JPH0744143B2 - 電子線描画装置の外部磁気補正方法 - Google Patents
電子線描画装置の外部磁気補正方法Info
- Publication number
- JPH0744143B2 JPH0744143B2 JP63235282A JP23528288A JPH0744143B2 JP H0744143 B2 JPH0744143 B2 JP H0744143B2 JP 63235282 A JP63235282 A JP 63235282A JP 23528288 A JP23528288 A JP 23528288A JP H0744143 B2 JPH0744143 B2 JP H0744143B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- magnetic field
- external magnetic
- correction
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子線描画装置の設置場所における外部磁場の
影響を補正するに好適な方法に関する。
影響を補正するに好適な方法に関する。
従来，電子線描画装置の設備環境に関する外部磁場の規
定はあったが，問題になる程の影響は無く，外部磁場を
補正するという公知例は見当らなかった。
定はあったが，問題になる程の影響は無く，外部磁場を
補正するという公知例は見当らなかった。
電子線描画装置は半導体デバイスの加工に用いられる
が，最近は集積度が高くなり最先端の品種では加工線巾
は0.5μｍか要求されている。この場合パターンの位置
精度は0.1μｍが要求されもし磁場変動が5mG以上ある場
合は位置精度0.1μｍを維持することが困難になってく
る。このような場合加工精度の低下を防ぐためには，パ
ーマロイ等の高透磁材料で電子線描画装置をカバーする
か，高透磁材料で電子線描画装置を設置する部屋を製作
しなければならなくなり，費用が嵩むという問題があっ
た。
が，最近は集積度が高くなり最先端の品種では加工線巾
は0.5μｍか要求されている。この場合パターンの位置
精度は0.1μｍが要求されもし磁場変動が5mG以上ある場
合は位置精度0.1μｍを維持することが困難になってく
る。このような場合加工精度の低下を防ぐためには，パ
ーマロイ等の高透磁材料で電子線描画装置をカバーする
か，高透磁材料で電子線描画装置を設置する部屋を製作
しなければならなくなり，費用が嵩むという問題があっ
た。
本発明の目的は、簡単な方法で外部磁場の影響を低減す
ることにある。
ることにある。
上記目的は、電子線描画装置の外部磁場を検出し、前記
電子線描画装置の電子線通路の外側を巻回するコイル
に、検出した外部磁場の影響の補正磁場を発生する方向
の電流を供給する電子線描画装置の外部磁気補正方法に
おいて、前記電子線が照射される固体表面における前記
外部磁場の変動に伴う偏向量を求め、該偏向量を補正す
るように前記補正磁場を発生する方向の電流を出力する
前記外部磁場補正装置の制御利得を調整することにより
達成される。
電子線描画装置の電子線通路の外側を巻回するコイル
に、検出した外部磁場の影響の補正磁場を発生する方向
の電流を供給する電子線描画装置の外部磁気補正方法に
おいて、前記電子線が照射される固体表面における前記
外部磁場の変動に伴う偏向量を求め、該偏向量を補正す
るように前記補正磁場を発生する方向の電流を出力する
前記外部磁場補正装置の制御利得を調整することにより
達成される。
電子線描画装置の電子銃から描画対象である固体表面に
至る例えば電子レンズ、コンデンサ、ケーシングを含む
電子線の通路はパーマロイ、鉄等の高透磁材料で構成さ
れている。この電子線通路は見掛け上大きな棒磁石てあ
り、外部磁場が加わると電子線通路そのものの固有磁場
が変動し、電子線の固体表面への照射位置が変動する。
至る例えば電子レンズ、コンデンサ、ケーシングを含む
電子線の通路はパーマロイ、鉄等の高透磁材料で構成さ
れている。この電子線通路は見掛け上大きな棒磁石てあ
り、外部磁場が加わると電子線通路そのものの固有磁場
が変動し、電子線の固体表面への照射位置が変動する。
外部磁場を検出し外部磁場の変動による電子線の回転量
と、補正コイルに電流を流しそれによる電子線の回転量
を求め、外部磁場の変動による電子線の回転量と補正電
流による回転量が一致するように、補正電流を制御する
外部磁場補正装置の制御利得を調整することにより、外
部磁場の影響を補正して電子線通路内の固有磁場を一定
にし、電子線の照射位置の変動を防止することができ
る。
と、補正コイルに電流を流しそれによる電子線の回転量
を求め、外部磁場の変動による電子線の回転量と補正電
流による回転量が一致するように、補正電流を制御する
外部磁場補正装置の制御利得を調整することにより、外
部磁場の影響を補正して電子線通路内の固有磁場を一定
にし、電子線の照射位置の変動を防止することができ
る。
本発明の実施例を図や表を用いて説明する。
第４図に電子線描画装置の構成を示す。電子銃１から放
射された電子線３は電子レンズ２と電子絞り４により所
望の電流密度と形状に制御されてマスク基板７上に照射
される。ステージ９の移動はコンピュータ16から目標位
置がステージ制御系15に与えられレーザ干渉測長計14で
位置を検出することによりサーボモータ13を制御して行
なわれる。電子線３は偏向制御系17と偏向器５によって
マスク基板７上の所望の位置に照射される。
射された電子線３は電子レンズ２と電子絞り４により所
望の電流密度と形状に制御されてマスク基板７上に照射
される。ステージ９の移動はコンピュータ16から目標位
置がステージ制御系15に与えられレーザ干渉測長計14で
位置を検出することによりサーボモータ13を制御して行
なわれる。電子線３は偏向制御系17と偏向器５によって
マスク基板７上の所望の位置に照射される。
第５図に外部磁場の変動による電子線位置の変動量を示
す。電子線位置の変動量は標準マーク８の位置を検出し
て計測することが出来る。外部磁場の変動による電子線
位置の変動量は10mGに対して約0.1μｍであり，この量
は電子線３のエネルギ及び第１図の電子線カラム24の構
造等による。
す。電子線位置の変動量は標準マーク８の位置を検出し
て計測することが出来る。外部磁場の変動による電子線
位置の変動量は10mGに対して約0.1μｍであり，この量
は電子線３のエネルギ及び第１図の電子線カラム24の構
造等による。
第３図に外部磁場の変動による電子線位置の変動方向を
示す。変動方向は電子線位置が固体表面の中心を軸支と
する回転成分が主たるもので，その理由はフレミングの
左手の法則により，電子線カラム24の軸方向に作用する
人指指方向の外部磁場が電子線カラム24の軸方向と直交
する方向に走査している中指指方向の電子線に同じ平面
で直交する方向に中指指方向の力が働き，電子線が移動
する方向が上記の回転成分となるからである。
示す。変動方向は電子線位置が固体表面の中心を軸支と
する回転成分が主たるもので，その理由はフレミングの
左手の法則により，電子線カラム24の軸方向に作用する
人指指方向の外部磁場が電子線カラム24の軸方向と直交
する方向に走査している中指指方向の電子線に同じ平面
で直交する方向に中指指方向の力が働き，電子線が移動
する方向が上記の回転成分となるからである。
第１図に本発明の実施例の構成を示す。磁気センサ19は
電子線描画装置から離れた位置に置かれ，外部磁場補正
装置20に接続されている。外部磁場補正装置20は定電流
装置21に接続され，定電流装置21は電子線カラム24の外
側で電子線が拡がる固体表面側の電子レンズ部を巻回す
る補正コイル22に接続されている。
電子線描画装置から離れた位置に置かれ，外部磁場補正
装置20に接続されている。外部磁場補正装置20は定電流
装置21に接続され，定電流装置21は電子線カラム24の外
側で電子線が拡がる固体表面側の電子レンズ部を巻回す
る補正コイル22に接続されている。
第２図に本発明の実施例の動作を示す。磁気センサ19が
外部磁場を検出すると，外部磁場補正装置20に入力さ
れ，外部磁場補正装置20は定電流装置21を制御する制御
信号を出力する。その制御信号により定電流装置21は補
正コイル22に外部磁場の影響を補正する磁場を発生する
定電流の直流電流を供給する。これにより補正コイル22
は外部磁場の影響を補正する磁場を発生し，この磁場が
電子線カラム24内の電子線に働き上記のように外部磁場
によって回転した電子線位置を元の位置に戻す補正をす
る。
外部磁場を検出すると，外部磁場補正装置20に入力さ
れ，外部磁場補正装置20は定電流装置21を制御する制御
信号を出力する。その制御信号により定電流装置21は補
正コイル22に外部磁場の影響を補正する磁場を発生する
定電流の直流電流を供給する。これにより補正コイル22
は外部磁場の影響を補正する磁場を発生し，この磁場が
電子線カラム24内の電子線に働き上記のように外部磁場
によって回転した電子線位置を元の位置に戻す補正をす
る。
次に電子線の回転量ΔＲを求める方法について述べる。
一般に電子線描画装置は第１図のように標準マーク８と
レーザ干渉測長計14を備えている。標準マーク８を第３
図のように規則正しく一定間隔で移動し，マークのある
べき位置はレーザ干渉測長計14で0.01μｍ単位で精度良
く求めることができる。更に標準マーク８上で電子線を
走査すると，実際に標準マーク８が電子線走査によって
見つかった位置が求められる。本来標準マーク８が在る
べき位置と電子線走査によって見つかった位置の差から
電子線偏向に伴う回転量ΔＲが第３図のように求まる。
一般に電子線描画装置は第１図のように標準マーク８と
レーザ干渉測長計14を備えている。標準マーク８を第３
図のように規則正しく一定間隔で移動し，マークのある
べき位置はレーザ干渉測長計14で0.01μｍ単位で精度良
く求めることができる。更に標準マーク８上で電子線を
走査すると，実際に標準マーク８が電子線走査によって
見つかった位置が求められる。本来標準マーク８が在る
べき位置と電子線走査によって見つかった位置の差から
電子線偏向に伴う回転量ΔＲが第３図のように求まる。
外部磁場の変動に対する電子線の補正は，次のようにし
て行う。始めに磁気センサ19,外部磁場補正装置20によ
り外部磁場を計測し，同時に電子線偏向の回転量ΔＲを
求め，ある時間経過後に再び外部磁場を計測し，同時に
電子線偏向の回転量ΔＲを求める。次に外部磁場の差と
回転量ΔＲの差から外部磁場の変動量と回転量ΔＲの関
係を取り扱う数値が極めて小さいのでコンピュータを用
いて求める。一方補正コイル22に電流を流しそれによる
電子線補正の回転量ΔＲを求める。そして外部磁場の変
動による電子線の回転量ΔＲと補正による回転量ΔＲが
一致するように，即ち外部磁場の変動量と補正のために
補正コイル22に流す電流との関係が対応するように外部
磁場補正装置20の制御利得を調整する。
て行う。始めに磁気センサ19,外部磁場補正装置20によ
り外部磁場を計測し，同時に電子線偏向の回転量ΔＲを
求め，ある時間経過後に再び外部磁場を計測し，同時に
電子線偏向の回転量ΔＲを求める。次に外部磁場の差と
回転量ΔＲの差から外部磁場の変動量と回転量ΔＲの関
係を取り扱う数値が極めて小さいのでコンピュータを用
いて求める。一方補正コイル22に電流を流しそれによる
電子線補正の回転量ΔＲを求める。そして外部磁場の変
動による電子線の回転量ΔＲと補正による回転量ΔＲが
一致するように，即ち外部磁場の変動量と補正のために
補正コイル22に流す電流との関係が対応するように外部
磁場補正装置20の制御利得を調整する。
このようにして，外部磁場の変動に対し精度良く電子線
照射位置を保持することが出来る。一般に外部磁場はX,
Y,Z軸方向のベクトルとして存在するが本発明に於いて
は電子線カラム24の軸方向に補正をすれば良いのが特徴
である。
照射位置を保持することが出来る。一般に外部磁場はX,
Y,Z軸方向のベクトルとして存在するが本発明に於いて
は電子線カラム24の軸方向に補正をすれば良いのが特徴
である。
本発明によれば、外部磁場の変動を検出しそれを打ち消
す磁場を発生させるための補正電流を制御する外部磁場
補正装置の制御利得を調整することにより、簡単な方法
で外部磁場の影響を低減し正確な描画ができる効果があ
る。
す磁場を発生させるための補正電流を制御する外部磁場
補正装置の制御利得を調整することにより、簡単な方法
で外部磁場の影響を低減し正確な描画ができる効果があ
る。
第１図は本発明の実施例に係る装置の構成図、第２図は
本発明の実施例に係る装置の作動を示す説明図、第３図
は本発明の実施例に係る電子線の回転量を示すの説明
図、第４図は従来の電子線描画装置の構成図，第５図は
外部磁場の変動を示す図表である。 １…電子銃,2…電子レンズ,3…電子線,4…電子絞り,5…
偏向器,7…マスク基板,8…標準マーク,9…ステージ,19
…磁気センサ,20…外部磁場補正装置,21…定電流装置,2
2…補正コイル,23…電子線偏向形状,24…電子線カラム
本発明の実施例に係る装置の作動を示す説明図、第３図
は本発明の実施例に係る電子線の回転量を示すの説明
図、第４図は従来の電子線描画装置の構成図，第５図は
外部磁場の変動を示す図表である。 １…電子銃,2…電子レンズ,3…電子線,4…電子絞り,5…
偏向器,7…マスク基板,8…標準マーク,9…ステージ,19
…磁気センサ,20…外部磁場補正装置,21…定電流装置,2
2…補正コイル,23…電子線偏向形状,24…電子線カラム
Claims (1)
- 【請求項１】電子線描画装置の外部磁場を検出し、前記
電子線描画装置の電子線通路の外側を巻回するコイル
に、検出した外部磁場の影響の補正磁場を発生する方向
の電流を供給する電子線描画装置の外部磁気補正方法に
おいて、 前記電子線が照射される固体表面における前記外部磁場
の変動に伴う偏向量を求め、該偏向量を補正するように
前記補正磁場を発生する方向の電流を出力する前記外部
磁場補正装置の制御利得を調整することを特徴とする電
子線描画装置の外部磁気補正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235282A JPH0744143B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 電子線描画装置の外部磁気補正方法 |
| US07/406,539 US4973849A (en) | 1988-09-20 | 1989-09-13 | Electron beam lithography apparatus having external magnetic field correcting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235282A JPH0744143B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 電子線描画装置の外部磁気補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282612A JPH0282612A (ja) | 1990-03-23 |
| JPH0744143B2 true JPH0744143B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16983792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63235282A Expired - Lifetime JPH0744143B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 電子線描画装置の外部磁気補正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973849A (ja) |
| JP (1) | JPH0744143B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663568A (en) * | 1995-10-20 | 1997-09-02 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus for controlling a charged particle beam and a lithographic process in which the apparatus is used |
| US20020117969A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-08-29 | Nikon Corporation | Magnetic shielding devices and methods involving active cancellation of external magnetic fields at the column of a charged-particle-beam optical system |
| US6803584B2 (en) * | 2002-02-15 | 2004-10-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electron beam control device |
| DE102004048892A1 (de) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Korpuskularstrahleinrichtung und Verfahren zur Beleuchtung mit einem Korpuskularstrahl |
| JP5001661B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2012-08-15 | 株式会社クレステック | 電子ビーム記録装置 |
| RU2558646C2 (ru) * | 2011-02-16 | 2015-08-10 | МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. | Система для магнитного экранирования |
| DE102014100005A1 (de) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Amo Gmbh | Beschichtung aus Resist auf ein Substrat für ultrahochauflösende Lithographie |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699304A (en) * | 1969-12-15 | 1972-10-17 | Ibm | Electron beam deflection control method and apparatus |
| US3984687A (en) * | 1975-03-17 | 1976-10-05 | International Business Machines Corporation | Shielded magnetic lens and deflection yoke structure for electron beam column |
| JPS52136578A (en) * | 1976-05-12 | 1977-11-15 | Toshiba Corp | Electron beam exposure apparatus |
| JPS5398781A (en) * | 1976-11-25 | 1978-08-29 | Jeol Ltd | Electron ray exposure unit |
| US4084095A (en) * | 1977-02-14 | 1978-04-11 | Burroughs Corporation | Electron beam column generator for the fabrication of semiconductor devices |
| JPS5412675A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Jeol Ltd | Electon beam exposure method |
| JPS5693318A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS56103420A (en) * | 1980-01-23 | 1981-08-18 | Hitachi Ltd | Compensating method for deflection distortion in charged particle beam apparatus |
| JPS5961134A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| GB2164202A (en) * | 1984-09-05 | 1986-03-12 | Philips Electronic Associated | Charged particle beam apparatus |
| US4661712A (en) * | 1985-05-28 | 1987-04-28 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence |
| GB2192092A (en) * | 1986-06-25 | 1987-12-31 | Philips Electronic Associated | Magnetic lens system |
| US4845370A (en) * | 1987-12-11 | 1989-07-04 | Radiation Dynamics, Inc. | Magnetic field former for charged particle beams |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63235282A patent/JPH0744143B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-09-13 US US07/406,539 patent/US4973849A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4973849A (en) | 1990-11-27 |
| JPH0282612A (ja) | 1990-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0297247B1 (en) | Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table | |
| EP1045427B1 (en) | Target locking system for electron beam lithography | |
| JPH0744143B2 (ja) | 電子線描画装置の外部磁気補正方法 | |
| US4380703A (en) | Method and device for the regulation of a magnetic deflection system | |
| JPH0324771B2 (ja) | ||
| US4443704A (en) | Method of electron beam exposure | |
| US5793052A (en) | Dual stage following method and apparatus | |
| US6472777B1 (en) | Capacitive sensor calibration method and apparatus for opposing electro-magnetic actuators | |
| JPH0760657B2 (ja) | 電子線露光装置 | |
| EP0378678B1 (en) | Electromagnetic bearings | |
| JPH047088B2 (ja) | ||
| JPS60254615A (ja) | 電子ビーム露光における温度測定方法 | |
| JPH065246A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びその制御方法 | |
| JP2786660B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH04303918A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JPS6221216A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH05304080A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2786662B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPS6313337B2 (ja) | ||
| JPH07107893B2 (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JPH04116915A (ja) | 描画ビーム径調整方法 | |
| JPH0936022A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH04209002A (ja) | 制御回路 | |
| JPH0287516A (ja) | 電子線描画装置の位置制御方法 | |
| JPH10242025A (ja) | 可変面積型電子ビーム描画方法 |