JPS59105379A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS59105379A JPS59105379A JP57213861A JP21386182A JPS59105379A JP S59105379 A JPS59105379 A JP S59105379A JP 57213861 A JP57213861 A JP 57213861A JP 21386182 A JP21386182 A JP 21386182A JP S59105379 A JPS59105379 A JP S59105379A
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- amorphous silicon
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- solar cell
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン太陽電池に係ｂ、特に太
陽電池の基板表裏両面の少なくとも一方から光を照射し
、動作可能なアモルファスシリコン太陽電池に関する。
陽電池の基板表裏両面の少なくとも一方から光を照射し
、動作可能なアモルファスシリコン太陽電池に関する。
従来のアモルファスシリコン太陽′醒池の構造を第１図
と第２図に示す。第１図は透明基板、第２図は金属基板
の場合である。また、従来の、両面から光を照射し動作
可能なアモルファスシリコン太陽電池は、第３図に示す
如く単一のｐｉｎ接合の両側に透明導電性膜を有する構
造と、第４図に示す如き、金属基板の両側にｐｉｎ接合
と透明導電性膜を有する構造の太陽電池である。第３図
のセルは両面から光を照射する場合、単に光電流が加算
されるのみであるが、第４図のセルは２つのｐｉｎ接合
を有するため徨々の動作が可能である。
と第２図に示す。第１図は透明基板、第２図は金属基板
の場合である。また、従来の、両面から光を照射し動作
可能なアモルファスシリコン太陽電池は、第３図に示す
如く単一のｐｉｎ接合の両側に透明導電性膜を有する構
造と、第４図に示す如き、金属基板の両側にｐｉｎ接合
と透明導電性膜を有する構造の太陽電池である。第３図
のセルは両面から光を照射する場合、単に光電流が加算
されるのみであるが、第４図のセルは２つのｐｉｎ接合
を有するため徨々の動作が可能である。
しかし、第４図のセルは基板の両側に能動層を有するた
め膜形成時の取シ扱いが面倒であυ、両側にパシベーシ
ョンを施す必要があるという問題点がある。
め膜形成時の取シ扱いが面倒であυ、両側にパシベーシ
ョンを施す必要があるという問題点がある。
なお上記各図面の付号は下記の通りである。
１０・・・ガラス基板、１１・・・ＩＴｏ、１２・・・
ｐ型アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）、１３・・・ｉ
型ａＳｊ、１４＝−ｎ型ａ−８ｉ、 １ ｓ−・Ａｔ、
２０・・・ステンレス基板、２１・・・ｐｅａ ８
”、２２・・・ｉ型ａ−８ｉ、２３＋−ｉ１型ａ−ｆ３
ｉ、 ２４・・−■’ｒｏ。
ｐ型アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）、１３・・・ｉ
型ａＳｊ、１４＝−ｎ型ａ−８ｉ、 １ ｓ−・Ａｔ、
２０・・・ステンレス基板、２１・・・ｐｅａ ８
”、２２・・・ｉ型ａ−８ｉ、２３＋−ｉ１型ａ−ｆ３
ｉ、 ２４・・−■’ｒｏ。
３０・・・ガラス基板、３１・・・ＩＴｏ、３２・・・
ｐ型ａ−８ｉ、３３−ｒ型ａ−８ｉ、３４−ｎ型ａ−８
ｉ、 ３５−ＩＴＯ１４０−Ｉ Ｔｏ、 ４１・ｒｌ型
ａ−８ｉ、４２−ｉ型ａ−８ｉ、 ４３−・ｐｍａ−８
ｉ、４４・・・ステンレス基板、４５・・・ｐ 型ａ
−８ｉ、４６−ｉ型ａ−３ｉ、 ４７−・−ｎｍａ−８
ｉ。
ｐ型ａ−８ｉ、３３−ｒ型ａ−８ｉ、３４−ｎ型ａ−８
ｉ、 ３５−ＩＴＯ１４０−Ｉ Ｔｏ、 ４１・ｒｌ型
ａ−８ｉ、４２−ｉ型ａ−８ｉ、 ４３−・ｐｍａ−８
ｉ、４４・・・ステンレス基板、４５・・・ｐ 型ａ
−８ｉ、４６−ｉ型ａ−３ｉ、 ４７−・−ｎｍａ−８
ｉ。
４８・・・ＩＴＯｏ
〔発明の目的〕
本発明の目的は、基板の表裏両面の少なくとも一方から
光を照射し、動作可能なアモルファスシリコン太陽電池
を提供することにるる。
光を照射し、動作可能なアモルファスシリコン太陽電池
を提供することにるる。
上記目的を達成するだめの本発明の一構成は、透明基板
上に透明４電膜、ｐｉＮ接合を有するアモルファスシリ
コン層、電極層、ｎｉｐ接合合有するアモルファスシリ
コン層、および、透明導電膜を順次積層させて設けるこ
とにある。
上に透明４電膜、ｐｉＮ接合を有するアモルファスシリ
コン層、電極層、ｎｉｐ接合合有するアモルファスシリ
コン層、および、透明導電膜を順次積層させて設けるこ
とにある。
基板の表裏面から光を照射し動作可能な太陽′電池で２
つのｐｉｎ接合を有するセルの構造としては、従来前記
第４図に示した基板の表裏面に接合を有するものがある
。しかし、列えば、グロー放電法によるアモルファスシ
リコン膜形成温度は２００〜２５０Ｃと低いため、ＩＴ
Ｏ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電性膜やＡ７
等の金属膜を間に界在させ２つのｐｉｎ接合接合重積ね
形成することが可能である。すなわち、従来の前記第１
図の金属電極上にｎｉｐ接合形成後透明導電性膜を形成
した第５図の構造を有する本発明の太陽電池、および、
第３図の透明導電性膜上にｎｉｐ接合形成後透明導電性
膜を形成した本発明の第８図の構造を有する太陽電池が
製作可能である。これらの本発明の太陽電池は、基板表
裏面からの光照射に対し動作可能であり、２つのｐｉｎ
構造のとシ方、すなわち、基板側から同じ順番ｐ。
つのｐｉｎ接合を有するセルの構造としては、従来前記
第４図に示した基板の表裏面に接合を有するものがある
。しかし、列えば、グロー放電法によるアモルファスシ
リコン膜形成温度は２００〜２５０Ｃと低いため、ＩＴ
Ｏ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電性膜やＡ７
等の金属膜を間に界在させ２つのｐｉｎ接合接合重積ね
形成することが可能である。すなわち、従来の前記第１
図の金属電極上にｎｉｐ接合形成後透明導電性膜を形成
した第５図の構造を有する本発明の太陽電池、および、
第３図の透明導電性膜上にｎｉｐ接合形成後透明導電性
膜を形成した本発明の第８図の構造を有する太陽電池が
製作可能である。これらの本発明の太陽電池は、基板表
裏面からの光照射に対し動作可能であり、２つのｐｉｎ
構造のとシ方、すなわち、基板側から同じ順番ｐ。
ｉ、ｎ（あるいは”ｐ ！＊ ｐ）とするか、両者の
順番を逆にするかによって直列接続と並列接続が可能で
ある。反射鏡等によシ基板表裏面からの光照射を同等に
すれば、直列接続では２倍の′電流。
順番を逆にするかによって直列接続と並列接続が可能で
ある。反射鏡等によシ基板表裏面からの光照射を同等に
すれば、直列接続では２倍の′電流。
並列接続では２倍の電圧が得られる。
通常のアモルファス太陽電池で高電圧を得るものとして
％ｎｉｐを複数個積み重ねた多段接合太陽電池があるが
、Ｖｏｃ（開放電圧）が接合の数に比例して増大するの
に対し、Ｊｓｃ（短絡電流密度）は接合の数が多くなる
に伴い低下する。これは、光照射面から一番遠いｐｉｎ
接合で発生する光電流が全体のＪｓｃ を決めるが、
この光電流は接合の数の増加ととも減少するからである
。したがって、 Ｊｓｃ、 ｋ低下させずにＶｏｃｉ
２倍する太陽電池として本発明は最適である。
％ｎｉｐを複数個積み重ねた多段接合太陽電池があるが
、Ｖｏｃ（開放電圧）が接合の数に比例して増大するの
に対し、Ｊｓｃ（短絡電流密度）は接合の数が多くなる
に伴い低下する。これは、光照射面から一番遠いｐｉｎ
接合で発生する光電流が全体のＪｓｃ を決めるが、
この光電流は接合の数の増加ととも減少するからである
。したがって、 Ｊｓｃ、 ｋ低下させずにＶｏｃｉ
２倍する太陽電池として本発明は最適である。
商い電流値を得る方法としては１層のバンドギャグを変
化させ広い波長領域の光を利用するマルチ・バンドギャ
ップ本陽電池があるが、Ｊ＋＋ｃの値は１５ｍＡ／α２
が得られているに過ぎない。本発明によれば、反射鏡等
を利用せねばならないという制約はあるが、光照射面積
を２倍できるため、同一基板面積で２倍のＩｇｃを得る
ことができる。
化させ広い波長領域の光を利用するマルチ・バンドギャ
ップ本陽電池があるが、Ｊ＋＋ｃの値は１５ｍＡ／α２
が得られているに過ぎない。本発明によれば、反射鏡等
を利用せねばならないという制約はあるが、光照射面積
を２倍できるため、同一基板面積で２倍のＩｇｃを得る
ことができる。
また、２つのｐｉｎ接合の間の電極ｉＡ４．ステンレス
等の不透明電極とすることにより、基板表裏面からの光
照射の動作を分離測定できる。すなわち、両方向からの
光量の比較測定が可能である。
等の不透明電極とすることにより、基板表裏面からの光
照射の動作を分離測定できる。すなわち、両方向からの
光量の比較測定が可能である。
しかも、２つのｐｉｎ接合は基板の片側にろるためパシ
ベーションは片面のみで良い。
ベーションは片面のみで良い。
以下、本発明の一実施例としてのアモルファスシリコン
太陽電池を第５図〜第９図により説明する。
太陽電池を第５図〜第９図により説明する。
実施例１
ガラス基板５０上に膜Ｊ＃ｊ７００人のＩＴＯ膜５１を
形成後、それぞれ１００人、６０００人および１００人
の厚さのｐ型５２、ｉ型５３およびｎ型アモルファスシ
リコンＮ５４’ｉ形成する。この１１２００人のＩＴＯ
膜５５を形成し、この上にさらに、それぞれ１００人、
５０００人および１００人の厚さのｎ型５６、ｉ型５７
およびｐ型アモルファスシリコン層５８を形成後、７０
０人のＩＴＯ膜５９全形成する。
形成後、それぞれ１００人、６０００人および１００人
の厚さのｐ型５２、ｉ型５３およびｎ型アモルファスシ
リコンＮ５４’ｉ形成する。この１１２００人のＩＴＯ
膜５５を形成し、この上にさらに、それぞれ１００人、
５０００人および１００人の厚さのｎ型５６、ｉ型５７
およびｐ型アモルファスシリコン層５８を形成後、７０
０人のＩＴＯ膜５９全形成する。
本実施例によれば、ガラス基板５０側とＩＴＯ膜５９側
の両方から光を照射し動作させることができる。該太陽
電池の結線を第７図の如く行い反射鏡を用い裏面にも表
面側と同等の光が照射されれば太陽電池の出力を倍加す
ることができる。すなわち、従来の前記第１図の太陽電
池のＩｓｃ がｌＣｒｎ２基板で１５ｍＡであるのに
対し、本実施例のＩｓｃは２９ｍＡであった。
の両方から光を照射し動作させることができる。該太陽
電池の結線を第７図の如く行い反射鏡を用い裏面にも表
面側と同等の光が照射されれば太陽電池の出力を倍加す
ることができる。すなわち、従来の前記第１図の太陽電
池のＩｓｃ がｌＣｒｎ２基板で１５ｍＡであるのに
対し、本実施例のＩｓｃは２９ｍＡであった。
実施例２
ガラス基板６０上に膜厚１０００人のＩＴＯ膜６１を形
成後、ｎ型６２、ｎ型６３およびｎ型７モル７７７７９
３７層６４を、それぞれ、１００人、５０００人および
１００人の厚さだけ形成する。
成後、ｎ型６２、ｎ型６３およびｎ型７モル７７７７９
３７層６４を、それぞれ、１００人、５０００人および
１００人の厚さだけ形成する。
この後、約１μｍのＡｔ６５を蒸着し、この上にさらに
、それぞれ、１００人、５０００人および１００人の厚
さのｎ型６６、ｎ型６７およびｎ型７モル７７７２９３
７層６８を形成後、７００人厚さのＩＴＯ膜６９を形成
する。
、それぞれ、１００人、５０００人および１００人の厚
さのｎ型６６、ｎ型６７およびｎ型７モル７７７２９３
７層６８を形成後、７００人厚さのＩＴＯ膜６９を形成
する。
本実施例によれば、ガラス基板６０側とＩＴＯ膜６９側
の両方から光を照射し動作させることができ、不透明電
極Ａｔ層６５が界在しているため両方の光照射時の動作
を分離測定することができる。すなわち、基板表裏面両
側の光量を比較測定するためには、第７図に示す結線を
施せばよく、両側の光量を加算し太陽′電池出力を倍加
するには第８図に示す並列結線を行えば良い。本実例の
Ｉｓｃは１ｃ１ｎ２基板で３０ｍＡであった。
の両方から光を照射し動作させることができ、不透明電
極Ａｔ層６５が界在しているため両方の光照射時の動作
を分離測定することができる。すなわち、基板表裏面両
側の光量を比較測定するためには、第７図に示す結線を
施せばよく、両側の光量を加算し太陽′電池出力を倍加
するには第８図に示す並列結線を行えば良い。本実例の
Ｉｓｃは１ｃ１ｎ２基板で３０ｍＡであった。
実施例３
上記実施例２においてＡ７の代りに３００ＯＡのステン
レスｋ 形成Ｌ 、該ステンレス上のアモルファスシリ
コンｊｍ’１ｐｉｎとした。
レスｋ 形成Ｌ 、該ステンレス上のアモルファスシリ
コンｊｍ’１ｐｉｎとした。
本実施例によれば、不透明電極ステンレスのため基板表
裏面からの光照射時の特性を比較、すなわち光量の比較
をすることができる。さらに、第９図の直列結線を施す
ことにより２倍の電圧を得ることができる。即ち、第１
図のｌＣｒｎ２基板太陽電池のｌｌ１ｃ ＝１５ｍＡ、
Ｖｏｃ ＝０．７８０に対し、本実施例では、Ｉｓｃ
＝１５ｍＡ、 Ｖｏｃ ＝１．５６が得られた。
裏面からの光照射時の特性を比較、すなわち光量の比較
をすることができる。さらに、第９図の直列結線を施す
ことにより２倍の電圧を得ることができる。即ち、第１
図のｌＣｒｎ２基板太陽電池のｌｌ１ｃ ＝１５ｍＡ、
Ｖｏｃ ＝０．７８０に対し、本実施例では、Ｉｓｃ
＝１５ｍＡ、 Ｖｏｃ ＝１．５６が得られた。
本発明によれば、基板表裏面から光照射し動作可能な太
陽電池を提供できるため、基板表裏両面等２方向からの
光量を比較測定できる効果〃工ある。
陽電池を提供できるため、基板表裏両面等２方向からの
光量を比較測定できる効果〃工ある。
また、本発明によればＶｏｃ ′ｆ！ｃ低下させずに、
単一セルの２倍のＪｓｃを取り出す力＞、ＪＢＣをイ氏
下させずに、単一セルの２倍のＶｏｃ ’ｃ取９出す
ことが可能でおる。さらに、本発明によれば、基板の片
面に２つのセルを積み重ねるため、ノ＜シベーションが
片面だけで済ひという効果力（ある。Ｒ１ち、ひとつの
基板の両面に１個ずつのセルを形成したものや、２個の
太陽電池の裏面どうしを張り合わせたものに比べれば、
経済性に秀れ、簡単イヒされている。
単一セルの２倍のＪｓｃを取り出す力＞、ＪＢＣをイ氏
下させずに、単一セルの２倍のＶｏｃ ’ｃ取９出す
ことが可能でおる。さらに、本発明によれば、基板の片
面に２つのセルを積み重ねるため、ノ＜シベーションが
片面だけで済ひという効果力（ある。Ｒ１ち、ひとつの
基板の両面に１個ずつのセルを形成したものや、２個の
太陽電池の裏面どうしを張り合わせたものに比べれば、
経済性に秀れ、簡単イヒされている。
本発明の実施例では２つのｐｉｎ接合の間に電極層全界
在させる構造のものを示したが、１つのｐｉｎ接合はｐ
ｉｎｐｉｎやｐｉｎｐｉｎｐｉｎ等マルチ接合構造であ
ってもよい。
在させる構造のものを示したが、１つのｐｉｎ接合はｐ
ｉｎｐｉｎやｐｉｎｐｉｎｐｉｎ等マルチ接合構造であ
ってもよい。
第１図〜第４図は従来の太陽電池の概略断面図、第５図
〜第６図は本発明の一実施例としてのアモルファスシリ
コン大＠電池の縦断面図、第７〜第９図は本発明のアモ
ルファスシリコン太陽電池の縦断面図と結線図である。 ５０・・・ガラス基板、５１・・・ＩＴｏ、５２・・・
ｐ型ａＳ １％ ｓ３−・−１ｕａ Ｓ 工、５４
−ｎ型ａ−８１，５５−Ｉ Ｔｏ、 ５６−ｎ型ａ−８
ｉ、５７−−−ｉ型３−８ｉ、５８−ｐ’ｊｊｌａ−８
ｉ、 ５９・・・ＩＴｏ、６０−−−ガ７ス基板、６
ｌ−ＩＴｏ、６２・・・ｐ型ａ−８ｉ、６３・・・ｉ型
ａ−Ｅ３ ｉ１６４＝−ｎ型ａ−８ｉ、 ６ ｓ・−・
ＡＡ、 ６６＝−ｎ型ａ−８ｉ。 ６７−−− ｉ型３−８＋、６８−１）型ａ−８ｉ、６
９・・・ＩＴｏ、７０・・・ガラス基板、７１・・・Ｉ
Ｔｏ。 ７２−ｐ型ａ−８ｉ、 ７３・−ｉ型ａ−８ｉ、７４・
・・ｎ型ａ−８ｉ、７５−Ｉ’ｌ”０，７６−ｎ型ａ−
８ｉ、７７−ｉ型ａ−８ｉ、７８−ｐ型ａ−８ｉ１７９
・・・ＩＴｏ、８０・・・ガラス基板、８１・・・ＩＴ
ｏ。 ８２−ｐ型ａ−８ｉ、８３−ｉ型ａ−８ｉ、８４−−−
ｎ型ａ−８ｉ、 ８５・−・ＩＴＯ１８６−ｎ型ａ−３
ｉ、８７−ｉ型ａ−３ｉ、ｓ ｓ ・ｐ型ａ−８ｉ。 ８９・・・ＩＴｏ、９０・・・ガラス基板、９１・・・
Ｉ Ｔ ０゜９２ ・９型ａ−８ｉ、９：ｌ＝ｊ型ａ−
３ｉ、９４−−・ｎｑａ−８ｉ、 ９ ｓ−・・工’ｒ
ｏ、９６ ・Ｉ）型ａ−８ｉ、９７＝・１ｆｉａ−８ｉ
、 ９８−ｎ型ａ−８ｉ、尤 不 ３ 図 第 ４ 図不 ５ 図
第 に 図 ｑ 図 先 ７５ヒ
〜第６図は本発明の一実施例としてのアモルファスシリ
コン大＠電池の縦断面図、第７〜第９図は本発明のアモ
ルファスシリコン太陽電池の縦断面図と結線図である。 ５０・・・ガラス基板、５１・・・ＩＴｏ、５２・・・
ｐ型ａＳ １％ ｓ３−・−１ｕａ Ｓ 工、５４
−ｎ型ａ−８１，５５−Ｉ Ｔｏ、 ５６−ｎ型ａ−８
ｉ、５７−−−ｉ型３−８ｉ、５８−ｐ’ｊｊｌａ−８
ｉ、 ５９・・・ＩＴｏ、６０−−−ガ７ス基板、６
ｌ−ＩＴｏ、６２・・・ｐ型ａ−８ｉ、６３・・・ｉ型
ａ−Ｅ３ ｉ１６４＝−ｎ型ａ−８ｉ、 ６ ｓ・−・
ＡＡ、 ６６＝−ｎ型ａ−８ｉ。 ６７−−− ｉ型３−８＋、６８−１）型ａ−８ｉ、６
９・・・ＩＴｏ、７０・・・ガラス基板、７１・・・Ｉ
Ｔｏ。 ７２−ｐ型ａ−８ｉ、 ７３・−ｉ型ａ−８ｉ、７４・
・・ｎ型ａ−８ｉ、７５−Ｉ’ｌ”０，７６−ｎ型ａ−
８ｉ、７７−ｉ型ａ−８ｉ、７８−ｐ型ａ−８ｉ１７９
・・・ＩＴｏ、８０・・・ガラス基板、８１・・・ＩＴ
ｏ。 ８２−ｐ型ａ−８ｉ、８３−ｉ型ａ−８ｉ、８４−−−
ｎ型ａ−８ｉ、 ８５・−・ＩＴＯ１８６−ｎ型ａ−３
ｉ、８７−ｉ型ａ−３ｉ、ｓ ｓ ・ｐ型ａ−８ｉ。 ８９・・・ＩＴｏ、９０・・・ガラス基板、９１・・・
Ｉ Ｔ ０゜９２ ・９型ａ−８ｉ、９：ｌ＝ｊ型ａ−
３ｉ、９４−−・ｎｑａ−８ｉ、 ９ ｓ−・・工’ｒ
ｏ、９６ ・Ｉ）型ａ−８ｉ、９７＝・１ｆｉａ−８ｉ
、 ９８−ｎ型ａ−８ｉ、尤 不 ３ 図 第 ４ 図不 ５ 図
第 に 図 ｑ 図 先 ７５ヒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板上に透明導電膜、少なくとも１つのｐｉｎ
（、ｆ−、るいはｎ１ｐ）接合構造を有するアモルファ
スシリコン層、電極、少なくとも１つのｎ１ｐ（あるい
はｐｉｎ）接合構造を有するアモルファスシリコン層お
よび透明導電膜から成る層を有し、透明基板側と透明導
電性膜の両方から光を照射し、動作可能なること全特徴
とするアモルファスシリコン太陽電池。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記電極としてＡ
ｔ、ステンレス、Ａｇ等を用いることを特徴とするアモ
ルファスシリコン太陽電池。 ３、特許請求の範囲第１項において、上記電極としてＩ
ＴＯやＳｎＯ，等の透明導電膜を用いることを特徴とす
るアモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213861A JPS59105379A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213861A JPS59105379A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105379A true JPS59105379A (ja) | 1984-06-18 |
Family
ID=16646230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57213861A Pending JPS59105379A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105379A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234575A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
| US4642413A (en) * | 1985-10-11 | 1987-02-10 | Energy Conversion Devices, Inc. | Power generating optical filter |
| US4643817A (en) * | 1985-06-07 | 1987-02-17 | Electric Power Research Institute, Inc. | Photocell device for evolving hydrogen and oxygen from water |
| US4713493A (en) * | 1985-10-11 | 1987-12-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Power generating optical filter |
| JPS6350149U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| US4948436A (en) * | 1988-02-05 | 1990-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Thin-film solar cell arrangement |
| US5927584A (en) * | 1997-04-18 | 1999-07-27 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Pneumatic fastener driving tool having air exhaust arrangement |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57213861A patent/JPS59105379A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234575A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
| US4643817A (en) * | 1985-06-07 | 1987-02-17 | Electric Power Research Institute, Inc. | Photocell device for evolving hydrogen and oxygen from water |
| US4642413A (en) * | 1985-10-11 | 1987-02-10 | Energy Conversion Devices, Inc. | Power generating optical filter |
| US4713493A (en) * | 1985-10-11 | 1987-12-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Power generating optical filter |
| JPS6350149U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| US4948436A (en) * | 1988-02-05 | 1990-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Thin-film solar cell arrangement |
| US5927584A (en) * | 1997-04-18 | 1999-07-27 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Pneumatic fastener driving tool having air exhaust arrangement |
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