WO3, TiO2, SiC, BaTiO3, ZnO, ZrO2, ZrO, Ta2O5, MoO3, TeO2, Nb2O5, Fe3O4, V2O5, Cu2O, BP, Al2O3, In2O3, SnO2, Sb2O3, ITO 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
색변환 화소(410)는 컬러필터 안료를 포함할 수 있다. 이 경우, 색변환 패널은 컬러필터 화소를 포함하지 않고 색변환 화소만을 포함할 수 있다.
색변환 화소(410)는 그 면적을 광원(200)의 면적보다 크게 구성할 수 있다.
아래의 표 1은 동일한 크기의 청색 광원(200)에 적색 색변환 화소(410)를 적층하고, 두께를 동일하게 유지한 채 면적을 변경하면서 실험을 진행하였다. 실험에서, 청색 광원(200)은 30mW의 소비 전력으로 발광하고, 면적은 가로 80㎛, 세로 100㎛의 크기(면적 8000 ㎛2)로 하였다. 상부에 적층되는 색변환 화소(410)는, 청색 광원(200)으로부터 150㎛ 이격시킨 상태에서, 청색 광원(200)의 면적과 동일한 가로 80㎛, 세로 100㎛의 크기를 기준으로 면적을 변경하면서 적색 색변환 화소(410)에서 방출되는 적색광 휘도(좌우 10개, 상하 10개 배열된 총 100개의 색변환 화소에서 측정된 휘도, cd/mm2)를 측정한 결과를 보여주고 있다.
색변환 화소 (가로X세로, ㎛) 색변환 화소의 면적(㎛2) 면적비(색변환 화소 면적/광원 면적, 배) 적색광 휘도
(cd/㎜2)
비교예 1 70X90 6,300 0.78 1.23
비교예 2 80X100 8,000 1.0 1.43
비교예 3 90X110 9,900 1.23 1.61
실시예 1 100X120 12,000 1.5 2.32
실시예 2 110X130 14,300 1.78 2.81
실시예 3 130X180 23,400 2.93 3.28
실시예 4 150X220 33,000 4.13 3.86
실시예 5 180X300 54,000 6.75 3.81
실시예 6 200X350 70,000 8.75 3.21
실시예 7 210X400 84,000 10.5 2.16
비교예 4 240X500 120,000 15.0 1.86
위의 표 1에서 보듯이, 먼저, 면적비(색변환 화소의 면적/ 광원의 면적, %)가 감소하면, 적색 색변환 화소(410)에서 방출되는 단위 면적당 밝기인 적색광 휘도가 감소하였다.
둘째, 면적비가 1.5배에 이르면, 적색 색변환 화소(410)에서 방출되는 적색광 휘도(2.32 cd/㎜2)는, 면적비가 1배일 때의 휘도(1.43 cd/㎜2)와 비교하여, 60% 가까이 증가함을 확인할 수 있다.
셋째, 면적비가 1.5배를 넘어서면, 적색 색변환 화소(410)에서 변환된 적색광 휘도는 색변환 화소(410)의 면적 증가에 따라 함께 증가하지만, 면적비가 7배 근처에서 적색광 휘도가 정체되고, 그 이상의 면적비에서는 오히려 적색광 휘도가 감소함을 확인하였다.
또한, 면적비가 1.5배에서 4배에 이르기까지는 적색광 휘도가 급격히 증가하지만, 면적비가 4배~10배의 구간에서는 적색광 휘도의 증가가 완만하거나 감소하는 것도 확인하였다.
이상의 실험 결과를 종합하면, 색변환 효율의 유의미한 증가를 적색광 휘도가 2배 이상 증가하는 것으로 기준삼고 있는 업계 사정에 비추어 볼 때, 면적비 1.5배는 면적비 설정의 하한값으로서 기술적 의미를 가질 수 있다.
면적비가 대략 8배를 넘어서면 적색광 휘도의 증가가 멈추고 오히려 감소하면서 10배에 이르면 적색광 휘도가 2배까지 낮아지므로, 색변환 효율의 측면에서 면적비 10배 초과는 의미가 없고, 오히려 색변환 화소를 구성하는 재료의 소모로 인한 제조 비용의 증가만 발생할 뿐이다. 따라서, 면적비 10배는 면적비 설정의 상한값으로서 기술적 의미를 가질 수 있다.
또한, 면적비가 1.5배에서 4배에 이르기까지는 적색광 휘도가 급격히 증가함에 반해, 면적비 4배 이상의 구간에서는 적색광 휘도의 증가가 완만하거나 감소하므로, 색변환 화소의 크기 증가로 인한 비용 증가를 함께 고려할 때, 면적비 4배를 면적비 설정의 새로운 상한값으로 의미 부여하는 것도 가능하다.
아래의 표 2는 동일한 크기의 청색 광원(200)에 적색 색변환 화소(410)를 적층하고, 청색 광원(200)과 적색 색변환 화소(410)의 면적비를 동일하게 한 후, 청색 광원(200)과 적색 색변환 화소(410)의 이격 거리를 변경하면서, 적색 색변환 화소(410)에서 방출되는 적색광 휘도(좌우 10개, 상하 10개 배열된 총 100개의 색변환 화소에서 측정된 휘도, cd/mm2)를 측정한 값을 보여주고 있다. 여기서, 청색 광원(200)은 30mW의 소비 전력으로 발광하고, 청색 광원(200)은 80㎛, 세로 100㎛의 크기(면적 8000 ㎛2)로 제작 하였고 적색 색변환 화소(410)의 면적은 가로 100㎛, 세로 120㎛의(면적 12000 ㎛2) 크기로 하였다.
이격 거리 (㎛) 적색광 휘도 (cd/㎜2)
비교예 5 10 1.59
비교예 6 20 1.68
비교예 7 30 1.79
비교예 8 40 1.88
실시예 8 50 2.05
실시예 9 60 2.09
실시예 10 70 2.13
실시예 11 80 2.18
실시예 12 90 2.21
실시예 13 100 2.22
실시예 14 110 2.23
실시예 15 120 2.26
실시예 16 130 2.29
실시예 17 140 2.3
실시예 18 150 2.32
실시예 19 160 2.28
실시예 20 170 2.13
비교예 9 180 1.98
비교예 10 190 1.85
비교예 11 200 1.73
위의 표 2에서 보듯이, 적색광 휘도가 2 이상의 값을 갖는 구간은 청색 광원(200)과 적색 색변환 화소(410)의 이격 거리가 50~170㎛로 나타났다.
따라서, 본 발명에서는 청색 광원(200)과 적색 색변환 화소(410)의 이격 거리를 50~170㎛로 한정하는 것에 기술적 의미를 부여할 수 있다.
본 발명에 따른 색변환 패널은 색변환 화소 격벽(310)과 색변환 화소(410)로 구성되는 색변환층에 컬러필터층을 더 형성할 수 있다.
컬러필터층은 광 방출 방향으로 색변환층에 이격 또는 밀착하여 형성할 수 있다.
컬러필터층은 컬러필터 화소 격벽과 컬터필터 화소를 포함할 수 있는데, 컬러필터 화소 격벽은 색변환 화소 격벽(310) 상에 형성할 수 있고, 컬러필터 화소는 색변환 화소(410) 상에서 컬러필터 화소 격벽 내에 형성할 수 있다.
컬러필터 화소 격벽은 색변환 화소 격벽(310)과 별도로 형성하여 적층하는 즉 분리형으로 구성할 수도 있고, 색변환 화소 격벽과 동시에 형성하는, 즉 일체형으로 구성할 수도 있다. 일체형인 경우, 색변환 화소 격벽(310)과 컬러필터 화소 격벽은 하나의 격벽, 즉 통합 격벽을 구성할 수 있다.
컬러필터 화소는, 적색광을 투과하고 녹색광과 청색광을 흡수하여 적색광만 방출하는 적색광 컬러필터 화소, 녹색광을 투과하고 적색광과 청색광을 흡수하여 녹색광만 방출하는 녹색광 컬러필터 화소, 또는 청색광을 투과하고 적색광과 녹색광을 흡수하여 청색광만 방출하는 청색광 컬러필터 화소일 수 있다.
컬러필터 화소의 두께는 색변환 화소(410)의 두께의 5~30%로 형성할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시예로서 설명하였는데, 이들은 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면 이러한 실시예들을 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 아래의 특허청구범위에 의해 정해지므로, 그러한 변형이나 수정이 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
100 : 기재 200 : 광원
300,310 : 색변환 화소 격벽 400,410 : 색변환 화소

Claims (10)

  1. 다수의 광원이 이격되어 결합된 기재; 및
    상기 기재에 이격하여 결합하고, 상기 광원을 내장하면서 화소 단위로 공간 분리하는 색변환 화소 격벽과 상기 색변환 화소 격벽의 분리 공간에 삽입되는 색변환 화소를 구비하는 색변환층을 포함하되,
    상기 색변환 화소는 상기 광원보다 1.5 ~ 4.13배 큰 면적을 갖고,
    상기 광원과 상기 색변환 화소는 50~170㎛로 이격되는, 색변환 패널.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 색변환 화소는
    산란 입자를 포함하는, 색변환 패널.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 색변환층에 이격 또는 밀착하여 광 방출 방향으로 결합하는 컬러필터층을 더 포함하는, 색변환 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 컬러필터층은
    상기 색변환 화소 격벽 상에 형성되는 컬러필터 화소 격벽; 및
    상기 컬러필터 화소 격벽 사이에 삽입되는 컬러필터 화소를 포함하는, 색변환 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 컬러필터 화소의 두께는 상기 색변환 화소의 두께의 5~30%인, 색변환 패널.
  8. 제7항에 있어서, 상기 색변환 화소는
    5~20㎛의 두께를 갖는, 색변환 패널.
  9. 제6항에 있어서, 상기 색변환 화소 격벽과 상기 컬러필터 화소 격벽은
    별도로 형성되어 적층되는 분리형인, 색변환 패널.
  10. 제6항에 있어서, 상기 색변환 화소 격벽과 상기 컬러필터 화소 격벽은
    동시에 형성되는 일체형인, 색변환 패널.
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