RU2010133877A - Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах - Google Patents

Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах Download PDF

Info

Publication number
RU2010133877A
RU2010133877A RU2010133877/05A RU2010133877A RU2010133877A RU 2010133877 A RU2010133877 A RU 2010133877A RU 2010133877/05 A RU2010133877/05 A RU 2010133877/05A RU 2010133877 A RU2010133877 A RU 2010133877A RU 2010133877 A RU2010133877 A RU 2010133877A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
halogenosilanes
purity
content
complexes
elements
Prior art date
Application number
RU2010133877/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2502669C2 (ru
Inventor
Эккехард МЮ (DE)
Эккехард Мю
Хартвиг РАУЛЕДЕР (DE)
Хартвиг Рауледер
Райнхольд ШОРК (DE)
Райнхольд ШОРК
Original Assignee
Эвоник Дегусса ГмБх (DE)
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Дегусса ГмБх (DE), Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса ГмБх (DE)
Publication of RU2010133877A publication Critical patent/RU2010133877A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2502669C2 publication Critical patent/RU2502669C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/10778Purification
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/10778Purification
    • C01B33/10794Purification by forming addition compounds or complexes, the reactant being possibly contained in an adsorbent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

1. Способ уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты, осуществляемого для получения высокочистых галогенсиланов, который включает следующие стадии: ! a) смешивание подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов с соединениями этих элементов, и ! b) получение высокочистых галогенсиланов путем дистилляционного выделения комплексов. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадию a) смешивания подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов осуществляют в аппарате (2), из которого галогенсиланы и комплексы по меньшей мере частично направляют в дистилляционную колонну (3) для выделения комплексов на стадии b). ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии a) и b) объединяют в непрерывный процесс получения высокочистых галогенсиланов, основанный на превращении металлургического кремния. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и/или алюминия. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и алюминия. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают хлорсиланы. ! 7. Способ по п.6, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают тетрахлорсилан и/или трихлорсилан. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в галогенсиланах технической чистоты определяют содержание примесей, образующих комплексы с трифенилметилхлоридом. ! 9. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что получают высокочистые галогенсиланы с содержанием соответствующего элемента третьей главной группы периодической системы ≤30 м кг/к

Claims (15)

1. Способ уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты, осуществляемого для получения высокочистых галогенсиланов, который включает следующие стадии:
a) смешивание подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов с соединениями этих элементов, и
b) получение высокочистых галогенсиланов путем дистилляционного выделения комплексов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадию a) смешивания подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов осуществляют в аппарате (2), из которого галогенсиланы и комплексы по меньшей мере частично направляют в дистилляционную колонну (3) для выделения комплексов на стадии b).
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии a) и b) объединяют в непрерывный процесс получения высокочистых галогенсиланов, основанный на превращении металлургического кремния.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и/или алюминия.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и алюминия.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают хлорсиланы.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают тетрахлорсилан и/или трихлорсилан.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в галогенсиланах технической чистоты определяют содержание примесей, образующих комплексы с трифенилметилхлоридом.
9. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что получают высокочистые галогенсиланы с содержанием соответствующего элемента третьей главной группы периодической системы ≤30 м кг/кг.
10. Установка (1) для уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты для получения высокочистых галогенсиланов, которая включает по меньшей мере одно устройство (2) для образования комплексов соединений, содержащих указанные элементы, и присоединенную к устройству (2) дистилляционную колонну (3).
11. Установка по п.10, отличающаяся тем, что дистилляционная колонна (3) по направлению потока присоединена по меньшей мере к одному устройству для образования комплекса (2).
12. Установка по п.10, отличающаяся тем, что к дистилляционной колонне присоединены дистилляционный куб и по меньшей мере один дистилляционный приемник.
13. Установка по п.10, отличающаяся тем, что к устройству для образования комплекса (2) присоединен дозатор.
14. Установка по одному из пп.10-13, отличающаяся тем, что установка (1) присоединена к общей установке, включающей реактор для превращения металлургического кремния.
15. Применение установки по одному из пп.10-14 для осуществления способа по одному из пп.1-9.
RU2010133877/05A 2008-01-14 2008-11-20 Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах RU2502669C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008004396.6 2008-01-14
DE102008004396A DE102008004396A1 (de) 2008-01-14 2008-01-14 Anlage und Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen
PCT/EP2008/065902 WO2009089951A2 (de) 2008-01-14 2008-11-20 Anlage und verfahren zur verminderung des gehaltes von elementen, wie bor, in halogensilanen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010133877A true RU2010133877A (ru) 2012-02-27
RU2502669C2 RU2502669C2 (ru) 2013-12-27

Family

ID=40758535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010133877/05A RU2502669C2 (ru) 2008-01-14 2008-11-20 Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах

Country Status (11)

Country Link
US (1) US20110052474A1 (ru)
EP (1) EP2252549A2 (ru)
JP (1) JP5579078B2 (ru)
KR (1) KR20100112576A (ru)
CN (1) CN101486464A (ru)
BR (1) BRPI0822003A2 (ru)
CA (1) CA2710796A1 (ru)
DE (1) DE102008004396A1 (ru)
RU (1) RU2502669C2 (ru)
UA (1) UA101175C2 (ru)
WO (1) WO2009089951A2 (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITRM20040570A1 (it) 2004-11-19 2005-02-19 Memc Electronic Materials Procedimento e impianto di purificazione di triclorosilano e di tetracloruro di silicio.
DE102005041137A1 (de) 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102008054537A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration
DE102009027730A1 (de) 2009-07-15 2011-01-27 Evonik Degussa Gmbh Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen
DE102009053804B3 (de) 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
DE102010002342A1 (de) 2010-02-25 2011-08-25 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren
CN101817527B (zh) * 2010-04-16 2012-01-25 浙江中宁硅业有限公司 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法
DE102010042693A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Aufbereitung eines Bilddatenstroms
DE102011004058A1 (de) 2011-02-14 2012-08-16 Evonik Degussa Gmbh Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
DE102011004750A1 (de) 2011-02-25 2012-08-30 Evonik Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Verarbeiten eines SiO2-haltigen Materials
JP6095613B2 (ja) * 2014-07-10 2017-03-15 信越化学工業株式会社 クロロシランの精製方法
CN107098328A (zh) * 2017-05-05 2017-08-29 石兵兵 一种低硼碳质还原剂及其制备方法
US20220411273A1 (en) 2019-11-27 2022-12-29 Wacker Chemie Ag Method for removing an impurity from a chlorosilane mixture

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US80746A (en) * 1868-08-04 Improvement is hand coei-planter
US320072A (en) * 1885-06-16 Fire-proof lath for slates
US259063A (en) * 1882-06-06 Kokrad von falkenhausen
US20413A (en) * 1858-06-01 Improvement in sewing-machines
US270296A (en) * 1883-01-09 Theodore w
US283972A (en) * 1883-08-28 Tube-coupling
US197014A (en) * 1877-11-13 Improvement in devices for hitching horses
US274028A (en) * 1883-03-13 Island
US266849A (en) * 1882-10-31 Scoop
US2812235A (en) * 1955-09-16 1957-11-05 Bell Telephone Labor Inc Method of purifying volatile compounds of germanium and silicon
DE1073460B (de) * 1958-01-11 1960-01-21 LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten Silanen
FR1518553A (fr) * 1960-03-11 1968-03-29 Pechiney Prod Chimiques Sa Procédé de purification de composés volatils de germanium et de silicium
DE1792651A1 (de) * 1968-09-28 1971-11-25 Dynamit Nobel Ag Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen
US4092446A (en) * 1974-07-31 1978-05-30 Texas Instruments Incorporated Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon
US4321246A (en) * 1980-05-09 1982-03-23 Motorola, Inc. Polycrystalline silicon production
US4374110A (en) * 1981-06-15 1983-02-15 Motorola, Inc. Purification of silicon source materials
US4526769A (en) * 1983-07-18 1985-07-02 Motorola, Inc. Trichlorosilane production process
DE3828549A1 (de) * 1988-08-23 1990-03-08 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen
US5026553A (en) * 1989-08-07 1991-06-25 Dale E. Swinney Swinney's hair growth formula
RU1835386C (ru) * 1991-04-17 1993-08-23 Запорожский титано-магниевый комбинат Способ очистки хлорсиланов
EP0702017B1 (de) * 1994-09-14 2001-11-14 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen
DE19516386A1 (de) * 1995-05-04 1996-11-07 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen
DE19520737C2 (de) * 1995-06-07 2003-04-24 Degussa Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen
DE19649023A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen
DE19746862A1 (de) * 1997-10-23 1999-04-29 Huels Chemische Werke Ag Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten
DE19821156B4 (de) * 1998-05-12 2006-04-06 Degussa Ag Verfahren zur Minderung von Resthalogengehalten und Farbzahlverbesserung in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen und die Verwendung von Aktivkohle dazu
DE19847786A1 (de) * 1998-10-16 2000-04-20 Degussa Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters
DE19849196A1 (de) * 1998-10-26 2000-04-27 Degussa Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen
ATE284406T1 (de) * 1998-11-06 2004-12-15 Degussa Verfahren zur herstellung von chloridarmen oder chloridfreien alkoxysilanen
DE19918114C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19918115C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19963433A1 (de) * 1999-12-28 2001-07-12 Degussa Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen
DE10116007A1 (de) * 2001-03-30 2002-10-02 Degussa Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen
DE10330022A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-20 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen
DE102004025766A1 (de) * 2004-05-26 2005-12-22 Degussa Ag Herstellung von Organosilanestern
DE102004037675A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Degussa Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid
ITRM20040570A1 (it) 2004-11-19 2005-02-19 Memc Electronic Materials Procedimento e impianto di purificazione di triclorosilano e di tetracloruro di silicio.
DE102005041137A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102006042685A1 (de) * 2006-09-12 2008-03-27 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur kontaminationsfreien Erwärmung von Gasen
DE102009053804B3 (de) * 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009089951A3 (de) 2011-01-27
JP5579078B2 (ja) 2014-08-27
JP2011514871A (ja) 2011-05-12
WO2009089951A2 (de) 2009-07-23
CA2710796A1 (en) 2009-07-23
KR20100112576A (ko) 2010-10-19
CN101486464A (zh) 2009-07-22
RU2502669C2 (ru) 2013-12-27
EP2252549A2 (de) 2010-11-24
BRPI0822003A2 (pt) 2015-07-21
UA101175C2 (ru) 2013-03-11
US20110052474A1 (en) 2011-03-03
DE102008004396A1 (de) 2009-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010133877A (ru) Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах
RU2010133878A (ru) Способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах и устройство для его осуществления
JP5425055B2 (ja) ホウ素を含有するクロロシラン流の後処理法
JP5442780B2 (ja) クロロシランの蒸留による精製方法
RU2009134060A (ru) Способ получения высших силанов
UA96268C2 (ru) Способы удаления карбоновых и/или фосфорных примесей в установке для получения кремния
JP2011514871A5 (ru)
WO2009121558A3 (de) Verfahren und anlage zur herstellung von reinstsilizium
JP5879283B2 (ja) トリクロロシランの製造方法
CN102642839B (zh) 工业级四氯化硅的处理工艺
JP2011184255A (ja) トリクロロシランの製造方法
JP5722890B2 (ja) モノシランを製造するための設備および方法
WO2011081385A3 (ko) 트리클로로실란의 정제 방법 및 정제 장치
MY160519A (en) Method and system for producing monosilane
JP2015089859A (ja) テトラクロロシラン回収方法及び多結晶シリコン製造方法
CN103112861B (zh) Dcs歧化制硅烷的西门子联产工艺
TWI568673B (zh) 三氯矽烷之純化
CN107867695A (zh) 三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法
CN114956092A (zh) 一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法
CN102259868A (zh) 用于多晶硅生产中三氯氢硅合成气的湿法除尘工艺
JP5742622B2 (ja) トリクロロシラン製造方法及び製造装置
JP2006169012A (ja) ヘキサクロロジシラン及びその製造方法
CN105366681B (zh) 还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统
JP2006176357A (ja) ヘキサクロロジシランの製造方法
CN220310401U (zh) 一种精馏三硅杂质含量控制系统

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20151121