JP2016503642A - 熱電デバイスおよびその製作方法 - Google Patents
熱電デバイスおよびその製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016503642A JP2016503642A JP2015542755A JP2015542755A JP2016503642A JP 2016503642 A JP2016503642 A JP 2016503642A JP 2015542755 A JP2015542755 A JP 2015542755A JP 2015542755 A JP2015542755 A JP 2015542755A JP 2016503642 A JP2016503642 A JP 2016503642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric
- thermoelectric device
- region
- conductive
- portions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
- H10N19/101—Multiple thermocouples connected in a cascade arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Description
前述の欠点を是正した熱電モジュールの製作方法を説明する。本発明は、N型またはP型のいずれか1つの型の熱電材料を使用する。本発明により、すべての熱電デバイスは、電流に関して電気的に整合し、熱膨張に関して整合し、温度動作点に関して整合する。電流、熱膨張および温度動作点を整合することにより、最適なモジュール性能を設計して達成することができる。しかも、1種類の熱電型を使用することにより、製造の複雑さが大幅に単純になり、その結果、コストが低減する。
「熱電デバイス」という用語は、熱電材料に電気的および機械的に結合された少なくとも2つの導電素子間に位置する熱電材料のあらゆる実装を意味することが意図される。
「ダイ」という用語は、立方体、長円形、円柱などのあらゆる適切な三次元幾何学形状を有する単一の熱電素子を意味する。
「電気絶縁性」という用語は、電流を妨げるか、あるいは電流を材料に伝達もしくは通過させない材料、材料の再構成および/または材料の組合せを意味する。
「従来の熱電対」という用語は、p型熱電素子とn型熱電素子とを有するものと定義される。
図2は、本発明の最も基本的な電気的および物理的な構成要素を表す。熱がデバイスを垂直に流れる一方で、電流は横方向に流れる。図2は、熱電デバイス200を大幅に簡略化して示す分解斜視図であり、熱電デバイス200は、素子202および204と熱電素子203と領域210および216とを備え、素子202および素子204は部分206,208及び部分212、214をそれぞれ有する。図2に示すように、部分208および212は、導電性でかつ熱伝導性であり、熱電素子203を支持して熱電素子203の熱エネルギーコレクタ/スプレッダとして作用する。
図3に示すように、例として、熱電素子322、324、326は、それぞれ素子302、304、306および308のそれぞれ部分310、312、314、316、318の特定の幾何学的な表面積を近似するおよび/または埋めるように製作することができる。例えば、熱電デバイス336、338および340によって示される作動熱電デバイスを生成するために任意の好適な厚さ354、356および358を使用することができるが、性能は厚さと表面積に影響される。これらのパラメータの最適な値を選択することはシステムの用途によって決まる。
図6は、部分601および603を示す斜視中心線断面図であり、部分601は、特に、モジュールの内部および外部を示しており、部分603は、特に、部分603の外部構成を示している。熱は構造を垂直に流れ、電流は階段664および670構造を横方向に通過する。図6は、端部607および613から端部609および615までを横方向切断し、取り外して分離することにより部分601および603を形成した熱電モジュール600を大幅に簡略化して示す斜視断面図である。部分601および603を離して、熱電モジュール600の内部構造631が見えるようにしている。熱電モジュール600の内部構造631は熱電モジュール500の内部構造と非常に似ており、そのため熱電モジュール600の内部構造631はそのまま同じ識別名を使い、関係ある部分を除き詳細には述べない。
Claims (34)
- 第1の部分と第2の部分と第1の領域とを有する第1の素子であって、前記第1の素子の前記第1および第2の部分は導電性であり、前記第1の領域は、前記第1の素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第1の素子、
第3の部分と第4の部分と第2の領域とを有する第2の素子であって、前記第2の素子の前記第3および第4の部分は導電性であり、前記第2の領域は、前記第2の素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第2の素子、および
前記第1の素子の前記第2の部分に設けられるとともに、前記第2の素子の前記第3の部分に設けられる熱電素子
を備える熱電デバイス。 - 前記第1および第2の部分は金属から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記金属は銅またはニッケルである、請求項2に記載の熱電デバイス。
- 前記第1および第2の部分は金属合金から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記金属は一部、アルミニウムからなる、請求項4に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の領域は一部をニッケル材料から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の領域は銅材料から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の領域は一部をニッケルめっき銅材料から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の領域は酸化物から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記酸化物は金属酸化物である、請求項8に記載の熱電デバイス。
- 前記金属酸化物は酸化インジウムスズ(InSbO2)からなる、請求項9に記載の熱電デバイス。
- 前記金属酸化物は酸化スズ(SnO2)からなる、請求項9に記載の熱電デバイス。
- 前記熱電素子はテルル化鉛(PbTe)から作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記熱電素子はビスマスカルコゲナイドから作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記ビスマスカルコゲナイドはテルル化ビスマスである、請求項13に記載の熱電デバイス。
- 前記熱電素子はシリコンゲルマニウムから作られている、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の部分、前記第2の部分、前記第3の部分、および前記第4の部分は線形である、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記第2および第3の部分は実質的に平行である、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の部分および前記第4の部分は90度の角度である、請求項1に記載の熱電デバイス。
- 第1の部分と第2の部分と第1の領域とを有する第1の素子であって、前記第1の素子の前記第1および第2の部分は導電性であり、前記第1の領域は、前記第1の素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第1の素子、
第3の部分と第4の部分と第2の領域とを有する第2の素子であって、前記第2の素子の前記第3および第4の部分は導電性であり、前記第2の領域は、前記第2の素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第2の素子、および
第1の電極と第2の電極とを有する熱電素子であって、前記第1の電極は、前記第1の素子の前記第2の部分に設けられ、前記第2の電極は、前記第2の素子の前記第3の部分に設けられる、熱電素子
を備える熱電デバイス。 - 第1の部分と第2の部分と第1の領域とを有する第1の素子であって、前記第1の部分は、第1の表面および第2の表面を有し、前記第2の部分は、第3の表面および第4の表面を有し、前記第1の部分および前記第2の部分は、導電性でかつ熱伝導性であり、前記第1の領域は、前記第1の部分から前記第2の部分にまで延びて第1の長さ、第1の幅、および第1の厚さを有し、前記第1の領域は断熱性でかつ導電性である、第1の素子、
第3の部分と第4の部分と第2の領域とを有する第2の素子であって、前記第3の部分は、第6の表面および第7の表面を有し、前記第3の部分および前記第4の部分は導電性でかつ熱伝導性であり、前記第2の領域は、前記第3の部分から前記第4の部分にまで延びて第2の長さ、第2の幅、および第3の厚さを有し、前記第2の領域は断熱性でかつ導電性である、第2の素子、および
第1の接触エリアと第2の接触エリアとを有する第1の熱電デバイスであって、前記第1の熱電デバイスの前記第1の接触エリアは、前記第1の素子の前記第2の部分の前記第3の表面に電気的および機械的に結合され、前記第1の熱電デバイスの前記第2の接触エリアは、前記第2の素子の前記第3の部分の前記第6の表面に電気的および機械的に結合されている、第1の熱電デバイス
を備える熱電デバイス。 - 前記第1の素子の前記第1の部分、前記第2の部分、および前記領域は実質的に平行である、請求項27に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の素子の表面は金属から作られている、請求項20に記載の熱電デバイス。
- 前記第1の表面の金属は、Cu、Al、AlCu、Ag、鋼、Fe、単結晶材料、多結晶材料、および非晶質材料のうちの少なくとも1つから構成される、請求項22に記載の熱電デバイス。
- 第1の基板と第2の基板であって、前記第1の基板は、熱伝導性でかつ、第1の表面と第2の表面と第3の表面とを有し、前記第1および第2の表面は、実質的に平行でかつ、ある量だけずれており、前記第3の表面は、前記第1および第2の表面から前記第1および第2の表面に対してある角度で延びており、前記第2の基板は熱伝導性でかつ、第4の表面と第5の表面と第6の表面とを有しており、前記第4および第5の表面は、実質的に平行でかつ、ある量だけずれており、前記第6の表面は、前記第4および第5の表面から前記第1および第2の表面に対してある角度で延びている、第1の基板と第2の基板、
前記第1および第2の基板の前記第1、第2、第3、第4、第5、および第6の表面に設けられている熱伝導性でかつ電気絶縁性の第1の層と第2の層、
第1の部分と第2の部分と領域とを有する第1の導電性素子であって、前記第1の部分は、第7の表面と第8の表面とを有し、前記第2の部分は、第9の表面と第10の表面とを有し、前記領域は、第1の導電性素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられており、前記第1の導電性素子は、熱伝導性でかつ電気絶縁性の前記第1の層に設けられている、第1の導電性素子、
前記第1の導電性素子の前記第1の部分の前記第4の表面に設けられる第1の熱電素子、および
第3の部分と第4の部分と第2の領域とを有する第2の導電性素子であって、前記第3の部分は、第11の表面と第12の表面とを有し、前記第4の部分は、第13の表面と第14の表面とを有し、前記第2の領域は、第2の導電性素子の前記第3の部分と前記第4の部分との間に設けられており、第2の導電性素子の前記第3の部分の前記第12の表面は、前記第1の熱電素子に設けられ、前記第2の導電性素子は、前記第2の基板の熱伝導性でかつ電気絶縁性の前記第2の層に設けられている、第2の導電性素子
を備える熱電デバイス。 - 前記基板は金属から作られている、請求項25に記載の熱電デバイス。
- 前記基板の金属は、アルミニウム、銅、およびスズを含むいずれか1つの金属か、あるいはアルミニウム、銅、またはスズを含むいずれか1つの金属から作られている、請求項26の熱電デバイス。
- 前記基板は合金から作られている、請求項25の熱電デバイス。
- 前記基板の合金は、鋼、ステンレス鋼、アルミニウム、銅、および青銅を含むいずれか1つの合金か、あるいは鋼、ステンレス鋼、アルミニウム、銅、または青銅を含むいずれか1つの合金からなる、請求項28の熱電デバイス。
- 前記基板は半導体材料から作られている、請求項25の熱電デバイス。
- 前記基板の半導体は、ケイ素、炭素、ダイヤモンド様材料、およびサファイアを含むいずれか1つの半導体か、あるいはケイ素、炭素、ダイヤモンド様材料、またはサファイアを含むいずれか1つの半導体からなる、請求項30の熱電デバイス。
- 前記基板は、互いに異なる材料から作られている、請求項25の熱電デバイス。
- 一方の基板はアルミニウムから作られ、もう一方の基板はステンレス鋼から作られている、請求項32の熱電デバイス。
- 第1の部分と第2の部分と第1の領域とを有する第1の素子を提供するステップであって、前記第1の素子の前記第1および第2の部分は導電性であり、前記第1の領域は、前記第1の素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第1の素子を提供するステップ、
第3の部分と第4の部分と第2の領域とを有する第2の素子を提供するステップであって、前記第2の素子の前記第3および第4の部分は導電性であり、前記第2の領域は、前記第2の素子の前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第2の素子を提供するステップ、および
第1の電極と第2の電極とを有する熱電素子を提供するステップであって、前記第1の電極は、前記第1の素子の前記第2の部分に設けられ、前記第2の電極は、前記第2の素子の前記第3の部分に設けられる、熱電素子を提供するステップ
を含む、熱電デバイスの製作方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/678,708 US10454013B2 (en) | 2012-11-16 | 2012-11-16 | Thermoelectric device |
US13/678,708 | 2012-11-16 | ||
PCT/US2013/069948 WO2014078453A1 (en) | 2012-11-16 | 2013-11-13 | Thermoelectric device and method of making same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016503642A true JP2016503642A (ja) | 2016-02-04 |
JP2016503642A5 JP2016503642A5 (ja) | 2016-12-28 |
Family
ID=49759541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015542755A Ceased JP2016503642A (ja) | 2012-11-16 | 2013-11-13 | 熱電デバイスおよびその製作方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10454013B2 (ja) |
EP (1) | EP2920825B1 (ja) |
JP (1) | JP2016503642A (ja) |
CN (1) | CN104995757A (ja) |
WO (1) | WO2014078453A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020535661A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-12-03 | エルジー・ケム・リミテッド | 熱電モジュール |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017123661A2 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Hi-Z Technology, Inc. | Low stress thermoelectric module |
DE102016217904A1 (de) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | Mahle International Gmbh | Thermoelektrischer Generator, insbesondere für ein Kraftfahrzeug |
US11903317B2 (en) * | 2017-03-17 | 2024-02-13 | Sheetak, Inc. | Thermoelectric device structures |
US11462669B2 (en) * | 2017-03-17 | 2022-10-04 | Sheetak, Inc. | Thermoelectric device structures |
US11982473B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-05-14 | Sheetak, Inc. | Portable temperature regulated container |
DE102019200917A1 (de) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Sensor sowie Verfahren zum Betreiben eines MEMS-Sensors |
CN112164746B (zh) * | 2020-09-01 | 2022-12-06 | 西安交通大学 | 温差发电器件 |
US11892204B2 (en) | 2020-11-20 | 2024-02-06 | Sheetak, Inc. | Nested freezers for storage and transportation of covid vaccine |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270762A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | S I I R D Center:Kk | 熱電変換素子 |
JP2003168830A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | 電極構造、熱電変換素子および温度センサ |
JP2010205883A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Tokyo Univ Of Science | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
WO2012095344A2 (de) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Thermoelektrisches modul mit mitteln zur kompensation einer wärmeausdehnung |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1848655A (en) * | 1932-03-08 | petrjk | ||
US3496028A (en) * | 1965-11-18 | 1970-02-17 | Minnesota Mining & Mfg | Thermoelectric generator apparatus |
US4640977A (en) * | 1984-04-23 | 1987-02-03 | Omnimax Energy Corporation | Thermoelectric generator using variable geometry with support pedestals of dissimilar materials than the basic thermoelectric semi-conductor elements |
US4650919A (en) * | 1984-08-01 | 1987-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thermoelectric generator and method for the fabrication thereof |
FR2570169B1 (fr) | 1984-09-12 | 1987-04-10 | Air Ind | Perfectionnements apportes aux modules thermo-electriques a plusieurs thermo-elements pour installation thermo-electrique, et installation thermo-electrique comportant de tels modules thermo-electriques |
US4938244A (en) * | 1987-10-05 | 1990-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature difference detecting element using semiconductive ceramic material |
JP3459328B2 (ja) | 1996-07-26 | 2003-10-20 | 日本政策投資銀行 | 熱電半導体およびその製造方法 |
JP3347977B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2002-11-20 | フリヂスター株式会社 | 液体循環型熱電冷却・加熱装置 |
JP3510831B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2004-03-29 | 株式会社小松製作所 | 熱交換器 |
US6700053B2 (en) * | 2000-07-03 | 2004-03-02 | Komatsu Ltd. | Thermoelectric module |
US6783589B2 (en) * | 2001-01-19 | 2004-08-31 | Chevron U.S.A. Inc. | Diamondoid-containing materials in microelectronics |
US20030064606A1 (en) | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Lockheed Martin Corporation | Electrically-conductive thermal insulator |
CN100397671C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-06-25 | 京瓷株式会社 | 热电换能模块 |
US20080135082A1 (en) | 2004-12-20 | 2008-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermoelectric Conversion Module, Heat Exchanger Using Same, and Thermoelectric Power Generating Apparatus |
JP2008108900A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 熱電変換モジュールおよび熱電変換装置 |
JP4078392B1 (ja) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 松下電器産業株式会社 | 熱発電素子を用いた発電方法、熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイス |
JP4912991B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2012-04-11 | 住友化学株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
RU2011144115A (ru) * | 2009-04-02 | 2013-05-10 | Басф Се | Термоэлектрический модуль с изолированным субстратом |
JP5664326B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2015-02-04 | 富士通株式会社 | 熱電変換モジュール |
-
2012
- 2012-11-16 US US13/678,708 patent/US10454013B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-13 JP JP2015542755A patent/JP2016503642A/ja not_active Ceased
- 2013-11-13 WO PCT/US2013/069948 patent/WO2014078453A1/en active Application Filing
- 2013-11-13 CN CN201380065431.XA patent/CN104995757A/zh active Pending
- 2013-11-13 EP EP13803327.9A patent/EP2920825B1/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270762A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | S I I R D Center:Kk | 熱電変換素子 |
JP2003168830A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | 電極構造、熱電変換素子および温度センサ |
JP2010205883A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Tokyo Univ Of Science | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
WO2012095344A2 (de) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Thermoelektrisches modul mit mitteln zur kompensation einer wärmeausdehnung |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020535661A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-12-03 | エルジー・ケム・リミテッド | 熱電モジュール |
JP7012835B2 (ja) | 2018-08-21 | 2022-01-28 | エルジー・ケム・リミテッド | 熱電モジュール |
US11430936B2 (en) | 2018-08-21 | 2022-08-30 | Lg Chem, Ltd. | Thermoelectric module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104995757A (zh) | 2015-10-21 |
US20140137918A1 (en) | 2014-05-22 |
EP2920825B1 (en) | 2020-04-22 |
US10454013B2 (en) | 2019-10-22 |
EP2920825A1 (en) | 2015-09-23 |
WO2014078453A1 (en) | 2014-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10454013B2 (en) | Thermoelectric device | |
JP3862179B2 (ja) | 熱電モジュールの製作と製作用半田合金 | |
US7777126B2 (en) | Thermoelectric device with thin film elements, apparatus and stacks having the same | |
JP5078908B2 (ja) | 熱電トンネル装置 | |
US20100326487A1 (en) | Thermoelectric element and thermoelectric device | |
WO2004061982A1 (ja) | 熱電変換材料を利用した電子部品の冷却装置 | |
US20120145209A1 (en) | Thermoelectric element and thermoelectric module including the same | |
CN105637662A (zh) | 热电发电模块 | |
JP5671569B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
EP2975660B1 (en) | Thermoelectric conversion module | |
JP2005277206A (ja) | 熱電変換装置 | |
US11349058B2 (en) | Thermoelectric half-cell and method of production | |
KR102022429B1 (ko) | 냉각용 열전모듈 및 그 제조방법 | |
JP5653455B2 (ja) | 熱電変換部材 | |
US8664509B2 (en) | Thermoelectric apparatus and method of fabricating the same | |
KR20210138004A (ko) | 열전 변환 모듈 | |
JP3554861B2 (ja) | 薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス | |
JP2008177356A (ja) | 熱電発電素子 | |
KR102304603B1 (ko) | 열전모듈 | |
Ang et al. | Development of Cu2Se/Ag2 (S, Se)-Based Monolithic Thermoelectric Generators for Low-Grade Waste Heat Energy Harvesting | |
US20140360549A1 (en) | Thermoelectric Module and Method of Making Same | |
JP6311121B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
TW202135347A (zh) | 熱電元件 | |
JP2018093152A (ja) | 熱発電デバイス | |
WO2012120572A1 (ja) | 熱発電素子を用いた発電方法、熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190702 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20191126 |