JP2010123944A - 反射構造を有する太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換層の厚さを減らし、短絡電流密度(Jsc)を増加させることのできる反射構造を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】反射構造を有する太陽電池は、積み重ねられたフロント接点と、P層と、I層と、N層と、バック接点とを含む。反射構造を有する太陽電池は、N層が低屈折率層で、低屈折率層の屈折率がI層の屈折率よりも低いことを特徴とする。さらに、N層は、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねた複数の膜から成る多層構造であってもよい。多層構造においてI層に接する膜は、低屈折率膜である。低屈折率膜の屈折率は、I層の屈折率よりも低い。
【選択図】図1
【解決手段】反射構造を有する太陽電池は、積み重ねられたフロント接点と、P層と、I層と、N層と、バック接点とを含む。反射構造を有する太陽電池は、N層が低屈折率層で、低屈折率層の屈折率がI層の屈折率よりも低いことを特徴とする。さらに、N層は、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねた複数の膜から成る多層構造であってもよい。多層構造においてI層に接する膜は、低屈折率膜である。低屈折率膜の屈折率は、I層の屈折率よりも低い。
【選択図】図1
Description
本発明は、反射構造を有する太陽電池に関するものである。
太陽電池は、無公害で無尽蔵のエネルギー源である。そのため、石油化学のエネルギー源が公害や不足等の問題に直面した時に、太陽エネルギー源をどのように有効利用するかが次第に焦点になっている。太陽電池は太陽エネルギーを直接電気エネルギーに変換することができるため、現在、太陽電池が太陽エネルギーの利用に関するキーポイントになっている。
しかしながら、太陽電池に使用されている現在のアモルファスシリコン(a-Si)膜の商品には、2つの問題が存在する。1つは照射安定性、もう1つは波長が800nm未満の太陽光しか吸収されないことである。
そのため、利用効率を上げることのできる別の方法が要求される。現在、効率を上げるための最も好ましい解決法は、水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)光電変換層の厚さを減らすことと、波長の長い光を吸収することのできるマイクロクリスタルシリコン(μc-Si)膜太陽電池を積み重ねてタンデム型太陽電池(tandem solar cell)になることである。
したがって、光電変換層の厚さを減らすと吸光度を下げるが、従来のタンデム型太陽電池は、両方の電池の屈折率係数が非常に近く、これらの電池はいずれも屈折率が約4のシリコン層であるため、光が2つの電池間の界面を通過する時に反射界面を形成せず、光が銀層に到達した時にだけボトムセル(bottom cell)のマイクロクリスタルシリコン(μc-Si)層に反射される。
本発明は、光をアモルファスシリコン(a-Si)層に直接反射することによって、光電変換層の厚さを減らすことのできる反射構造を有する太陽電池を提供することを目的とする。
本発明は、さらに、光電変換層の光束(light flux)および吸収を増加させ、それによって短絡電流密度(Jsc)を増加させることのできる反射構造を有する太陽電池を提供することを目的とする。
ここに例示および概説しているように、本発明は、積み重ねられたフロント接点、P層、真性層(I層)、N層、およびバック接点を含む反射構造を有する太陽電池を提供する。太陽電池は、N層が低屈折率層で、低屈折率層の屈折率がI層の屈折率よりも低いことを特徴とする。
本発明は、さらに、積み重ねられたフロント接点、P層、I層、N層、およびバック接点を含む反射構造を有する太陽電池を提供する。反射構造を有する太陽電池は、N層が低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねるようにして複数の膜によって形成された多層構造であることを特徴とする。多層構造において、I層に接する膜は低屈折率膜である。低屈折率膜の屈折率は、I層の屈折率よりも低い。
以上に基づき、本発明は、太陽電池構造に低屈折率のN層を提供し、界面の反射を増やして、アモルファスシリコン(a-Si)太陽電池におけるI層の厚さを減らし、太陽光の最も高い利用効果を達成することによって、短絡電流密度(Jsc)を増加させ、要素効率(element efficiency)を向上させることができる。
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。各図面および関連説明において、同一または類似する構成要素には、同一の参照番号を使用する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る反射構造を有する太陽電池を示した概略的断面図である。
図1を参照すると、第1実施形態の反射構造を有する太陽電池100は、フロント接点102と、P層104と、真性層(I層)106と、N層として用いられる低屈折率層108と、バック接点110とを含む。低屈折率層108の屈折率は、I層106の屈折率よりも低い。さらに、低屈折率層108の屈折率とI層106の屈折率の差は、例えば、1.5以上である。第1実施形態において、低屈折率層108の屈折率は、例えば、2.1以下であり、厚さは、約150nm未満である。低屈折率層108は、N型酸化シリコン(N-SiOx)、N型炭化シリコン(N-SiCx)、N型窒化シリコン(N-SiNx)、N型アモルファスシリコン(N-a-Si)、およびN型マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si)から成る群から選ばれた材料で作られたものである。例えば、低屈折率層108がN型酸化シリコン(N-SiOx)層の時、低屈折率層108の導電率は、少なくとも10-7S/cmよりも大きい。さらに、金属層112(例えば、銀)は、通常、バック接点110の背面に配置される。
第1実施形態の低屈折率層108は、光を反射してI層106に戻すことができるため、I層106に反射して戻された光の光増加(ゲイン量)をさらに利用して、I層106は可視領域の周波帯を有する光を再吸収し、さらに多くの光電流を生成することができる。また、低屈折率層108は、例えば、マイクロクリスタル構造である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る反射構造を有する太陽電池を示した概略的断面図である。図2において、図1と同じ構成要素に対しては、同じ参照符号を使用する。
図2を参照すると、第2実施形態の反射構造を有する太陽電池200は、フロント接点102と、P層104と、I層106と、N層として用いられる多層構造202と、バック接点110とを含む。多層構造202は、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねるようにして複数の膜によって形成される。さらに、多層構造202においてI層106に接する膜は、低屈折率膜204である。低屈折率膜204の屈折率は、I層106の屈折率よりも低い。低屈折率膜204の屈折率とI層106の屈折率の差は、例えば、1.5以上である。第2実施形態において、低屈折率膜204の屈折率は、例えば、2.1以下である。低屈折率膜204の材料は、第1実施形態の低屈折率層108の材料を参照して得ることができる。例えば、低屈折率膜204がN型酸化シリコン(N-SiOx)層の時、低屈折率膜204の導電率は、少なくとも10-7S/cmよりも大きい。また、低屈折率膜204は、例えば、マイクロクリスタル構造である。多層構造202において、バック接点110に接する膜は、高屈折率膜206である。高屈折率膜206の屈折率は、通常、バック接点110の屈折率よりも大きいため、高屈折率膜206は、先行技術においてN層として用いられるN型水素化アモルファスシリコン(N-a-Si:H)で作られたものを選択してもよい。さらに、低屈折率膜204の屈折率と高屈折率膜206の屈折率の差は、例えば、1.5以上である。
第2実施形態において、多層の反射界面(例えば、I層106と低屈折率膜204の間の界面、低屈折率膜204と高屈折率膜206の間の界面、高屈折率膜206とバック接点110の間の界面)が提供されるため、光電変換層の光束(light flux)および吸収を増加させ、それによって短絡電流密度(Jsc)を増加させることができる。
図2の多層構造202には、1つの低屈折率膜204と1つの高屈折率膜206しかないが、多層構造202の膜の数は設計の必要に応じて増やしてもよい。しかしながら、多層構造202の厚さは、150nm未満が好ましい。金属層112は、通常、バック接点110の背面に配置される。
図3は、本発明の第3実施形態に係る反射構造を有する太陽電池を示した概略的断面図である。図3において、図1と同じ構成要素に対しては、同じ参照符号を使用する。
図3を参照すると、実施形態3の反射構造を有する太陽電池300は、タンデム型太陽電池(tandem solar cell)である。タンデム型太陽電池は、1組のトップセル302および1組のボトムセル304を有する。タンデム型太陽電池におけるトップセル302のそれぞれは、第1実施形態で述べたように積み重ねられたP層104と、I層106と、N層として用いられる低屈折率層108とを含む。ボトムセル304のそれぞれは、積み重ねられたボトムセルP層306と、ボトムセルI層308と、ボトムセルN層310と含む。ボトムセル304のボトムセルP層306は、トップセル302の低屈折率層108に接する。バック接点110は、ボトムセル304のボトムセルN層310の背面に配置され、バック接点110の背面には、通常、金属層112がさらに配置される。
第3実施形態の低屈折率層108は、光を反射してI層106に戻すことができるため、中間層(intermediate layer)を有する従来のタンデム型太陽電池におけるN/P層が反射光を再吸収するのを防ぐことができる。さらに、反射機能を有する低屈折率層108は、従来のタンデム型太陽電池の中間層を除外することができる。
図4は、発明の第4実施形態に係る反射構造を有する太陽電池を示した概略的断面図である。図4において、図3と同じ構成要素に対しては、同じ参照符号を使用する。
図4を参照すると、実施形態4の反射構造を有する太陽電池400もタンデム型太陽電池であり、1組のトップセル402および1組のボトムセル304を有する。ボトムセル304のそれぞれは、第3実施形態で述べたように積み重ねられたボトムセルP層306と、ボトムセルI層308と、ボトムセルN層310とを含む。トップセル402のそれぞれは、第1実施形態で述べたように積み重ねられたP層104と、I層106と、N層として用いられる多層構造404とを含む。多層構造404は、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねるようにして複数の膜によって形成される。多層構造404において、I層106に接する膜は低屈折率膜406であり、その後、高屈折率膜408と別の低屈折率膜410がさらに積み重ねられる。低屈折率膜406および410の屈折率は、それぞれI層106、ボトムセルP層306、および高屈折率膜408の屈折率よりも低い。本実施形態において、低屈折率膜406および410の屈折率とI層106および高屈折率膜408の屈折率の差は、1.5以上である。
第4実施形態において、低屈折率膜406および410の屈折率は、例えば、2.1以下である。高屈折率膜408は、先行技術におけるN層の材料で作られたものを選択してもよい。つまり、多層構造404において、交互に積み重ねられる膜の材料は、N型酸化シリコン(N-SiOx)、N型炭化シリコン(N-SiCx)、N型窒化シリコン(N-SiNx)、N型アモルファスシリコン(N-a-Si)、およびN型マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si)から成る群から選ぶことができる。例えば、低屈折率膜406および410がN型酸化シリコン(N-SiOx)層の時、低屈折率膜406および410の導電率は、少なくとも10-7S/cmよりも大きい。高屈折率膜408は、N型アモルファスシリコン(N-a-Si)層でもよく、その導電率は、約10-4S/cmである。多層構造404の各層は、同じ製造プロセスで完成される。
第4実施形態において、多層の反射界面(例えば、I層106と低屈折率膜406の間の界面、低屈折率膜406と高屈折率膜408の間の界面、高屈折率膜408と低屈折率膜410の間の界面、低屈折率膜410とボトムセルP層306の間の界面)が提供されるため、光電変換層の光束(light flux)および吸収を増加させ、それによって短絡電流密度(Jsc)を増加させることができる。さらに、低屈折率膜406および410のうち少なくとも1つは、例えば、マイクロクリスタル構造である。図4の多層構造404は、2つの低屈折率膜406、410、およびN層として用いられる1つの高屈折率膜408によって形成されるが、多層構造404における膜の数は、設計の必要に応じて増やしてもよい。しかしながら、多層構造404の厚さの合計は、150nm未満が好ましい。
以下にいくつかの実験例を並べ、本発明の効果を証明する。
本発明の上記の各実施形態において例示したN型酸化シリコン(N-SiOx)が適当な低屈折率の材料であることを証明するため、このN型酸化シリコン(N-SiOx)と、タンデム型太陽電池のトップセルに使用される従来のN層の材料、つまり、N型水素化アモルファスシリコン(N-a-Si:H)、およびタンデム型太陽電池のボトムセルに使用される従来のN層の材料、つまり、N型水素化マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si:H)を比較する。
波長の変化に伴うN型酸化シリコン(N-SiOx)、N型水素化アモルファスシリコン(N-a-Si:H)およびN型水素化マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si:H)の屈折率を示した曲線図(図5)からわかるように、本発明の各実施形態において例示したN型酸化シリコン(N-SiOx)の屈折率は、N型水素化アモルファスシリコン(N-a-Si:H)およびN型水素化マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si:H)の屈折率よりも低い。
波長の変化に伴うN型酸化シリコン(N-SiOx)、N型水素化アモルファスシリコン(N-a-Si:H)およびN型水素化マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si:H)の消衰係数(extinction coefficient)を示した曲線図(図6)からわかるように、本発明の各実施形態において例示したN型酸化シリコン(N-SiOx)の消衰係数(extinction coefficient)も、N型水素化アモルファスシリコン(N-a-Si:H)およびN型水素化マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si:H)の消衰係数(extinction coefficient)よりも低い。
本発明のN層が光反射の増加にも貢献することを証明するため、1.1mmのガラスを基板として使用する。300nmのアモルファスシリコン(a-Si)(n=4)をI層として基板の上に積み重ね、その後、低屈折率の100nmの酸化シリコン(SiOx)(n=2.1)を本発明のN層としてI層の上に積み重ねる。
さらに、比較例を作成する。上述した方法と同じ方法で、1.1mmのガラスを基板として使用する。300nmのアモルファスシリコン(a-Si)(n=4.5)をI層として基板の上に積み重ねる。上述した方法との違いは、その後、30nmのマイクロクリスタルシリコン(μc-Si)を従来のN層としてI層の上に積み重ねることである。
続いて、異なる波長を有する光をガラスからN層に向かって照射して、N層の反射率を測定し、図7に示す。図7からわかるように、波長が550nm〜800nmの間のN層の反射率は従来のN層の反射率よりもはるかに大きいため、本発明の低屈折率膜は光反射を増加させることが可能である。
本発明の短絡電流密度(Jsc)と単一接合太陽電池の短絡電流密度(Jsc)を比較するため、まず、本発明の低屈折率層を備えた太陽電池を製造する。太陽電池は、フロント接点として用いられるTCOと、100nmのP層と、350nmのI層(n=4)と、本発明のN層として用いられる低屈折率の100nmのN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)と、バック接点として用いられるTCOと、銀層とを含む。
さらに、比較例を作成する。比較例と上述した太陽電池のただ1つの違いは、30nmのアモルファスシリコン(a-Si)(n=4.5)を従来のN層として使用することである。
その後、異なる波長の光をフロント接点から太陽電池に照射して、N層の量子効率(quantum efficiency, QE)を測定し、図8に示す。図8からわかるように、太陽電池における従来のN層を低屈折率のN型酸化シリコン(N-SiOx)層と置き換えた時、量子効率(QE)が550nm〜750nmの間の波長で増加し、それによって、短絡電流密度(Jsc)が0.5%増加した。
本発明のタンデム型太陽電池の短絡電流密度(Jsc)と従来のタンデム型太陽電池の短絡電流密度(Jsc)を比較するため、まず、フロント接点として用いられるTCOと、10nmのP層、280nmのI層(n=4)および低屈折率の44nmのN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)を有するトップセルと、10nmのP層、I層として用いられる3μmのマイクロクリスタルシリコン(mc-Si)および20nmの従来のN層を有するボトムセルと、バック接点として用いられるTCOと、銀層とを含む本発明の低屈折率層を備えたタンデム型太陽電池(実例1)を設計する。ここで、N型酸化シリコン(N-SiOx)層は、図11のナノビーム回折(nano beam diffraction, NBD)パターンに示したようなマイクロクリスタル構造である。
さらに、本発明の反射効果を有する多層構造を備えたタンデム型太陽電池(実例2)を設計する。実例2と実例1の違いは、トップセルのN層が55nmのN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)、27.5nmのN型アモルファスシリコン(N-a-Si)層(n=4.5)、およびマイクロクリスタル構造を有する55nmのN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)によって形成された多層構造と置き換えられ、ボトムセルのI層が4μmのマイクロクリスタルシリコン(mc-Si)と置き換えられていることである。
対応する比較例は、フロント接点として用いられるTCOと、10nmのP層、280nmのI層(n=4)および30nmの従来のN層(アモルファスシリコン、n=4)を有するトップセルと、10nmのP層、I層として用いられる2μmのマイクロクリスタルシリコン(mc-Si)および20nmの従来のN層を有するボトムセルと、バック接点として用いられるTCOと、銀層とを含む。
その後、異なる波長の光をフロント接点からタンデム型太陽電池に照射する模擬実験を行って、量子効率(QE)を測定し、図9に示す。図9からわかるように、タンデム型太陽電池では、比較例と比べて、実例1は500nm〜700nmの間の波長で光反射の大幅な増加を達成し、同時に、トップセルの量子効率(QE)が増加して、ボトムセルの量子効率(QE)が減少した。トップセルのI層の厚さを固定した実例2では、トップセルの短絡電流密度(Jsc)が8.05mA/cm2から8.87mA/cm2まで増加し、つまり、短絡電流密度(Jsc)が10%増加した。同時に、ボトムセルのI層の厚さが約50%増加し、トップセルとボトムセルの間の電流マッチング(current match)が達成された。
ボトムセルおよびトップセルにおけるI層の厚さの変化をさらに説明するために、実験例4の比較例に基づいて模擬実験を行って量子効率(QE)の変化の曲線図を獲得し、図10Aに示す。
その後、フロント接点として用いられるTCOと、10nmのP層、230nmのI層(n=4)および44nmの低屈折率のN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)を有するトップセルと、10nmのP層、I層として用いられる2.5μmのマイクロクリスタルシリコン(mc-Si)および20nmの従来のN層を有するボトムセルと、バック接点として用いられるTCOと、銀層とを含んだ低屈折率層を有するタンデム型太陽電池を設計する。ここで、N型酸化シリコン(N-SiOx)層は、図11に示したようなマイクロクリスタル構造である。続いて、模擬実験を行って量子効率(QE)の変化の曲線図を獲得し、図10Bに示す。
その後、反射効果を有する多層構造を備えたタンデム型太陽電池を設計する。タンデム型太陽電池と実例1の違いは、トップセルのI層の厚さが190nmまで減少し、N層が55nmのN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)、27.5nmのN型アモルファスシリコン(N-a-Si)層(n=4.5)、および55nmのN型酸化シリコン(N-SiOx)層(n=2)を有する多層構造と置き換えられ、ボトムセルのI層が3.3μmに変わったことである。ここで、N型酸化シリコン(N-SiOx)層は、図11に示したようなマイクロクリスタル構造である。続いて、模擬実験を行って量子効率(QE)の変化の曲線図を獲得し、図10Cに示す。
タンデム型太陽電池において、N層を多層構造となるように設計し、トップセルの電流を固定する。トップセルのI層の厚さは、32%減少してもよい。ボトムセルのI層の厚さが約39%増加しさえすれば、トップセルとボトムセルの電流マッチングを達成することができる。
実験例4および実験例5からわかるように、トップセルの電流を固定して、トップセルの厚さを減らすことによって、光劣化(Staebler Wronski効果、通称SWE)を軽減することができる。同時に、フィルファクター(fill factor)を追加して、ボトムセルの厚さの増加を減らすことができる。このように、トップセルの電流を固定して、トップセルの厚さを減らす方法は、トップセルの厚さを固定する方法よりもさらに好適である。
以上のように、本発明は、反射と導電機能を有するN層を備え、光を反射してI層に戻すことができるとともに、I層に反射された光の増加(ゲイン量)を利用してアモルファスシリコン膜が可視領域の波長を有する光を再吸収できるようにして、厚膜と同じ効果を得ながらI層の厚さを減らすことができる。あるいは、同じ厚さのI層を使用することができるとともに、本発明の反射と導電機能を有するN層膜は、さらに多くの光電流を生成することができる。さらに、本発明をタンデム型太陽電池に適用した時、反射と導電機能を有するN層を使用して、トップセルに単一層または多層構造を設計することができる。設計された構造界面での反射を利用して、光電変換層の光束(light flux)および吸収を増加させ、それによって短絡電流密度(Jsc)を増加させることができる。
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
100、200、300、400 反射構造を有する太陽電池
102 フロント接点
104 P層
106 真性層(I層)
108 低屈折率層
110 バック接点
112 金属層
202、404 多層構造
204、406、410 低屈折率膜
206、408 高屈折率膜
302、402 トップセル
304 ボトムセル
306 ボトムセルP層
308 ボトムセルI層
310 ボトムセルN層
102 フロント接点
104 P層
106 真性層(I層)
108 低屈折率層
110 バック接点
112 金属層
202、404 多層構造
204、406、410 低屈折率膜
206、408 高屈折率膜
302、402 トップセル
304 ボトムセル
306 ボトムセルP層
308 ボトムセルI層
310 ボトムセルN層
Claims (17)
- 積み重ねられたフロント接点と、P層と、I層(真性層)と、N層と、バック接点とを含み、
前記N層が低屈折率層であり、前記低屈折率層の屈折率が前記I層の屈折率よりも低いことを特徴とする反射構造を有する太陽電池。 - 前記低屈折率層の屈折率と前記低屈折率層に接する前記I層の屈折率の差が、1.5以上である請求項1記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記低屈折率層の厚さが、150nm未満である請求項1記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記低屈折率層が、N型酸化シリコン(N-SiOx)、N型炭化シリコン(N-SiCx)、N型窒化シリコン(N-SiNx)、N型アモルファスシリコン(N-a-Si)、またはN型マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si)で作られたものである請求項1記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記低屈折率層がN型酸化シリコン(N-SiOx)層の時、前記N型酸化シリコン(N-SiOx)層の導電率が10-7S/cmよりも大きい請求項1記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記N層と前記バック接点の間に設けられた1組のボトムセルをさらに含み、
前記ボトムセルのそれぞれが、積み重ねられたボトムセルP層と、ボトムセルI層と、ボトムセルN層とを含み、前記低屈折率層がマイクロクリスタル構造を有する請求項1記載の反射構造を有する太陽電池。 - 前記低屈折率層の屈折率が前記ボトムセルP層の屈折率よりも低い請求項6記載の反射構造を有する太陽電池。
- 積み重ねられたフロント接点と、P層と、I層(真性層)と、N層と、バック接点とを含み、
前記N層が、低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積み重ねるようにして複数の膜によって形成された多層構造であり、前記多層構造において前記I層に接する膜が低屈折率膜で、前記低屈折率膜の屈折率が前記I層の屈折率よりも低いことを特徴とする反射構造を有する太陽電池。 - 前記低屈折率膜の屈折率と前記低屈折率膜に接する前記I層の屈折率の差が、1.5以上である請求項8記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記多層構造の厚さが、150nmよりも小さい請求項8記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記低屈折率膜が、N型酸化シリコン(N-SiOx)、N型炭化シリコン(N-SiCx)、N型窒化シリコン(N-SiNx)、N型アモルファスシリコン(N-a-Si)、またはN型マイクロクリスタルシリコン(N-mc-Si)で作られたものである請求項8記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記低屈折率膜がN型酸化シリコン(N-SiOx)層の時、前記N型酸化シリコン(N-SiOx)層の導電率が10-7S/cmよりも大きい請求項8記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記多層構造において前記バック接点に接する膜が高屈折率膜であり、前記高屈折率膜の屈折率が前記バック接点の屈折率よりも大きい請求項8記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記低屈折率膜の屈折率と前記高屈折率膜の屈折率の差が、1.5以上である請求項13記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記N層と前記バック接点の間に設けられたボトムセルをさらに含み、
前記ボトムセルが、ボトムセルP層と、ボトムセルI層と、ボトムセルN層とを含み、前記低屈折率膜がマイクロクリスタル構造を有する請求項8記載の反射構造を有する太陽電池。 - 前記多層構造が、積み重ねられた前記低屈折率膜と、前記高屈折率膜と、別の低屈折率膜とを含む請求項15記載の反射構造を有する太陽電池。
- 前記別の低屈折率膜の屈折率が、前記ボトムセルP層の屈折率よりも低い請求項16記載の反射構造を有する太陽電池。
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