RU2009143666A - Фронтальный электрод с прозрачным электропроводящим покрытием на структурированной стеклянной подложке для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления - Google Patents

Фронтальный электрод с прозрачным электропроводящим покрытием на структурированной стеклянной подложке для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2009143666A
RU2009143666A RU2009143666/28A RU2009143666A RU2009143666A RU 2009143666 A RU2009143666 A RU 2009143666A RU 2009143666/28 A RU2009143666/28 A RU 2009143666/28A RU 2009143666 A RU2009143666 A RU 2009143666A RU 2009143666 A RU2009143666 A RU 2009143666A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
glass substrate
front electrode
photovoltaic device
electrode
frontal
Prior art date
Application number
RU2009143666/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Йивэй ЛУ (US)
Йивэй ЛУ
БУР Виллем ДЕН (US)
БУР Виллем ДЕН
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. (Us), Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Publication of RU2009143666A publication Critical patent/RU2009143666A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий: ! изготовление стеклянной подложки; ! травление и/или структурирование по меньшей мере одной основной поверхности стеклянной подложки для формирования текстурированной поверхности стеклянной подложки; ! нанесение напылением, по существу, конформного фронтального электрода на текстурированную поверхность стеклянной подложки, причем фронтальный электрод является, по существу, конформным, и обе основные поверхности фронтального электрода структурированы аналогично текстурированной поверхности стеклянной подложки; и ! применение, по существу, конформного фронтального электрода, образованного на текстурированной поверхности стеклянной подложки, на освещенной стороне фотоэлектрического прибора. ! 2. Способ по п.1, дополнительно включающий определение кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора и формирование фронтального электрода таким образом, что область максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах области максимума на кривой QE фотоэлектрического прибора. ! 3. Способ по п.2, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, чтобы область максимального пропускания находилась в пределах области суммарного пика QE и спектра источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод в фотоэлектрическом приборе. ! 4. Способ по п.3, в котором источник света имеет спектральный состав AM1.5. ! 5. Способ по п.2, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупров�

Claims (28)

1. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий:
изготовление стеклянной подложки;
травление и/или структурирование по меньшей мере одной основной поверхности стеклянной подложки для формирования текстурированной поверхности стеклянной подложки;
нанесение напылением, по существу, конформного фронтального электрода на текстурированную поверхность стеклянной подложки, причем фронтальный электрод является, по существу, конформным, и обе основные поверхности фронтального электрода структурированы аналогично текстурированной поверхности стеклянной подложки; и
применение, по существу, конформного фронтального электрода, образованного на текстурированной поверхности стеклянной подложки, на освещенной стороне фотоэлектрического прибора.
2. Способ по п.1, дополнительно включающий определение кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора и формирование фронтального электрода таким образом, что область максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах области максимума на кривой QE фотоэлектрического прибора.
3. Способ по п.2, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, чтобы область максимального пропускания находилась в пределах области суммарного пика QE и спектра источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод в фотоэлектрическом приборе.
4. Способ по п.3, в котором источник света имеет спектральный состав AM1.5.
5. Способ по п.2, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 80% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
6. Способ по п.5, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 85% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
7. Способ по п.5, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 87% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
8. Способ по п.5, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 88% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
9. Способ по п.1, в котором фронтальный электрод является многослойным и включает по меньшей мере один электропроводящий и практически прозрачный слой.
10. Способ по п.9, в котором прозрачный фронтальный электрод является переходом от стеклянной подложки к полупроводниковой пленке фотоэлектрического прибора, по меньшей мере первый практически прозрачный, электропроводящий, практически металлический, отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую прозрачную проводящую пленку электропроводящего оксида (TCO), расположенную между по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
11. Способ по п.10, в котором первая пленка из TCO содержит один или несколько оксидов, выбранных из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
12. Способ по п.10, в котором практически прозрачный фронтальный электрод дополнительно содержит второй, по существу, прозрачный, электропроводящий, по существу, металлический отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и в котором первая прозрачная пленка электропроводящего оксида (TCO) расположена по меньшей мере между указанным первым и вторым слоями, отражающими ИК-излучение.
13. Способ по п.12, в котором каждый из первого и второго слоя, отражающего ИК-излучение, содержит серебро.
14. Способ по п.1, в котором стеклянная подложка и фронтальный электрод совместно отражают ИК-излучение по меньшей мере примерно на 45% по меньшей мере в существенной части ИК-диапазона длин волн в интервале примерно 1400-2300 нм и/или 1000-2500 нм.
15. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий формирование, по существу, прозрачного электропроводящего электрода на стеклянной подложке;
определение кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора и формирование, по существу, прозрачного фронтального электрода таким образом, что область максимального пропускания, по существу, прозрачного фронтального электрода находится в пределах максимума кривой QE фотоэлектрического прибора; и
использование, по существу, прозрачного фронтального электрода на стеклянной подложке на освещаемой стороне фотоэлектрического прибора.
16. Способ по п.15, дополнительно содержащий формирование фронтального электрода таким образом, что площадь максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах максимума в спектре источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод для электропитания фотоэлектрического прибора.
17. Способ по п.16, в котором спектр источника света представляет собой AM1.5.
18. Способ по п.15, дополнительно содержащий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки составляет по меньшей мере 80% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
19. Способ по п.18, дополнительно содержащий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки составляет по меньшей мере 85% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
20. Способ по п.15, в котором фронтальный электрод является переходом от стеклянной подложки, к полупроводниковой пленке фотоэлектрического прибора, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный, электропроводящий, по существу, металлический, отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую прозрачную пленку электропроводящего оксида (TCO), расположенную по меньшей мере между отражающим ИК-излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
21. Способ по п.15, в котором по меньшей мере одна основная поверхность стеклянной подложки и обе основные поверхности фронтального электрода текстурированы таким образом, что содержат описанные здесь пики и впадины.
22. Фотоэлектрический прибор, включающий:
фронтальную стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу, прозрачный электропроводящий фронтальный электрод, расположенный между по меньшей мере фронтальной стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
в котором область максимального пропускания практически прозрачного электропроводящего фронтального электрода находится в пределах максимума кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора.
23. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором область максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах максимума кривой QE и спектра источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод в фотоэлектрическом приборе.
24. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором суммарное пропускание фронтального электрода и фронтальной стеклянной подложки к полупроводниковой пленке составляет по меньшей мере 80% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
25. Фотоэлектрический прибор по п.24, в котором суммарное пропускание фронтального электрода и фронтальной стеклянной подложки к полупроводниковой пленке составляет по меньшей мере 85% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
26. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором по меньшей мере одна основная поверхность фронтальной стеклянной подложки и обе основные поверхности фронтального электрода текстурированы с образованием описанных здесь пиков и впадин.
27. Способ по п.1, в котором значение матовости в стеклянной подложке составляет 10-20%.
28. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором значение матовости в стеклянной подложке составляет 10-20%.
RU2009143666/28A 2007-04-26 2008-02-29 Фронтальный электрод с прозрачным электропроводящим покрытием на структурированной стеклянной подложке для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления RU2009143666A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/790,687 2007-04-26
US11/790,687 US8012317B2 (en) 2006-11-02 2007-04-26 Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009143666A true RU2009143666A (ru) 2011-06-10

Family

ID=39562562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009143666/28A RU2009143666A (ru) 2007-04-26 2008-02-29 Фронтальный электрод с прозрачным электропроводящим покрытием на структурированной стеклянной подложке для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8012317B2 (ru)
EP (3) EP2276069A3 (ru)
BR (1) BRPI0810855A2 (ru)
RU (1) RU2009143666A (ru)
WO (1) WO2008133770A1 (ru)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080072953A1 (en) * 2006-09-27 2008-03-27 Thinsilicon Corp. Back contact device for photovoltaic cells and method of manufacturing a back contact device
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
WO2008150769A2 (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Thinsilicon Corporation Photovoltaic device and method of manufacturing photovoltaic devices
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
KR101000051B1 (ko) * 2008-01-09 2010-12-10 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US7759755B2 (en) * 2008-05-14 2010-07-20 International Business Machines Corporation Anti-reflection structures for CMOS image sensors
US8501522B2 (en) * 2008-05-30 2013-08-06 Gtat Corporation Intermetal stack for use in a photovoltaic cell
US7915522B2 (en) 2008-05-30 2011-03-29 Twin Creeks Technologies, Inc. Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making
EP2332177A4 (en) * 2008-09-29 2012-12-26 Thinsilicon Corp MONOLITHICALLY INTEGRATED SOLAR MODULE
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
WO2010051599A1 (en) * 2008-11-10 2010-05-14 Solar Systems Pty Ltd A photovoltaic cell
JP5470633B2 (ja) * 2008-12-11 2014-04-16 国立大学法人東北大学 光電変換素子及び太陽電池
KR101180234B1 (ko) * 2009-04-03 2012-09-05 (주)엘지하우시스 디자인층을 구비한 건물 일체형 태양전지 모듈
WO2010129163A2 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 Thinsilicon Corporation Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks
US20110114156A1 (en) * 2009-06-10 2011-05-19 Thinsilicon Corporation Photovoltaic modules having a built-in bypass diode and methods for manufacturing photovoltaic modules having a built-in bypass diode
CN102301496A (zh) * 2009-06-10 2011-12-28 薄膜硅公司 光生伏打模块和制造具有多个半导体层堆叠的光生伏打模块的方法
KR101134595B1 (ko) * 2009-07-29 2012-04-09 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판, 태양전지 기판 제조 방법 및 태양전지
DE102009028393A1 (de) * 2009-08-10 2011-02-17 Robert Bosch Gmbh Solarzelle
US7973997B2 (en) * 2009-08-31 2011-07-05 Korea University Research And Business Foundation Transparent structures
US20110100446A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-05 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including ion-beam treated layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110168252A1 (en) * 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110126875A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Hien-Minh Huu Le Conductive contact layer formed on a transparent conductive layer by a reactive sputter deposition
FR2947954A1 (fr) * 2009-12-11 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Cellule texturee a rendement de conversion eleve comportant une zone texturee recouverte par une bi-couche antireflet
KR101410392B1 (ko) * 2009-12-30 2014-06-20 주성엔지니어링(주) 이종 접합 태양전지 및 그 제조방법
JP2011159730A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 導電性酸化亜鉛積層膜及びこれを備えた光電変換素子
DE102010009558A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung einer texturierten TCO-Schicht
KR101669953B1 (ko) 2010-03-26 2016-11-09 삼성전자 주식회사 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자
SE535795C2 (sv) * 2010-08-03 2012-12-27 Gisle Innovations Ab Anordning vid solpanel
US20130019929A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 International Business Machines Reduction of light induced degradation by minimizing band offset
KR101783784B1 (ko) 2011-11-29 2017-10-11 한국전자통신연구원 태양전지 모듈 및 그의 제조방법
US9082914B2 (en) 2012-01-13 2015-07-14 Gaurdian Industries Corp. Photovoltaic module including high contact angle coating on one or more outer surfaces thereof, and/or methods of making the same
DE102012201284B4 (de) * 2012-01-30 2018-10-31 Ewe-Forschungszentrum Für Energietechnologie E. V. Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle
CN102637751A (zh) * 2012-05-15 2012-08-15 南开大学 太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法
US9082911B2 (en) * 2013-01-28 2015-07-14 Q1 Nanosystems Corporation Three-dimensional metamaterial device with photovoltaic bristles
KR102600379B1 (ko) * 2015-12-21 2023-11-10 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지와 그 제조 방법
CN108538929A (zh) * 2018-02-13 2018-09-14 全球能源互联网研究院有限公司 一种用于太阳能电池的复合膜及其制备方法和应用
CN114361267A (zh) * 2021-12-13 2022-04-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种shj太阳电池双层tco薄膜结构及其制备方法

Family Cites Families (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL127148C (ru) * 1963-12-23
US4155781A (en) * 1976-09-03 1979-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth
US4162505A (en) * 1978-04-24 1979-07-24 Rca Corporation Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
US4213798A (en) * 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
JPS5749278A (en) * 1980-09-08 1982-03-23 Mitsubishi Electric Corp Amorphous silicone solar cell
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4554727A (en) * 1982-08-04 1985-11-26 Exxon Research & Engineering Company Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces
US4497974A (en) * 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
US4598306A (en) * 1983-07-28 1986-07-01 Energy Conversion Devices, Inc. Barrier layer for photovoltaic devices
JPH0680837B2 (ja) 1983-08-29 1994-10-12 通商産業省工業技術院長 光路を延長した光電変換素子
JPS6068663A (ja) * 1983-09-26 1985-04-19 Komatsu Denshi Kinzoku Kk アモルフアスシリコン太陽電池
US4598396A (en) * 1984-04-03 1986-07-01 Itt Corporation Duplex transmission mechanism for digital telephones
US4689438A (en) * 1984-10-17 1987-08-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPS61108176A (ja) 1984-11-01 1986-05-26 Fuji Electric Co Ltd 粗面化方法
US4663495A (en) * 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
JPH0750793B2 (ja) 1985-06-04 1995-05-31 工業技術院長 薄膜光電変換素子
GB2188924B (en) 1986-04-08 1990-05-09 Glaverbel Matted glass, process of producing matted glass, photo-voltaic cell incorporating a glass sheet, and process of manufacturing such a cell
DE3704880A1 (de) 1986-07-11 1988-01-21 Nukem Gmbh Transparentes, leitfaehiges schichtsystem
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
EP0364780B1 (en) * 1988-09-30 1997-03-12 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Solar cell with a transparent electrode
US4940495A (en) * 1988-12-07 1990-07-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films
JPH02164077A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Hitachi Ltd アモルファスシリコン太陽電池
JP3117446B2 (ja) 1989-06-15 2000-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物導電膜の成膜加工方法
US5073451A (en) 1989-07-31 1991-12-17 Central Glass Company, Limited Heat insulating glass with dielectric multilayer coating
EP0436741B1 (en) 1989-08-01 1996-06-26 Asahi Glass Company Ltd. DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide
DE4000664A1 (de) * 1990-01-11 1991-07-18 Siemens Ag Transparente elektrode aus leitfaehigem oxid fuer photodioden und verfahren zu ihrer herstellung
AU8872891A (en) * 1990-10-15 1992-05-20 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
DE4126738A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Claussen Nils Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper
US5171411A (en) 1991-05-21 1992-12-15 The Boc Group, Inc. Rotating cylindrical magnetron structure with self supporting zinc alloy target
US5256858A (en) * 1991-08-29 1993-10-26 Tomb Richard H Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers
US5699035A (en) 1991-12-13 1997-12-16 Symetrix Corporation ZnO thin-film varistors and method of making the same
JP2974485B2 (ja) 1992-02-05 1999-11-10 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造法
US5230746A (en) * 1992-03-03 1993-07-27 Amoco Corporation Photovoltaic device having enhanced rear reflecting contact
CN1112734C (zh) * 1993-09-30 2003-06-25 佳能株式会社 具有三层结构表面覆盖材料的太阳能电池组件
JP3029178B2 (ja) * 1994-04-27 2000-04-04 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
GB9500330D0 (en) * 1995-01-09 1995-03-01 Pilkington Plc Coatings on glass
FR2730990B1 (fr) * 1995-02-23 1997-04-04 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
US5667853A (en) * 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
JP3431776B2 (ja) * 1995-11-13 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置
US6433913B1 (en) * 1996-03-15 2002-08-13 Gentex Corporation Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same
GB9619134D0 (en) * 1996-09-13 1996-10-23 Pilkington Plc Improvements in or related to coated glass
US5922142A (en) * 1996-11-07 1999-07-13 Midwest Research Institute Photovoltaic devices comprising cadmium stannate transparent conducting films and method for making
US6406639B2 (en) * 1996-11-26 2002-06-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of partially forming oxide layer on glass substrate
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
DE19713215A1 (de) 1997-03-27 1998-10-08 Forschungszentrum Juelich Gmbh Solarzelle mit texturierter TCO-Schicht sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen TCO-Schicht für eine solche Solarzelle
JP3805889B2 (ja) 1997-06-20 2006-08-09 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6222117B1 (en) * 1998-01-05 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus
EP1063317B1 (en) 1998-03-05 2003-07-30 Asahi Glass Company Ltd. Sputtering target, transparent conductive film, and method for producing the same
US6344608B2 (en) * 1998-06-30 2002-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element
FR2781062B1 (fr) * 1998-07-09 2002-07-12 Saint Gobain Vitrage Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
CA2341629A1 (en) 1998-08-26 2000-03-09 Hodaka Norimatsu Photovoltaic device
JP2000091084A (ja) 1998-09-16 2000-03-31 Trustees Of Princeton Univ ホ―ル注入性改良電極
FR2791147B1 (fr) * 1999-03-19 2002-08-30 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables
TW463528B (en) * 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6380480B1 (en) * 1999-05-18 2002-04-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device
US6187824B1 (en) * 1999-08-25 2001-02-13 Nyacol Nano Technologies, Inc. Zinc oxide sol and method of making
DE19958878B4 (de) 1999-12-07 2012-01-19 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Dünnschicht-Solarzelle
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6524647B1 (en) 2000-03-24 2003-02-25 Pilkington Plc Method of forming niobium doped tin oxide coatings on glass and coated glass formed thereby
TW532048B (en) 2000-03-27 2003-05-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
US7267879B2 (en) * 2001-02-28 2007-09-11 Guardian Industries Corp. Coated article with silicon oxynitride adjacent glass
US6576349B2 (en) 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US6521883B2 (en) * 2000-07-18 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
WO2002017689A1 (fr) * 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
JP2002260448A (ja) * 2000-11-21 2002-09-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置
JP2002170431A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 電極基板およびその製造方法
US7132666B2 (en) 2001-02-07 2006-11-07 Tomoji Takamasa Radiation detector and radiation detecting element
KR100768176B1 (ko) * 2001-02-07 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
AU2002259152A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-18 Bp Corporation North America Inc. Improved photovoltaic device
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
JP4162447B2 (ja) 2001-09-28 2008-10-08 三洋電機株式会社 光起電力素子及び光起電力装置
US6936347B2 (en) * 2001-10-17 2005-08-30 Guardian Industries Corp. Coated article with high visible transmission and low emissivity
FR2832706B1 (fr) * 2001-11-28 2004-07-23 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US6830817B2 (en) * 2001-12-21 2004-12-14 Guardian Industries Corp. Low-e coating with high visible transmission
KR100835920B1 (ko) 2001-12-27 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 일체형 액정패널
US7037869B2 (en) * 2002-01-28 2006-05-02 Guardian Industries Corp. Clear glass composition
US7169722B2 (en) * 2002-01-28 2007-01-30 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US7144837B2 (en) 2002-01-28 2006-12-05 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US6919133B2 (en) * 2002-03-01 2005-07-19 Cardinal Cg Company Thin film coating having transparent base layer
KR100505536B1 (ko) * 2002-03-27 2005-08-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
FR2844364B1 (fr) * 2002-09-11 2004-12-17 Saint Gobain Substrat diffusant
US7141863B1 (en) 2002-11-27 2006-11-28 University Of Toledo Method of making diode structures
TW583466B (en) * 2002-12-09 2004-04-11 Hannstar Display Corp Structure of liquid crystal display
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
JP4241446B2 (ja) * 2003-03-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
EP1624494A4 (en) * 2003-05-13 2007-10-10 Asahi Glass Co Ltd TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR SOLAR BATTERY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
US20040244829A1 (en) 2003-06-04 2004-12-09 Rearick Brian K. Coatings for encapsulation of photovoltaic cells
GB2405030A (en) * 2003-08-13 2005-02-16 Univ Loughborough Bifacial thin film solar cell
US7087309B2 (en) * 2003-08-22 2006-08-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method
US7153579B2 (en) 2003-08-22 2006-12-26 Centre Luxembourgeois de Recherches pour le Verre et la Ceramique S.A, (C.R.V.C.) Heat treatable coated article with tin oxide inclusive layer between titanium oxide and silicon nitride
JP4761706B2 (ja) * 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
US8524051B2 (en) * 2004-05-18 2013-09-03 Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method
US20050257824A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Maltby Michael G Photovoltaic cell including capping layer
US7537677B2 (en) * 2005-01-19 2009-05-26 Guardian Industries Corp. Method of making low-E coating using ceramic zinc inclusive target, and target used in same
US7700869B2 (en) * 2005-02-03 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell low iron patterned glass and method of making same
US7531239B2 (en) * 2005-04-06 2009-05-12 Eclipse Energy Systems Inc Transparent electrode
US7743630B2 (en) * 2005-05-05 2010-06-29 Guardian Industries Corp. Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product
US7700870B2 (en) 2005-05-05 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass with antimony and corresponding method
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
JP2007067194A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Fujifilm Corp 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子
FR2891269B1 (fr) * 2005-09-23 2007-11-09 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US8648252B2 (en) * 2006-03-13 2014-02-11 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method
US7557053B2 (en) * 2006-03-13 2009-07-07 Guardian Industries Corp. Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same
US20080047602A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
US20080308145A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
US8012317B2 (en) 2011-09-06
EP2276069A3 (en) 2012-06-13
EP2276069A2 (en) 2011-01-19
US20080107799A1 (en) 2008-05-08
BRPI0810855A2 (pt) 2014-10-29
EP2140496A1 (en) 2010-01-06
EP2372777A3 (en) 2012-05-30
WO2008133770A1 (en) 2008-11-06
EP2372777A2 (en) 2011-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009143666A (ru) Фронтальный электрод с прозрачным электропроводящим покрытием на структурированной стеклянной подложке для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления
RU2009138038A (ru) Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве
RU2009120669A (ru) Передний электрод для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления
WO2009099509A3 (en) Transparent front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7846750B2 (en) Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell
TWI520354B (zh) 堆疊電極以及光電元件
US8076571B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US11431282B2 (en) Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile
JP2011507307A5 (ru)
WO2009073058A3 (en) Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
JPH02202068A (ja) 光透過性導電性積層体膜
KR20100021347A (ko) 컬러 모듈레이션이 제공된 태양전지 및 그 제조 방법
JP7290710B2 (ja) パターン化したカバープレートと光干渉層とを備えたソーラーモジュール
CN111081838B (zh) 一种正装led芯片及其制作方法
EP2645442A2 (en) Multiple light management textures
JP2008034686A (ja) 光電変換素子およびその製造方法
JP2021502703A (ja) 高効率且つ角度に耐性のある太陽光発電デバイス用色付きフィルタ組立体
JP2011003663A (ja) 薄膜光電変換装置
CN108962958B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
JP2008305945A (ja) 薄膜太陽電池用基板とその製造方法および薄膜太陽電池の製造方法
US20150144901A1 (en) Organic light-emitting diode
Park et al. Design of transparent multicolor LED signage with an Oxide-Metal-Oxide interconnect electrode
CA3096803A1 (en) Photo voltaic module with enhanced light collection
CN104471738A (zh) 用于oled的透明的所支撑电极
JP2008159799A (ja) 光起電力装置