JP2014511567A - 磁気シールド用システム - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第1のチャンバと、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第1のチャンバを囲んでいる第2のチャンバと、前記第2のチャンバに配置され、前記第1のチャンバの側面に対向している1組の2つのコイルとを具備し、前記2つのコイルは、共通軸を有するシステム。
[2]前記第2のチャンバは、前記第1のチャンバの側面に対向して配置され、第1の方向で共通軸を有する第1の組の2つのコイルと、前記第1のチャンバの側面に対向して配置され、前記第1の方向にほぼ垂直な第2の方向で共通軸を有する第2の組のコイルと、
前記第1のチャンバの側面に対向して配置され、前記第1の方向及び前記第2の方向にほぼ垂直な第3の方向で共通軸を有する第3の組のコイルとを囲んでいる[1]のシステム。
[3]前記共通軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと、前記第2のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第1のチャンバの前記最も近い壁との間の距離よりも小さい[1]又は[2]のシステム。
[4]前記コイルと前記第1のチャンバの前記最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第2のチャンバの前記最も近い壁との間の距離の少なくとも2倍である[3]のシステム。
[5]前記コイルは、前記第2のチャンバの壁に近接して配置されている[1]ないし[4]のいずれか1のシステム。
[6]前記第1のチャンバの全ての壁が、前記第2のチャンバの少なくとも1つの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている[1]ないし[4]のいずれか1のシステム。
[7]前記第1のチャンバの全ての壁が、前記第2のチャンバの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている[1]ないし[6]のいずれか1の装置。
[8]前記磁気シールド材料は、約300,000よりも大きな比透磁率を有する材料を含む[1]ないし[7]のいずれか1のシステム。
[9]前記材料は、ミューメタルである[8]のシステム。
[10]前記第1のチャンバには、消磁構成体が設けられている[1]ないし[9]のいずれか1のシステム。
[11]前記第2のチャンバには、消磁構成体が設けられている[1]ないし[10]のいずれか1のシステム。
[12]前記消磁構成体は、少なくとも1つの消磁コイルを有する[10]又は[11]のシステム。
[13]前記第1のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状である[1]ないし[12]のいずれか1のシステム。
[14]前記第1のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも1つの磁場センサをさらに具備する[1]ないし[13]のいずれか1のシステム。
[15]前記第2のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも1つのさらなる磁場センサを具備する[1]ないし[14]のいずれか1のシステム。
[16]前記第1のチャンバには、前記第2のチャンバで基板支持構造体に設けられた処理される基板に晒される前記リソグラフィ装置から生じる放射線を与えるための開口が設けられ、前記少なくとも1つのさらなる磁場センサは、前記第1のチャンバと、前記開口に近接している前記支持構造体との間に配置されている[15]のシステム。
[17]前記少なくとも1つの磁場センサと前記少なくとも1つのさらなる磁場センサとの少なくとも一方によって与えられる情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するための制御システムをさらに具備する[14]ないし[16]のいずれか1のシステム。
[18]前記荷電粒子リソグラフィシステムは、少なくとも1つの荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、前記ターゲットを支持するための可動装置と、前記パターンで前記ターゲットに前記少なくとも1つのビームの転写を可能にするためのパターニング装置とを具備する[1]ないし[17]のいずれか1の装置。
[19]前記第1のチャンバは、前記荷電粒子源及び前記パターニング装置を囲んでおり、前記可動装置は、前記第1のチャンバの外部に位置され、前記第1のチャンバには、前記可動装置に面している側面に開口が設けられている[18]のシステム。
[20]前記第1のチャンバと前記第2のチャンバとの少なくとも一方には、取り外し可能に取着可能なドアが設けられ、前記ドアは、少なくとも1つの接続バーによって取着可能である[1]ないし[19]のいずれか1のシステム。
[21]前記少なくとも1つの接続バーは、中空である[20]のシステム。
[22]前記少なくとも1つの接続バーは、それぞれのチャンバの内側で前記ドアに取着するための少なくとも1つの内側バーと、それぞれのチャンバの外側で前記ドアに取着するための少なくとも1つの外側バーとを有し、前記少なくとも1つの内側バー及び前記少なくとも1つの外側バーには、これの対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔が設けられ、前記少なくとも1つの内側バーと前記少なくとも1つの外側バーとは、前記外側バーの互いにアライメントされた2つの孔を通って、及び前記内側バーの対応する互いにアライメントされた孔を通って延びた接続要素を使用して、前記少なくとも1つの外側バーへの前記少なくとも1つの外側バーの接続によって互いに接続されている[20]又は[21]のシステム。
[23]前記内側バーの前記互いにアライメントされた孔の数は、前記外側バーの前記互いにアライメントされた孔の数よりも多い[22]のシステム。
[24]前記接続要素は、ボルトであり、前記接続は、ナットを使用して固定される[22]又は[23]のシステム。
[25]少なくとも1つのばね要素が、前記バーと前記ドアとの間に設けられている[20]ないし[24]のいずれか1のシステム。
Claims (25)
- 荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、
磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第1のチャンバと、
磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第1のチャンバを囲んでいる第2のチャンバと、
前記第2のチャンバに配置され、前記第1のチャンバの側面に対向している1組の2つのコイルとを具備し、前記2つのコイルは、共通軸を有するシステム。 - 前記第2のチャンバは、
前記第1のチャンバの側面に対向して配置され、第1の方向で共通軸を有する第1の組の2つのコイルと、
前記第1のチャンバの側面に対向して配置され、前記第1の方向にほぼ垂直な第2の方向で共通軸を有する第2の組のコイルと、
前記第1のチャンバの側面に対向して配置され、前記第1の方向及び前記第2の方向にほぼ垂直な第3の方向で共通軸を有する第3の組のコイルとを囲んでいる請求項1のシステム。 - 前記共通軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと、前記第2のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第1のチャンバの前記最も近い壁との間の距離よりも小さい請求項1又は2のシステム。
- 前記コイルと前記第1のチャンバの前記最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第2のチャンバの前記最も近い壁との間の距離の少なくとも2倍である請求項3のシステム。
- 前記コイルは、前記第2のチャンバの壁に近接して配置されている請求項1ないし4のいずれか1のシステム。
- 前記第1のチャンバの全ての壁が、前記第2のチャンバの少なくとも1つの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている請求項1ないし5のいずれか1のシステム。
- 前記第1のチャンバの全ての壁が、前記第2のチャンバの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている請求項1ないし6のいずれか1の装置。
- 前記磁気シールド材料は、約300,000よりも大きな比透磁率を有する材料を含む請求項1ないし7のいずれか1のシステム。
- 前記材料は、ミューメタルである請求項8のシステム。
- 前記第1のチャンバには、消磁構成体が設けられている請求項1ないし9のいずれか1のシステム。
- 前記第2のチャンバには、消磁構成体が設けられている請求項1ないし10のいずれか1のシステム。
- 前記消磁構成体は、少なくとも1つの消磁コイルを有する請求項10又は11のシステム。
- 前記第1のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状である請求項1ないし12のいずれか1のシステム。
- 前記第1のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも1つの磁場センサをさらに具備する請求項1ないし13のいずれか1のシステム。
- 前記第2のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも1つのさらなる磁場センサを具備する請求項1ないし14のいずれか1のシステム。
- 前記第1のチャンバには、前記第2のチャンバで基板支持構造体に設けられた処理される基板に晒される前記リソグラフィ装置から生じる放射線を与えるための開口が設けられ、
前記少なくとも1つのさらなる磁場センサは、前記第1のチャンバと、前記開口に近接している前記支持構造体との間に配置されている請求項15のシステム。 - 前記少なくとも1つの磁場センサと前記少なくとも1つのさらなる磁場センサとの少なくとも一方によって与えられる情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するための制御システムをさらに具備する請求項14ないし16のいずれか1のシステム。
- 前記荷電粒子リソグラフィシステムは、
少なくとも1つの荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、
前記ターゲットを支持するための可動装置と、
前記パターンで前記ターゲットに前記少なくとも1つのビームの転写を可能にするためのパターニング装置とを具備する請求項1ないし17のいずれか1の装置。 - 前記第1のチャンバは、前記荷電粒子源及び前記パターニング装置を囲んでおり、
前記可動装置は、前記第1のチャンバの外部に位置され、
前記第1のチャンバには、前記可動装置に面している側面に開口が設けられている請求項18のシステム。 - 前記第1のチャンバと前記第2のチャンバとの少なくとも一方には、取り外し可能に取着可能なドアが設けられ、前記ドアは、少なくとも1つの接続バーによって取着可能である請求項1ないし19のいずれか1のシステム。
- 前記少なくとも1つの接続バーは、中空である請求項20のシステム。
- 前記少なくとも1つの接続バーは、それぞれのチャンバの内側で前記ドアに取着するための少なくとも1つの内側バーと、それぞれのチャンバの外側で前記ドアに取着するための少なくとも1つの外側バーとを有し、前記少なくとも1つの内側バー及び前記少なくとも1つの外側バーには、これの対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔が設けられ、前記少なくとも1つの内側バーと前記少なくとも1つの外側バーとは、前記外側バーの互いにアライメントされた2つの孔を通って、及び前記内側バーの対応する互いにアライメントされた孔を通って延びた接続要素を使用して、前記少なくとも1つの外側バーへの前記少なくとも1つの外側バーの接続によって互いに接続されている請求項20又は21のシステム。
- 前記内側バーの前記互いにアライメントされた孔の数は、前記外側バーの前記互いにアライメントされた孔の数よりも多い請求項22のシステム。
- 前記接続要素は、ボルトであり、前記接続は、ナットを使用して固定される請求項22又は23のシステム。
- 少なくとも1つのばね要素が、前記バーと前記ドアとの間に設けられている請求項20ないし24のいずれか1のシステム。
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---|---|---|---|---|
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JP2014209521A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-11-06 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、描画装置および物品の製造方法 |
JP2015033162A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | キヤノン株式会社 | 駆動装置、荷電粒子線照射装置、リソグラフィ装置 |
TWI674620B (zh) * | 2013-12-13 | 2019-10-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 真空磁性遮蔽容器的構造 |
CN104298299B (zh) * | 2014-09-29 | 2015-10-07 | 江汉大学 | 磁场精密补偿、调节系统及其构建方法 |
US9952255B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-04-24 | Texas Instruments Incorporated | Magnetically shielded probe card |
CN106937475A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置 |
TWI670502B (zh) * | 2018-10-25 | 2019-09-01 | 廣達電腦股份有限公司 | 訊號測試系統及其電波暗室 |
CN110993252B (zh) * | 2019-12-25 | 2020-10-30 | 哈尔滨工业大学 | 分布式退磁线圈系统、屏蔽装置及退磁方法 |
CN110970191B (zh) | 2019-12-25 | 2021-09-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种多层屏蔽装置的退磁方法 |
CN110958830B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-09-24 | 中国船舶重工集团有限公司第七一0研究所 | 一种复合式环境干扰磁场屏蔽系统 |
CN111554470B (zh) * | 2020-05-15 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 消磁装置及半导体加工设备 |
JP2023533500A (ja) * | 2020-07-09 | 2023-08-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 調節可能な形状トリムコイル |
JP2023541910A (ja) * | 2020-09-18 | 2023-10-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 磁場を用いるプラズマ放電の不均一性制御 |
CN114823045B (zh) * | 2022-04-28 | 2024-01-05 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | 一种磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04370638A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Jeol Ltd | 外部磁界の消去装置 |
JP2002217091A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP2002324997A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 磁気シールドルーム |
US20030038243A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-02-27 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam (CPB) optical systems, and CPB Microlithography systems comprising same, that cancel external magnetic fields |
JP2004079603A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Nikon Corp | 磁気シールド解析手法、磁気シールド解析プログラム及び荷電粒子線露光装置の設計手法 |
JP2006209980A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 電子線露光装置 |
JP2006287015A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置 |
JP2010027993A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Ricoh Co Ltd | 電子線描画装置 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3235124A (en) * | 1963-09-30 | 1966-02-15 | Paul H Kuever | Multiple point, quick operating fastener means |
SU856037A1 (ru) * | 1979-11-06 | 1981-08-15 | Минское Производственное Объединение "Горизонт" | Система магнитного экранировани масочного кинескопа |
US4779707A (en) * | 1986-07-29 | 1988-10-25 | Montgomery Elevator Company | Modular elevator cab construction |
US4948922A (en) * | 1988-09-15 | 1990-08-14 | The Pennsylvania State University | Electromagnetic shielding and absorptive materials |
JPH0744143B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1995-05-15 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置の外部磁気補正方法 |
US5073744A (en) * | 1989-05-01 | 1991-12-17 | Interstate Electronics Corp. | Method and apparatus for dynamic magnetic field neutralization |
US4963789A (en) * | 1989-05-01 | 1990-10-16 | Conrac Scd, Inc. | Method and apparatus for dynamic magnetic field neutralization |
US5032792A (en) | 1990-04-05 | 1991-07-16 | United States Of America | Electromagnetic coil array having three orthogonally related coil pairs for use as Helmholtz and Degaussing coils |
US5225999A (en) * | 1990-07-06 | 1993-07-06 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Magnetic environment stabilization for effective operation of magnetically sensitive instruments |
US5355650A (en) * | 1993-04-28 | 1994-10-18 | Agar Robert S | Batten mounting system |
US5367221A (en) * | 1993-05-28 | 1994-11-22 | Barco N. V. | Magnetic immunity system (MIS) and monitor incorporating the MIS |
US5473221A (en) * | 1994-11-18 | 1995-12-05 | Hughes Aircraft Company | Bucking field system and method for mitigating the effects of an external magnetic field on a cathode ray tube display |
US5639150A (en) * | 1995-09-22 | 1997-06-17 | Amco Engineering Co. | Electronic component enclosure and method |
US5938302A (en) * | 1995-09-22 | 1999-08-17 | Amco Engineering Co. | Multiple enclosures and method |
US5749178A (en) * | 1996-08-06 | 1998-05-12 | Garmong; Victor H. | Shielded enclosure |
DE19718649A1 (de) | 1997-05-02 | 1998-11-05 | Peter Heiland | Vorrichtung und Verfahren zur aktiven Kompensation magnetischer und elektromagnetischer Störfelder |
TW530189B (en) * | 1998-07-01 | 2003-05-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus for imaging of a mask pattern and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
US6115885A (en) * | 1998-07-27 | 2000-09-12 | Hewlett-Packard Company | Twisted hinge |
US6437347B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Target locking system for electron beam lithography |
US20050145662A1 (en) * | 1999-06-18 | 2005-07-07 | Let's Go Aero, Inc. | Equipment and cargo carrier systems |
US6269008B1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-07-31 | Lucent Technologies Inc. | Multi-walled electromagnetic interference shield |
JP2001284239A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
US6415558B1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-07-09 | Autoquip Corporation | Tornado shelter |
JP2002033262A (ja) | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の磁気シールド方法 |
JP2002170764A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法 |
US20020153495A1 (en) * | 2001-04-21 | 2002-10-24 | Nikon Corporation. | Magnetically shielded enclosures for housing charged-particle-beam systems |
US6966325B2 (en) * | 2002-09-20 | 2005-11-22 | Advanced Neuromodulation Systems, Inc. | Method for manipulating dosage control apparatus |
US7038450B2 (en) * | 2002-10-16 | 2006-05-02 | Trustees Of Princeton University | High sensitivity atomic magnetometer and methods for using same |
TWI300308B (en) | 2002-10-25 | 2008-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system |
EP3671804A1 (en) | 2002-10-30 | 2020-06-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron beam exposure system |
US7129502B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-10-31 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for generating a plurality of beamlets |
US20070010702A1 (en) * | 2003-04-08 | 2007-01-11 | Xingwu Wang | Medical device with low magnetic susceptibility |
US8065846B2 (en) * | 2003-04-17 | 2011-11-29 | Mcdonald Frank | Modular building panels, method of assembly of building panels and method of making building panels |
ATE524822T1 (de) | 2003-05-28 | 2011-09-15 | Mapper Lithography Ip Bv | Belichtungsverfahren für strahlen aus geladenen teilchen |
US20090265972A1 (en) * | 2006-03-15 | 2009-10-29 | Cherng Chang | Sheet holders |
US7521687B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-04-21 | Tokyo Electron Limited | Static electricity deflecting device, electron beam irradiating apparatus, substrate processing apparatus, substrate processing method and method of manufacturing substrate |
DE102008035297B4 (de) * | 2007-07-31 | 2017-08-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Aberrationskorrektureinrichtung für Ladungsteilchenstrahlen in einem optischen System einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung und Ladungsteilchenstrahlvorrichtung mit der Aberrationskorrektureinrichtung |
WO2009055930A1 (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods, and apparatus for combined superconducting magnetic shielding and radiation shielding |
WO2009099972A2 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | D-Wave Systems Inc. | Magnetic vacuum systems and devices for use with superconducting-based computing systems |
EP2399270B1 (en) | 2009-02-22 | 2013-06-12 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle lithography apparatus |
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Patent Citations (8)
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JPH04370638A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Jeol Ltd | 外部磁界の消去装置 |
JP2002217091A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP2002324997A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 磁気シールドルーム |
US20030038243A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-02-27 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam (CPB) optical systems, and CPB Microlithography systems comprising same, that cancel external magnetic fields |
JP2004079603A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Nikon Corp | 磁気シールド解析手法、磁気シールド解析プログラム及び荷電粒子線露光装置の設計手法 |
JP2006209980A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 電子線露光装置 |
JP2006287015A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置 |
JP2010027993A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Ricoh Co Ltd | 電子線描画装置 |
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