RU2010133877A

RU2010133877A - Устройство и способ уменьшения содержания элементов типа бора в галогенсиланах

Info

Publication number: RU2010133877A
Application number: RU2010133877/05A
Authority: RU
Inventors: Эккехард МЮ (DE); Эккехард Мю; Хартвиг РАУЛЕДЕР (DE); Хартвиг Рауледер; Райнхольд ШОРК (DE); Райнхольд ШОРК
Original assignee: Эвоник Дегусса ГмБх (DE); Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date: 2008-01-14
Filing date: 2008-11-20
Publication date: 2012-02-27
Also published as: DE102008004396A1; EP2252549A2; UA101175C2; RU2502669C2; KR20100112576A; JP5579078B2; JP2011514871A; CN101486464A; WO2009089951A3; WO2009089951A2; CA2710796A1; US20110052474A1; BRPI0822003A2

Abstract

1. Способ уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты, осуществляемого для получения высокочистых галогенсиланов, который включает следующие стадии: ! a) смешивание подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов с соединениями этих элементов, и ! b) получение высокочистых галогенсиланов путем дистилляционного выделения комплексов. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадию a) смешивания подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов осуществляют в аппарате (2), из которого галогенсиланы и комплексы по меньшей мере частично направляют в дистилляционную колонну (3) для выделения комплексов на стадии b). ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии a) и b) объединяют в непрерывный процесс получения высокочистых галогенсиланов, основанный на превращении металлургического кремния. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и/или алюминия. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и алюминия. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают хлорсиланы. ! 7. Способ по п.6, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают тетрахлорсилан и/или трихлорсилан. ! 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в галогенсиланах технической чистоты определяют содержание примесей, образующих комплексы с трифенилметилхлоридом. ! 9. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что получают высокочистые галогенсиланы с содержанием соответствующего элемента третьей главной группы периодической системы ≤30 м кг/к

Claims

1. Способ уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты, осуществляемого для получения высокочистых галогенсиланов, который включает следующие стадии:

a) смешивание подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов с соединениями этих элементов, и

b) получение высокочистых галогенсиланов путем дистилляционного выделения комплексов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадию a) смешивания подлежащих очистке галогенсиланов с трифенилметилхлоридом для образования комплексов осуществляют в аппарате (2), из которого галогенсиланы и комплексы по меньшей мере частично направляют в дистилляционную колонну (3) для выделения комплексов на стадии b).

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии a) и b) объединяют в непрерывный процесс получения высокочистых галогенсиланов, основанный на превращении металлургического кремния.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и/или алюминия.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что уменьшают содержание бора и алюминия.

6. Способ по п.1, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают хлорсиланы.

7. Способ по п.6, отличающийся тем, что под галогенсиланами подразумевают тетрахлорсилан и/или трихлорсилан.

8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в галогенсиланах технической чистоты определяют содержание примесей, образующих комплексы с трифенилметилхлоридом.

9. Способ по одному из пп.1-8, отличающийся тем, что получают высокочистые галогенсиланы с содержанием соответствующего элемента третьей главной группы периодической системы ≤30 м кг/кг.

10. Установка (1) для уменьшения содержания элементов третьей главной группы периодической системы в галогенсиланах технической чистоты для получения высокочистых галогенсиланов, которая включает по меньшей мере одно устройство (2) для образования комплексов соединений, содержащих указанные элементы, и присоединенную к устройству (2) дистилляционную колонну (3).

11. Установка по п.10, отличающаяся тем, что дистилляционная колонна (3) по направлению потока присоединена по меньшей мере к одному устройству для образования комплекса (2).

12. Установка по п.10, отличающаяся тем, что к дистилляционной колонне присоединены дистилляционный куб и по меньшей мере один дистилляционный приемник.

13. Установка по п.10, отличающаяся тем, что к устройству для образования комплекса (2) присоединен дозатор.

14. Установка по одному из пп.10-13, отличающаяся тем, что установка (1) присоединена к общей установке, включающей реактор для превращения металлургического кремния.

15. Применение установки по одному из пп.10-14 для осуществления способа по одному из пп.1-9.