RU2009120693A - Передний электрод для применения в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления - Google Patents
Передний электрод для применения в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009120693A RU2009120693A RU2009120693/28A RU2009120693A RU2009120693A RU 2009120693 A RU2009120693 A RU 2009120693A RU 2009120693/28 A RU2009120693/28 A RU 2009120693/28A RU 2009120693 A RU2009120693 A RU 2009120693A RU 2009120693 A RU2009120693 A RU 2009120693A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- photovoltaic device
- film
- ppo
- oxide
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 29
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 72
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 10
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 6
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Фотоэлектрический прибор, содержащий ! переднюю подложку; ! полупроводниковую пленку; ! по существу, прозрачный передний электрод, расположенный между по меньшей мере передней подложкой и полупроводниковой пленкой; ! при этом, по существу, прозрачный передний электрод содержит, удаляясь от передней подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО), расположенную между по меньшей мере отражающим ИК излучение слоем и полупроводниковой пленкой. ! 2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка. ! 3. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот АО диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6. ! 4. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,3 до 2,5. ! 5. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором диэлектрический слой содержит оксид титана и/или оксид ниобия. ! 6. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот диэлектрический слой содержит один или более из нитрида кремния, оксида кремния
Claims (45)
1. Фотоэлектрический прибор, содержащий
переднюю подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу, прозрачный передний электрод, расположенный между по меньшей мере передней подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом, по существу, прозрачный передний электрод содержит, удаляясь от передней подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО), расположенную между по меньшей мере отражающим ИК излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот АО диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6.
4. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,3 до 2,5.
5. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором диэлектрический слой содержит оксид титана и/или оксид ниобия.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот диэлектрический слой содержит один или более из нитрида кремния, оксида кремния и/или оксинитрида кремния.
7. Фотоэлектрический прибор по п.6, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 1,6 до 2,0.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод дополнительно содержит затравочный слой, содержащий по меньшей мере один оксид металла, расположенный между передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот затравочный слой непосредственно контактирует с отражающим ИК излучение слоем.
9. Фотоэлектрический прибор по п.8, в котором затравочный слой содержит оксид цинка, который необязательно может быть легирован алюминием.
10. Фотоэлектрический прибор по п.8, в котором затравочный слой является диэлектриком.
11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод дополнительно содержит покровный слой, предусмотренный между отражающим ИК излучение слоем и первой пленкой ППО и контактирующий с каждым из них.
12. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором покровный слой содержит один или более из оксида Ni и/или Cr и/или оксида цинка.
13. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий вторую пленку ППО, предусмотренную между первой пленкой ППО и полупроводниковой пленкой.
14. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором, по существу, прозрачный передний электрод дополнительно содержит второй, по существу, прозрачный проводящий, по существу, металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото.
15. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первый отражающий ИК излучение слой содержит серебро, и/или в котором передняя стеклянная подложка содержит стекло.
16. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрический слой, имеющий показатель преломления от примерно 1,6 до 2,2, расположенный между передней стеклянной подложкой и передним электродом.
17. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первый отражающий ИК излучение слой составляет от примерно 3 до 12 нм в толщину.
18. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО составляет от примерно 40 до 130 нм в толщину.
19. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка и передний электрод, взятые вместе, обладают пропусканием по меньшей мере примерно 80% в по меньшей мере существенной части диапазона длин волн от примерно 450-600 нм.
20. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют коэффициент отражения ИК по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере существенной части диапазона длин волн ИК излучения от примерно 1400-2300 нм.
21. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют коэффициент отражения ИК по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере большей части диапазона длин волн ИК излучения от примерно 1000-2500 нм.
22. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит CdS и/или CdTe.
23. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит a-Si.
24. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит первый слой, содержащий CdS, и второй слой, содержащий CdTe, причем первый слой, содержащий CdS, предусмотрен между передней подложкой и вторым слоем, содержащим CdTe.
25. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором упомянутая первая пленка ППО содержит первый слой, содержащий первый оксид металла, и второй слой, содержащий второй оксид металла, причем первый слой пленки ППО имеет удельное сопротивление существенно меньшее, чем у второго слоя пленки ППО, и при этом первый слой пленки ППО расположен ближе к передней подложке, чем второй слой пленки ППО.
26. Фотоэлектрический прибор по п.25, в котором первый слой пленки ППО существенно толще, чем второй слой пленки ППО.
27. Фотоэлектрический прибор по п.25, в котором первый слой пленки ППО содержит оксид цинка и/или оксид индия-олова, а второй слой пленки ППО содержит оксид олова.
28. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрическую пленку, расположенную между по меньшей мере передней подложкой и передним электродом, причем эта диэлектрическая пленка содержит множественные слои.
29. Фотоэлектрический прибор по п.28, в котором упомянутая диэлектрическая пленка содержит, удаляясь от передней подложки, первый диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2 и второй диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6, причем первый диэлектрический слой имеет показатель преломления меньший, чем у второго диэлектрического слоя.
30. Фотоэлектрический прибор по п.28, в котором упомянутая диэлектрическая пленка содержит, удаляясь от передней подложки, первый диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2 и второй диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6, причем первый диэлектрический слой имеет показатель преломления меньший, чем у второго диэлектрического слоя, и третий диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2.
31. Фотоэлектрический прибор по п.30, в котором первый диэлектрический слой содержит нитрид кремния и имеет показатель преломления от примерно 1,95 до 2,1.
32. Фотоэлектрический прибор по п.30, в котором второй диэлектрический слой содержит оксид титана и имеет показатель преломления от примерно 2,3 до 2,5.
33. Фотоэлектрический прибор по п.30, в котором третий диэлектрический слой содержит оксид цинка и имеет показатель преломления от примерно 1,95 до 2,1.
34. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий слой, содержащий оксид металла, расположенный между отражающим ИК излучение слоем и пленкой ППО, причем этот слой, содержащий оксид металла, является градиентным по степени окисления.
35. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором слой, содержащий оксид металла, содержит оксид Ni и/или Cr.
36. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором пленка ППО составляет от примерно 120-160 нм в толщину.
37. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка представляет собой стеклянную подложку.
38. Электродная структура, приспособленная для применения в фотоэлектрическом приборе, включающем в себя полупроводниковую пленку, причем эта электродная структура содержит
по существу, прозрачный многослойный электрод, поддерживаемый подложкой;
при этом, по существу, прозрачный многослойный электрод содержит, удаляясь от подложки, по меньшей мере первый слой, содержащий оксид металла, по существу, прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, и пленку прозрачного проводящего оксида (ППО).
39. Электродная структура по п.38, в которой пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
40. Электродная структура по п.38, в которой первый слой, содержащий оксид металла, содержит оксид цинка.
41. Электродная структура по п.38, в которой упомянутая пленка ППО содержит первый слой, содержащий первый оксид металла, и второй слой, содержащий второй оксид металла, причем первый слой пленки ППО имеет удельное сопротивление существенно меньшее, чем у второго слоя пленки ППО, и при этом первый слой пленки ППО расположен ближе к подложке, чем второй слой пленки ППО.
42. Электродная структура по п.41, в которой первый слой пленки ППО существенно толще, чем второй слой пленки ППО.
43. Электродная структура по п.41, в котором первый слой пленки ППО содержит оксид цинка и/или оксид индия-олова, а второй слой пленки ППО содержит оксид олова.
44. Электродная структура по п.38, дополнительно содержащая диэлектрическую пленку, расположенную между по меньшей мере подложкой и передним электродом и содержащую множественные слои, при этом упомянутая диэлектрическая пленка содержит, удаляясь от подложки, первый диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2 и второй диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6, причем первый диэлектрический слой имеет показатель преломления меньший, чем у второго диэлектрического слоя.
45. Фотоэлектрический прибор, содержащий
стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу, прозрачный электрод, расположенный между по меньшей мере подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом, по существу, прозрачный электрод содержит, удаляясь от стеклянной подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный проводящий, по существу, металлический слой, содержащий серебро, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО), расположенную между по меньшей мере слоем, содержащим серебро, и полупроводниковой пленкой.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/591,668 US20080105298A1 (en) | 2006-11-02 | 2006-11-02 | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US11/591,668 | 2006-11-02 | ||
US11/790,812 US20080105293A1 (en) | 2006-11-02 | 2007-04-27 | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US11/790,812 | 2007-04-27 | ||
US11/898,641 | 2007-09-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009120693A true RU2009120693A (ru) | 2010-12-10 |
Family
ID=38982854
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009120669/28A RU2009120669A (ru) | 2006-11-02 | 2007-08-20 | Передний электрод для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления |
RU2009120693/28A RU2009120693A (ru) | 2006-11-02 | 2007-10-11 | Передний электрод для применения в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009120669/28A RU2009120669A (ru) | 2006-11-02 | 2007-08-20 | Передний электрод для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080105293A1 (ru) |
EP (2) | EP2087523A1 (ru) |
BR (2) | BRPI0718268A2 (ru) |
CA (2) | CA2666687A1 (ru) |
RU (2) | RU2009120669A (ru) |
WO (1) | WO2008063255A1 (ru) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
FR2911130B1 (fr) * | 2007-01-05 | 2009-11-27 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu |
US8334452B2 (en) | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
FR2918791B1 (fr) * | 2007-07-13 | 2009-12-04 | Saint Gobain | Substrat pour la croissance epitaxiale de nitrure de gallium |
FR2919429B1 (fr) * | 2007-07-27 | 2009-10-09 | Saint Gobain | Substrat de face avant de cellule photovoltaique et utilisation d'un substrat pour une face avant de cellule photovoltaique |
US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
EP2253022B1 (de) * | 2008-03-03 | 2012-12-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Solarmodul mit erhöhter Biegesteifigkeit |
US20090229667A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Solarmer Energy, Inc. | Translucent solar cell |
US20090260678A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Agc Flat Glass Europe S.A. | Glass substrate bearing an electrode |
US8501522B2 (en) * | 2008-05-30 | 2013-08-06 | Gtat Corporation | Intermetal stack for use in a photovoltaic cell |
US7915522B2 (en) | 2008-05-30 | 2011-03-29 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making |
US8292443B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-10-23 | Konica Minolta Opto, Inc. | Mirror structure |
DE102008036310A1 (de) * | 2008-07-29 | 2010-02-11 | Technische Universität Dresden | Organisches photoaktives Bauelement, insbesondere organische Solarzelle oder organischer Photodetektor |
FR2934611B1 (fr) * | 2008-08-01 | 2011-03-11 | Electricite De France | Elaboration de couche d'oxyde transparente et conductrice pour utilisation dans une structure photovoltaique. |
US8022291B2 (en) * | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
US7947374B2 (en) * | 2009-02-19 | 2011-05-24 | Guardian Industries Corp. | Coated article with sputter-deposited transparent conductive coating capable of surviving harsh environments, and method of making the same |
US8372945B2 (en) | 2009-07-24 | 2013-02-12 | Solarmer Energy, Inc. | Conjugated polymers with carbonyl substituted thieno[3,4-B]thiophene units for polymer solar cell active layer materials |
CN102482796A (zh) * | 2009-08-24 | 2012-05-30 | 第一太阳能有限公司 | 掺杂的透明导电氧化物 |
DE202009012685U1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-02-10 | Inventux Technologies Ag | Photovoltaik Modul mit Barriereschicht |
WO2011047186A2 (en) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving photovoltaic efficiency |
WO2011046664A2 (en) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | Applied Materials, Inc. | A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells |
US10319870B2 (en) * | 2009-11-02 | 2019-06-11 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic module with a controllable infrared protection layer |
US20110186120A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-08-04 | Guardian Industries Corp. | Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same |
US20110168252A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-07-14 | Guardian Industries Corp. | Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same |
US8502066B2 (en) * | 2009-11-05 | 2013-08-06 | Guardian Industries Corp. | High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same |
US20110100446A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-05 | Guardian Industries Corp. | High haze transparent contact including ion-beam treated layer for solar cells, and/or method of making the same |
DE102009044493A1 (de) * | 2009-11-10 | 2011-05-19 | Q-Cells Se | Solarzelle und Herstellungsverfahren einer Solarzelle |
WO2011084775A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-07-14 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device with buffer layer |
TW201123483A (en) * | 2009-12-30 | 2011-07-01 | Auria Solar Co Ltd | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
TWI514608B (zh) * | 2010-01-14 | 2015-12-21 | Dow Global Technologies Llc | 具曝露式導電柵格之防溼光伏打裝置 |
WO2011087878A2 (en) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | Applied Materials, Inc. | Manufacture of thin film solar cells with high conversion efficiency |
JP2011176285A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-09-08 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法 |
KR101130200B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2012-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
EP2534693A2 (en) * | 2010-02-09 | 2012-12-19 | Dow Global Technologies LLC | Moisture resistant photovoltaic devices with improved adhesion of barrier film |
FR2956925B1 (fr) * | 2010-03-01 | 2012-03-23 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique |
CN102782853A (zh) * | 2010-03-05 | 2012-11-14 | 第一太阳能有限公司 | 具有分级缓冲层的光伏器件 |
US8257561B2 (en) | 2010-03-30 | 2012-09-04 | Primestar Solar, Inc. | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
US20120125423A1 (en) * | 2010-05-20 | 2012-05-24 | Cardinal Cg Company | Transparent conductive substrate |
CN102270672A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 上海空间电源研究所 | 一种用于薄膜太阳能电池的多层背反射镜结构 |
DE102010038796B4 (de) * | 2010-08-02 | 2014-02-20 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
CN101969078B (zh) * | 2010-08-06 | 2012-11-14 | 白金 | 一种选择性汇聚的光学器件 |
KR101733055B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2017-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
CN103250257A (zh) * | 2010-09-22 | 2013-08-14 | 第一太阳能有限公司 | 用于太阳能电池的CdZnO或SnZnO缓冲层 |
KR101283140B1 (ko) * | 2011-01-26 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
US20120237670A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Fabricating method of solar cell |
US20120048329A1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-03-01 | Lalita Manchanda | Charge-coupled photovoltaic devices |
US20130008687A1 (en) * | 2011-07-08 | 2013-01-10 | Industrial Technology Research Institute | Conductive film structure capable of resisting moisture and oxygen and electronic apparatus using the same |
CN102751339A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-24 | 常州天合光能有限公司 | 异质结太阳能电池结构及其制作方法 |
KR20150057853A (ko) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
CN104007496B (zh) * | 2014-05-19 | 2016-05-25 | 河南科技大学 | 一种光子晶体滤波镜片及其制备方法 |
US20150364626A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent electrode and solar cell including the same |
JP6048526B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-12-21 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
CN104916709B (zh) * | 2015-05-29 | 2017-08-08 | 中山大学 | 一种结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池 |
DE102016110314A1 (de) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Omnidirektionale rote strukturelle farbe hoher chroma mit kombination aus halbleiterabsorber- und dielektrischen absorberschichten |
CN104916711B (zh) * | 2015-07-11 | 2017-07-28 | 王子韩 | 一种高效自清洁石墨烯涂层太阳能光伏组件及制造方法 |
JP6601199B2 (ja) | 2015-12-11 | 2019-11-06 | Tdk株式会社 | 透明導電体 |
US11489488B2 (en) | 2018-04-13 | 2022-11-01 | Nextracker Llc | Light management systems for optimizing performance of bifacial solar module |
CN113016078A (zh) * | 2018-09-14 | 2021-06-22 | 无处不在能量公司 | 用于透明光伏器件的多层透明电极的方法和系统 |
US20220093345A1 (en) * | 2020-09-22 | 2022-03-24 | Caelux Corporation | Tandem solar modules and methods of manufacture thereof |
Family Cites Families (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL127148C (ru) * | 1963-12-23 | |||
US4155781A (en) * | 1976-09-03 | 1979-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth |
US4162505A (en) * | 1978-04-24 | 1979-07-24 | Rca Corporation | Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers |
US4163677A (en) * | 1978-04-28 | 1979-08-07 | Rca Corporation | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier |
US4213798A (en) * | 1979-04-27 | 1980-07-22 | Rca Corporation | Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells |
JPS56138701A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Minolta Camera Co Ltd | Antireflection film |
US4378460A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-29 | Rca Corporation | Metal electrode for amorphous silicon solar cells |
US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
JPS59175166A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルファス光電変換素子 |
US4598306A (en) * | 1983-07-28 | 1986-07-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Barrier layer for photovoltaic devices |
US4598396A (en) * | 1984-04-03 | 1986-07-01 | Itt Corporation | Duplex transmission mechanism for digital telephones |
US4689438A (en) * | 1984-10-17 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JPS61108176A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-26 | Fuji Electric Co Ltd | 粗面化方法 |
DE3446807A1 (de) * | 1984-12-21 | 1986-07-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Duennschichtsolarzelle mit n-i-p-struktur |
US4663495A (en) * | 1985-06-04 | 1987-05-05 | Atlantic Richfield Company | Transparent photovoltaic module |
DE3704880A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Nukem Gmbh | Transparentes, leitfaehiges schichtsystem |
US4729970A (en) * | 1986-09-15 | 1988-03-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices |
AU616736B2 (en) * | 1988-03-03 | 1991-11-07 | Asahi Glass Company Limited | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
EP0364780B1 (en) * | 1988-09-30 | 1997-03-12 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Solar cell with a transparent electrode |
US4940495A (en) * | 1988-12-07 | 1990-07-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films |
US5073451A (en) * | 1989-07-31 | 1991-12-17 | Central Glass Company, Limited | Heat insulating glass with dielectric multilayer coating |
AU8872891A (en) * | 1990-10-15 | 1992-05-20 | United Solar Systems Corporation | Monolithic solar cell array and method for its manufacture |
DE4126738A1 (de) * | 1990-12-11 | 1992-06-17 | Claussen Nils | Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper |
US5256858A (en) * | 1991-08-29 | 1993-10-26 | Tomb Richard H | Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers |
IL103614A (en) * | 1991-11-22 | 1998-09-24 | Basf Ag | Carboxamides for controlling botrytis and certain novel such compounds |
US5230746A (en) * | 1992-03-03 | 1993-07-27 | Amoco Corporation | Photovoltaic device having enhanced rear reflecting contact |
FR2710333B1 (fr) * | 1993-09-23 | 1995-11-10 | Saint Gobain Vitrage Int | Substrat transparent muni d'un empilement de couches minces agissant sur le rayonnement solaire et/ou infra-rouge. |
DE69429245T2 (de) * | 1993-09-30 | 2002-06-27 | Canon Kk | Sonnenzellenmodul mit einem oberflächen-überzugsstoff von dreischichtenstruktur |
JP3029178B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体太陽電池の製造方法 |
GB9500330D0 (en) * | 1995-01-09 | 1995-03-01 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
FR2730990B1 (fr) * | 1995-02-23 | 1997-04-04 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent a revetement anti-reflets |
EP0733931B1 (en) * | 1995-03-22 | 2003-08-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same |
FR2734811B1 (fr) * | 1995-06-01 | 1997-07-04 | Saint Gobain Vitrage | Substrats transparents revetus d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire |
JPH11512336A (ja) * | 1995-09-15 | 1999-10-26 | ロディア シミ | 二酸化チタンを基とする光触媒コーティングを有する基材及び二酸化チタンを基とする有機分散体 |
JP3431776B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置 |
DE19604699C1 (de) * | 1996-02-09 | 1997-11-20 | Ver Glaswerke Gmbh | Wärmedämmendes Schichtsystem für transparente Substrate |
US6433913B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-08-13 | Gentex Corporation | Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same |
GB9619134D0 (en) * | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
US6406639B2 (en) * | 1996-11-26 | 2002-06-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of partially forming oxide layer on glass substrate |
US6123824A (en) * | 1996-12-13 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing photo-electricity generating device |
JP3805889B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2006-08-09 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
JPH1146006A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 光起電力素子およびその製造方法 |
US6222117B1 (en) * | 1998-01-05 | 2001-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus |
US6344608B2 (en) * | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
FR2781062B1 (fr) * | 1998-07-09 | 2002-07-12 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
EP1115160A4 (en) * | 1998-08-26 | 2006-01-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | PHOTOVOLTAIC DEVICE |
FR2791147B1 (fr) * | 1999-03-19 | 2002-08-30 | Saint Gobain Vitrage | Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
TW463528B (en) * | 1999-04-05 | 2001-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element and their preparation |
NO314525B1 (no) * | 1999-04-22 | 2003-03-31 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm |
US6380480B1 (en) * | 1999-05-18 | 2002-04-30 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd | Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device |
US6187824B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-02-13 | Nyacol Nano Technologies, Inc. | Zinc oxide sol and method of making |
DE19958878B4 (de) * | 1999-12-07 | 2012-01-19 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle |
JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
US7267879B2 (en) * | 2001-02-28 | 2007-09-11 | Guardian Industries Corp. | Coated article with silicon oxynitride adjacent glass |
US6576349B2 (en) * | 2000-07-10 | 2003-06-10 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable low-E coated articles and methods of making same |
US6521883B2 (en) * | 2000-07-18 | 2003-02-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
US6784361B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-31 | Bp Corporation North America Inc. | Amorphous silicon photovoltaic devices |
JP2002260448A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-09-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置 |
KR100768176B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막 |
US6774300B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-08-10 | Adrena, Inc. | Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure |
AU2002259152A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-18 | Bp Corporation North America Inc. | Improved photovoltaic device |
US6589657B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-07-08 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Anti-reflection coatings and associated methods |
WO2003034533A1 (fr) * | 2001-10-11 | 2003-04-24 | Bridgestone Corporation | Electrode semi-conductrice a oxyde metallique sensible a un colorant organique et son procede de fabrication, et photopile sensible a un colorant organique |
US6936347B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Guardian Industries Corp. | Coated article with high visible transmission and low emissivity |
FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
US6830817B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-12-14 | Guardian Industries Corp. | Low-e coating with high visible transmission |
US7037869B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-05-02 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
US7169722B2 (en) * | 2002-01-28 | 2007-01-30 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition with high visible transmittance |
US6919133B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-07-19 | Cardinal Cg Company | Thin film coating having transparent base layer |
KR100505536B1 (ko) * | 2002-03-27 | 2005-08-04 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스 |
FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
FR2844364B1 (fr) * | 2002-09-11 | 2004-12-17 | Saint Gobain | Substrat diffusant |
TW583466B (en) * | 2002-12-09 | 2004-04-11 | Hannstar Display Corp | Structure of liquid crystal display |
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
TWI232066B (en) * | 2002-12-25 | 2005-05-01 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light |
JP4241446B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-03-18 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
US7087309B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-08-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method |
JP4761706B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2011-08-31 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
US7196835B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-03-27 | The Trustees Of Princeton University | Aperiodic dielectric multilayer stack |
US7700869B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-04-20 | Guardian Industries Corp. | Solar cell low iron patterned glass and method of making same |
US7531239B2 (en) * | 2005-04-06 | 2009-05-12 | Eclipse Energy Systems Inc | Transparent electrode |
JP2006310348A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型光起電力装置 |
US8093491B2 (en) * | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
US7597964B2 (en) * | 2005-08-02 | 2009-10-06 | Guardian Industries Corp. | Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating |
JP2007067194A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
US20070184573A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Guardian Industries Corp., | Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device |
US20070193624A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Guardian Industries Corp. | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same |
US8648252B2 (en) * | 2006-03-13 | 2014-02-11 | Guardian Industries Corp. | Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method |
US7557053B2 (en) * | 2006-03-13 | 2009-07-07 | Guardian Industries Corp. | Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same |
US20080047602A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080047603A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
US20080223436A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Back reflector for use in photovoltaic device |
US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
-
2007
- 2007-04-27 US US11/790,812 patent/US20080105293A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-20 CA CA002666687A patent/CA2666687A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-20 EP EP07811436A patent/EP2087523A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-20 WO PCT/US2007/018361 patent/WO2008063255A1/en active Application Filing
- 2007-08-20 RU RU2009120669/28A patent/RU2009120669A/ru unknown
- 2007-08-20 BR BRPI0718268-6A2A patent/BRPI0718268A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-09-13 US US11/898,641 patent/US20080105302A1/en not_active Abandoned
- 2007-10-11 RU RU2009120693/28A patent/RU2009120693A/ru unknown
- 2007-10-11 EP EP07839454A patent/EP2132781A2/en not_active Withdrawn
- 2007-10-11 BR BRPI0718304-6A patent/BRPI0718304A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-10-11 CA CA002667941A patent/CA2667941A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080105302A1 (en) | 2008-05-08 |
WO2008063255A1 (en) | 2008-05-29 |
US20080105293A1 (en) | 2008-05-08 |
BRPI0718268A2 (pt) | 2014-01-07 |
BRPI0718304A2 (pt) | 2013-11-19 |
EP2132781A2 (en) | 2009-12-16 |
EP2087523A1 (en) | 2009-08-12 |
CA2667941A1 (en) | 2008-05-29 |
RU2009120669A (ru) | 2010-12-10 |
CA2666687A1 (en) | 2008-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009120693A (ru) | Передний электрод для применения в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления | |
US8076571B2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
RU2009138038A (ru) | Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве | |
US7846750B2 (en) | Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell | |
US8203073B2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
US7964788B2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
JP5330400B2 (ja) | 改良された抵抗率を有する層で被覆したガラス基板 | |
RU2009110482A (ru) | Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями) смежными с ним для использования в фотоэлектрических устройствах и способ его производства | |
US20080308147A1 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same | |
US20110097841A1 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same | |
JPH02202068A (ja) | 光透過性導電性積層体膜 | |
US20080302414A1 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
RU2011102564A (ru) | Изделие, покрытое низкоэмиссионным покрытием, включающим оксид циркония и/или цирконий-кремний оксинитрид, и способы его изготовления | |
JP2007507404A5 (ru) | ||
JP2010534929A (ja) | 太陽電池の前面基板と太陽電池の前面基板の使用方法 | |
MY160173A (en) | Light transmittance optimizing coated glass article for solar cell and method for making | |
RU2012110602A (ru) | Изделие с энергосберегающим покрытием бронзового цвета | |
KR20100119871A (ko) | 광전지 및 광전지 기재 | |
CN104380476A (zh) | 用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的高反射率后接触 | |
US20160224151A1 (en) | Electrode to be used in input device and method for producing same | |
JPH01310578A (ja) | 光起電力装置 | |
JP2009194386A (ja) | 光起電モジュールおよびその製造方法 | |
TW201640290A (zh) | 觸控面板及其應用 | |
JPS6193678A (ja) | 光電変換装置 | |
KR101689852B1 (ko) | 그리드 패턴 구조를 포함하는 다층 투명전극 |