JPS62179165A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS62179165A JPS62179165A JP61020444A JP2044486A JPS62179165A JP S62179165 A JPS62179165 A JP S62179165A JP 61020444 A JP61020444 A JP 61020444A JP 2044486 A JP2044486 A JP 2044486A JP S62179165 A JPS62179165 A JP S62179165A
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- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、基板とアモルファスシリコン半導体層と透明
導電膜層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池の改
良に関するものである。
導電膜層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池の改
良に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、アモルファスシリコン太陽電池における透明導電
膜としては、非常に低抵抗でかつ透明であるという理由
から酸化インジウム（ＩｎｚＯ３）に５ｗｔ％の酸化ス
ズ（５ｎＯｚ ）を含んだ酸化インジウムスズ（ＩＴＯ
）膜が用いられている。
膜としては、非常に低抵抗でかつ透明であるという理由
から酸化インジウム（ＩｎｚＯ３）に５ｗｔ％の酸化ス
ズ（５ｎＯｚ ）を含んだ酸化インジウムスズ（ＩＴＯ
）膜が用いられている。
上記のように従来のアモルファスシリコン太陽電池にあ
っては、透明導電膜としてＩＴＯ膜が用いられているが
、本発明者が種々検討した結果、透明導電膜としてＩＴ
Ｏ膜を用いた場合、透明導電膜とその上部の層（オーバ
ーコート層または空気層）と下部の層（アモルファスシ
リコン半導体層）との屈折率のマツチングがとれていな
いことが判明した。この結果、従来のアモルファスシリ
コン太陽電池にあっては受光口での反射率が大きく、ア
モルファスシリコン太陽電池への入射光損失が大きい等
の問題点がある。
っては、透明導電膜としてＩＴＯ膜が用いられているが
、本発明者が種々検討した結果、透明導電膜としてＩＴ
Ｏ膜を用いた場合、透明導電膜とその上部の層（オーバ
ーコート層または空気層）と下部の層（アモルファスシ
リコン半導体層）との屈折率のマツチングがとれていな
いことが判明した。この結果、従来のアモルファスシリ
コン太陽電池にあっては受光口での反射率が大きく、ア
モルファスシリコン太陽電池への入射光損失が大きい等
の問題点がある。
上記の問題点を解決するため、本発明者は先に、アモル
ファスシリコン太陽電池への入射光損失を減少させるた
め、適切な屈折率を持つ透明導電膜を備えたアモルファ
スシリコン太陽電池を特願昭６０−２’１７４０１ （
昭和６０年１２月２６日出願）として提鋼している。
ファスシリコン太陽電池への入射光損失を減少させるた
め、適切な屈折率を持つ透明導電膜を備えたアモルファ
スシリコン太陽電池を特願昭６０−２’１７４０１ （
昭和６０年１２月２６日出願）として提鋼している。
本発明者が先に提案したアモルファスシリコン太陽電池
は第５図に示すように基板１１とアモルファスシリコン
半導体層１２と透明導電膜層１３とを備えたアモルファ
スシリコン太陽電池において、透明導電膜層１３を５ｎ
ｏ２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３により構成する
よＬ）にしたものである。
は第５図に示すように基板１１とアモルファスシリコン
半導体層１２と透明導電膜層１３とを備えたアモルファ
スシリコン太陽電池において、透明導電膜層１３を５ｎ
ｏ２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３により構成する
よＬ）にしたものである。
このようにアモルファスシリコン半導体層１２の屈折率
は５．７−０．０００２４ス（＾はＡ単位の波長）であ
シ、透明導電膜１３としてＩＴＯ膜より高い屈折率を有
する５ｎ０２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３を用い
ることによりアモルファスシリコン太陽電池の反射率が
減少し、太陽電池の効率を改善するようにしていた。
は５．７−０．０００２４ス（＾はＡ単位の波長）であ
シ、透明導電膜１３としてＩＴＯ膜より高い屈折率を有
する５ｎ０２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３を用い
ることによりアモルファスシリコン太陽電池の反射率が
減少し、太陽電池の効率を改善するようにしていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明者が先に提案したアモルファスシリコン太陽電池
にあっては、従来に比して入射光ロスを少なくして太陽
電池の効率を改善することが出来、特に電卓等の電子機
器の比較的低照度下での電源として有効であるが、その
後の検討により太陽光等の高照度下で用いた場合、透明
導電膜での電力損失が大きくなることが判明した。
にあっては、従来に比して入射光ロスを少なくして太陽
電池の効率を改善することが出来、特に電卓等の電子機
器の比較的低照度下での電源として有効であるが、その
後の検討により太陽光等の高照度下で用いた場合、透明
導電膜での電力損失が大きくなることが判明した。
本発明はこのような点に鑑みて創案されたもので、低抵
抗でかつアモルファスシリコン太陽電池への入射光損失
を減少させた透明導電膜を備えたアモルファスシリコン
太陽電池を提供することを目的としている。
抗でかつアモルファスシリコン太陽電池への入射光損失
を減少させた透明導電膜を備えたアモルファスシリコン
太陽電池を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明は基板とアモルファ
スシリコン半導体層と透明導電膜層とを備えたアモルフ
ァスシリコン太陽電池において、上記の透明導電膜層を
アモルファスシリコン半導体層に接する側より酸化スズ
を全くドーピングしない酸化インジウム膜と酸化インジ
ウムに略５重量％の酸化スズを含んだ酸化インジウムス
ズ膜との２層により構成するように成している。
スシリコン半導体層と透明導電膜層とを備えたアモルフ
ァスシリコン太陽電池において、上記の透明導電膜層を
アモルファスシリコン半導体層に接する側より酸化スズ
を全くドーピングしない酸化インジウム膜と酸化インジ
ウムに略５重量％の酸化スズを含んだ酸化インジウムス
ズ膜との２層により構成するように成している。
く作 用〉
アモルファスシリコン半導体の屈折率１ｄ５．７−０．
０００２４λ（人はＡ単位の波長）であり、アモルトー
ピングしないＩｎ２Ｏ３膜を用いることによりアモルフ
ァスシリコン太陽電池の反射率が減少し、太陽電池の効
率が改善されることになり、またＩｎ２Ｏ３膜の上に低
抵抗のＩＴＯ膜を形成することにより高照度下での使用
における透明導電膜での電力損失の増大が防止されるこ
とになる。
０００２４λ（人はＡ単位の波長）であり、アモルトー
ピングしないＩｎ２Ｏ３膜を用いることによりアモルフ
ァスシリコン太陽電池の反射率が減少し、太陽電池の効
率が改善されることになり、またＩｎ２Ｏ３膜の上に低
抵抗のＩＴＯ膜を形成することにより高照度下での使用
における透明導電膜での電力損失の増大が防止されるこ
とになる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す図である。
第１図において、ｌはステンレス基板、２はステンレス
基板１上に形成された光起電力発生層としてのアモルフ
ァスシリコン半導体層、３１ｉアモルファスシリコン半
導体層に接して設けられた第１の透明導電膜層であり、
本発明にしたがって５ｎｏ２を全くドーピングしないＩ
ｎ ２０３により例えば４００Ａの膜厚に構成し、こ
の第１の透明導電膜層３１上Ｋ Ｉｎ２Ｏ３膜 ５重Ｊ
１％の５ｎｏ２を含んだＩＴＯ膜（第２の透明導電膜層
）８２を例えば４００Ａの膜厚に構成している。また４
は透明導電膜層３２上に形成したガラス、メラニン樹脂
等よりなるオーバーコート層である。
基板１上に形成された光起電力発生層としてのアモルフ
ァスシリコン半導体層、３１ｉアモルファスシリコン半
導体層に接して設けられた第１の透明導電膜層であり、
本発明にしたがって５ｎｏ２を全くドーピングしないＩ
ｎ ２０３により例えば４００Ａの膜厚に構成し、こ
の第１の透明導電膜層３１上Ｋ Ｉｎ２Ｏ３膜 ５重Ｊ
１％の５ｎｏ２を含んだＩＴＯ膜（第２の透明導電膜層
）８２を例えば４００Ａの膜厚に構成している。また４
は透明導電膜層３２上に形成したガラス、メラニン樹脂
等よりなるオーバーコート層である。
第２図は透明導電膜として、従来のようにＩＴＯ膜の１
層とした場合と、本発明のようにＩｎ２Ｏ３膜とＩＴＯ
膜の２層とした場合のアモルファスシリコン太陽電池の
反射率をシュミレーシコンした結果を示したものである
。なお、第２図に示す結果は、空気の屈折率を１．０、
オーバーコート層４の屈折率を１．５、アモルファスシ
リコン半導体層２の屈折率を５．７−０．０００２４人
（ただしλはＡ単位の波長）、ＩＴＯの屈折率ｆ １．
７． Ｉｎ２Ｏ３の屈折率を２．０とし、ＩＴＯ膜１層
の場合の膜厚を８０ＯＡとした場合を示している。
層とした場合と、本発明のようにＩｎ２Ｏ３膜とＩＴＯ
膜の２層とした場合のアモルファスシリコン太陽電池の
反射率をシュミレーシコンした結果を示したものである
。なお、第２図に示す結果は、空気の屈折率を１．０、
オーバーコート層４の屈折率を１．５、アモルファスシ
リコン半導体層２の屈折率を５．７−０．０００２４人
（ただしλはＡ単位の波長）、ＩＴＯの屈折率ｆ １．
７． Ｉｎ２Ｏ３の屈折率を２．０とし、ＩＴＯ膜１層
の場合の膜厚を８０ＯＡとした場合を示している。
この第２図より明らかなように第１図に示した本発明の
実施例のように透明導電膜層を従来のＩＴＯから５ｎ０
２ を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３とＩＴＯの２層
に代えて形成することにより、アモルフ７スシリコン半
導体層２と接する第１の透明導電膜層３Ｉの屈折率が凡
そ１．７から２．０と高くナリ、アモルファスシリコン
太陽電池の反射率することが出来た。しかも、透明導電
膜層としてＩＴＯＩ層を用いた場合と、ＩＴＯ，Ｉｎ２
Ｏ３２層を用いた場合との導電性の差はなく、高照度下
において用いられる電力用としても用いることが出来た
。
実施例のように透明導電膜層を従来のＩＴＯから５ｎ０
２ を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３とＩＴＯの２層
に代えて形成することにより、アモルフ７スシリコン半
導体層２と接する第１の透明導電膜層３Ｉの屈折率が凡
そ１．７から２．０と高くナリ、アモルファスシリコン
太陽電池の反射率することが出来た。しかも、透明導電
膜層としてＩＴＯＩ層を用いた場合と、ＩＴＯ，Ｉｎ２
Ｏ３２層を用いた場合との導電性の差はなく、高照度下
において用いられる電力用としても用いることが出来た
。
第３図は本発明の他の実施例の構造を示す図であり、オ
ーバーコート層４を備えていないアモルファスシリコン
太陽電池に本発明を用いた場合を示している。
ーバーコート層４を備えていないアモルファスシリコン
太陽電池に本発明を用いた場合を示している。
この第３図に示す構造を持つアモルファスシリコン太陽
電池についても第１図に示したものと同様な結果が得ら
れた。その結果を第４図に示している。
電池についても第１図に示したものと同様な結果が得ら
れた。その結果を第４図に示している。
以上の実施例からも明らかなように、本発明にしたがっ
て透明導電膜層をＩＴＯ層１層から１７０層とＩｎ２Ｏ
３層の２層にすることによって、アモルファスシリコン
太陽電池の反射率を数チ低減することが出来、その結果
アモルファスシリコン太陽電池への入射光損失が減少し
、アモルファスシリコン太陽電池の変換効率が改善され
る。
て透明導電膜層をＩＴＯ層１層から１７０層とＩｎ２Ｏ
３層の２層にすることによって、アモルファスシリコン
太陽電池の反射率を数チ低減することが出来、その結果
アモルファスシリコン太陽電池への入射光損失が減少し
、アモルファスシリコン太陽電池の変換効率が改善され
る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、アモルファスシリコン半
導体層と接する透明導電膜層としてＳｒ＋Ｏｚを全くド
ーピングしないＩｎ２Ｏ３を用いることにより、屈折率
が大きくなり、光学的マツチングを改善することが出来
、その結果アモルファスシリコン太陽電池の変換効率を
敗チ向上させることが出来、しかもその上にＩＴＯ膜を
設けることにより、透明導電膜層が低抵抗となり、その
結果高照度下における透明導電膜層での電力損失の増大
を防止することが出来る。
導体層と接する透明導電膜層としてＳｒ＋Ｏｚを全くド
ーピングしないＩｎ２Ｏ３を用いることにより、屈折率
が大きくなり、光学的マツチングを改善することが出来
、その結果アモルファスシリコン太陽電池の変換効率を
敗チ向上させることが出来、しかもその上にＩＴＯ膜を
設けることにより、透明導電膜層が低抵抗となり、その
結果高照度下における透明導電膜層での電力損失の増大
を防止することが出来る。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す図、第２図は従
来及び本発明のアモルファスシリコン太＋４．づ３ 発明の他の実施例の構造を示す図、第４図は第３図に示
す構造の太陽電池と従来のものとの反射率の比較結果を
示す図、第５図は本発明者が先に提案したアモルファス
シリコン太陽電池の構造を示す図である。 】・・・ステンレス基板、２・・・アモルファスシリコ
ン半導体層、３１・・・第１の透明導電膜層（Ｉｎ２０
３）、３２・・・第２の透明導電膜層（ＩＴＯ）、４・
・・オーバーコート層。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）石気 長
（／ｉ′ン ア七ルｈスＳｔ界１ルｆ芝社刑′ｆ 第２区 ア七と一ノｌ、−ン”ｒｌｓｉ、ノ；ミｐコ＆ノｔｓｅ
、５４ｔ５１１長（ス） ア（巳）Ｌ ７ｙ Ｋ Ｓ ｊ ノ’＞ｒａｉ；ｅ −
り及＊ｑ第４図 第５図
来及び本発明のアモルファスシリコン太＋４．づ３ 発明の他の実施例の構造を示す図、第４図は第３図に示
す構造の太陽電池と従来のものとの反射率の比較結果を
示す図、第５図は本発明者が先に提案したアモルファス
シリコン太陽電池の構造を示す図である。 】・・・ステンレス基板、２・・・アモルファスシリコ
ン半導体層、３１・・・第１の透明導電膜層（Ｉｎ２０
３）、３２・・・第２の透明導電膜層（ＩＴＯ）、４・
・・オーバーコート層。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）石気 長
（／ｉ′ン ア七ルｈスＳｔ界１ルｆ芝社刑′ｆ 第２区 ア七と一ノｌ、−ン”ｒｌｓｉ、ノ；ミｐコ＆ノｔｓｅ
、５４ｔ５１１長（ス） ア（巳）Ｌ ７ｙ Ｋ Ｓ ｊ ノ’＞ｒａｉ；ｅ −
り及＊ｑ第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板とアモルファスシリコン半導体層と透明導電膜
層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池において、 上記透明導電膜層を上記アモルファスシリコン半導体層
に接する側より酸化スズを全くドーピングしない酸化イ
ンジウム膜と酸化インジウムに略５重量％の酸化スズを
含んだ酸化インジウムスズ膜との２層により構成してな
ることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61020444A JPS62179165A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61020444A JPS62179165A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62179165A true JPS62179165A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12027218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61020444A Pending JPS62179165A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62179165A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1024437C2 (nl) * | 2003-10-02 | 2005-04-05 | Tno | Coating welke is aangebracht op een substraat, een zonnecel, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op het substraat. |
| WO2008024206A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
| WO2008112056A3 (en) * | 2007-03-14 | 2009-04-16 | Guardian Industries | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US8450600B2 (en) | 2007-03-09 | 2013-05-28 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device with scratch-resistant coating |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61020444A patent/JPS62179165A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1024437C2 (nl) * | 2003-10-02 | 2005-04-05 | Tno | Coating welke is aangebracht op een substraat, een zonnecel, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op het substraat. |
| WO2005036659A2 (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Coating which is applied to a substrate a solar cell and method for applying the coating to the substrate |
| WO2005036659A3 (en) * | 2003-10-02 | 2006-07-06 | Schappelijk Onderzoek Tno Nl O | Coating which is applied to a substrate a solar cell and method for applying the coating to the substrate |
| US7718091B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-05-18 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Coating which is applied to substrate, a solar cell, and method for applying the coating to the substrate |
| WO2008024206A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8450600B2 (en) | 2007-03-09 | 2013-05-28 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device with scratch-resistant coating |
| WO2008112056A3 (en) * | 2007-03-14 | 2009-04-16 | Guardian Industries | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
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