JP2013033812A5 - - Google Patents

Description

本発明のパワー半導体モジュールは、第１セラミック基板と、前記第１セラミック基板の一方の主面に配置された第１導電層と、前記第１セラミック基板の他方の主面において前記第１導電層と対向する領域に配置された第２導電層と、シリコンよりバンドギャップの広い材料で構成され、前記第１導電層の表面に配置されたトランジスタと、前記トランジスタのスイッチングによって前記第１導電層及び前記第２導電層に逆向きの電流変化が生じるように前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続部材と、前記第２導電層の表面に一方の主面が接触するように配置された第２セラミック基板と、前記第２導電層と絶縁されるように前記第２セラミック基板の他方の主面に配置された第３導電層と、を備え、前記第２導電層は、両端部において前記第１セラミック基板側の表面の一部が露出するように前記第１セラミック基板より幅広に形成されており、前記接続部材は、前記第２導電層の前記表面の一部に接続されたことを特徴とする。

Claims (6)

1. 第１セラミック基板と、
   前記第１セラミック基板の一方の主面に配置された第１導電層と、
   前記第１セラミック基板の他方の主面において前記第１導電層と対向する領域に配置された第２導電層と、
   シリコンよりバンドギャップの広い材料で構成され、前記第１導電層の表面に配置されたトランジスタと、
   前記トランジスタのスイッチングによって前記第１導電層及び前記第２導電層に逆向きの電流変化が発生するように前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続部材と、
   前記第２導電層の表面に一方の主面が接触するように配置された第２セラミック基板と、
   前記第２導電層と絶縁されるように前記第２セラミック基板の他方の主面に配置された第３導電層と、を備え、
   前記第２導電層は、両端部において前記第１セラミック基板側の表面の一部が露出するように前記第１セラミック基板より幅広に形成されており、前記接続部材は、前記第２導電層の前記表面の一部に接続されたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
2. 前記第３導電層の表面に接する放熱部材を備えたことを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
3. 前記トランジスタは、電界効果型トランジスタ又はＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
4. 前記トランジスタは、２００℃以上の温度条件において使用可能なワイドバンドギャップ材料で構成されたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のパワー半導体モジュール。
5. 前記第１導電層は、第１部材及び当該第１部材と離間して配置された第２部材とで構成され、
   前記第１部材の表面には第１トランジスタ及び第１ダイオードが配置され、
   前記第１トランジスタと前記第１ダイオードとは、第１導電性ワイヤにより接続され、
   前記第１トランジスタと第２部材とは、第２導電性ワイヤにより接続されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のパワー半導体モジュール。
6. 前記第１導電層は、第１部材及び当該第１部材と離間して配置された第２部材とで構成され、
   前記第１部材の表面には第１トランジスタ及び第１ダイオードが配置され、
   前記第２部材の表面には第２トランジスタ及び第２ダイオードが配置され、
   前記第１部材は、前記第１トランジスタの第１端子及び前記第１ダイオードの第１端子と接続され、
   前記第１トランジスタの第２端子及び前記第１ダイオードの第２端子は、前記第２部材と接続され、
   前記第２部材は、前記第２トランジスタの第１端子及び前記第２ダイオードの第１端子と接続され、
   前記第２トランジスタの第２端子及び前記第２ダイオードの第２端子は、前記接続部材と接続されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のパワー半導体モジュール。