JPS62179165A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents

アモルフアスシリコン太陽電池

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JPS62179165A
JPS62179165A JP61020444A JP2044486A JPS62179165A JP S62179165 A JPS62179165 A JP S62179165A JP 61020444 A JP61020444 A JP 61020444A JP 2044486 A JP2044486 A JP 2044486A JP S62179165 A JPS62179165 A JP S62179165A
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JP
Japan
Prior art keywords
amorphous silicon
transparent conductive
conductive film
layer
solar cell
Prior art date
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Pending
Application number
JP61020444A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Oka
岡 博史
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS62179165A publication Critical patent/JPS62179165A/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、基板とアモルファスシリコン半導体層と透明
導電膜層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池の改
良に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、アモルファスシリコン太陽電池における透明導電
膜としては、非常に低抵抗でかつ透明であるという理由
から酸化インジウム(InzO3)に5wt%の酸化ス
ズ(5nOz )を含んだ酸化インジウムスズ(ITO
)膜が用いられている。
上記のように従来のアモルファスシリコン太陽電池にあ
っては、透明導電膜としてITO膜が用いられているが
、本発明者が種々検討した結果、透明導電膜としてIT
O膜を用いた場合、透明導電膜とその上部の層(オーバ
ーコート層または空気層)と下部の層(アモルファスシ
リコン半導体層)との屈折率のマツチングがとれていな
いことが判明した。この結果、従来のアモルファスシリ
コン太陽電池にあっては受光口での反射率が大きく、ア
モルファスシリコン太陽電池への入射光損失が大きい等
の問題点がある。
上記の問題点を解決するため、本発明者は先に、アモル
ファスシリコン太陽電池への入射光損失を減少させるた
め、適切な屈折率を持つ透明導電膜を備えたアモルファ
スシリコン太陽電池を特願昭60−2’17401 (
昭和60年12月26日出願)として提鋼している。
本発明者が先に提案したアモルファスシリコン太陽電池
は第5図に示すように基板11とアモルファスシリコン
半導体層12と透明導電膜層13とを備えたアモルファ
スシリコン太陽電池において、透明導電膜層13を5n
o2を全くドーピングしないIn2O3により構成する
よL)にしたものである。
このようにアモルファスシリコン半導体層12の屈折率
は5.7−0.00024ス(^はA単位の波長)であ
シ、透明導電膜13としてITO膜より高い屈折率を有
する5n02を全くドーピングしないIn2O3を用い
ることによりアモルファスシリコン太陽電池の反射率が
減少し、太陽電池の効率を改善するようにしていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明者が先に提案したアモルファスシリコン太陽電池
にあっては、従来に比して入射光ロスを少なくして太陽
電池の効率を改善することが出来、特に電卓等の電子機
器の比較的低照度下での電源として有効であるが、その
後の検討により太陽光等の高照度下で用いた場合、透明
導電膜での電力損失が大きくなることが判明した。
本発明はこのような点に鑑みて創案されたもので、低抵
抗でかつアモルファスシリコン太陽電池への入射光損失
を減少させた透明導電膜を備えたアモルファスシリコン
太陽電池を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するため、本発明は基板とアモルファ
スシリコン半導体層と透明導電膜層とを備えたアモルフ
ァスシリコン太陽電池において、上記の透明導電膜層を
アモルファスシリコン半導体層に接する側より酸化スズ
を全くドーピングしない酸化インジウム膜と酸化インジ
ウムに略5重量%の酸化スズを含んだ酸化インジウムス
ズ膜との2層により構成するように成している。
く作 用〉 アモルファスシリコン半導体の屈折率1d5.7−0.
00024λ(人はA単位の波長)であり、アモルトー
ピングしないIn2O3膜を用いることによりアモルフ
ァスシリコン太陽電池の反射率が減少し、太陽電池の効
率が改善されることになり、またIn2O3膜の上に低
抵抗のITO膜を形成することにより高照度下での使用
における透明導電膜での電力損失の増大が防止されるこ
とになる。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の構造を示す図である。
第1図において、lはステンレス基板、2はステンレス
基板1上に形成された光起電力発生層としてのアモルフ
ァスシリコン半導体層、31iアモルファスシリコン半
導体層に接して設けられた第1の透明導電膜層であり、
本発明にしたがって5no2を全くドーピングしないI
 n 203により例えば400Aの膜厚に構成し、こ
の第1の透明導電膜層31上K In2O3膜 5重J
1%の5no2を含んだITO膜(第2の透明導電膜層
)82を例えば400Aの膜厚に構成している。また4
は透明導電膜層32上に形成したガラス、メラニン樹脂
等よりなるオーバーコート層である。
第2図は透明導電膜として、従来のようにITO膜の1
層とした場合と、本発明のようにIn2O3膜とITO
膜の2層とした場合のアモルファスシリコン太陽電池の
反射率をシュミレーシコンした結果を示したものである
。なお、第2図に示す結果は、空気の屈折率を1.0、
オーバーコート層4の屈折率を1.5、アモルファスシ
リコン半導体層2の屈折率を5.7−0.00024人
(ただしλはA単位の波長)、ITOの屈折率f 1.
7. In2O3の屈折率を2.0とし、ITO膜1層
の場合の膜厚を80OAとした場合を示している。
この第2図より明らかなように第1図に示した本発明の
実施例のように透明導電膜層を従来のITOから5n0
2 を全くドーピングしないIn2O3とITOの2層
に代えて形成することにより、アモルフ7スシリコン半
導体層2と接する第1の透明導電膜層3Iの屈折率が凡
そ1.7から2.0と高くナリ、アモルファスシリコン
太陽電池の反射率することが出来た。しかも、透明導電
膜層としてITOI層を用いた場合と、ITO,In2
O32層を用いた場合との導電性の差はなく、高照度下
において用いられる電力用としても用いることが出来た
第3図は本発明の他の実施例の構造を示す図であり、オ
ーバーコート層4を備えていないアモルファスシリコン
太陽電池に本発明を用いた場合を示している。
この第3図に示す構造を持つアモルファスシリコン太陽
電池についても第1図に示したものと同様な結果が得ら
れた。その結果を第4図に示している。
以上の実施例からも明らかなように、本発明にしたがっ
て透明導電膜層をITO層1層から170層とIn2O
3層の2層にすることによって、アモルファスシリコン
太陽電池の反射率を数チ低減することが出来、その結果
アモルファスシリコン太陽電池への入射光損失が減少し
、アモルファスシリコン太陽電池の変換効率が改善され
る。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、アモルファスシリコン半
導体層と接する透明導電膜層としてSr+Ozを全くド
ーピングしないIn2O3を用いることにより、屈折率
が大きくなり、光学的マツチングを改善することが出来
、その結果アモルファスシリコン太陽電池の変換効率を
敗チ向上させることが出来、しかもその上にITO膜を
設けることにより、透明導電膜層が低抵抗となり、その
結果高照度下における透明導電膜層での電力損失の増大
を防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構造を示す図、第2図は従
来及び本発明のアモルファスシリコン太+4.づ3 発明の他の実施例の構造を示す図、第4図は第3図に示
す構造の太陽電池と従来のものとの反射率の比較結果を
示す図、第5図は本発明者が先に提案したアモルファス
シリコン太陽電池の構造を示す図である。 】・・・ステンレス基板、2・・・アモルファスシリコ
ン半導体層、31・・・第1の透明導電膜層(In20
3)、32・・・第2の透明導電膜層(ITO)、4・
・・オーバーコート層。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)石気 長 
(/i′ン ア七ルhスSt界1ルf芝社刑′f 第2区 ア七と一ノl、−ン”rlsi、ノ;ミpコ&ノtse
、54t511長(ス) ア(巳)L 7y K S j ノ’>rai;e −
り及*q第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板とアモルファスシリコン半導体層と透明導電膜
    層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池において、 上記透明導電膜層を上記アモルファスシリコン半導体層
    に接する側より酸化スズを全くドーピングしない酸化イ
    ンジウム膜と酸化インジウムに略5重量%の酸化スズを
    含んだ酸化インジウムスズ膜との2層により構成してな
    ることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池。
JP61020444A 1986-01-31 1986-01-31 アモルフアスシリコン太陽電池 Pending JPS62179165A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1024437C2 (nl) * 2003-10-02 2005-04-05 Tno Coating welke is aangebracht op een substraat, een zonnecel, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op het substraat.
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US8450600B2 (en) 2007-03-09 2013-05-28 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device with scratch-resistant coating

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