RU2009110482A - Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями) смежными с ним для использования в фотоэлектрических устройствах и способ его производства - Google Patents

Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями) смежными с ним для использования в фотоэлектрических устройствах и способ его производства Download PDF

Info

Publication number
RU2009110482A
RU2009110482A RU2009110482/28A RU2009110482A RU2009110482A RU 2009110482 A RU2009110482 A RU 2009110482A RU 2009110482/28 A RU2009110482/28 A RU 2009110482/28A RU 2009110482 A RU2009110482 A RU 2009110482A RU 2009110482 A RU2009110482 A RU 2009110482A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
photovoltaic device
intermediate film
refractive index
semiconductor
Prior art date
Application number
RU2009110482/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2423755C2 (ru
Inventor
Алексей КРАСНОВ (US)
Алексей КРАСНОВ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. (Us), Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Publication of RU2009110482A publication Critical patent/RU2009110482A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2423755C2 publication Critical patent/RU2423755C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10036—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее: ! лицевую стеклянную подложку; ! полупроводниковую пленку, включающую слои p-, n- и i-типа; ! пленку на основании, по существу, прозрачного проводящего оксида (TCO), расположенную между по крайней мере лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой и ! промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой пленкой, где промежуточная пленка является полупроводником и характеризуется коэффициентом преломления (n) большим, чем коэффициент преломления пленки на основе ТСО, и меньшим, чем коэффициент преломления полупроводниковой пленки. ! 2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка непосредственно контактирует с каждой из пленок: на основе ТСО и полупроводниковой. ! 3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,0 до 4,0. ! 4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,1 до 3,2. ! 5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,15 до 2,75. ! 6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка представляет собой полупроводник. ! 7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка состоит из TiNbOx. ! 8. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка состоит из оксида титана. ! 9. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полупроводниковая пленка состоит из аморфного кремния. ! 10. Фотоэлектрическое устройство по п.1, также включающее в себя проводя

Claims (27)

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:
лицевую стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку, включающую слои p-, n- и i-типа;
пленку на основании, по существу, прозрачного проводящего оксида (TCO), расположенную между по крайней мере лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой и
промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой пленкой, где промежуточная пленка является полупроводником и характеризуется коэффициентом преломления (n) большим, чем коэффициент преломления пленки на основе ТСО, и меньшим, чем коэффициент преломления полупроводниковой пленки.
2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка непосредственно контактирует с каждой из пленок: на основе ТСО и полупроводниковой.
3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,0 до 4,0.
4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,1 до 3,2.
5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,15 до 2,75.
6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка представляет собой полупроводник.
7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка состоит из TiNbOx.
8. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка состоит из оксида титана.
9. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полупроводниковая пленка состоит из аморфного кремния.
10. Фотоэлектрическое устройство по п.1, также включающее в себя проводящий обратный электрод, в котором полупроводниковая пленка обеспечена между, по крайней мере, пленкой на основе ТСО и обратным электродом.
11. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка является градуированной по коэффициенту преломления таким образом, что коэффициент преломления (n) изменяется непрерывно или прерывисто, на протяжении ее толщины.
12. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором пленка на основе ТСО состоит из одного или обоих оксидов: оксида цинка и/или оксида олова.
13. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка включает в себя первый и второй слои с различными первым и вторым коэффициентами отражения соответственно.
14. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка является, по существу, прозрачной.
15. Фотоэлектрическое устройство, включающее в себя:
лицевую стеклянную подложку;
полупроводниковую поглощающую пленку на основании, по существу, прозрачного проводящего оксида (TCO), расположенную между по крайней мере лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой поглощающей пленкой; и
промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой поглощающей пленкой, при этом промежуточная пленка имеет коэффициент преломления (n) от 2,0 до 4,0 и который выше, чем коэффициент преломления у пленки на основе ТСО и ниже, чем коэффициент преломления у полупроводниковой поглощающей пленки.
16. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки от 2,1 до 3,2.
17. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки от 2,15 до 2,75.
18. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка представляет собой полупроводник.
19. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка содержит TiOx, легированный Nb.
20. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка содержит оксид титана.
21. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки изменяется непрерывно или прерывисто по толщине.
22. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором пленка на основе ТСО выполнена из одного или обоих из следующих оксидов: оксида цинка и/или оксида олова.
23. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка включает в себя первый и второй слои с различными первым и вторым коэффициентами преломления соответственно.
24. Способ изготовления фотоэлектрического устройства, способ содержит:
обеспечение подложки;
осаждение первой, по существу, прозрачной проводящей оксидной (ТСО) пленки на подложку;
формирование промежуточной пленки на подложке, поверх по крайней мере ТСО пленки, при этом промежуточная пленка имеет коэффициент преломления (n) от 2,0 до 4,0, и который выше, чем у пленки ТСО; и
формирование фотоэлектрического устройства таким образом, чтобы промежуточная пленка была расположена между пленкой ТСО пленкой и полупроводниковой пленкой фотоэлектрического устройства.
25. Способ по п.24, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки от 2,15 до 2,75.
26. Способ по п.24, в котором промежуточная пленка содержит TiNbOx и/или оксид титана.
27. Способ по п.24, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки изменяется непрерывно или прерывисто по толщине.
RU2009110482/28A 2006-08-24 2007-08-09 Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями), смежным(и) с ним для использования в фотоэлектрических устройствах, и способ его производства RU2423755C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/509,094 US20080047603A1 (en) 2006-08-24 2006-08-24 Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US11/509,094 2006-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009110482A true RU2009110482A (ru) 2010-09-27
RU2423755C2 RU2423755C2 (ru) 2011-07-10

Family

ID=38899523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009110482/28A RU2423755C2 (ru) 2006-08-24 2007-08-09 Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями), смежным(и) с ним для использования в фотоэлектрических устройствах, и способ его производства

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080047603A1 (ru)
EP (1) EP2054940A1 (ru)
BR (1) BRPI0716716A2 (ru)
CA (1) CA2660402A1 (ru)
RU (1) RU2423755C2 (ru)
WO (1) WO2008024206A1 (ru)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7655542B2 (en) * 2006-06-23 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
KR101456560B1 (ko) * 2007-01-15 2014-10-31 쌩-고벵 글래스 프랑스 향상된 기계적 강도를 갖는 층으로 코팅된 유리 기판
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US8203071B2 (en) * 2007-01-18 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080223440A1 (en) * 2007-01-18 2008-09-18 Shuran Sheng Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US7582515B2 (en) * 2007-01-18 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080173350A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
US20080245414A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Shuran Sheng Methods for forming a photovoltaic device with low contact resistance
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7875486B2 (en) * 2007-07-10 2011-01-25 Applied Materials, Inc. Solar cells and methods and apparatuses for forming the same including I-layer and N-layer chamber cleaning
US20090104733A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Yong Kee Chae Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications
WO2009059240A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-07 Applied Materials, Inc. Intrinsic amorphous silicon layer
EP2215652A4 (en) 2007-11-02 2011-10-05 Applied Materials Inc PLASMA TREATMENT BETWEEN DECISION PROCESSES
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
KR101000057B1 (ko) * 2008-02-04 2010-12-10 엘지전자 주식회사 다층 투명전도층을 구비한 태양전지 이의 제조방법
WO2009143561A1 (en) * 2008-05-25 2009-12-03 3Gsolar Ltd Optical enhancement for solar devices
US8895842B2 (en) * 2008-08-29 2014-11-25 Applied Materials, Inc. High quality TCO-silicon interface contact structure for high efficiency thin film silicon solar cells
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
CN102239564A (zh) * 2008-11-05 2011-11-09 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 太阳能电池器件及其制造方法
US8124868B2 (en) * 2008-12-16 2012-02-28 Solutia Inc. Thin film photovoltaic module with contoured deairing substrate
US20100258174A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Michael Ghebrebrhan Global optimization of thin film photovoltaic cell front coatings
WO2011011301A2 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Applied Materials, Inc. A mixed silicon phase film for high efficiency thin film silicon solar cells
WO2011046664A2 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Applied Materials, Inc. A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells
US20110126875A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Hien-Minh Huu Le Conductive contact layer formed on a transparent conductive layer by a reactive sputter deposition
US20110146768A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Ppg Industries Ohio, Inc. Silicon thin film solar cell having improved underlayer coating
US9559247B2 (en) 2010-09-22 2017-01-31 First Solar, Inc. Photovoltaic device containing an N-type dopant source
US20120080083A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-05 Twin Creeks Technologies, Inc. Semiconductor assembly with a metal oxide layer having intermediate refractive index
US20130019929A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 International Business Machines Reduction of light induced degradation by minimizing band offset
JP2013084721A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Sharp Corp 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
US20140060608A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 General Electric Company Photovoltaic device and method of making
US20140246083A1 (en) 2013-03-01 2014-09-04 First Solar, Inc. Photovoltaic devices and method of making
DE102013107910A1 (de) * 2013-07-24 2015-01-29 Lilas Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, insbesondere einer Silizium-Dünnschicht-Solarzelle
CN104465827B (zh) * 2013-09-18 2017-07-25 常州亚玛顿股份有限公司 高效率太阳能电池模组结构
US10361331B2 (en) * 2017-01-18 2019-07-23 International Business Machines Corporation Photovoltaic structures having multiple absorber layers separated by a diffusion barrier
CN107742653A (zh) * 2017-10-17 2018-02-27 江阴艾能赛瑞能源科技有限公司 一种用于建筑物屋顶的太阳能电池组件

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
DE3048381C2 (de) * 1980-12-22 1985-09-05 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München Dünnschicht-Solarzelle
US4338482A (en) * 1981-02-17 1982-07-06 Roy G. Gordon Photovoltaic cell
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4442310A (en) * 1982-07-15 1984-04-10 Rca Corporation Photodetector having enhanced back reflection
US4485265A (en) * 1982-11-22 1984-11-27 President And Fellows Of Harvard College Photovoltaic cell
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
JPS59172783A (ja) * 1983-03-23 1984-09-29 Oki Electric Ind Co Ltd 光センサ
US4528418A (en) * 1984-02-24 1985-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Photoresponsive semiconductor device having a double layer anti-reflective coating
JPS61141185A (ja) * 1984-12-13 1986-06-28 Fuji Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JPS61159771A (ja) * 1985-01-07 1986-07-19 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS62179165A (ja) * 1986-01-31 1987-08-06 Sharp Corp アモルフアスシリコン太陽電池
JPS62247574A (ja) * 1986-04-18 1987-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS62262469A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
US4830879A (en) * 1986-09-25 1989-05-16 Battelle Memorial Institute Broadband antireflective coating composition and method
DE4410220B4 (de) * 1994-03-24 2005-02-17 Forschungszentrum Jülich GmbH Dünnschicht-Solarzelle
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
US6586101B2 (en) * 2001-04-18 2003-07-01 Applied Vacuum Coating Technologies Co., Ltd. Anti-reflection coating with transparent surface conductive layer
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
EP1796107A4 (en) * 2004-08-13 2011-10-26 Kanagawa Kagaku Gijutsu Akad TRANSPARENT LADDER, TRANSPARENT ELECTRODE, SOLAR CELL, LUMINESCENT ELEMENT AND DISPLAY PANEL

Also Published As

Publication number Publication date
US20080047603A1 (en) 2008-02-28
CA2660402A1 (en) 2008-02-28
WO2008024206A1 (en) 2008-02-28
BRPI0716716A2 (pt) 2013-09-03
RU2423755C2 (ru) 2011-07-10
EP2054940A1 (en) 2009-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009110482A (ru) Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями) смежными с ним для использования в фотоэлектрических устройствах и способ его производства
RU2009120669A (ru) Передний электрод для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления
US11205673B2 (en) Image sensor and image sensing-enabled display apparatus including the same, and method of making image sensor
US11393857B2 (en) Image sensor and image sensing-enabled display apparatus including the same, and method of making the image sensor
US8710357B2 (en) Transparent conductive structure
JP2014107504A (ja) 光起電力装置
CN101777598A (zh) 透明型太阳能电池模块及其制造方法
US20120042927A1 (en) Photovoltaic device front contact
US11637215B2 (en) Pin/pin stacked photodetection film and photodetection display apparatus
JP2011166016A (ja) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP2010287715A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN102804395A (zh) 光电转换装置用基板及使用该基板的光电转换装置、以及它们的制造方法
TWI463680B (zh) Transparent thin film solar cells
CN106229338A (zh) 一种薄膜晶体管及其制备方法
US20190341516A1 (en) MICROSTRUCTURED ZnO COATINGS FOR IMPROVED PERFORMANCE IN Cu(In, Ga)Se2 PHOTOVOLTAIC DEVICES
CN207425868U (zh) 一种太阳能电池
KR20120116806A (ko) 태양 전지
JP2000340809A (ja) 光電変換素子
TWI617041B (zh) 矽基異質接面太陽能電池及其製造方法
TWI837182B (zh) 影像偵測顯示裝置、器件及其製備方法
JP2012124386A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法、薄膜太陽電池モジュール
KR101262573B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
JP2011014635A (ja) 光電変換素子及びその製造方法
US20110232750A1 (en) Solar cell module and manufacturing method thereof
JP5489664B2 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130810