TW200933940A - Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials - Google Patents
Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials Download PDFInfo
- Publication number
- TW200933940A TW200933940A TW097146942A TW97146942A TW200933940A TW 200933940 A TW200933940 A TW 200933940A TW 097146942 A TW097146942 A TW 097146942A TW 97146942 A TW97146942 A TW 97146942A TW 200933940 A TW200933940 A TW 200933940A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- thermoelectric
- extrusion
- temperature
- mpa
- thermal conductivity
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 13
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000886 hydrostatic extrusion Methods 0.000 claims description 5
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 241000723554 Pontia occidentalis Species 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002899 Bi2Te3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000003181 co-melting Methods 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 PbS Chemical class 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019484 Rapeseed oil Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003502 gasoline Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000689 upper leg Anatomy 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- 238000001262 western blot Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21C—MANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
- B21C23/00—Extruding metal; Impact extrusion
- B21C23/002—Extruding materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special extruding methods of sequences
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
200933940 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使(例如)基於硫屬鉛化物之熱電材料之熱 導率降低及熱電效率提高的方法,及藉由此方法所獲得的 熱電材料。更特定而言,提供具有經改良之熱電特性的碲 化鉛或方鈷礦,如包含鉛及碲及至少一或兩種其他摻雜劑 * 的摻雜碲化鉛,如包含此等材料之熱電產生器及帕耳帖裝 置(Peltier arrangement)。 β 【先前技術】 熱電產生器及帕耳帖裝置由此為吾人所知已有些時日。 在一側被加熱且在另一側被冷卻之ρ-摻雜半導體及η_摻雜 半導體經由外部電路傳遞電荷,且藉由電路中之負載執行 電功。以此方法所達成之熱能至電能之轉換效率在熱力學 上受到卡諾效率(Carnot efficiency)限制。因此,在熱的一 側上之溫度為1000 κ且”冷"的一側上之溫度為4〇〇 κ時, 可達成(1〇〇〇-4〇〇):1〇〇〇 = 60°/。之效率。然而,迄今僅達成低 於10 %之效率。 另一方面,當將直流電施加於此裝置時,熱由一側傳遞 " 至另一側。此帕耳帖裝置具有熱泵之作用且因此適用於冷 -郃《χ備部件、載具或建築物。由於始終傳遞比對應於所提 供之能當量之熱量多之熱量,因此經由帕耳帖原理加熱亦 比習知加熱更有利。 目别,熱電產生器特別用於太空探測器中用於產生直流 電用於管道之陰極腐银防冑、用於向燈浮標及無線電浮 136425.doc 200933940 標供應能量,用於μ & & fέ a ^ ^ 、、,…電及電視機。熱電產生器之優 f、、$声 舉例而s,不論大氣條件(諸如大 ..^ 0 操作,不存在故障傾向之質量傳 遞,而疋僅存在電荷傳遞; 』便用天然虱、汽油、煤油、 柴油直至生物學上可獲得 氫燃料。 之燃科(諸如菜籽油甲酯)之任何 因此熱電能量轉換可極其靈 ,、簠/舌地適應未來需求,諸如氫 ❹ 經濟或再生性能源之能量產生。 -種特別吸引人的應用係用於在電操作載具中轉換為電 能。現有加油站網路不必為此目的而採取任何變革。然 而,此應用一般需要大於10%之效率。 太陽能直接轉換為電能亦非常吸引人。聚光器(諸如抛 物線形槽)可使太陽能聚集至熱電產生器,從而產生 能。 然而,作為熱泵應用亦需要更高效率。 熱電活性材料基本上參照其效率而分等級。熱電材料在 此方面之特徵為所謂的z因數(優值):
Z ^2. σ κ 其中S為西白克係數(Seebeek e〇effieient),σ為電導率且Κ 為熱導率。較佳為具有極低熱導率、極高電導率及極大西 白克係數以使得優值呈現極高值的熱電材料。 乘積s2〇稱為功率因數且特別用於相似熱電材料之比 136425.doc 200933940 較。 此外,無因次乘積ζ·τ(熱電效率)通常經報導用於一般 比較目的。迄今已知的熱電材料在最佳溫度下具有約】之 Ζ·τ之最大值。超過此最佳溫度,ζ·τ值通常明顯低於}。 更精確的分析證明’效率η由下式計算得到. η _ ^*high ^/〇yy Κί — 1
Thigh W + Tl〇w ^high
其中 Μ 1 +
Z (K) (亦參見 Mat. Sci. and Eng. B29 (1995) 228)。 因此目的係提供具有極高值之2及/或ζ·τ及可實現之高 溫差的熱電材料。就固態物理學觀點而言,此處仍有多個 問題須克服: 高σ需要材料具有高電子遷移率,亦即電子(或ρ_導電材 料中之電洞)必須不會受原子核之強烈約束❹具有高電導 率σ的材料一般同時具有高熱導率(維德曼-夫蘭兹 (Wiedemann-Franz)定律)’致使ζ受到不良影響。目前所用 材料(諸如Bi2Te3)已造成不足。舉例而言,藉由熔成合金 可以小於熱導率之程度降低電導率。因此較佳為使用合 金,例如(Bi2Te3)9❶(Sb2Te3)5(Sb2Se3)5或 Bii2Sb23Te65。 右熱電材料具有高效率,則較佳必須滿足其他邊界條 特疋而〇 ’其須具有足夠的熱穩定性,以便能夠在操 136425.doc 200933940 作條件下運作多年而沒有明顯的效率損失。此需要在高溫 下本身為熱穩定之相、穩定相組合物,及合金成分向毗連 接觸材料中之極微量擴散》 WO 01/17034描述藉由擠壓粉狀或緻密合金粉末來製備 基於選自Bi、Sb、Te及Se之群組的兩種或兩種以上元素的 熱電材料。熱擠壓旨在減少内部微觀缺陷且由此得到良好 熱電及機械特性。 F. Belanger 等人於 Advances In Powder Metallurgy & Particulate Materials-2001 (Proceedings of the 2001 International Conference on Powder Metallurgy & Particulate Materials,2001 年 5 月 13 日至 17 日,New Orleans,第 9-88 至9-98頁)中描述藉由擠壓來增強微觀結構所造成之碲化鉍 合金熱電特性之改良。 US 3,220,199中以一般形式描述藉由擠壓製備熱電元 素。關於其他材料,亦提及碲化鉛作為材料。然而,僅特 定說明碲化鉍之具體擠壓條件。使用助熔劑,且所製備之 擠壓體具有至少20 mm2之橫截面。 US 4,161,111中一般性地描述熱電材料之靜液力擠壓 法。其中亦論及碲化鉛。 對於擠壓方法,僅以極一般的形式描述有利的熱電特 性。未特定說明碲化鉛的該等特性。 【發明内容】 本發明之一目的係提供使(例如)基於硫屬鉛化物(尤其為 碲化鉛或方鈷礦)之熱電材料之熱導率降低及熱電效率提 136425.doc 200933940 局的方法。 根據本發明,此目的係藉由將熱電材料在低於其溶點之 溫度及在300 MPa至1〇〇〇 MPa範圍内之壓力下進行擠壓來 達成。 根據本發明發現,將硫屬鉛化物或方鈷礦在低於其熔點 之溫度及在300 MPa至1〇〇〇 MPa範圍内之壓力下進行擠壓 可獲得西白克係數實質上不變、呈現明顯降低之熱導率及 大大提高之熱電效率的均質材料。電導率在低溫下僅稍微 ❹ 降低。 本發明亦關於藉由此方法可獲得之熱電材料,及擠壓機 用於使基於硫屬鉛化物或方钴礦之熱電材料之熱導率降低 及熱電效率提高的用途。 本發明之方法可如(例如)WO 0 1/17034中所述執行。特 別適當的方法描述於(例如)j. Appl. Phys.第92卷,第5期, 2〇〇2年9月,第2610至2613頁,最初所引用之F. Belangei> ❿之參考文獻 ’ j._M. Simard,22nd International Conference on Themoelectrics (2003),第13至18頁。替代方法描述於 US 3,220,199*US4,161,111*。 起始材料為硫屬鉛化物,諸如PbS、PbSe或PbTe。較佳 為使用PbTe。硫屬鉛化物(尤其為碲化鉛)可用於n摻雜及 Ρ-播雜。起始材料製備方法中的適當摻雜劑描述於(例 如)WO 2007/104601 中。 根據本發明,較佳在無助熔劑下進行。較佳經由均衡播 壓而進行。 136425.doc -10· 200933940 摻雜劑(例如)選自以下元素之群組:Li、Na、κ、Rb、
Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、A1、Ga、In、ΤΙ、si、Ge、 Sn、As、Sb、Bi、S、Se、Br、1、Sc、Y、La ' Ti、Zr、
Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、〇s、
Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、 Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、
Yb、Lu,較佳選自以下元素之群組: A1、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Se、Ti、Zr、jjf、Nb、 ® Ta、Cu、Ag、Au ; 尤其選自以下元素之群組:
In、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cu、Ag,或選自 Ti、
Zr、Ag、Hf、Cu、Ge、Nb、Ta。 由PbTe開始,可就形式而言達成以下各者: -pb或Te被一或至少兩種摻雜劑置換,或 - 將一或至少兩種摻雜劑添加至PbTe中,或 _ - 一或至少兩種摻雜劑呈現一些Pb或Te位置, 在各種情況下,均由1:1開始改變Pb:Te之比率。 對於此系列之本發明材料,通常卜導體達成〜般在15〇 μν/Κ至400 μΥ/Κ範圍内之西白克係數,且n_導體達成一般 在-150 μν/Κ至-400 μν/Κ範圍内之西白克係數。在室溫下 所達成的功率因數一般為至少2〇 gW/K2.cm。 選擇適用於調整電荷載流子濃度及電荷載流子遷移率的 特定摻雜劑及化學添加劑已為熟習此項技術者所知。為 此,(例如)可在各種情況下將碲完全或部分地置換為硒及/ 136425.doc • 11 · 200933940 或部分地置換為硫。 熱電材料中碲化鉛之使用溫度通常為250°C至600°C。然 而’亦存在亦可在低於250°C下(例如在室溫下)使用的碲化 錯材料。 根據本發明所製備的方鈷礦較佳對應於以下結構: C〇Sb3、Co0 9Sn01Sb3、LaCoSb3、GdCoSb3 或 SeCoSb3。 所用熱電材料可藉由將元素或合金粉末熔融合成或混合 來製備。 ® 熱電活性材料一般藉由機械熔合法或藉由類似方法自熔 融體合成。隨後,頻繁地需要使材料進一步緻密的另一加 工步驟。用於此目的之習知步驟為研磨及後續(熱)壓製步 驟。此作法不僅使材料本身進一步緻密及固結,且新的顆 粒疋向及形態景{響使應為最小之熱導率及應為最大之電導 率梵到有利影響;然而此方式幾乎不能改變第三重要參 數,西白克係數。 ❹ I據本發明用於擠壓的材料—般藉由反應性研磨製備, 或較佳藉由使特定元素成分或其合金之混合物共溶融並反 應來製備。-般而言,用於反應性研磨或較佳共炼融之至 ' 少一小時之反應時間經發現為有利的。 . #熔融及反應較佳在至少1小時、更佳為至少6小時、尤 、為至夕10]時内儿成。熔融過程可在起始混合物混合或 不混合的情況下完成。當將起始混合物混合時,適用於此 目的之設備尤其為旋轉式或傾斜式烘箱,以便確保混合物 之均質性。 136425.doc -12- 200933940 若不採取混合,則一般需要更長的熔融時間以便獲得均 質材料。若採取混合,則混合物之均質性已在較早階段獲 得。 在起始混合物不另外混合的情況下,熔融時間一般為2 小時至50小時,尤其為30小時至50小時。 共熔融一般在混合物中之至少一種成分已熔融且材料已 呈熔融狀態之溫度下完成。一般而言,該熔融溫度為至少 800°C,較佳為至少950°C。該熔融溫度通常在800°C至 1100°C、較佳為950°C至l〇50°C之溫度範圍内。 將熔融混合物冷卻之後,在比所得半導體材料之熔點低 一般至少100°c、較佳至少200°c之溫度下對材料進行熱處 理可為有利的。該溫度通常為45(TC至750。(:,較佳為55(TC 至 700°G。 熱處理在較佳至少1小時、更佳為至少2小時、尤其為至 少4小時内進行。熱處理時間通常為1小時至8小時,較佳 為ό小時至8小時。在本發明之一實施例中,熱處理係在比 所得半導體材料之熔點低100。(:至500。(:之溫度下進行。較 佳溫度範圍為比所得半導體材料之熔點低15〇〇(:至35〇。(:。 根據本發明所擠壓的熱電材料一般在真空封閉之石英管 中製備。藉由使用可旋轉及/或可傾斜烘箱可確保將所涉 及之組分混合。轉化完成後,將烘箱冷卻。之後,將石英 管自棋箱中移除且將以塊體形式存在的半導體材料粉碎。 除石英管外,亦可使用由對於半導體材料為惰性之其他 材料製成(例如由鈕製成)的管件或安瓿(ampoule)。 136425.doc -13- 200933940 除管件或安瓿外’亦可使用具有適當形狀之其他容器。 亦可使用其他材料(例如石墨)作為容器材料,限制條件為 其對於半導體材料為惰性的。 在本發明之一實施例中,經冷卻之材料可在適當溫度下 以濕態或乾態加以研磨或以其他適當方式加以研磨,以便 獲得具有小於10 μιη的典型粒度之本發明半導體材料。接 著將經研磨之本發明材料進行熱擠壓。
❹ ,、、、擠麼須在明顯商於室溫的溫度下完成,以便材料得到 充分的流動特性且可擠壓。對於根據本發明使用的硫屬鉛 化物,尤其為碲化鉛,擠壓溫度較佳為,尤 其為500°C至56(TC。壓力通常為300 MPa至1〇〇〇 MPa,更 佳為 500 MPa至 700 MPa。 擠壓以熱擠壓、靜液力擠壓或等通道擠壓之形式進行。 擠壓之别及合金製備並粉碎之後,視需要亦可進行壓密 且視需要進行熱處理,如(例如)W〇 〇 1/1 7034第11頁及第 12頁所述。 擠壓處理可為直接型或間接型。在兩種情形下,均將合 金裝填於擠壓滾筒内。加熱可於擠壓滾筒中或於獨立烘箱 中直接完成。然而在加熱過程中,應防止與周圍大氣接 觸。擠壓較佳在保護性氣體下、較佳在惰性氣體或還原性 氣體或其混合物存在下進行。較佳使用選自氬氣、氮氣及 其混合物的氣體。擠壓本身較佳可如WO 〇1/丨7034第12至 14頁中所述進行。在連續法之擠壓中,可達成使密度值較 佳大於理論密度之99%之壓密。熔融加工通常僅使密度值 136425.doc •14- 200933940 在理論密度之約90%的區域内。 擠壓之後可進一步熱處理,以便消除材料中之應力。 擠壓可使擠出物達成任何所要的橫截面幾何形狀(例如 基於橫截面之直徑及形狀),從而允許大大簡化熱電模組 之進一步加工。藉由擠壓所製備的棒條或股線(例如)可鋸 斷並拋光’從而可製備任何所要組件。 除習用擠壓法外,亦可執行靜液力擠壓,其中藉由液 體、自若干侧面對待擠壓之材料施加壓力。靜液力擠壓之 適當方法描述於(例如)US 4,161,111中。 此外,可進行等通道擠壓,其中在擠壓期間圍繞彎角或 轉角推擠擠出物或對擠出物施力。適當方法描述於(例 如)Acta Materialia 52 (2004)第49至55頁中。對於製備流 程’尤其可參考第50頁上之圖1。 本發明之方法允許經由熱擠壓來製備緻密均質材料其 中密度可提高至理論密度之99%以上(例如高達99.9%)之 值。 對於連續法以及模組建構,此擠出物具有顯著的可處理 性,例如藉由割鋸進行之處理。 西白克係數未明顯改變,亦即材料之基本化學組成及相 比未改變,而是僅形態(亦即粒度分布及顆粒邊界)改變。 電導率稍微降低,但此無關緊要(除在低溫下之外)。 在整個溫度範圍内,熱導率明顯降低。在不受理論束縛 的情況下,假設熱導率之此降低係藉由使熱導率之晶格内 含物與電子内含物至少部分地去耦而達成,單經由材料之 136425.doc 200933940 純粹化學改質無法達成此降低。 熱導率總體上亦對所觀測到之熱電效率的升高具有極大 的影響。 本發明亦關於可藉由本發明之方法獲得的熱電材料。 本發明進一步提供上述半導體材料之用途及可藉由上述 方法獲得之半導體材料用作熱電產生器或帕耳帖裝置之用 途。 本發明進一步提供包含上述半導體材料及/或可藉由上 述方法所獲付之半導體材料的熱電產生器或帕耳帖裝置。 本發明進一步提供製備熱電產生器或帕耳帖裝置之方 法,其中使用具有上述熱電材料之薄層的串接式熱電活性 插腳。 本發明半導體材料亦可藉由熟習此項技術者本來已知且 描述於(例如)WO 98/44562、US 5,448,l〇9、EP-A-i 1〇2 334或US 5,439,528中之方法組合至熱電產生器或帕耳帖裝 置。 & 在一般意義上,本發明之熱電產生器或帕耳帖裝置使熱 電產生器及帕耳帖裝置之當前範圍擴大》改變熱電產生器 或帕耳帖裝置之化學組成可提供滿足眾多可能應用 * 〈不同 要求的不同系統。本發明之熱電產生器或帕耳帖裝置因 使該等系統之應用範圍擴大。 本發明亦關於本發明之熱電產生器或本發明之帕 置之以下用途: •用作熱泵 136425.doc -16- 200933940 •用於對座式傢具、載具及建築物之氣候控制 •用於冰I目及(洗衣房)乾燥劑中 •在分離過程中用於物流之同時加熱與冷卻,分離過程 諸如 -吸收 -乾燥 -結晶 -蒸發
❹ •蒸顧 •用作利用熱源的產生器,熱源諸如 -太陽能 -地熱 -化石燃料之燃燒熱 -載具及固定裝置中之廢熱源 -蒸發液體物質之散熱片 -生物熱源 •用於冷卻電子組件。 本發明亦關於使熱電材料之熱導率降低及熱電效率提高 之擠壓機在熱電材料擠壓中的用途。 本發明藉由下述實例詳細說明。 【實施方式】 實例 碲化鉛之擠壓 擠壓於逐批式活塞擠壓機中進行。擠壓機内徑為35 136425.doc 17 200933940 窄至0.79 cm之直徑。包 保護性氣體之氬氣下進 cm。經由擠壓模達成以圓錐形縮 括實際擠壓的全部操作皆在作為 行0 起始材料!^•碲化鉛係藉由熔融合成法(平均密度·理办 值之94.6%)製備且切成丨_至1〇 _大小之斷片:該等: 片直接用於擠虔。將擠塵機加熱至辑,且用6i〇 Mb之 壓力擠壓材料。擠壓240 g起始材料需要約6〇_
一所得物為具有金屬光澤、完全均質外觀的緻密筒形體。 费度為理論值之99.9%。 將成形體用金剛石鋼絲鋸切成片(厚度15 _)。在光學 顯微鏡下無論怎樣觀測均未觀測到樣本之橫截面中存在裂 痕、孔洞或空腔’亦未觀測到任何非均質性、有界結晶體 或可察覺到之顆粒邊界。 。曰日 熱電學特性產生圖Μ中所示之量測結果(與起始材料比 較)。 量測 西白克係數係藉由將待分析之材料置放於熱接觸面與冷 接觸面(各接觸面之溫度係電控制的,且熱接觸面具有細 至300°C之溫度)之間來測定。冷的—側係保持在室溫下, 以便形成通常自15(TC至280t;之在熱接觸面與冷接觸 面之間的特定溫差下量測得的電壓提供了各種情況下所特 定的西白克係數。 電導率係在室溫下、藉由四點量測法測定。該方法已為 熟習此項技術者所知。 136425.doc 200933940 實心圓 =擠壓前之n-PbTe 空心方塊=擠壓後之n-PbTe 由圖式顯而易見,西白克係數不因擠壓而明顯變化。電 導率下降,尤其在低溫下。熱導率在所有溫度下均明顯降 低。熱電效率明顯升高,尤其在較高溫度下。 【圖式簡單說明】 圃1 圖2 圖3 圖4 西白克係數與溫度之函數關係。 電導率與溫度之函數關係。 熱導率與溫度之函數關係。 熱電效率與溫度之函數關係。 136425.doc •19·
Claims (1)
- 200933940 十、申請專利範圍: 1. 一種使基於硫屬錯化物或方鈷礦之熱電材料之熱導率降 低及熱電效率提高的方法,該方法包含將該等熱電材料 在一低於其熔點之溫度及一在300 MPa至1〇〇〇 MPa範圍 内之壓力下進行擠壓。 2·如請求項1之方法,其中該擠壓中之溫度為43(rc至 - 630°C。 3.如請求項2之方法’其中該擠壓中之溫度為5〇(rc至 ❿ 560°C。 4,如請求項1至3中任一項之方法,其中該壓力為5〇〇 MPa 至 700 MPa。 5. 如清求項1至3中任一項之方法,其中該硫屬鉛化物為可 為η-摻雜或p_摻雜的pbTe 〇 6. 如切求項1至3中任一項之方法,其中該擠壓係以熱擠 壓、靜液力擠壓或等通道擠壓之方式執行。 1.如请求項1至3中任一項之方法,其中該所用熱電材料已 藉由將元素或合金粉末熔融合成或混合而製備得到。 8. 一種可藉由如請求項1至3中任一項之方法獲得的熱電材 料。 9. 一種使用擠壓機以便使基於硫屬鉛化物或方鈷礦之熱電 材料之熱導率降低及熱電效率提高的方法。 136425.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07150470 | 2007-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200933940A true TW200933940A (en) | 2009-08-01 |
Family
ID=40679248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097146942A TW200933940A (en) | 2007-12-28 | 2008-12-03 | Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100282285A1 (zh) |
EP (1) | EP2227834B1 (zh) |
AT (1) | ATE519234T1 (zh) |
CA (1) | CA2710789A1 (zh) |
RU (1) | RU2010131137A (zh) |
TW (1) | TW200933940A (zh) |
WO (1) | WO2009083508A2 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI578584B (zh) * | 2016-01-22 | 2017-04-11 | 中國鋼鐵股份有限公司 | N型碲化鉛熱電材料之製備方法 |
CN110767797A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-02-07 | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 | 一种半导体热电材料的制造方法 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2756497A1 (en) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Basf Se | Self-organising thermoelectric materials |
CA2768979A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Basf Se | Method for sintering thermoelectric materials |
RU2509394C1 (ru) * | 2012-08-01 | 2014-03-10 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА n-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Bi2Se3 |
US9962673B2 (en) | 2013-10-29 | 2018-05-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods and systems for creating aerosols |
US10016777B2 (en) | 2013-10-29 | 2018-07-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods and systems for creating aerosols |
US10029416B2 (en) | 2014-01-28 | 2018-07-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Polymer spray deposition methods and systems |
US9757747B2 (en) | 2014-05-27 | 2017-09-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods and systems for creating aerosols |
US9707588B2 (en) | 2014-05-27 | 2017-07-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods and systems for creating aerosols |
US9527056B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-12-27 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods and systems for creating aerosols |
RU2568414C1 (ru) * | 2014-07-24 | 2015-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) | Способ получения термоэлектрического материала |
US9878493B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-01-30 | Palo Alto Research Center Incorporated | Spray charging and discharging system for polymer spray deposition device |
US10393414B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-08-27 | Palo Alto Research Center Incorporated | Flexible thermal regulation device |
US9543495B2 (en) | 2014-12-23 | 2017-01-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for roll-to-roll production of flexible, stretchy objects with integrated thermoelectric modules, electronics and heat dissipation |
US9789499B2 (en) | 2015-07-29 | 2017-10-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | Filament extension atomizers |
US9707577B2 (en) | 2015-07-29 | 2017-07-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Filament extension atomizers |
US9993839B2 (en) | 2016-01-18 | 2018-06-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | System and method for coating a substrate |
US10500784B2 (en) | 2016-01-20 | 2019-12-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Additive deposition system and method |
US10434703B2 (en) | 2016-01-20 | 2019-10-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Additive deposition system and method |
US9988720B2 (en) | 2016-10-13 | 2018-06-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Charge transfer roller for use in an additive deposition system and process |
US10493483B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-12-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Central fed roller for filament extension atomizer |
US10464094B2 (en) | 2017-07-31 | 2019-11-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Pressure induced surface wetting for enhanced spreading and controlled filament size |
US10919215B2 (en) | 2017-08-22 | 2021-02-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electrostatic polymer aerosol deposition and fusing of solid particles for three-dimensional printing |
CN115196965B (zh) * | 2022-07-25 | 2023-07-25 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种n型碲化铋热电材料及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3285786A (en) * | 1961-01-05 | 1966-11-15 | Westinghouse Electric Corp | Coextruded thermoelectric members |
DE1171036B (de) * | 1961-02-23 | 1964-05-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen duenner Thermoelementschenkel durch Strangpressen sowie thermoelektrisches Geraet mit solchen Schenkeln |
US3285019A (en) * | 1963-05-27 | 1966-11-15 | Monsanto Co | Two-phase thermoelectric body comprising a lead-tellurium matrix |
US4161111A (en) * | 1971-06-24 | 1979-07-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Hydrostatically extruded thermoelectric legs |
PH19385A (en) | 1983-01-31 | 1986-04-07 | Energy Conversion Devices Inc | New powder pressed n-type thermoelectric materials and method of making same |
US5439528A (en) | 1992-12-11 | 1995-08-08 | Miller; Joel | Laminated thermo element |
US5448109B1 (en) | 1994-03-08 | 1997-10-07 | Tellurex Corp | Thermoelectric module |
US6300150B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-10-09 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
KR20000028741A (ko) * | 1998-10-12 | 2000-05-25 | 안자키 사토루 | 열전반도체 재료 또는 소자의 제조방법 및 열전모듈의제조방법 |
CA2280990A1 (en) | 1999-08-27 | 2001-02-27 | Jacques L'ecuyer | New process for producing thermoelectric alloys |
DE19955788A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
JP3594008B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2004-11-24 | ヤマハ株式会社 | 熱電材料、その製造方法及びペルチェモジュール |
JP2003078178A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Toyo Kohan Co Ltd | 熱電変換材料、その製造方法、およびそれらを用いた熱電変換モジュール |
US20040187905A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-09-30 | Heremans Joseph Pierre | Thermoelectric materials with enhanced seebeck coefficient |
JP5042245B2 (ja) | 2006-03-16 | 2012-10-03 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 熱電用途用のドープ処理テルル化鉛 |
SG174144A1 (en) * | 2009-02-25 | 2011-10-28 | Basf Se | Method for producing flexible metal contacts |
-
2008
- 2008-12-03 TW TW097146942A patent/TW200933940A/zh unknown
- 2008-12-19 US US12/810,931 patent/US20100282285A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-19 AT AT08867452T patent/ATE519234T1/de active
- 2008-12-19 EP EP08867452A patent/EP2227834B1/de not_active Not-in-force
- 2008-12-19 CA CA2710789A patent/CA2710789A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-19 RU RU2010131137/28A patent/RU2010131137A/ru not_active Application Discontinuation
- 2008-12-19 WO PCT/EP2008/068085 patent/WO2009083508A2/de active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI578584B (zh) * | 2016-01-22 | 2017-04-11 | 中國鋼鐵股份有限公司 | N型碲化鉛熱電材料之製備方法 |
CN110767797A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-02-07 | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 | 一种半导体热电材料的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100282285A1 (en) | 2010-11-11 |
WO2009083508A3 (de) | 2010-01-14 |
CA2710789A1 (en) | 2009-07-09 |
EP2227834B1 (de) | 2011-08-03 |
RU2010131137A (ru) | 2012-02-10 |
WO2009083508A2 (de) | 2009-07-09 |
EP2227834A2 (de) | 2010-09-15 |
ATE519234T1 (de) | 2011-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200933940A (en) | Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials | |
US8716589B2 (en) | Doped lead tellurides for thermoelectric applications | |
US8785762B2 (en) | Self-organising thermoelectric materials | |
US7166796B2 (en) | Method for producing a device for direct thermoelectric energy conversion | |
JP5468554B2 (ja) | 熱電応用のためのドープテルル化スズを含む半導体材料 | |
JP2006523019A (ja) | 熱電発生器又はペルチェ配置のためのPb−Ge−Te−化合物 | |
EP1074512A1 (en) | Clathrate compounds, manufacture thereof, and thermoelectric materials, thermoelectric modules, semiconductor materials and hard materials based thereon | |
JP2009277735A (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
US20160343930A1 (en) | Thermoelectric composite material and method for producing same | |
Wang et al. | High thermoelectric performance and anisotropy studies of n-type Mg3Bi2-based single crystal | |
JP4554033B2 (ja) | クラスレート化合物半導体およびその製造方法 | |
JP7448259B2 (ja) | 熱電材料、その製造方法、および、熱電発電素子 | |
US20160035954A1 (en) | Thermoelectric performance of calcium and calcium-cerium filled n-type skutterudites | |
JP3477019B2 (ja) | 熱電変換材料およびその製造方法 | |
CN116546872A (zh) | 一种宽温区高性能碲化铋基热电材料、制备方法及其应用 | |
JP2004228288A (ja) | 熱電材料とその製造方法 |