RU2010134024A - Способ изготовления термоэлектрического элемента и термоэлектрический элемент - Google Patents

Способ изготовления термоэлектрического элемента и термоэлектрический элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2010134024A
RU2010134024A RU2010134024/28A RU2010134024A RU2010134024A RU 2010134024 A RU2010134024 A RU 2010134024A RU 2010134024/28 A RU2010134024/28 A RU 2010134024/28A RU 2010134024 A RU2010134024 A RU 2010134024A RU 2010134024 A RU2010134024 A RU 2010134024A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
contact material
type semiconductor
welded
semiconductor
thermoelectric element
Prior art date
Application number
RU2010134024/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2475889C2 (ru
Inventor
Ян КЕНИГ (DE)
Ян КЕНИГ
Уве ФЕТТЕР (DE)
Уве ФЕТТЕР
Карстен МАТАЙС (DE)
Карстен МАТАЙС
Original Assignee
Фраунхофер-Гезелльшафт цур Фердерунг дер ангевандтен Форшунг э.ф. (DE)
ФРАУНХОФЕР-ГЕЗЕЛЛЬШАФТ ЦУР ФЕРДЕРУНГ ДЕР АНГЕВАНДТЕН ФОРШУНГ э.ф.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фраунхофер-Гезелльшафт цур Фердерунг дер ангевандтен Форшунг э.ф. (DE), ФРАУНХОФЕР-ГЕЗЕЛЛЬШАФТ ЦУР ФЕРДЕРУНГ ДЕР АНГЕВАНДТЕН ФОРШУНГ э.ф. filed Critical Фраунхофер-Гезелльшафт цур Фердерунг дер ангевандтен Форшунг э.ф. (DE)
Publication of RU2010134024A publication Critical patent/RU2010134024A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2475889C2 publication Critical patent/RU2475889C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления термоэлектрического элемента, по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа, причем оба полупроводника (2, 3) приваривают к электропроводному контактному материалу (4), отличающийся тем, что полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа термопары приваривают к контактному материалу (4) на разных этапах сварки. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметры сварки для сваривания полупроводника (2) n-типа и параметры сварки для сваривания полупроводника (3) p-типа устанавливают независимо друг от друга. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что полупроводники (2, 3) по меньшей мере на одном из своих концов в продольном направлении (L) имеют контактные поверхности, которые приводят в соприкосновение к контактным материалом (4), причем сваривание полупроводника (2) n-типа и/или сваривание полупроводника (3) p-типа происходит на контактной поверхности и/или сбоку от контактной поверхности соответствующего полупроводника (2, 3). ! 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сваривание полупроводника (2) n-типа и/или сваривание полупроводника (3) p-типа происходит по всей контактной поверхности соответствующего полупроводника (2, 3). ! 5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что контактный материал (4) состоит из нескольких слоев предпочтительно разных материалов, которые соединяют друг с другом и/или с соответствующим полупроводником (2, 3) в ходе одного или нескольких этапов сварки. ! 6. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что контактный материал (4) или находящийся на нем слой в физико-химическом отношении реагирует с материалом полупроводника (3) p-типа и/или находяще

Claims (45)

1. Способ изготовления термоэлектрического элемента, по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа, причем оба полупроводника (2, 3) приваривают к электропроводному контактному материалу (4), отличающийся тем, что полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа термопары приваривают к контактному материалу (4) на разных этапах сварки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметры сварки для сваривания полупроводника (2) n-типа и параметры сварки для сваривания полупроводника (3) p-типа устанавливают независимо друг от друга.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что полупроводники (2, 3) по меньшей мере на одном из своих концов в продольном направлении (L) имеют контактные поверхности, которые приводят в соприкосновение к контактным материалом (4), причем сваривание полупроводника (2) n-типа и/или сваривание полупроводника (3) p-типа происходит на контактной поверхности и/или сбоку от контактной поверхности соответствующего полупроводника (2, 3).
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сваривание полупроводника (2) n-типа и/или сваривание полупроводника (3) p-типа происходит по всей контактной поверхности соответствующего полупроводника (2, 3).
5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что контактный материал (4) состоит из нескольких слоев предпочтительно разных материалов, которые соединяют друг с другом и/или с соответствующим полупроводником (2, 3) в ходе одного или нескольких этапов сварки.
6. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что контактный материал (4) или находящийся на нем слой в физико-химическом отношении реагирует с материалом полупроводника (3) p-типа и/или находящегося на нем реакционного слоя и/или с материалом полупроводника (2) n-типа и/или находящегося на нем реакционного слоя, а реакционный слой состоит по меньшей мере из одного из элементов Ta, W, Mo, Nb, Ti, Cr, Pd, V, Pt, Rh, Re, Cu, Ag, Ni, Fe, Co, Al, In, Sn, Pb, Te, Sb, Bi, Se, S, Au, Zn, Si или Ge пo отдельности или в комбинации с другим элементом.
7. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что перед и/или во время соответствующего этапа сварки контактный материал (4) прижимают к свариваемому полупроводнику (2, 3).
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что контактный материал (4) прижимают к свариваемому полупроводнику (2, 3) при помощи по меньшей мере одного сварочного электрода.
9. Способ по любому из пп.1-4 или 8, отличающийся тем, что полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа термопары сваривают с контактным материалом (4) отдельно при помощи контактной сварки.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа термопары сваривают с контактным материалом (4) отдельно при помощи сварки по зазору.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что контактный материал (4) приводят в соприкосновение с соответствующим полупроводником (2, 3), а зазор (BE) щелевого электрода (14), соединяющего контактный материал (4), устанавливают соответственно ширине (B2, B3) привариваемого полупроводника (2, 3).
12. Способ по п.10, отличающийся тем, что контактный материал (4) приводят в соприкосновение с соответствующим полупроводником (2, 3), а зазор (BE) щелевого электрода (14), соединяющего контактный материал (4), устанавливают больше, чем ширина (B2, B3) привариваемого полупроводника (2, 3).
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что контактный материал (4) окружает конец свариваемого полупроводника (2, 3), по меньшей мере частично в радиальном направлении (R) полупроводника (2, 3), а щелевой электрод (14) соединяет контактный материал (4) в радиальном направлении (R) свариваемого полупроводника (2, 3).
14. Способ по п.11 или 12, отличающийся тем, что щелевой электрод (14) соединяет контактный материал (4) в продольном направлении (L) свариваемого проводника (2, 3).
15. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что сварку выполняют в вакууме или в атмосфере защитного газа.
16. Способ по любому из пп.1-4 или 8, отличающийся тем, что полупроводник (2) n-типа и/или полупроводник (3) p-типа термопары сваривают с контактным материалом (4) посредством сварки в защитном газе, предпочтительно сварки металлическим электродом в среде инертного газа, сварки вольфрамовым электродом в среде инертного газа, сварки металлическим электродом в среде активного газа, плазменной сварки или водородной сварки.
17. Способ по любому из пп.1-4 или 8, отличающийся тем, что полупроводник (2) n-типа и/или полупроводник (3) p-типа термопары сваривают с контактным материалом (4) посредством лазерной сварки.
18. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что перед сваркой свариваемые полупроводники (2, 3) и/или контактный материал (4) предварительно нагревают.
19. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что термоэлектрический элемент содержит несколько термопар, причем из имеющихся термопар сначала с контактным материалом (4) сваривают полупроводники (2) n-типа, а затем - соответствующие полупроводники (3) p-типа.
20. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что термоэлектрический элемент содержит несколько термопар, причем из имеющихся термопар сначала с контактным материалом (4) сваривают полупроводники (3) p-типа, а затем - соответствующие полупроводники (2) n-типа.
21. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что термоэлектрический элемент содержит несколько термопар, и с контактным материалом (4) одновременно сваривают все полупроводники (2) n-типа.
22. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что термоэлектрический элемент содержит несколько термопар, и с контактным материалом (4) одновременно сваривают все полупроводники (3) p-типа.
23. Способ по любому из пп.1, 4, 8 или 10-13, отличающийся тем, что полупроводники (2, 3) n-типа и p-типа термопары на одной стороне термоэлектрического элемента электрически соединяют друг с другом посредством контактного материала (4), а на противоположной стороне термоэлектрического элемента полупроводник n-типа (2) названной термопары электрически соединяют с другим соседним полупроводником p-типа, а полупроводник p-типа (3) названной термопары электрически соединяют с другим соседним полупроводником n-типа.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что с контактным материалом (4) одновременно сваривают все полупроводники (2) n-типа одной стороны.
25. Способ по п.23, отличающийся тем, что с контактным материалом (4) одновременно сваривают все полупроводники (3) p-типа одной стороны.
26. Способ по любому из пп.1, 4, 8, 10-13, 24 или 25, отличающийся тем, что с контактным материалом (4) сваривают отдельно, но одновременно все полупроводники (2, 3) n-типа и p-типа.
27. Термоэлектрический элемент, изготовленный в соответствии со способом по любому из пп.1-26, имеющий по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа и сваренную по меньшей мере с одним электропроводным контактным материалом (4).
28. Термоэлектрический элемент по п.27, имеющий по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа, и сваренную по меньшей мере с одним электропроводным контактным материалом (4), отличающийся тем, что электропроводный контактный материал (4) имеет покрытие.
29. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27 или 28, имеющий по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа, и сваренную по меньшей мере с одним электропроводным контактным материалом (4), отличающийся тем, что полупроводники (2, 3) имеют разные размеры.
30. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27 или 28, имеющий по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа, и сваренную по меньшей мере с одним электропроводным контактным материалом (4), отличающийся тем, что электропроводный контактный материал (4) окружает конец приваренного полупроводника (2, 3), по меньшей мере частично в радиальном направлении (R) полупроводника.
31. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27 или 28, имеющий по меньшей мере одну термопару, содержащую полупроводник (2) n-типа и полупроводник (3) p-типа, и сваренную по меньшей мере с одним электропроводным контактным материалом (4), отличающийся тем, что электропроводный контактный материал (4) сварен с контактной поверхностью приваренного полупроводника (2, 3) в продольном направлении (L)полупроводника.
32. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27 или 28, отличающийся тем, что контактный материал (4) состоит из нескольких слоев предпочтительно разных материалов, соединенных друг с другом и/или с соответствующим полупроводником (2, 3).
33. Термоэлектрический элемент по п.32, отличающийся тем, что контактный материал (4) содержит несколько слоев пленок, предпочтительно имеющих покрытие.
34. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28 или 33, отличающийся тем, что электропроводный контактный материал (4) покрыт электропроводным материалом.
35. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28 или 33, отличающийся тем, что контактный материал (4) имеет полоску или провод по меньшей мере из одного из элементов Ta, W, Mo, Nb, Ti, Cr, Pd, V, Pt, Rh, Re, Cu, Ag, Ni, Fe, Co, Al, In, Sn, Pb, Те, Sb, Bi, Se, S, Au, Zn, Si или Ge пo отдельности или в комбинации с одним или несколькими другими элементами и/или покрыт одним из элементов Ta, W, Mo, Nb, Ti, Cr, Pd, V, Pt, Rh, Re, Cu, Ag, Ni, Fe, Co, Al, In, Sn, Pb, Te, Sb, Bi, Se, S, Au, Zn, Si или Ge по отдельности или в комбинации с одним или несколькими другими элементами.
36. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28 или 33, отличающийся тем, что отдельные полупроводники (2, 3) посредством контактного материала (4) электрически соединены последовательно, а термически - параллельно.
37. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28 или 33, отличающийся тем, что термоэлектрический элемент содержит несколько термопар, полупроводники (2, 3) которых посредством контактного материала (4) электрически соединены последовательно, а термически - параллельно.
38. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28 или 33, отличающийся тем, что полупроводники (2, 3) n-типа и p-типа термопары на одной стороне термоэлектрического элемента электрически соединены друг с другом посредством контактного материала (4), а на противоположной стороне термоэлектрического элемента полупроводник n-типа (2) названной термопары электрически соединен с другим соседним полупроводником p-типа, а полупроводник p-типа (3) названной термопары электрически соединен с другим соседним полупроводником n-типа.
39. Термоэлектрический элемент по п.38, отличающийся тем, что с полупроводники (2, 3) сварены с контактным материалом (4) на одной или обеих сторонах термоэлектрического элемента.
40. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28, 33 или 39, отличающийся тем, что между соседними полупроводниками (2, 3) выполнена механическая стабилизация (13).
41. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28, 33 или 39, отличающийся тем, что по меньшей мере один из полупроводников (2, 3) содержит материал на основе халькогенида.
42. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28, 33 или 39, отличающийся тем, что по меньшей один из полупроводников (2, 3) на одном или обоих концах или торцах имеет по крайней мере один дополнительный слой в качестве диффузионного барьера (10) и/или слоя (11) с хорошей адгезией к подложке и/или слоя для снижения переходного сопротивления (9) относительно контактного материала (4).
43. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28, 33 или 39, отличающийся тем, что контактный материал (4) имеет по меньшей мере один дополнительный слой в качестве диффузионного барьера (6, 8) и/или слоя с хорошей адгезией к подложке и/или слоя для снижения переходного сопротивления относительно соответствующего полупроводника (2, 3).
44. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28, 33 или 39, отличающийся тем, что он выполнен механически гибким.
45. Термоэлектрический элемент по любому из пп.27, 28, 33 или 39, отличающийся тем, что он представляет собой термоэлектрический генератор или элемент Пельтье, или датчик.
RU2010134024/28A 2008-01-23 2008-12-10 Способ изготовления термоэлектрического элемента и термоэлектрический элемент RU2475889C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008005694.4 2008-01-23
DE200810005694 DE102008005694B4 (de) 2008-01-23 2008-01-23 Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Bauelementes
PCT/EP2008/010480 WO2009092421A2 (de) 2008-01-23 2008-12-10 Verfahren zur herstellung eines thermoelektrischen bauelementes und thermoelektrisches bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010134024A true RU2010134024A (ru) 2012-02-27
RU2475889C2 RU2475889C2 (ru) 2013-02-20

Family

ID=40668199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010134024/28A RU2475889C2 (ru) 2008-01-23 2008-12-10 Способ изготовления термоэлектрического элемента и термоэлектрический элемент

Country Status (11)

Country Link
US (1) US8822807B2 (ru)
EP (1) EP2238631B1 (ru)
JP (1) JP5526039B2 (ru)
CN (1) CN101952985B (ru)
CA (1) CA2712254C (ru)
DE (1) DE102008005694B4 (ru)
ES (1) ES2387473T3 (ru)
MY (1) MY155361A (ru)
RU (1) RU2475889C2 (ru)
TW (1) TW200933941A (ru)
WO (1) WO2009092421A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU180604U1 (ru) * 2017-12-14 2018-06-19 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Термоэлектрический элемент

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008005694B4 (de) * 2008-01-23 2015-05-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Bauelementes
CA2756497A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Basf Se Self-organising thermoelectric materials
DE102010002623A1 (de) * 2010-03-05 2011-09-22 Micropelt Gmbh Wärmetauscher und Verfahren zum Herstellen eines Wärmeleitelementes für einen Wärmetauscher
US8584770B2 (en) 2010-03-23 2013-11-19 Black & Decker Inc. Spindle bearing arrangement for a power tool
DE102010022225A1 (de) 2010-04-28 2011-12-15 J. Eberspächer GmbH & Co. KG Wärmeübertragungsanordnung, Wärmeübertrager und Herstellungsverfahren
DE102010034708A1 (de) 2010-08-18 2012-02-23 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Rohrförmiges thermoelektrisches Modul sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010035151A1 (de) * 2010-08-23 2012-02-23 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Halbleiterelement für ein thermoelektrisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012208295A1 (de) 2011-05-16 2012-12-27 Behr Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Moduls und thermoelektrisches Modul
DE102012017556A1 (de) * 2011-09-08 2013-03-14 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermoelektrisches konvertermodul und herstellungsverfahren dafür
JP5697162B2 (ja) * 2011-11-14 2015-04-08 学校法人中部大学 電流リード
DE102011089762B4 (de) * 2011-12-23 2020-06-04 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Thermoelektrisches Generatormodul / Peltier-Element
DE102011090152B4 (de) * 2011-12-30 2018-02-22 Continental Automotive Gmbh Thermogenerator
US9793462B2 (en) 2012-02-27 2017-10-17 Kelk Ltd. Thermoelectric module, thermoelectric power generating apparatus, and thermoelectric generator
JP2013219218A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Hitachi Ltd 熱電変換材料及び熱電変換素子並びに熱電変換モジュール
DE102012103968A1 (de) * 2012-05-07 2013-11-07 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Halbleiterelement für ein thermoelektrisches Modul und thermoelektrisches Modul
DE102012105743A1 (de) 2012-06-29 2014-01-02 Elringklinger Ag Wärmeabschirmvorrichtung mit thermoelektrischer Energienutzung
WO2014042214A1 (ja) 2012-09-12 2014-03-20 株式会社Kelk レーザダイオード用ペルチェモジュール
TWI481086B (zh) * 2012-09-19 2015-04-11 Nat Inst Chung Shan Science & Technology 一種用於電子元件的散熱裝置
KR102094995B1 (ko) 2012-10-08 2020-03-31 삼성전자주식회사 열전모듈, 이를 구비한 열전장치, 및 열전모듈의 제조방법
DE102013105292A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Thermoelektrisches Modul, thermoelektrische Generatorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Moduls
DE102013219541B4 (de) * 2013-09-27 2019-05-09 Evonik Degussa Gmbh Verbessertes Verfahren zur pulvermetallurgischen Herstellung thermoelektrischer Bauelemente
KR102158578B1 (ko) * 2014-01-08 2020-09-22 엘지이노텍 주식회사 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치
GB201411817D0 (en) * 2014-07-02 2014-08-13 Elsarrag Esam And Al Horr Yousef Thermoelectric module
WO2016025600A2 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Board Of Trustees Of Michigan State University Thermoelectric device and methods for manufacture and use
US10162394B2 (en) * 2014-09-10 2018-12-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Systems and methods for sustainable self-cooling of central processing unit thermal hot spots using thermoelectric materials
US11606685B2 (en) 2014-09-17 2023-03-14 Gigsky, Inc. Apparatuses, methods and systems for implementing a trusted subscription management platform
DE102015202968A1 (de) * 2015-02-19 2016-08-25 Mahle International Gmbh Wärmeleitende und elektrisch isolierende Verbindung für ein thermoelektrisches Modul
DE102015105939A1 (de) * 2015-04-17 2016-10-20 Elringklinger Ag Vorrichtung zur thermoelektrischen Umwandlung thermischer Energie
RU2601243C1 (ru) * 2015-06-25 2016-10-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Способ получения термоэлектрического элемента
DE102015213295A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Mahle International Gmbh Thermoelektrischer Wärmetauscher
EP3196951B1 (de) 2016-01-21 2018-11-14 Evonik Degussa GmbH Rationelles verfahren zur pulvermetallurgischen herstellung thermoelektrischer bauelemente
JP6731810B2 (ja) * 2016-07-29 2020-07-29 アイシン高丘株式会社 熱電モジュールおよびその製造方法
WO2018038285A1 (ko) * 2016-08-23 2018-03-01 희성금속 주식회사 열전소자 및 이를 포함하는 열전모듈
CN108470817B (zh) * 2018-01-19 2021-09-28 宁波工程学院 一种含Sb的P-型Cu2.856In4Te8基中高温热电材料及其制备工艺
US11334129B2 (en) * 2019-12-11 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Temperature control component for electronic systems
WO2021024046A1 (ru) 2020-04-16 2021-02-11 Владимир ВАХ Узел прибора терморегуляции полупроводникового лазера

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU169620A1 (ru) * 1963-05-29 1965-06-23 Способ изготовления трубчатой термоэлектрической батареи
US3842489A (en) * 1971-10-18 1974-10-22 Nuclear Battery Corp Process for treating thermopile
US3874935A (en) * 1971-10-18 1975-04-01 Nuclear Battery Corp Radioisotopically heated thermoelectric generator with weld brazed electrical connections
CA1033393A (en) * 1974-06-05 1978-06-20 Georges Le Couturier Thermoelectric heat pump
JPS571276A (en) * 1980-06-02 1982-01-06 Tdk Corp Thermoelectric element and manufacture thereof
NO851421L (no) * 1984-04-23 1985-10-24 Omnimax Energy Corp Termoelektrisk generator med variabel geometri med fundament av materialer som er forskjellige fra de termoelektriske halvleder basiselementer
US4855810A (en) * 1987-06-02 1989-08-08 Gelb Allan S Thermoelectric heat pump
JPH02228082A (ja) * 1989-02-28 1990-09-11 Daishinku Co 熱発電素子の製造法
US5464485A (en) * 1993-07-01 1995-11-07 Hoskins Manufacturing Co. Coaxial thermoelements and thermocouples made from coaxial thermoelements
US5429680A (en) * 1993-11-19 1995-07-04 Fuschetti; Dean F. Thermoelectric heat pump
CN2192846Y (zh) * 1994-04-23 1995-03-22 林伟堂 热电冷却偶的结构
JPH10321921A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Ngk Insulators Ltd 熱電気変換モジュールおよびその製造方法
JP2001210880A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Matsushita Electric Works Ltd ペルチェモジュール
JP2001267642A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Nissan Motor Co Ltd 熱電変換モジュールの製造方法
US6297441B1 (en) * 2000-03-24 2001-10-02 Chris Macris Thermoelectric device and method of manufacture
JP2004031696A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Kyocera Corp 熱電モジュール及びその製造方法
JP2005353710A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Suzuki Sogyo Co Ltd 熱電素子モジュール及びその製法
CN1969400B (zh) * 2004-06-22 2010-05-05 阿鲁策株式会社 热电装置
DE102004048219A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Basf Ag Kontaktierung thermoelektrischer Materialien
US8623687B2 (en) * 2005-06-22 2014-01-07 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Methods of forming thermoelectric devices including conductive posts and/or different solder materials and related methods and structures
JP4728745B2 (ja) * 2005-08-29 2011-07-20 株式会社東芝 熱電素子デバイス及び熱電モジュール
KR100658699B1 (ko) * 2006-01-18 2006-12-19 인하대학교 산학협력단 유연성을 갖는 열전 모듈
JP4266228B2 (ja) * 2006-03-24 2009-05-20 株式会社東芝 熱電変換モジュールおよびその製造方法
DE102006055120B4 (de) * 2006-11-21 2015-10-01 Evonik Degussa Gmbh Thermoelektrische Elemente, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
DE102008005694B4 (de) * 2008-01-23 2015-05-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Bauelementes
US8193439B2 (en) * 2009-06-23 2012-06-05 Laird Technologies, Inc. Thermoelectric modules and related methods

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU180604U1 (ru) * 2017-12-14 2018-06-19 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Термоэлектрический элемент

Also Published As

Publication number Publication date
EP2238631B1 (de) 2012-06-20
CN101952985A (zh) 2011-01-19
CA2712254A1 (en) 2009-07-30
EP2238631A2 (de) 2010-10-13
JP5526039B2 (ja) 2014-06-18
US8822807B2 (en) 2014-09-02
WO2009092421A3 (de) 2010-03-25
MY155361A (en) 2015-10-15
CN101952985B (zh) 2012-11-21
US20110023930A1 (en) 2011-02-03
JP2011510500A (ja) 2011-03-31
DE102008005694A1 (de) 2009-08-13
TW200933941A (en) 2009-08-01
RU2475889C2 (ru) 2013-02-20
CA2712254C (en) 2015-10-27
DE102008005694B4 (de) 2015-05-07
ES2387473T3 (es) 2012-09-24
WO2009092421A2 (de) 2009-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010134024A (ru) Способ изготовления термоэлектрического элемента и термоэлектрический элемент
US20190067546A1 (en) Thermoelectric power module
US20100218796A1 (en) Thermoelectric conversion module
US9871179B2 (en) Thermoelectric power module
US10224472B2 (en) Thermoelectric power module
TWI632623B (zh) 製造半導體裝置的方法
US20140110848A1 (en) Strong, heat stable junction
JP2016503642A (ja) 熱電デバイスおよびその製作方法
TW201448294A (zh) 使用直接接合之熱電元件製造
JP2020510990A (ja) 熱電モジュール
EP3338311B1 (fr) Élément thermoélectrique amélioré et convertisseur thermoélectrique comportant au moins un tel élément
RU2601243C1 (ru) Способ получения термоэлектрического элемента
WO2021019891A1 (ja) 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法
US10388627B1 (en) Micro-bonding structure and method of forming the same
US10862016B2 (en) Strong, heat stable junction
WO2019131433A1 (ja) 金属膜、金属膜を備える電子部品、及び金属膜の製造方法
García-Cañadas et al. Preparation and characterisation of contacts for high temperature thermoelectric modules
US8735195B2 (en) Method of manufacturing a zinc oxide (ZnO) based semiconductor device including performing a heat treatment of a contact metal layer on a p-type ZnO semiconductor layer in a reductive gas atmosphere
KR102531839B1 (ko) 다층 확산방지층을 포함하는 열전 소재 및 이를 구비하는 열전 소자
KR102363224B1 (ko) 다층 확산방지층을 포함하는 열전 소재 및 이를 구비하는 열전 소자
US20150091032A1 (en) Nickel-Titanium and Related Alloys as Silver Diffusion Barriers
FR2983643A1 (fr) Dispositif et procede d'interconnexion electrique de cellules photovoltaiques

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161211