JP2020535661A - 熱電モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2018年8月21日付韓国特許出願第10−2018−0097692号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として組み含まれる。
前記熱電モジュールは、前記複数の熱電素子の外部に配置され、前記複数の熱電素子を基準に互いに異なる一側に位置する第1基板および第2基板をさらに含むことができる。
前記P型熱電素子の長さが前記N型熱電素子の長さよりも長くてもよい。
図1を参照すると、本発明の一実施例による熱電モジュールは、熱伝達部材100、熱伝達部材100と対応する冷却部材200、熱伝達部材100と冷却部材200との間に位置する複数の熱電素子160、260を含む。この時、熱電素子160、260の酸化を防止するために熱電素子自体をコーティングしたり、複数の熱電素子160、260、熱伝達部材100および冷却部材200は全て真空構造物内に位置することができる。
図2を参照すると、本発明の一実施例による熱電モジュールを製造する時、前述したとおり、P型熱電素子160とN型熱電素子260の高さの差により熱電素子と電極の接合に困難がある。このような問題を解消するために、本実施例による熱電モジュール製造時、図2に示したとおり、一方向に突出した複数の突起1100を有する枠1000を用いて高温加圧工程を行うことができる。ここで、枠1000は、高さが低いP型熱電素子160に対応するように複数の突起1100を有することができ、突起1100は、高温加圧工程時にP型熱電素子160の上端面に位置する第2電極層240を直接加圧することができる。
140:第1電極層
240:第2電極層
160、162、164:P型熱電素子
260:N型熱電素子
200:冷却部材
300、302:ダミー金属層
Claims (15)
- 熱伝達部材と冷却部材との間に位置する複数の熱電素子と、
前記熱伝達部材と前記複数の熱電素子との間および前記冷却部材と前記複数の熱電素子との間にそれぞれ位置する第1電極層および第2電極層とを含み、
前記複数の熱電素子は、P型熱電素子およびN型熱電素子を含み、互いに隣接したP型熱電素子とN型熱電素子の高さが互いに異なり、
互いに隣接した前記P型熱電素子と前記N型熱電素子にかけて形成された前記第1電極層および前記第2電極層のうちから選択された一つの電極層は、少なくとも二つの折曲部を有する熱電モジュール。 - 前記電極層は、互いに隣接した前記P型熱電素子の上端面と前記N型熱電素子の上端面に同時に配置される、請求項1に記載の熱電モジュール。
- 互いに隣接した前記P型熱電素子と前記N型熱電素子にかけて形成された前記電極層の厚さは均一である、請求項2に記載の熱電モジュール。
- 前記第1電極層および前記第2電極層のうちから選択された他の一つの電極層は、前記P型熱電素子と隣接した前記N型熱電素子でない、他のN型熱電素子の下端面と前記P型熱電素子の下端面にかけて一つの平面上に形成される、請求項2または3に記載の熱電モジュール。
- 前記P型熱電素子の高さが前記N型熱電素子の高さよりも低い、請求項1から4のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記複数の熱電素子の外部に配置され、前記複数の熱電素子を基準に互いに異なる一側に位置する第1基板および第2基板をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記第1基板および前記第2基板のうちの少なくとも一つは、アルミナを含む、請求項6に記載の熱電モジュール。
- 前記第1基板および前記第2基板のうちから選択された一つの基板は、前記少なくとも二つの折曲部を有する電極層に対応するように少なくとも二つの折曲部を有する、請求項7に記載の熱電モジュール。
- 前記P型熱電素子と前記N型熱電素子の水平方向の長さが互いに異なる、請求項1から8のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記P型熱電素子の長さが前記N型熱電素子の長さよりも長い、請求項9に記載の熱電モジュール。
- 前記P型熱電素子と前記N型熱電素子のうちの高さが高い熱電素子上端面に接合している絶縁体をさらに含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記P型熱電素子と前記N型熱電素子のうちの高さが低い熱電素子と垂直方向に重なるように位置するダミー金属層をさらに含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の熱電モジュール。
- 前記P型熱電素子と前記N型熱電素子のうちの高さが高い熱電素子上端面および前記ダミー金属層上端面に接合している絶縁体をさらに含む、請求項12に記載の熱電モジュール。
- 前記ダミー金属層は、前記P型熱電素子と前記N型熱電素子のうちの高さが低い熱電素子の下に位置する、請求項12に記載の熱電モジュール。
- 前記ダミー金属層は、上部ダミー金属層と下部ダミー金属層を含み、前記上部ダミー金属層と前記下部ダミー金属層との間に、前記P型熱電素子と前記N型熱電素子のうちの高さが低い熱電素子が位置する、請求項12に記載の熱電モジュール。
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