RU2013142077A - Система для магнитного экранирования - Google Patents

Система для магнитного экранирования Download PDF

Info

Publication number
RU2013142077A
RU2013142077A RU2013142077/28A RU2013142077A RU2013142077A RU 2013142077 A RU2013142077 A RU 2013142077A RU 2013142077/28 A RU2013142077/28 A RU 2013142077/28A RU 2013142077 A RU2013142077 A RU 2013142077A RU 2013142077 A RU2013142077 A RU 2013142077A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chamber
coils
magnetic field
field sensor
lithography apparatus
Prior art date
Application number
RU2013142077/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2558646C2 (ru
Inventor
Алон РОСЕНТАЛЬ
Original Assignee
МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. filed Critical МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Publication of RU2013142077A publication Critical patent/RU2013142077A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2558646C2 publication Critical patent/RU2558646C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/52—Screens for shielding; Guides for influencing the discharge; Masks interposed in the electron stream
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H01J27/18—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1472—Deflecting along given lines
    • H01J37/1474—Scanning means
    • H01J37/1475—Scanning means magnetic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/026—Shields
    • H01J2237/0264—Shields magnetic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
    • H01J2237/31754—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

1. Система для магнитного экранирования аппарата литографии пучками заряженных частиц, содержащая:- первую камеру, имеющую стенки, содержащие магнитный экранирующий материал, заключающую в себе, по меньшей мере частично, аппарат литографии пучками заряженных частиц;- вторую камеру, имеющую стенки, содержащие магнитный экранирующий материал, заключающую в себе первую камеру; и- набор из двух катушек, расположенных во второй камере на противоположных сторонах от первой камеры, причем эти две катушки имеют общую ось,дополнительно содержащая по меньшей мере один датчик магнитного поля для измерения магнитного поля в пределах второй камеры.2. Система по п. 1, при этом первая камера снабжена отверстием для обеспечения возможности выходящему из аппарата литографии излучению воздействовать на обрабатываемую подложку, предусмотренную на подложкодержателе во второй камере, и при этом упомянутый по меньшей мере один датчик магнитного поля размещен между первой камерой и подложкодержателем.3. Система по п. 1 или 2, при этом датчик магнитного поля размещен в непосредственной близости от отверстия в первой камере.4. Система по п. 1 или 2, при этом вторая камера заключает в себе:- первый набор из двух катушек, расположенных на противоположных сторонах от первой камеры, причем две катушки первого набора имеют общую ось в первом направлении;- второй набор катушек, расположенных на противоположных сторонах от первой камеры, причем две катушки второго набора имеют общую ось во втором направлении, практически перпендикулярном первому направлению;- третий набор катушек, расположенных на противоположных сторонах от первой камеры, �

Claims (20)

1. Система для магнитного экранирования аппарата литографии пучками заряженных частиц, содержащая:
- первую камеру, имеющую стенки, содержащие магнитный экранирующий материал, заключающую в себе, по меньшей мере частично, аппарат литографии пучками заряженных частиц;
- вторую камеру, имеющую стенки, содержащие магнитный экранирующий материал, заключающую в себе первую камеру; и
- набор из двух катушек, расположенных во второй камере на противоположных сторонах от первой камеры, причем эти две катушки имеют общую ось,
дополнительно содержащая по меньшей мере один датчик магнитного поля для измерения магнитного поля в пределах второй камеры.
2. Система по п. 1, при этом первая камера снабжена отверстием для обеспечения возможности выходящему из аппарата литографии излучению воздействовать на обрабатываемую подложку, предусмотренную на подложкодержателе во второй камере, и при этом упомянутый по меньшей мере один датчик магнитного поля размещен между первой камерой и подложкодержателем.
3. Система по п. 1 или 2, при этом датчик магнитного поля размещен в непосредственной близости от отверстия в первой камере.
4. Система по п. 1 или 2, при этом вторая камера заключает в себе:
- первый набор из двух катушек, расположенных на противоположных сторонах от первой камеры, причем две катушки первого набора имеют общую ось в первом направлении;
- второй набор катушек, расположенных на противоположных сторонах от первой камеры, причем две катушки второго набора имеют общую ось во втором направлении, практически перпендикулярном первому направлению;
- третий набор катушек, расположенных на противоположных сторонах от первой камеры, причем две катушки третьего набора имеют общую ось в третьем направлении, практически перпендикулярном первому направлению и второму направлению.
5. Система по п. 1 или 2, при этом расстояние между катушкой и ближайшей стенкой второй камеры, измеренное вдоль направления, практически параллельного общей оси, меньше, чем такое расстояние между упомянутой катушкой и ближайшей стенкой первой камеры.
6. Система по п. 1 или 2, при этом катушки расположены в непосредственной близости от стенок второй камеры.
7. Система по п. 1 или 2, при этом все стенки первой камеры расположены ближе к аппарату литографии пучками заряженных частиц, чем к по меньшей мере одной стенке второй камеры.
8. Система по п. 6, при этом все стенки первой камеры расположены ближе к аппарату литографии пучками заряженных частиц, чем к какой-либо стенке второй камеры.
9. Система по п. 1 или 2, при этом магнитный экранирующий материал включает материал с большей относительной магнитной проницаемостью, чем примерно 300000.
10. Система по п. 1 или 2, при этом материал представляет собой мю-металл.
11. Система по п. 1 или 2, при этом первая камера снабжена размагничивающим приспособлением.
12. Система по п. 1 или 2, при этом вторая камера снабжена размагничивающим приспособлением.
13. Система по п. 11, при этом размагничивающее приспособление содержит одну или более размагничивающих катушек.
14. Система по п. 1 или 2, при этом первая камера имеет кубическую, цилиндрическую или коробчатую форму.
15. Система по п. 1 или 2, дополнительно содержащая по меньшей мере один дополнительный датчик магнитного поля для измерения магнитного поля в пределах первой камеры.
16. Система по п. 1 или 2, дополнительно содержащая систему управления для управления токами через катушки на основании информации, предоставляемой упомянутым по меньшей мере одним датчиком магнитного поля и/или упомянутым по меньшей мере одним дополнительным датчиком магнитного поля.
17. Система по п. 1 или 2, при этом установка литографии пучками заряженных частиц содержит:
- источник заряженных частиц для создания одного или более пучков заряженных частиц;
- подвижное устройство для поддержания мишени; и
- устройство формирования рисунка для обеспечения возможности переноса упомянутых одного или более пучков на поверхность мишени в соответствии с рисунком.
18. Система по п. 17, при этом первая камера заключает в себе источник заряженных частиц и устройство формирования рисунка, при этом подвижное устройство расположено вне первой камеры, и при этом первая камера снабжена отверстием на стороне, обращенной к подвижному устройству.
19. Способ компенсации магнитного поля в установке литографии пучками заряженных частиц, содержащей магнитное экранирование по п. 1 или 2, содержащий этапы:
- размещения подложкодержателя в положении ниже отверстия в первой камере;
- измерения магнитного поля во второй камере датчиком магнитного поля;
- регулировки компенсационных токов в катушках до тех пор, пока измеренное во всех направлениях магнитное поле не станет практически равным нулю во всех направлениях;
- поддержания компенсационных токов в катушках в течение экспозиции мишени.
20. Способ по п. 19, дополнительно содержащий этап дальнейшего измерения и компенсации магнитного поля в течение последующего движения опорного элемента.
RU2013142077/28A 2011-02-16 2012-02-13 Система для магнитного экранирования RU2558646C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161443475P 2011-02-16 2011-02-16
US61/443,475 2011-02-16
US201161561288P 2011-11-18 2011-11-18
US61/561,288 2011-11-18
PCT/EP2012/052431 WO2012110465A2 (en) 2011-02-16 2012-02-13 System for magnetic shielding

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013142077A true RU2013142077A (ru) 2015-03-27
RU2558646C2 RU2558646C2 (ru) 2015-08-10

Family

ID=45768189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013142077/28A RU2558646C2 (ru) 2011-02-16 2012-02-13 Система для магнитного экранирования

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8884253B2 (ru)
EP (1) EP2676168B1 (ru)
JP (1) JP5902201B2 (ru)
KR (1) KR101586202B1 (ru)
CN (1) CN103477285A (ru)
RU (1) RU2558646C2 (ru)
TW (1) TW201246261A (ru)
WO (1) WO2012110465A2 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012062934A1 (en) * 2010-11-13 2012-05-18 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle beam modulator
JP2014209521A (ja) * 2013-04-16 2014-11-06 キヤノン株式会社 ステージ装置、描画装置および物品の製造方法
JP2015033162A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 キヤノン株式会社 駆動装置、荷電粒子線照射装置、リソグラフィ装置
TWI674620B (zh) * 2013-12-13 2019-10-11 日商荏原製作所股份有限公司 真空磁性遮蔽容器的構造
CN104298299B (zh) * 2014-09-29 2015-10-07 江汉大学 磁场精密补偿、调节系统及其构建方法
US9952255B2 (en) 2015-10-30 2018-04-24 Texas Instruments Incorporated Magnetically shielded probe card
CN106937475A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
TWI670502B (zh) * 2018-10-25 2019-09-01 廣達電腦股份有限公司 訊號測試系統及其電波暗室
CN110993252B (zh) * 2019-12-25 2020-10-30 哈尔滨工业大学 分布式退磁线圈系统、屏蔽装置及退磁方法
CN110970191B (zh) 2019-12-25 2021-09-07 哈尔滨工业大学 一种多层屏蔽装置的退磁方法
CN110958830B (zh) * 2019-12-27 2021-09-24 中国船舶重工集团有限公司第七一0研究所 一种复合式环境干扰磁场屏蔽系统
CN111554470B (zh) * 2020-05-15 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 消磁装置及半导体加工设备
JP2023533500A (ja) * 2020-07-09 2023-08-03 ラム リサーチ コーポレーション 調節可能な形状トリムコイル
JP2023541910A (ja) * 2020-09-18 2023-10-04 ラム リサーチ コーポレーション 磁場を用いるプラズマ放電の不均一性制御
CN114823045B (zh) * 2022-04-28 2024-01-05 北京航空航天大学宁波创新研究院 一种磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3235124A (en) * 1963-09-30 1966-02-15 Paul H Kuever Multiple point, quick operating fastener means
SU856037A1 (ru) * 1979-11-06 1981-08-15 Минское Производственное Объединение "Горизонт" Система магнитного экранировани масочного кинескопа
US4779707A (en) * 1986-07-29 1988-10-25 Montgomery Elevator Company Modular elevator cab construction
US4948922A (en) * 1988-09-15 1990-08-14 The Pennsylvania State University Electromagnetic shielding and absorptive materials
JPH0744143B2 (ja) * 1988-09-20 1995-05-15 株式会社日立製作所 電子線描画装置の外部磁気補正方法
US5073744A (en) * 1989-05-01 1991-12-17 Interstate Electronics Corp. Method and apparatus for dynamic magnetic field neutralization
US4963789A (en) * 1989-05-01 1990-10-16 Conrac Scd, Inc. Method and apparatus for dynamic magnetic field neutralization
US5032792A (en) 1990-04-05 1991-07-16 United States Of America Electromagnetic coil array having three orthogonally related coil pairs for use as Helmholtz and Degaussing coils
US5225999A (en) * 1990-07-06 1993-07-06 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Magnetic environment stabilization for effective operation of magnetically sensitive instruments
JPH04370638A (ja) * 1991-06-18 1992-12-24 Jeol Ltd 外部磁界の消去装置
US5355650A (en) * 1993-04-28 1994-10-18 Agar Robert S Batten mounting system
US5367221A (en) * 1993-05-28 1994-11-22 Barco N. V. Magnetic immunity system (MIS) and monitor incorporating the MIS
US5473221A (en) * 1994-11-18 1995-12-05 Hughes Aircraft Company Bucking field system and method for mitigating the effects of an external magnetic field on a cathode ray tube display
US5639150A (en) * 1995-09-22 1997-06-17 Amco Engineering Co. Electronic component enclosure and method
US5938302A (en) * 1995-09-22 1999-08-17 Amco Engineering Co. Multiple enclosures and method
US5749178A (en) * 1996-08-06 1998-05-12 Garmong; Victor H. Shielded enclosure
DE19718649A1 (de) 1997-05-02 1998-11-05 Peter Heiland Vorrichtung und Verfahren zur aktiven Kompensation magnetischer und elektromagnetischer Störfelder
TW530189B (en) * 1998-07-01 2003-05-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus for imaging of a mask pattern and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
US6115885A (en) * 1998-07-27 2000-09-12 Hewlett-Packard Company Twisted hinge
US6437347B1 (en) * 1999-04-13 2002-08-20 International Business Machines Corporation Target locking system for electron beam lithography
US20050145662A1 (en) * 1999-06-18 2005-07-07 Let's Go Aero, Inc. Equipment and cargo carrier systems
US6269008B1 (en) * 1999-11-22 2001-07-31 Lucent Technologies Inc. Multi-walled electromagnetic interference shield
JP2001284239A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
US6415558B1 (en) * 2000-07-06 2002-07-09 Autoquip Corporation Tornado shelter
JP2002033262A (ja) 2000-07-18 2002-01-31 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の磁気シールド方法
JP2002170764A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2002217091A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
US20020153495A1 (en) * 2001-04-21 2002-10-24 Nikon Corporation. Magnetically shielded enclosures for housing charged-particle-beam systems
JP2002324997A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Nikon Corp 磁気シールドルーム
JP2003068603A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
JP2004079603A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Nikon Corp 磁気シールド解析手法、磁気シールド解析プログラム及び荷電粒子線露光装置の設計手法
US6966325B2 (en) * 2002-09-20 2005-11-22 Advanced Neuromodulation Systems, Inc. Method for manipulating dosage control apparatus
US7038450B2 (en) * 2002-10-16 2006-05-02 Trustees Of Princeton University High sensitivity atomic magnetometer and methods for using same
TWI300308B (en) 2002-10-25 2008-08-21 Mapper Lithography Ip Bv Lithography system
EP3671804A1 (en) 2002-10-30 2020-06-24 ASML Netherlands B.V. Electron beam exposure system
US7129502B2 (en) 2003-03-10 2006-10-31 Mapper Lithography Ip B.V. Apparatus for generating a plurality of beamlets
US20070010702A1 (en) * 2003-04-08 2007-01-11 Xingwu Wang Medical device with low magnetic susceptibility
US8065846B2 (en) * 2003-04-17 2011-11-29 Mcdonald Frank Modular building panels, method of assembly of building panels and method of making building panels
ATE524822T1 (de) 2003-05-28 2011-09-15 Mapper Lithography Ip Bv Belichtungsverfahren für strahlen aus geladenen teilchen
JP2006209980A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 電子線露光装置
JP2006287015A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Canon Inc 荷電粒子線露光装置
US20090265972A1 (en) * 2006-03-15 2009-10-29 Cherng Chang Sheet holders
US7521687B2 (en) * 2006-03-30 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Static electricity deflecting device, electron beam irradiating apparatus, substrate processing apparatus, substrate processing method and method of manufacturing substrate
DE102008035297B4 (de) * 2007-07-31 2017-08-17 Hitachi High-Technologies Corporation Aberrationskorrektureinrichtung für Ladungsteilchenstrahlen in einem optischen System einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung und Ladungsteilchenstrahlvorrichtung mit der Aberrationskorrektureinrichtung
WO2009055930A1 (en) * 2007-10-31 2009-05-07 D-Wave Systems Inc. Systems, methods, and apparatus for combined superconducting magnetic shielding and radiation shielding
WO2009099972A2 (en) * 2008-01-31 2009-08-13 D-Wave Systems Inc. Magnetic vacuum systems and devices for use with superconducting-based computing systems
JP2010027993A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Ricoh Co Ltd 電子線描画装置
EP2399270B1 (en) 2009-02-22 2013-06-12 Mapper Lithography IP B.V. Charged particle lithography apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP2676168B1 (en) 2018-09-12
RU2558646C2 (ru) 2015-08-10
WO2012110465A4 (en) 2012-12-27
JP2014511567A (ja) 2014-05-15
JP5902201B2 (ja) 2016-04-13
CN103477285A (zh) 2013-12-25
EP2676168A2 (en) 2013-12-25
WO2012110465A3 (en) 2012-11-01
WO2012110465A2 (en) 2012-08-23
US8884253B2 (en) 2014-11-11
TW201246261A (en) 2012-11-16
KR101586202B1 (ko) 2016-01-18
US20130043414A1 (en) 2013-02-21
KR20140012097A (ko) 2014-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013142077A (ru) Система для магнитного экранирования
JP2014511567A5 (ru)
KR101208387B1 (ko) 리니어 모터, 스테이지 장치, 및 노광 장치
JP6898464B2 (ja) ベアリングデバイス、磁気重力補償器、振動絶縁システム、リソグラフィ装置
JP2003007500A (ja) 強度可変型多極ビームライン磁石
JP6681982B2 (ja) 位置決めデバイス、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
TW201040670A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10689747B2 (en) Evaporation device
TW201947629A (zh) 電子束設備
KR20050084304A (ko) 높은 위치 정밀도로 물체를 처리하는 장치
KR101701866B1 (ko) 자기 디바이스 및 리소그래피 장치
NL2003128C2 (en) A method for fabricating an electromagnetic actuator, an electromagnetic actuator, and a charged particle device comprising the same.
CN113597520B (zh) 具有磁执行器的振动隔离系统及磁执行器
US20140306123A1 (en) Stage apparatus, drawing apparatus, and method of manufacturing article
WO2011162146A4 (en) Exposure apparatus and device fabrication method
US7646003B2 (en) Focusing apparatus and lithography system using the same
JP2012009711A5 (ja) 露光装置及びデバイスの製造方法
JP2012033669A (ja) 外乱変動磁場のアクティブ磁気シールド方法及びシステム
WO2013129383A1 (ja) 電磁力平衡式計量装置
JP2002033262A (ja) 荷電粒子線露光装置の磁気シールド方法
JP2003068603A (ja) 荷電粒子線露光装置
JP2005032505A (ja) 磁気シールド構造及び露光装置
WO2018198222A1 (ja) 露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法
CN203688790U (zh) 软磁极薄带的磁致伸缩与磁性的测量框
Seidler et al. Sensors for waveform control in a Lorentz force based actuator system for turbulence research