UA101175C2 - Установка и способ очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы периодической системы для получения галогенсиланов найвысшей чистоты - Google Patents
Установка и способ очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы периодической системы для получения галогенсиланов найвысшей чистотыInfo
- Publication number
- UA101175C2 UA101175C2 UAA201010055A UAA201010055A UA101175C2 UA 101175 C2 UA101175 C2 UA 101175C2 UA A201010055 A UAA201010055 A UA A201010055A UA A201010055 A UAA201010055 A UA A201010055A UA 101175 C2 UA101175 C2 UA 101175C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- halosilanes
- purity
- elements
- plant
- producing high
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
- C01B33/10794—Purification by forming addition compounds or complexes, the reactant being possibly contained in an adsorbent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы периодической системы для получения галогенсиланов наивысшей чистоты, в котором: a) смешивают очищенные галогенсиланы с трифенилметилхлоридом для образования комплексов с соединениями данных элементов, b) получают галогенсиланы наивысшей чистоты путем дистилляционного отделения комплексов, причем стадии a) и b) интегрированы в непрерывный процесс получения галогенсиланов наивысшей чистоты на основе преобразования металлургического кремния и установки для очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы периодической системы для получения галогенсиланов наивысшей чистоты, которая включает, по крайней мере, одно устройство для образования комплексов соединений, содержащих данные элементы, и подключенную к данному устройству дистилляционную колонну, причем установка интегрирована в общую установку, включающую реактор для преобразования металлургического кремния.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008004396A DE102008004396A1 (de) | 2008-01-14 | 2008-01-14 | Anlage und Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen |
PCT/EP2008/065902 WO2009089951A2 (de) | 2008-01-14 | 2008-11-20 | Anlage und verfahren zur verminderung des gehaltes von elementen, wie bor, in halogensilanen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA101175C2 true UA101175C2 (ru) | 2013-03-11 |
Family
ID=40758535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAA201010055A UA101175C2 (ru) | 2008-01-14 | 2008-11-20 | Установка и способ очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы периодической системы для получения галогенсиланов найвысшей чистоты |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110052474A1 (ru) |
EP (1) | EP2252549A2 (ru) |
JP (1) | JP5579078B2 (ru) |
KR (1) | KR20100112576A (ru) |
CN (1) | CN101486464A (ru) |
BR (1) | BRPI0822003A2 (ru) |
CA (1) | CA2710796A1 (ru) |
DE (1) | DE102008004396A1 (ru) |
RU (1) | RU2502669C2 (ru) |
UA (1) | UA101175C2 (ru) |
WO (1) | WO2009089951A2 (ru) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITRM20040570A1 (it) * | 2004-11-19 | 2005-02-19 | Memc Electronic Materials | Procedimento e impianto di purificazione di triclorosilano e di tetracloruro di silicio. |
DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
CN101817527B (zh) * | 2010-04-16 | 2012-01-25 | 浙江中宁硅业有限公司 | 一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法 |
DE102010042693A1 (de) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Aufbereitung eines Bilddatenstroms |
DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
DE102011004750A1 (de) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Evonik Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Verarbeiten eines SiO2-haltigen Materials |
JP6095613B2 (ja) * | 2014-07-10 | 2017-03-15 | 信越化学工業株式会社 | クロロシランの精製方法 |
CN107098328A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-08-29 | 石兵兵 | 一种低硼碳质还原剂及其制备方法 |
CN114728799B (zh) | 2019-11-27 | 2023-11-28 | 瓦克化学股份公司 | 从氯硅烷混合物中除去杂质的方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US320072A (en) * | 1885-06-16 | Fire-proof lath for slates | ||
US259063A (en) * | 1882-06-06 | Kokrad von falkenhausen | ||
US20413A (en) * | 1858-06-01 | Improvement in sewing-machines | ||
US266849A (en) * | 1882-10-31 | Scoop | ||
US197014A (en) * | 1877-11-13 | Improvement in devices for hitching horses | ||
US80746A (en) * | 1868-08-04 | Improvement is hand coei-planter | ||
US270296A (en) * | 1883-01-09 | Theodore w | ||
US274028A (en) * | 1883-03-13 | Island | ||
US283972A (en) * | 1883-08-28 | Tube-coupling | ||
US2812235A (en) * | 1955-09-16 | 1957-11-05 | Bell Telephone Labor Inc | Method of purifying volatile compounds of germanium and silicon |
NL235008A (ru) * | 1958-01-11 | |||
FR1518553A (fr) * | 1960-03-11 | 1968-03-29 | Pechiney Prod Chimiques Sa | Procédé de purification de composés volatils de germanium et de silicium |
DE1792651A1 (de) * | 1968-09-28 | 1971-11-25 | Dynamit Nobel Ag | Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen |
US4092446A (en) * | 1974-07-31 | 1978-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon |
US4321246A (en) * | 1980-05-09 | 1982-03-23 | Motorola, Inc. | Polycrystalline silicon production |
US4374110A (en) * | 1981-06-15 | 1983-02-15 | Motorola, Inc. | Purification of silicon source materials |
US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
DE3828549A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-08 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen |
US5026553A (en) * | 1989-08-07 | 1991-06-25 | Dale E. Swinney | Swinney's hair growth formula |
RU1835386C (ru) * | 1991-04-17 | 1993-08-23 | Запорожский титано-магниевый комбинат | Способ очистки хлорсиланов |
EP0702017B1 (de) * | 1994-09-14 | 2001-11-14 | Degussa AG | Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen |
DE19516386A1 (de) * | 1995-05-04 | 1996-11-07 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen |
DE19520737C2 (de) * | 1995-06-07 | 2003-04-24 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen |
DE19649023A1 (de) * | 1996-11-27 | 1998-05-28 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen |
DE19746862A1 (de) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Huels Chemische Werke Ag | Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten |
DE19821156B4 (de) * | 1998-05-12 | 2006-04-06 | Degussa Ag | Verfahren zur Minderung von Resthalogengehalten und Farbzahlverbesserung in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen und die Verwendung von Aktivkohle dazu |
DE19847786A1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-04-20 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters |
DE19849196A1 (de) * | 1998-10-26 | 2000-04-27 | Degussa | Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen |
ATE284406T1 (de) * | 1998-11-06 | 2004-12-15 | Degussa | Verfahren zur herstellung von chloridarmen oder chloridfreien alkoxysilanen |
DE19918115C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE19918114C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE19963433A1 (de) * | 1999-12-28 | 2001-07-12 | Degussa | Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen |
DE10116007A1 (de) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen |
DE10330022A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-20 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen |
DE102004025766A1 (de) * | 2004-05-26 | 2005-12-22 | Degussa Ag | Herstellung von Organosilanestern |
DE102004037675A1 (de) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid |
ITRM20040570A1 (it) * | 2004-11-19 | 2005-02-19 | Memc Electronic Materials | Procedimento e impianto di purificazione di triclorosilano e di tetracloruro di silicio. |
DE102005041137A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102006042685A1 (de) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur kontaminationsfreien Erwärmung von Gasen |
DE102009053804B3 (de) * | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
-
2008
- 2008-01-14 DE DE102008004396A patent/DE102008004396A1/de not_active Withdrawn
- 2008-11-20 US US12/812,857 patent/US20110052474A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-20 CA CA2710796A patent/CA2710796A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-20 EP EP08871093A patent/EP2252549A2/de not_active Ceased
- 2008-11-20 BR BRPI0822003-4A patent/BRPI0822003A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2008-11-20 KR KR1020107015483A patent/KR20100112576A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-20 WO PCT/EP2008/065902 patent/WO2009089951A2/de active Application Filing
- 2008-11-20 UA UAA201010055A patent/UA101175C2/ru unknown
- 2008-11-20 JP JP2010542547A patent/JP5579078B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-20 RU RU2010133877/05A patent/RU2502669C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-01-13 CN CNA2009100022353A patent/CN101486464A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008004396A1 (de) | 2009-07-16 |
CA2710796A1 (en) | 2009-07-23 |
WO2009089951A2 (de) | 2009-07-23 |
CN101486464A (zh) | 2009-07-22 |
KR20100112576A (ko) | 2010-10-19 |
JP5579078B2 (ja) | 2014-08-27 |
RU2010133877A (ru) | 2012-02-27 |
JP2011514871A (ja) | 2011-05-12 |
BRPI0822003A2 (pt) | 2015-07-21 |
US20110052474A1 (en) | 2011-03-03 |
WO2009089951A3 (de) | 2011-01-27 |
RU2502669C2 (ru) | 2013-12-27 |
EP2252549A2 (de) | 2010-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
UA101175C2 (ru) | Установка и способ очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы периодической системы для получения галогенсиланов найвысшей чистоты | |
UA102239C2 (ru) | Способ очистки галогенсиланов технической чистоты от элементов главной подгруппы третьей группы и установка для осуществления способа | |
US9266742B2 (en) | Method for producing trichlorosilane | |
JP5442780B2 (ja) | クロロシランの蒸留による精製方法 | |
EP2634142B1 (en) | Method for purifying chlorosilanes | |
JP5879283B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
WO2009121558A3 (de) | Verfahren und anlage zur herstellung von reinstsilizium | |
UA96268C2 (ru) | Способы удаления карбоновых и/или фосфорных примесей в установке для получения кремния | |
JP2011514871A5 (ru) | ||
WO2011081385A3 (ko) | 트리클로로실란의 정제 방법 및 정제 장치 | |
MY151109A (en) | Method for producing high purity silicon nitride | |
MX347947B (es) | Metodo y sistema para preparar cloruro de hidrogeno de alta pureza. | |
MY170224A (en) | Method for producing high-purity polycrystalline silicon | |
WO2011059210A3 (en) | Process for purification of monosilane | |
MY160519A (en) | Method and system for producing monosilane | |
TWI568673B (zh) | 三氯矽烷之純化 | |
US20170190585A1 (en) | Method for purifying chlorosilane | |
CN114956092A (zh) | 一种分离三氯氢硅中一甲基二氯硅烷杂质的方法 | |
JP5321827B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法および製造装置 | |
JP2009269815A5 (ru) | ||
CN102107876B (zh) | 一种三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的精馏方法及其装置 | |
JP6743326B1 (ja) | 精製クロロシラン類の製造方法 | |
CN116407861A (zh) | 一种基于固定床的电子级多晶硅精馏除碳装置及方法 |