JP2016503642A5 - 熱電デバイス - Google Patents

Claims (16)

1. 第１の部分と第２の部分と第１の領域とを有する第１の素子であって、前記第１の素子の前記第１および第２の部分は導電性であり、前記第１の領域は、前記第１の素子の前記第１の部分と前記第２の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第１の素子、
   第３の部分と第４の部分と第２の領域とを有する第２の素子であって、前記第２の素子の前記第３および第４の部分は導電性であり、前記第２の領域は、前記第２の素子の前記第３の部分と前記第４の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性である、第２の素子、および
   第１の熱電素子と第２の熱電素子とを含む複数の熱電素子
   を備える熱電デバイスであって、
   前記第１の熱電素子は、前記第１の素子の前記第２の部分上に設けられるとともに、前記第２の素子の前記第３の部分上に設けられており、
   前記第２の熱電素子は、前記第２の素子の前記第４の部分上に設けられるとともに、前記第１の熱電素子から離れて設けられており、
   熱電デバイス内の熱電素子がすべて同種の伝導性を有する熱電デバイス。
2. 前記第１および第２の素子は金属から作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
3. 前記第１および第２の素子は金属合金から作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
4. 前記第１の領域は一部をニッケルめっき銅材料から作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
5. 前記第１の領域は酸化物から作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
6. 前記第１の熱電素子はテルル化鉛（ＰｂＴｅ）から作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
7. 前記第１の熱電素子はビスマスカルコゲナイドから作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
8. 前記第１の熱電素子はシリコンゲルマニウムから作られている、請求項１に記載の熱電デバイス。
9. 前記第１の部分、前記第２の部分、前記第３の部分、および前記第４の部分は線形である、請求項１に記載の熱電デバイス。
10. 前記第２および第３の部分は実質的に平行である、請求項１に記載の熱電デバイス。
11. 前記第１の部分および前記第４の部分は９０度の角度である、請求項１に記載の熱電デバイス。
12. 第１の部分と第２の部分と第１の領域とを有する素子であって、前記素子の前記第１および第２の部分は導電性であり、前記第１の領域は、前記素子の前記第１の部分と前記第２の部分との間に設けられて導電性でかつ断熱性であり、前記第１の部分は第１の表面を有し、前記第２の部分は前記第１の表面とは反対側の第２の表面を有する、素子、
    前記素子の前記第１の部分の前記第１の表面に設けられている第１の熱電素子、および
    前記素子の前記第２の部分の前記第２の表面に設けられている第２の熱電素子
    を備える熱電デバイス。
13. 第１の部分と第２の部分と第１の領域とを有する第１の素子であって、前記第１の部分は、第１の表面および前記第１の表面とは反対側の第２の表面を有し、前記第２の部分は、第３の表面および前記第３の表面とは反対側の第４の表面を有し、前記第１の部分および前記第２の部分は、導電性でかつ熱伝導性であり、前記第１の領域は、断熱性でかつ導電性であり前記第１の部分から前記第２の部分にまで延びる、第１の素子、
    第３の部分と第４の部分と第２の領域とを有する第２の素子であって、前記第３の部分は、第５の表面および前記第５の表面とは反対側の第６の表面を有し、前記第４の部分は第７の表面および前記第７の表面とは反対側の第８の表面を有し、前記第３の部分および前記第４の部分は導電性でかつ熱伝導性であり、前記第２の領域は、断熱性でかつ導電性であり前記第３の部分から前記第４の部分にまで延び、前記第１、第３、第５、および第７の表面は熱電デバイスの一方の面と向かい合い、前記第２、第４、第６、および第８の表面は、熱電デバイスのもう一方の面と向かい合う、第２の素子、および
    第１の接触エリアと第２の接触エリアとを有する第１の熱電素子であって、前記第１の熱電素子の前記第１の接触エリアは、前記第１の素子の前記第２の部分の前記第４の表面に電気的および機械的に結合され、前記第１の熱電素子の前記第２の接触エリアは、前記第２の素子の前記第３の部分の前記第５の表面に電気的および機械的に結合されている、第１の熱電素子
    を備える熱電デバイスであって、（１）前記第１の素子の前記第２の部分の前記第３の表面、あるいは、（２）前記第２の素子の前記第４の部分の前記第７の表面、あるいは（１）と（２）の表面の両方には熱電素子が設けられていない、熱電デバイス。
14. 階段構造における内面を有する第１の基板であって、前記第１の基板は、熱伝導性でかつ、第１の表面と第２の表面と第３の表面とを有し、前記第１および第２の表面は、実質的に平行でかつ、ある量だけずれており、前記第３の表面は、前記第１および第２の表面の間において前記第１および第２の表面に対して第１の角度で延びている第１の基板、
    階段構造における内面を有する第２の基板であって、前記第２の基板は熱伝導性でかつ、第４の表面と第５の表面と第６の表面とを有しており、前記第４および第５の表面は、実質的に平行でかつ、ある量だけずれており、前記第６の表面は、前記第４および第５の表面の間において前記第４および第５の表面に対して第２の角度で延びている、第２の基板、
    前記第１の基板の前記第１、第２、および第３の表面に設けられている熱伝導性でかつ電気絶縁性の第１の層、
    第１の部分と第２の部分と第１の領域とを有する第１の導電性素子であって、前記第１の部分は、第７の表面と第８の表面とを有し、前記第２の部分は、第９の表面と第１０の表面とを有し、前記第１の領域は、第１の導電性素子の前記第１の部分と前記第２の部分との間に設けられており、前記第１の導電性素子は、熱伝導性でかつ電気絶縁性の前記第１の層に設けられている、第１の導電性素子、
    前記第１の導電性素子の前記第２の部分の前記第１０の表面に設けられる熱電素子、および
    第３の部分と第４の部分と第２の領域とを有する第２の導電性素子であって、前記第３の部分は、第１１の表面と第１２の表面とを有し、前記第４の部分は、第１３の表面と第１４の表面とを有し、前記第２の領域は、第２の導電性素子の前記第３の部分と前記第４の部分との間に設けられており、第２の導電性素子の前記第３の部分の前記第１１の表面は、前記熱電素子に設けられ、前記第２の導電性素子は、前記第２の基板の熱伝導性でかつ電気絶縁性の前記第２の層に設けられている、第２の導電性素子
    を備える熱電デバイス。
15. 前記第１または第２の基板は金属から作られている、請求項１４に記載の熱電デバイス。
16. 前記第１または第２の基板は合金から作られている、請求項１４に記載の熱電デバイス。