WO2012120572A1 - 熱発電素子を用いた発電方法、熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイス - Google Patents

熱発電素子を用いた発電方法、熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイス Download PDF

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  • the metal layer 15 contains Ni or Co. In this case, higher thermoelectric generation characteristics are achieved.
  • the metal layer 15 may contain these metals alone or as an alloy. When the metal layer 15 contains these metals alone, the metal layer 15 is made of Ni or Co. When the metal layer 15 is an alloy, the metal layer 15 is preferably an alloy containing Cu, Cr, or Al, such as constantan, chromel, or alumel.
  • An alumina plate was used as the support plate 45, and the element 1 disposed on the alumina plate was produced in the same manner as in Example 1.
  • the thickness of the Ni layer is 0.5 mm
  • the inclination angle ⁇ was 20 °.
  • the size of the laminated body 13 in the element 1 was 50 mm in length, 1 mm in width, and 2 mm in thickness.
  • a Ni plate having a thickness of 0.5 mm was used for the connection electrode 43 and the extraction electrode 44.

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Abstract

 熱発電素子は、互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極に狭持され、かつ電気的に接続された積層体を備え、積層体はBiTe層と、NiまたはCoを含む金属層とが交互に積層された構造を有する。金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、BiTe層および金属層の積層面は、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して、10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜している。垂直な方向の温度差により、第1および第2の電極間に電位差が発生する熱発電素子、ならびに当該素子を用いた発電方法および熱発電デバイスとする。

Description

熱発電素子を用いた発電方法、熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイス
 本発明は、熱エネルギーから直接的に電気エネルギーを得る方法である、熱発電素子を用いた発電方法に関する。また、本発明は、熱エネルギーを直接電気エネルギーへ変換する熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイスに関する。
 熱発電は、物質の両端に印加された温度差に比例して起電力が生じるゼーベック効果を利用し、熱エネルギーを直接電気エネルギーに変換する技術である。この技術は、僻地用電源、宇宙用電源、軍事用電源などで実用化されている。
 従来の熱発電素子では、キャリアの符号が異なる「p型半導体」と「n型半導体」とを、熱的に並列に、かつ電気的に直列に組み合わせた、いわゆる「π型構造」と呼ばれる構成をとることが一般的である。
 熱発電素子に用いられる熱電材料の性能は、一般に、性能指数Z、またはZに絶対温度を乗じて無次元化した性能指数ZTにより評価される。ZTは、熱電材料のゼーベック係数S、電気抵抗率ρ、および熱伝導率κを用いて、式ZT=S/(ρκ)と記述できる。また、ゼーベック係数Sと電気抵抗率ρのみを考慮した指数であるS/ρは、パワーファクター(出力因子)とも呼ばれ、温度差を一定とした場合における熱電材料の発電性能を評価する基準となる。
 現在、熱電材料として実用化されているBiTe系の熱電材料は、ZTが1程度、パワーファクターが40μW/(cm・K)程度であり、比較的高い熱発電性能を有するが、それでも上記π型構造を有する素子とした場合には高い熱発電性能の確保が難しく、より多くの用途での実用に足るほどには至っていない。
 特許文献1は、複数のBiTe層および複数の金属層を交互にかつ斜めに具備する熱電変換素子を開示している。当該熱電変換素子は、高いパワーファクターを有する。
 しかし、パワーファクターが高くても、常に十分な電力が発生するとは限らない。
特許第4124807号公報(米国特許第7560639号明細書)
 上述したように、熱発電素子は高いパワーファクターを有するのみならず、充分な電力を発生することが必要である。本発明者らは、積層体を用いた熱発電素子について鋭意研究を重ねた結果、BiTe(テルル化ビスマス)層と、特定の金属を含む金属層とからなり、上記BiTe層と上記金属層との厚さの比が特定の範囲にある積層体を用い、当該積層体を狭持する電極同士が対向する方向に対して、積層体の積層面を所定の傾斜角θで傾斜させることにより、BiTeを熱電材料として単独で用いた場合に比べて、素子のパワーファクターを増大でき、さらに、同一条件の下でより高い出力電力が得られるという知見を見出し、この知見に基づいて本発明に到達するに至った。
 本発明の熱発電素子を用いた発電方法は、熱発電素子に温度差を発生させて素子から電力を得る方法であって、素子は、互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極と、第1および第2の電極に狭持され、かつ第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体とを備え、積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層とが交互に積層された構造を有し、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、BiTe層および金属層の積層面は、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、素子における前記方向に垂直な方向に温度差を発生させることにより、第1および第2の電極を介して電力を得る方法である。
 本発明の熱発電素子は、互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極と、第1および第2の電極に狭持され、かつ第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体とを備え、積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層とが交互に積層された構造を有し、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、BiTe層および金属層の積層面は、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、素子における前記方向に垂直な方向の温度差により、第1および第2の電極間に電位差が発生する素子である。
 本発明の熱発電素子の製造方法は、互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極と、第1および第2の電極に狭持され、かつ、第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体とを備え、積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層とが交互に積層された構造を有し、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、BiTe層および金属層の積層面は、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、素子における前記方向に垂直な方向の温度差により、前記第1および第2の電極間に電位差が発生する熱発電素子の製造方法であって、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層とが交互に積層され、前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にある原板を、前記BiTe層および前記金属層の積層面を斜めに横断するように切り出し、得られた積層体に、互いに対向し、かつその対向する方向が前記積層面を10°以上60°以下の傾斜角θで横断するように前記第1および第2の電極を配置する方法である。
 本発明の熱発電デバイスは、支持板と、支持板上に配置された熱発電素子とを備え、素子は、互いに対向して配置された第1および第2の電極と、第1および第2の電極に狭持され、かつ第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体とを備え、積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層とが交互に積層された構造を有し、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、BiTe層および金属層の積層面は、一対の電極が互いに対向する方向に対して10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、素子は、前記方向に垂直な方向が、支持板における素子が配置された面に垂直な方向と一致するように、支持板上に配置され、支持板の前記面に垂直な方向に温度差を発生させることにより、前記一対の電極を介して電力が得られるデバイスである。
 本発明の発電方法、熱発電素子および熱発電デバイスによれば、従来の熱発電方法、熱発電素子および熱発電デバイス(代表的には、熱電材料としてBiTeを単独で用いた熱発電方法、熱発電素子および熱発電デバイス)に比べて、高い熱発電特性を実現できる。本発明は、熱エネルギーと電気エネルギーとの間のエネルギー変換の効率を向上させ、様々な分野への熱発電の応用を促進させる効果を有しており、工業的に高い価値を有する。
図1は、本発明の熱発電素子の一例と、第1および第2の電極が対向する方向、温度差を発生させる方向、ならびに傾斜角θと、を示す模式図である。 図2は、本発明の熱発電素子を駆動する構成の一例を示す模式図である。 図3は、本発明の熱発電素子の製造方法における、原板から積層体を切り出す方法の一例を示す模式図である。 図4は、本発明の熱発電デバイスの一例を模式的に示す斜視図である。 図5は、本発明の熱発電デバイスの別の一例を模式的に示す斜視図である。
 本発明の発電方法では、積層体におけるBiTe層および金属層の積層面が、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して傾斜する角度(傾斜角)θは、20°以上45°以下であってもよい。
 本発明の発電方法では、金属層が、NiまたはCoを含むことが好ましい。
 本発明の発電方法では、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にあることが好ましい。
 本発明の発電方法では、素子のパワーファクターが100μW/(cm・K)以上であってもよい。
 本発明の発電方法では、積層体におけるBiTe層および金属層の積層面が、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して傾斜する角度(傾斜角)θが20°以上45°以下であり、金属層がNiまたはCoを含み、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にあってもよく、このとき、素子のパワーファクターが100μW/(cm・K)以上であってもよい。
 本発明の熱発電素子では、積層体におけるBiTe層および金属層の積層面が、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して傾斜する角度(傾斜角)θは、20°以上45°以下であってもよい。
 本発明の熱発電素子では、金属層が、NiまたはCoを含むことが好ましい。
 本発明の熱発電素子では、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にあることが好ましい。
 本発明の熱発電素子では、素子のパワーファクターが100μW/(cm・K)以上であってもよい。
 本発明の熱発電素子では、積層体におけるBiTe層および金属層の積層面が、第1の電極と第2の電極とが対向する方向に対して傾斜する角度(傾斜角)θが20°以上45°以下であり、金属層がNiまたはCoを含み、金属層とBiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にあってもよく、このとき、素子のパワーファクターが100μW/(cm・K)以上であってもよい。
 本発明の熱発電デバイスは、2以上の上記熱発電素子を備えていてもよく、このとき、当該素子同士が、上記電極を介して電気的に直列に接続されていてもよいし、上記電極を介して電気的に並列に接続されていてもよい。
 (熱発電素子)
 図1に、本発明の熱発電素子の一例を示す。図1に示す熱発電素子1は、互いに対向して配置された第1の電極11および第2の電極12と、第1の電極11および第2の電極12に狭持され、かつ双方の電極に電気的に接続された積層体13とを備える。積層体13は、第1の電極11および第2の電極12の主面に接続されており、双方の電極の主面は互いに平行である。なお、図1に示す積層体13の形状は直方体であり、第1の電極11および第2の電極12は、その対向する一対の面上に配置されている。第1および第2の電極の表面と、第1および第2の電極が対向する方向(対向方向17)とは、直交している。
 積層体13は、BiTe層14、ならびに、NiまたはCoを含む金属層15とが交互に積層された構造を有し、各層の積層面(各層の主面に平行な方向16)は、対向方向17に対して、10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜している。積層体13における金属層15と、BiTe層14との厚さの比は、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にある。
 素子1では、対向方向17に対して垂直な方向18の温度差により、第1の電極11と第2の電極12との間に電位差が発生する。即ち、素子1における、対向方向17に対して垂直な方向18に温度差を発生させることにより、第1の電極11および第2の電極12を介して電力を取り出すことができる。
 具体的には、例えば、図2に示すように、素子1の積層体13における電極11、12を配置していない一方の面に高温部22を、他方の面に低温部23を密着させて、電極11、12の対向方向17に対して垂直な方向18に温度差を印加することにより、電極11、12間に電位差を発生させ、両電極を介して電力を取り出すことができる。これに対して、π型構造を有する従来の熱発電素子では、温度差を印加する方向に対して平行な方向にのみ起電力が生じ、垂直な方向には起電力は生じない。このため、従来の熱発電素子では、電力を取り出す一対の電極間に温度差を印加する必要がある。なお、素子1における第1の電極11と第2の電極12の対向方向17、および、温度差を発生させる方向18は、いずれも、積層体13における各層の積層面を横断している。また、温度差を発生させる方向18は、電極11、12の対向方向17に対して、ほぼ垂直であればよい(同様に、本明細書における「垂直」とは、「ほぼ垂直」であればよい)。
 従来、熱電材料のゼーベック係数Sおよび電気抵抗率ρをともに改善し、素子のパワーファクターを増大させることは困難であった。これに対して素子1では、熱電材料としてBiTeを単独で用いた場合に比べて、素子のパワーファクターを増大でき、高い熱発電特性を得ることができる。
 BiTe層14を構成するテルル化ビスマスの組成は、その作製条件によっては、式BiTeで示される組成からずれることがある。BiTe層14を構成するテルル化ビスマスの組成は、式BiTeと表記したときに、2<X<4、であればよい。またBiTe層14はSbを含んでいても良い。この時のテルル化ビスマスの組成は式(Bi1-YSbTeと表記したときに、0<Y<1であれば良く、0.6<Y<0.9であることがより好ましい。
 金属層15は、NiまたはCoを含む。この場合、より高い熱発電特性が達成される。なお、金属層15は、これらの金属を単独で、あるいは合金として含んでいてもよい。金属層15がこれらの金属を単独で含む場合、金属層15は、NiまたはCoからなる。金属層15が合金の場合、金属層15はコンスタンタン、クロメルまたはアルメルのように、Cu、CrまたはAlを含む合金であることが好ましい。
 第1の電極11および第2の電極12には、導電性に優れる材料を用いることが好ましい。例えば、Cu、Ag、Mo、W、Al、Ti、Cr、Au、Pt、Inなどの金属、あるいは、TiN、スズ添加酸化インジウム(ITO)、SnOなどの窒化物または酸化物を用いてもよい。その他、ハンダ、銀ロウ、導電性ペーストなどを電極として用いることもできる。
 詳細は実施例に後述するが、本発明者らは様々な条件を検討することにより、積層体13を構成する各層の積層面と電極11、12の対向方向17とがなす傾斜角θ、ならびにBiTe層14と金属層15との厚さの比の制御によって、素子1のパワーファクターをさらに向上させ、より高い熱発電特性が得られることを見出した。傾斜角θは、10°以上60°以下であり、20°以上45°以下が好ましい。
 金属層15とBiTe層14との厚さの比は、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1であり、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にあることが好ましい。
 傾斜角θ、金属層15の種類、および上記厚さの比との組み合わせの観点からは、傾斜角θが20°以上45°以下であり、金属層15がNiまたはCoを含み、金属層15とBiTe層14との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にあることがより好ましい。
 これらの条件によっては、素子1のパワーファクター(出力因子)を、50μW/(cm・K)以上とすることができ、さらには100μW/(cm・K)以上とすることも可能である。
 (熱発電素子の製造方法)
 熱発電素子1は、例えば、図3に示すように、BiTe層31と、NiまたはCoを含む金属層32とが交互に積層され、金属層32とBiTe層31との厚さの比が、金属膜:BiTe膜=20:1~0.5:1の範囲にある原板(積層原板)34を、BiTe層31および金属層32の積層面35を斜めに横断するように切り出し(例えば、切り出し面と積層面35とが交わる角度が、10°以上60°以下となるように切り出し)、得られた積層体(13a、13b、13cまたは13d)に対して、互いに対向し、かつその対向する方向が積層面35を10°以上60°以下の傾斜角θで横断するように第1および第2の電極を配置して形成できる。なお、符号33は、原板34を、積層面35を垂直に横断するように切り出して得た積層体33であり、このような積層体からは本発明の熱発電素子を形成できない。また、「その対向する方向が積層面35を横断するように第1および第2の電極を配置する」とは、例えば、図3に示す積層体13dに関しては、その側面AおよびA’、または側面BおよびB’に、電極を配置することを意味する。
 金属層32は、金属層15を構成する金属と同一の金属からなればよい。
 原板34は、例えば、表面にBiTe膜を形成した金属層32(典型的には、金属板)を、複数重ね合わせ、圧着成形して形成できる。圧着成形時には、圧力の他に熱を印加してもよい。BiTe膜は、金属層32の片面に形成されていても、両面に形成されていてもよいが、両面にBiTe膜が形成された金属層32を用いることで、原板34を構成する各層の密着度を向上できる。
 また例えば、原板34は、BiTe層31と金属層32とを交互に堆積させることによっても形成できる。
 金属層32の表面へのBiTe膜の形成、ならびに、BiTe層31および金属層32の堆積は、各種の薄膜形成方法、例えば、スパッタリング法、蒸着法、レーザーアブレーション法、化学的気相成長法をはじめとする気相成長法、液相成長法、めっき法など、により行うことができる。なお、上記薄膜形成手法により形成するBiTe層31および金属層32の厚さの比は、一般的な手法により調整すればよい。
 原板34の切り出しには、切削加工などの公知の手法を用いればよい。必要であれば、切り出しにより得られた積層体13の表面に研磨処理を施してもよい。
 第1および第2の電極を配置する際には、必ずしも積層体13における電極を配置する面の全体に当該電極を配置しなくてもよく、積層体13における電極を配置する面の一部に当該電極を配置してもよい。
 第1および第2の電極の配置方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング法、蒸着法、気相成長法などの各種の薄膜形成手法、あるいは導電性ペーストの塗布、メッキ、溶射などの手法を用いることができる。また例えば、別途形成した電極をハンダ、銀ロウなどにより積層体13に接合させてもよい。
 熱発電素子1は、上記とは別の方法によっても製造可能である。例えば、NiまたはCoを含む金属板の表面に、周期的に開口部を有するエッチングマスクを配置し、金属板の表面に対して、斜め方向から直進性の高いエッチング粒子を照射することによって、断面を見たときに、表面に対して傾斜したスリットが等間隔に並んだ金属板を形成する。次に、当該スリットの内部にBiTeを析出させる(例えば、スリットの内部にBiTeを蒸着またはめっきする)ことによって、積層体13を形成してもよい。形成した積層体13に対して、上記と同様に第1および第2の電極を配置して、熱発電素子1を形成できる。
 (熱発電デバイス)
 図4に本発明の熱発電デバイスの一例を示す。図4に示すデバイス41は、支持板45と、支持板45上に配置された6つの本発明の熱発電素子1を備える。それぞれの素子1は、各素子における第1および第2の電極が対向する方向17に垂直な方向が、支持板45における素子1が配置された面に垂直な方向と一致するように、支持板45上に配置されている。また、隣接する素子1同士は、それぞれの素子1の第1または第2の電極を兼ねる接続電極43を介して電気的に直列に接続されており、6つの素子1の配列の末端に位置する素子1a、1bには、第1または第2の電極を兼ねる取り出し電極44が配置されている。
 デバイス41では、支持板45の面に垂直な方向に温度差を発生させる。例えば、支持板45における素子1が配置されていない面に低温部を、素子1における支持板45に接している面とは反対側の面に高温部を、接触させることにより、取り出し電極44を介して電力を得ることができる。なお、図4に示す例における隣接する素子1間では、そのBiTe層および金属層の積層面の傾斜の方向が互いに逆となっているが、これは、温度差の発生によって素子1に生じる起電力を、隣接する素子1間で打ち消しあわないようにするためである。
 図5に本発明の熱発電デバイスの別の一例を示す。図5に示すデバイス42は、支持板45と、支持板45上に配置された8つの本発明の熱発電素子1を備える。それぞれの素子1は、各素子における第1および第2の電極が対向する方向17に垂直な方向が、支持板45における素子1が配置された面に垂直な方向と一致するように、支持板45上に配置されている。8つの素子1は、2つの素子1を1ブロックとして、支持板45上に4ブロック配置されており、1つのブロック内の素子(例えば、素子1aと1b)は、それぞれの素子の第1または第2の電極を兼ねる接続電極43を介して電気的に並列に接続されている。隣接するブロック同士は、接続電極43を介して電気的に直列に接続されている。
 デバイス42では、支持板45の面に垂直な方向に温度差を発生させる、例えば、支持板45における素子1が配置されていない面に低温部を、素子1における支持板45に接している面とは反対側の面に高温部を、接触させることにより、取り出し電極44を介して電力を得ることができる。なお、図5に示す例における1つのブロック内の素子1間では、そのBiTe層および金属層の傾斜の方向は互いに同一であり、隣接するブロック間では、素子1のBiTe層および金属層の傾斜の方向が互いに逆となっているが、これは、温度差の発生によって素子1に生じる(温度差の発生によってブロックに生じる)起電力を、隣接する素子間およびブロック間で打ち消しあわないようにするためである。
 本発明の熱発電デバイスの構成は図4、5に示す例に限定されず、例えば、支持板上に配置される熱発電素子の個数は1つであってもよいが、図4、5に示す例のように、2以上の熱発電素子を配置した熱発電デバイスとすることにより、より多くの発電量を得ることができる。また、図4に示す例のように、素子同士を電気的に直列に接続することにより、得られる電圧を増大でき、図5に示す例のように、素子同士を電気的に並列に接続することにより、素子1の電気的な接続が部分的に失われた場合においても、熱発電デバイス全体としての機能を確保できる可能性を増大でき、熱発電デバイスの信頼性を向上できる。即ち、これら素子の直列および並列接続を適切に組み合わせることにより、高い熱発電特性を有する熱発電デバイスを構成できる。
 接続電極43および取り出し電極44の構成は、導電性に優れる限り特に限定されない。例えば、Cu、Ag、Mo、W、Al、Ti、Cr、Au、Pt、Inなどの金属、あるいは、TiN、スズ添加酸化インジウム(ITO)、SnO2などの窒化物または酸化物からなる接続電極43および取り出し電極44であってもよい。その他、ハンダ、銀ロウ、導電性ペーストなどを電極として用いることもできる。
 (熱発電素子を用いた発電方法)
 本発明の発電方法は、上記説明した本発明の熱発電素子1における電極の対向方向17に垂直な方向に温度差を発生させることにより、第1の電極11および第2の電極12(あるいは接続電極43または取り出し電極44)を介して電力を得る方法である。
 本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。
 (実施例)
 以下、本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
 (実施例1)
 実施例1では、BiTeならびに数種類の金属(Ni、Co、コンスタンタン、クロメル、およびアルメル)を用いて、図1に示すような熱発電素子1を作製し、その熱発電特性を評価した。比較例として、別の金属(Ag、Cu、およびTi)を用いて同様の素子を作製した。実施例1におけるBiTe層はBiTe2.9の組成を有していた。
 まず、5mm×100mmのサイズ、0.25mmの厚みを有する100枚のBiTe板と、5mm×100mmのサイズ、1.0mmの厚みを有する100枚の金属板を準備した。
 次にBiTe板と金属板を交互に重ね、積層体を得た。400℃、10MPaの条件下で積層体にホットプレスを行い、全ての板が接合された原板を作製した。
 このようにして得られた原板から、ダイヤモンドカッターを用いた切削加工により、厚さ2mm、幅2mm、長さ40mmの積層体13を、傾斜角θにして0°、5°、10°、20°、30°、45°、60°、75°、90°と変化させながら図3に示すように切り出した。その後、切り出した各々の積層体13における長辺方向の両端面(図3に示す側面B、B’に相当する)に、超音波はんだごてを用いてInからなる第1の電極11および第2の電極12を形成して、図1に示すような熱発電素子1を得た。
 次に、図2に示すように、熱発電素子1を間に挟む2つのヒートシンクを設置した。ヒートシンクは銅製であり、ヒートシンクの内部には流体が流れ得た。
 一方のヒートシンク内部に80℃の温水を流して熱発電素子1を加熱した。他方のヒートシンク内部に20℃の冷水を流して熱発電素子1を冷却した。このようにして、対向方向17に垂直な方向に温度勾配を発生させ、その際に電極間に生じた電圧(起電圧)と、電極間の電気抵抗値とを測定し、素子1のパワーファクターと、同条件下で得られる最大の発電量を求めた。なお、温度勾配を発生させる方向は、積層体13におけるBiTe層および金属層の積層面を横断する方向とした。
 各金属板を用いて形成した素子1(素子1は、用いた金属板の種類に応じて、Ni層、Co層、コンスタンタン層、クロメル層、またはアルメル層の各金属層を有する)において、傾斜角θの変化に対する素子1のパワーファクターの評価結果を以下の表1に示す。一例として、金属層がNi層であり、傾斜角θが30°である素子1では、その起電圧は77.5mV、電気抵抗値は9.2mΩであり、得られる電力の最大値は164mWであった。またパワーファクターは135μW/(cm・K)であった。
 [傾斜角θ(°)による素子のパワーファクター(μW/(cm・K))および電力の最大値(mW)の変化]
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1に示すように、傾斜角θが0°および90°の素子、即ち、BiTe層および金属層の積層面が、第1および第2の電極が対向する方向に対して平行な素子、または直交している素子では、パワーファクターおよび電力の値が得られなかった。一方、傾斜角θが0°と90°以外の素子、即ち、BiTe層および金属層の積層面が、第1および第2の電極が対向する方向に対して傾斜している素子では、パワーファクターを得ることができ、金属がNiまたはCoで傾斜角θが10°以上60°以下の素子では、50μW/(cm・K)以上の高いパワーファクターを得ることができた。金属がコンスタンタン、クロメルまたはアルメルで、傾斜角θが20°以上45°以下の素子では、50μW/(cm・K)以上の高いパワーファクターを得ることができた。さらに、実施例1の熱発電素子による発電電力は、比較例1よりも大きかった。
 (実施例2)
 実施例2では、金属層とBiTe層との厚さの比が異なる素子を実施例1と同様に作製し、その熱発電特性を評価した。なお、実施例1におけるBiTe層はBiTe2.9の組成を有していた。
 素子は、金属板に厚さ1mmのNi板を用い(即ち、金属層として厚さ1mmのNi層を有する)、BiTe層の厚さを0.05mmから5mmの範囲で変化させて作製した。なお、傾斜角θは20°に固定した。
 作製した素子に対して、実施例1と同様にしてそのパワーファクターを評価した結果を、以下の表2に示す。
 [厚さ1mmの金属層とBiTe層との厚さの比による素子のパワーファクター(μW/(cm・K))および電力の最大値(mW)の変化]
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2に示すように、金属がNiまたはCoの場合には、BiTe層の厚さが0.05~1mmの範囲、即ち金属層とBiTe層との厚さの比が金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあるときに、50μW/(cm・K)以上の高いパワーファクターを得ることができた。
 また、金属がコンスタンタン、クロメルまたはアルメルの場合には、BiTe層の厚さが0.1~1mmの範囲、即ち金属層とBiTe層の厚さの比が金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にある(積層体に占めるBiTe層の厚さの割合がおよそ1%程度)時に、50μW/(cm・K)以上のパワーファクターを実現できた。さらに、実施例1の熱発電素子による発電電力は、比較例1よりも大きかった。
 (実施例3)
 実施例3では、素子の実装面積を大きくし、より大きな熱発電量を得るために、図4に示すような熱発電デバイス41を作製した。なお、素子1の金属層を構成する金属の種類はNiとし、接続電極43および取り出し電極44にもNiを用いた。実施例3におけるBiTe層はBi0.6Sb1.4Teの組成を有していた。
 支持板45にはアルミナ板を用い、アルミナ板上に配置する素子1は、実施例1と同様に作製した。素子1におけるNi層の厚さは0.5mm、BiTe層の厚さは0.05mmとし(即ち、Ni層とBiTe層との厚さの比は、Ni層:BiTe層=10:1)、傾斜角θは20°とした。また、素子1における積層体13のサイズは長さ50mm、幅1mm、厚さ2mmとした。接続電極43および取り出し電極44には、厚さ0.5mmのNi板を用いた。
 素子1は40個準備し、準備したそれぞれの素子を支持板45上に等間隔に配列し、図4に示すように、接続電極43により、隣り合う素子1同士を電気的に直列に接続した。このとき、隣り合う素子1におけるBiTe層の傾斜の方向は互いに逆向きとなるようにして、温度差に起因する各素子1の起電力が相殺されないようにした。40個の素子1は、約60mm×60mmの範囲に配置した。なお、接続電極43と素子1と、ならびに、取り出し電極44と素子1と、は、少量のIn(インジウム)片を用いた加熱圧着により、電気的に接続した。
 このように作製した熱発電デバイス41における取り出し電極44間の電気抵抗値を測定したところ、108mΩであった。
 次に、支持板45の裏面(素子1が配置されている面とは反対側の面)を10℃の水で冷やし、素子1における支持板45に接している面とは反対側の面を、90℃の熱湯で加熱したところ、取り出し電極44間の開放端起電圧にして3.4Vの値が得られた。この値と、上記測定した電気抵抗値とから見積もると、作製した熱発電デバイス41におけるパワーファクターは214μW/(cm・K)であり、最大26Wの電力を取り出すことができた。
 本発明によれば、従来の熱電材料を用いた発電方法、熱発電素子および熱発電デバイスに比べて、高い熱発電特性を実現でき、自動車や工場などから排出される排ガスなどの熱を用いた発電機、あるいは、小型の携帯発電機などに応用できる。
 1  熱発電素子
 11  第1の電極
 12  第2の電極
 13  積層体
 14  BiTe
 15  金属層
 16  各層の主面に平行な方向
 17  対向方向
 18  対向方向17に対して垂直な方向
 22  高温部
 23  低温部
 31  BiTe
 32  金属層
 33  積層体
 34  原板
 35  積層面
 41  デバイス
 42  デバイス
 43  接続電極
 44  取り出し電極
 45  支持板

Claims (20)

  1.  熱発電素子に温度差を発生させて前記素子から電力を得る、熱発電素子を用いた発電方法であって、
     前記素子は、
     互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極と、
     前記第1および第2の電極に狭持され、かつ前記第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体と、を備え、
     前記積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層と、が交互に積層された構造を有し、
     前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、
     前記BiTe層および前記金属層の積層面は、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向する方向に対して、10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、
     前記素子における前記方向に垂直な方向に温度差を発生させることにより、前記第1および第2の電極を介して電力を得る、熱発電素子を用いた発電方法。
  2.  前記積層面の前記方向に対する傾斜角θが、20°以上45°以下である請求項1に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  3.  前記金属層が、NiまたはCoを含む請求項1に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  4.  前記金属層が、コンスタンタン、クロメルまたはアルメルを含む請求項1に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  5.  前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にある請求項1に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  6.  前記素子のパワーファクターが50μW/(cm・K)以上である請求項1に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  7.  前記金属層が、NiまたはCoを含み、
     前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にある請求項2に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  8.  前記素子のパワーファクターが100μW/(cm・K)以上である請求項7に記載の熱発電素子を用いた発電方法。
  9.  互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極と、
     前記第1および第2の電極に狭持され、かつ前記第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体と、を備えた熱発電素子であって、
     前記積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層と、が交互に積層された構造を有し、
     前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、
     前記BiTe層および前記金属層の積層面は、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向する方向に対して、10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、
     前記素子における前記方向に垂直な方向の温度差により、前記第1および第2の電極間に電位差が発生する、熱発電素子。
  10.  前記積層面の前記方向に対する傾斜角θが、20°以上45°以下である請求項9に記載の熱発電素子。
  11.  前記金属層が、NiまたはCoを含む請求項9に記載の熱発電素子。
  12.  前記金属層が、コンスタンタン、クロメルまたはアルメルを含む請求項9に記載の熱発電素子。
  13.  前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にある請求項9に記載の熱発電素子。
  14.  前記素子のパワーファクターが50μW/(cm・K)以上である請求項9に記載の熱発電素子。
  15.  前記金属層が、NiまたはCoを含み、
     前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=10:1~1:1の範囲にある請求項10に記載の熱発電素子。
  16.  前記素子のパワーファクターが100μW/(cm・K)以上である請求項15に記載の熱発電素子。
  17.  互いに対向して配置された第1の電極および第2の電極と、
     前記第1および第2の電極に狭持され、かつ前記第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体と、を備えた熱発電素子であり、
     前記積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層と、が交互に積層された構造を有し、
     前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、
     前記BiTe層および前記金属層の積層面は、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向する方向に対して、10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、
     前記素子における前記方向に垂直な方向の温度差により、前記第1および第2の電極間に電位差が発生する熱発電素子の製造方法であって、
     BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層と、が交互に積層され、
    前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にある原板を、前記BiTe層および前記金属層の積層面を斜めに横断するように切り出し、得られた積層体に、互いに対向し、かつその対向する方向が前記積層面を10°以上60°以下の傾斜角θで横断するように前記第1および第2の電極を配置する、熱発電素子の製造方法。
  18.  支持板と、前記支持板上に配置された熱発電素子と、を備え、
     前記素子は、互いに対向して配置された第1および第2の電極と、前記第1および第2の電極に狭持され、かつ前記第1および第2の電極の双方に電気的に接続された積層体と、を備え、
     前記積層体は、BiTe層と、NiまたはCoを含む金属層と、が交互に積層された構造を有し、
     前記金属層と前記BiTe層との厚さの比が、金属層:BiTe層=20:1~0.5:1の範囲にあり、
     前記BiTe層および前記金属層の積層面は、前記一対の電極が互いに対向する方向に対して、10°以上60°以下の傾斜角θで傾斜しており、
     前記素子は、前記方向に垂直な方向が、前記支持板における前記素子が配置された面に垂直な方向と一致するように、前記支持板上に配置され、
     前記支持板の前記面に垂直な方向に温度差を発生させることにより、前記一対の電極を介して電力が得られる熱発電デバイス。
  19.  2以上の前記素子を備え、
     前記素子同士が、前記電極を介して電気的に直列に接続されている請求項18に記載の熱発電デバイス。
  20.  2以上の前記素子を備え、
     前記素子同士が、前記電極を介して電気的に並列に接続されている請求項18に記載の熱発電デバイス。
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