RU2010131137A - Экструзионный способ получения улучшенных термоэлектрических материалов - Google Patents

Экструзионный способ получения улучшенных термоэлектрических материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2010131137A
RU2010131137A RU2010131137/28A RU2010131137A RU2010131137A RU 2010131137 A RU2010131137 A RU 2010131137A RU 2010131137/28 A RU2010131137/28 A RU 2010131137/28A RU 2010131137 A RU2010131137 A RU 2010131137A RU 2010131137 A RU2010131137 A RU 2010131137A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
extrusion
thermoelectric
mpa
thermoelectric materials
pressure
Prior art date
Application number
RU2010131137/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Клаус КЮЛИНГ (DE)
Клаус Кюлинг
Ханс-Йозеф ШТЕРЦЕЛЬ (DE)
Ханс-Йозеф ШТЕРЦЕЛЬ
Франк ХААСС (DE)
Франк ХААСС
Original Assignee
Басф Се (De)
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се (De), Басф Се filed Critical Басф Се (De)
Publication of RU2010131137A publication Critical patent/RU2010131137A/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21CMANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
    • B21C23/00Extruding metal; Impact extrusion
    • B21C23/002Extruding materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special extruding methods of sequences
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

1. Способ понижения теплопроводности и повышения термоэлектрической энергетической эффективности термоэлектрических материалов на основе халькогенидов свинца, отличающийся тем, что эти термоэлектрические материалы подвергают экструзии при температуре ниже их температуры плавления и давлении в области от 300 до 1000 МПа, и температура при экструзии составляет от 500 до 630°С. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура при экструзии составляет от 500 до 560°С. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление составляет от 500 до 700 МПа. ! 4..Способ по п.1, отличающийся тем, что халькогенид свинца представляет собой РbТе, который может содержать легирующие примеси n- или р-типа. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что экструзия может осуществляться как горячая экструзия, гидростатическая экструзия или равноканальное угловое прессование. ! 6. Способ по одному из пп.1-5, отличающийся тем, что использованный термоэлектрический материал был получен помощи сплавления или смешивания порошков отдельных элементов или сплавов.

Claims (6)

1. Способ понижения теплопроводности и повышения термоэлектрической энергетической эффективности термоэлектрических материалов на основе халькогенидов свинца, отличающийся тем, что эти термоэлектрические материалы подвергают экструзии при температуре ниже их температуры плавления и давлении в области от 300 до 1000 МПа, и температура при экструзии составляет от 500 до 630°С.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура при экструзии составляет от 500 до 560°С.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление составляет от 500 до 700 МПа.
4..Способ по п.1, отличающийся тем, что халькогенид свинца представляет собой РbТе, который может содержать легирующие примеси n- или р-типа.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что экструзия может осуществляться как горячая экструзия, гидростатическая экструзия или равноканальное угловое прессование.
6. Способ по одному из пп.1-5, отличающийся тем, что использованный термоэлектрический материал был получен помощи сплавления или смешивания порошков отдельных элементов или сплавов.
RU2010131137/28A 2007-12-28 2008-12-19 Экструзионный способ получения улучшенных термоэлектрических материалов RU2010131137A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07150470.8 2007-12-28
EP07150470 2007-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010131137A true RU2010131137A (ru) 2012-02-10

Family

ID=40679248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010131137/28A RU2010131137A (ru) 2007-12-28 2008-12-19 Экструзионный способ получения улучшенных термоэлектрических материалов

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100282285A1 (ru)
EP (1) EP2227834B1 (ru)
AT (1) ATE519234T1 (ru)
CA (1) CA2710789A1 (ru)
RU (1) RU2010131137A (ru)
TW (1) TW200933940A (ru)
WO (1) WO2009083508A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2509394C1 (ru) * 2012-08-01 2014-03-10 Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет" СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА n-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Bi2Se3

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2756497A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Basf Se Self-organising thermoelectric materials
WO2011012548A2 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Basf Se Verfahren zum sintern von thermoelektrischen materialien
US9962673B2 (en) 2013-10-29 2018-05-08 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and systems for creating aerosols
US10016777B2 (en) 2013-10-29 2018-07-10 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and systems for creating aerosols
US10029416B2 (en) 2014-01-28 2018-07-24 Palo Alto Research Center Incorporated Polymer spray deposition methods and systems
US9527056B2 (en) 2014-05-27 2016-12-27 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and systems for creating aerosols
US9707588B2 (en) 2014-05-27 2017-07-18 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and systems for creating aerosols
US9757747B2 (en) 2014-05-27 2017-09-12 Palo Alto Research Center Incorporated Methods and systems for creating aerosols
RU2568414C1 (ru) * 2014-07-24 2015-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) Способ получения термоэлектрического материала
US9878493B2 (en) 2014-12-17 2018-01-30 Palo Alto Research Center Incorporated Spray charging and discharging system for polymer spray deposition device
US10393414B2 (en) 2014-12-19 2019-08-27 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible thermal regulation device
US9543495B2 (en) 2014-12-23 2017-01-10 Palo Alto Research Center Incorporated Method for roll-to-roll production of flexible, stretchy objects with integrated thermoelectric modules, electronics and heat dissipation
US9789499B2 (en) 2015-07-29 2017-10-17 Palo Alto Research Center Incorporated Filament extension atomizers
US9707577B2 (en) 2015-07-29 2017-07-18 Palo Alto Research Center Incorporated Filament extension atomizers
US9993839B2 (en) 2016-01-18 2018-06-12 Palo Alto Research Center Incorporated System and method for coating a substrate
US10500784B2 (en) 2016-01-20 2019-12-10 Palo Alto Research Center Incorporated Additive deposition system and method
US10434703B2 (en) 2016-01-20 2019-10-08 Palo Alto Research Center Incorporated Additive deposition system and method
TWI578584B (zh) * 2016-01-22 2017-04-11 中國鋼鐵股份有限公司 N型碲化鉛熱電材料之製備方法
US9988720B2 (en) 2016-10-13 2018-06-05 Palo Alto Research Center Incorporated Charge transfer roller for use in an additive deposition system and process
US10493483B2 (en) 2017-07-17 2019-12-03 Palo Alto Research Center Incorporated Central fed roller for filament extension atomizer
US10464094B2 (en) 2017-07-31 2019-11-05 Palo Alto Research Center Incorporated Pressure induced surface wetting for enhanced spreading and controlled filament size
US10919215B2 (en) 2017-08-22 2021-02-16 Palo Alto Research Center Incorporated Electrostatic polymer aerosol deposition and fusing of solid particles for three-dimensional printing
CN110767797A (zh) * 2019-10-24 2020-02-07 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 一种半导体热电材料的制造方法
CN115196965B (zh) * 2022-07-25 2023-07-25 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种n型碲化铋热电材料及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3285786A (en) * 1961-01-05 1966-11-15 Westinghouse Electric Corp Coextruded thermoelectric members
DE1171036B (de) * 1961-02-23 1964-05-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen duenner Thermoelementschenkel durch Strangpressen sowie thermoelektrisches Geraet mit solchen Schenkeln
US3285019A (en) * 1963-05-27 1966-11-15 Monsanto Co Two-phase thermoelectric body comprising a lead-tellurium matrix
US4161111A (en) * 1971-06-24 1979-07-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Hydrostatically extruded thermoelectric legs
PH19385A (en) * 1983-01-31 1986-04-07 Energy Conversion Devices Inc New powder pressed n-type thermoelectric materials and method of making same
US5439528A (en) 1992-12-11 1995-08-08 Miller; Joel Laminated thermo element
US5448109B1 (en) 1994-03-08 1997-10-07 Tellurex Corp Thermoelectric module
US6300150B1 (en) 1997-03-31 2001-10-09 Research Triangle Institute Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same
KR20000028741A (ko) * 1998-10-12 2000-05-25 안자키 사토루 열전반도체 재료 또는 소자의 제조방법 및 열전모듈의제조방법
CA2280990A1 (en) * 1999-08-27 2001-02-27 Jacques L'ecuyer New process for producing thermoelectric alloys
DE19955788A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Basf Ag Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren
JP3594008B2 (ja) * 2000-11-30 2004-11-24 ヤマハ株式会社 熱電材料、その製造方法及びペルチェモジュール
JP2003078178A (ja) * 2001-09-04 2003-03-14 Toyo Kohan Co Ltd 熱電変換材料、その製造方法、およびそれらを用いた熱電変換モジュール
US20040187905A1 (en) * 2003-03-27 2004-09-30 Heremans Joseph Pierre Thermoelectric materials with enhanced seebeck coefficient
WO2007104601A2 (de) * 2006-03-16 2007-09-20 Basf Se Dotierte bleitelluride fuer thermoelektrische anwendungen
WO2010097360A1 (de) * 2009-02-25 2010-09-02 Basf Se Verfahren zur herstellung flexibler metallkontakte

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2509394C1 (ru) * 2012-08-01 2014-03-10 Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет" СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА n-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Bi2Se3

Also Published As

Publication number Publication date
US20100282285A1 (en) 2010-11-11
ATE519234T1 (de) 2011-08-15
WO2009083508A2 (de) 2009-07-09
CA2710789A1 (en) 2009-07-09
EP2227834B1 (de) 2011-08-03
WO2009083508A3 (de) 2010-01-14
EP2227834A2 (de) 2010-09-15
TW200933940A (en) 2009-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010131137A (ru) Экструзионный способ получения улучшенных термоэлектрических материалов
Brown et al. Yb14MnSb11: New high efficiency thermoelectric material for power generation
Sadia et al. Mechanical alloying and spark plasma sintering of higher manganese silicides for thermoelectric applications
WO2012138979A3 (en) Thermoelectric materials and methods for synthesis thereof
WO2009103795A3 (de) Wärmespeicher-verbundmaterial
CN102867905B (zh) 一种Sn-S基热电化合物及其制备方法
CN103909262A (zh) 一种高性能Cu2SnSe3热电材料及其快速制备方法
CN103864026B (zh) Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺
ES2182559T3 (es) Produccion de polvo monocristalino y de una membrana monograno.
WO2012165855A3 (en) Method of development for the enhancement of thermoelectric efficiency of thermoelectric material through annealing process
Wu et al. Phase diagram of ternary Cu-Ga-Te system and thermoelectric properties of chalcopyrite CuGaTe2 materials
Muta et al. Thermophysical properties of several nitrides prepared by spark plasma sintering
JP2011210870A (ja) 複相熱電変換材料
CN104004935B (zh) 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法
WO2012165841A3 (en) Method of manufacturing silicon carbide-containing heat storage material from waste silicon sludge
WO2008122711A8 (fr) Nouveaux materiaux comprenant des elements du groupe 14
RU2007103396A (ru) Способ получения пористых материалов из алюминиевых сплавов
CN104120372B (zh) 利用冷成型的高性能热电材料制造方法
CN104393163B (zh) 一种碲铋基热电材料的制备方法
Zhang et al. Ultrafast and low-cost preparation of Mg2 (Si0. 3Sn0. 7) 1− ySby with superior thermoelectric performance by self-propagating high-temperature synthesis
KR102269404B1 (ko) 셀레늄 함량이 증가된 열전소재
CN105420528B (zh) 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法
JP3882047B2 (ja) マグネシウムシリサイドの合成方法
KR102562659B1 (ko) 최고효율 온도가 200도 이상인 비스무스-안티몬-텔루륨계 열전재료의 제조방법
RU2009105901A (ru) Способ изготовления изделий из порошковых полимерных материалов (варианты)

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20131021