JPS62154672A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS62154672A JPS62154672A JP60297401A JP29740185A JPS62154672A JP S62154672 A JPS62154672 A JP S62154672A JP 60297401 A JP60297401 A JP 60297401A JP 29740185 A JP29740185 A JP 29740185A JP S62154672 A JPS62154672 A JP S62154672A
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- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、基板とアモルファスシリコン半導体層と透明
導電膜層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池の改
良に関するものである。
導電膜層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池の改
良に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、アモルファスシリコン太陽電池における透明導電
膜としては、非常に低抵抗でかつ透明であるという理由
から酸化インジウム（ＩｎｚＯ３）に５ｗｔ％の酸化ス
ズ（５ｎＯｚ ）を含んだＩＴＯ膜が用いられている。
膜としては、非常に低抵抗でかつ透明であるという理由
から酸化インジウム（ＩｎｚＯ３）に５ｗｔ％の酸化ス
ズ（５ｎＯｚ ）を含んだＩＴＯ膜が用いられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記のように従来のアモルファスシリコン太陽明導電膜
としてＩＴＯ膜を用いた場合、透明導電膜とその上部の
層（オーバーコート層または空気層）と下部の層（アモ
ルファスシリコン半導体層）との屈折率のマツチングが
とれていないことが判明した。この結果、従来のアモル
ファスシリコン太陽電池にあっては受光面での反射率が
大きく、アモルファスシリコン太陽電池への入射光損失
が大きい等の問題点がある。
としてＩＴＯ膜を用いた場合、透明導電膜とその上部の
層（オーバーコート層または空気層）と下部の層（アモ
ルファスシリコン半導体層）との屈折率のマツチングが
とれていないことが判明した。この結果、従来のアモル
ファスシリコン太陽電池にあっては受光面での反射率が
大きく、アモルファスシリコン太陽電池への入射光損失
が大きい等の問題点がある。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたもので、アモルフ
ァスシリコン太陽電池への入射光損失を減少させるため
、適切な屈折率を持つ透明導電膜を備えたアモルファス
シリコン太陽電池を提供することを目的としている。
ァスシリコン太陽電池への入射光損失を減少させるため
、適切な屈折率を持つ透明導電膜を備えたアモルファス
シリコン太陽電池を提供することを目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明は基板とアモルフ７
スシリコン半尋体層と透明導電膜層とを備えたアモルフ
ァスシリコン太陽を池において、透明導電膜層を５ｎ０
２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３により構成するよ
うに成している。
スシリコン半尋体層と透明導電膜層とを備えたアモルフ
ァスシリコン太陽を池において、透明導電膜層を５ｎ０
２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３により構成するよ
うに成している。
く作 用〉
アモルファスシリコン半導体層の屈折率は５，７−０．
０００２４λ（λはＡ単位の波長）であり、透明導電膜
としてＩＴＯ膜より高い屈折率を有するｓ ｎｏ２を全
くドーピングしないＩｎ２Ｏ３を用いることによりアモ
ルファスシリコン太陽電池の反射率が減少し、太陽電池
の効率が改善されることにニアＺる。
０００２４λ（λはＡ単位の波長）であり、透明導電膜
としてＩＴＯ膜より高い屈折率を有するｓ ｎｏ２を全
くドーピングしないＩｎ２Ｏ３を用いることによりアモ
ルファスシリコン太陽電池の反射率が減少し、太陽電池
の効率が改善されることにニアＺる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す図である。
第１図において、！はステンレス基板、２はステンレス
基板１上に形成された光起電力発生層としてのアモルフ
ァスシリコン半導体層、３は透明導電膜層でるり、本発
明にしたがって５ｎ０２を全くドーピングしないＩｎ２
Ｏ３により例えば７ｏｏｄの膜厚に構成されている。ま
た４は透明導電膜層３上に形成されたガラス、メラニン
樹脂等よりなるオーバーコート層である。
基板１上に形成された光起電力発生層としてのアモルフ
ァスシリコン半導体層、３は透明導電膜層でるり、本発
明にしたがって５ｎ０２を全くドーピングしないＩｎ２
Ｏ３により例えば７ｏｏｄの膜厚に構成されている。ま
た４は透明導電膜層３上に形成されたガラス、メラニン
樹脂等よりなるオーバーコート層である。
第２図は透明導電膜３の屈折率を変化させた場合のアモ
ルファスシリコン太陽電池の反射率をシュミレーション
した結果を示したものである。なお、第２図に示す結果
は、空気の屈折率を１．０１オ一バーコート層４の屈折
率を１．５、アモルファスシリコン半導体層２の屈折率
を５．７−０．０００２４人（ただしλはＡ単位の波長
）、透明導電膜層３の膜厚を７０ＯＡとした場合を示し
ている。
ルファスシリコン太陽電池の反射率をシュミレーション
した結果を示したものである。なお、第２図に示す結果
は、空気の屈折率を１．０１オ一バーコート層４の屈折
率を１．５、アモルファスシリコン半導体層２の屈折率
を５．７−０．０００２４人（ただしλはＡ単位の波長
）、透明導電膜層３の膜厚を７０ＯＡとした場合を示し
ている。
この第２図より明らかなように透明４を層３の屈折率を
高くすることにより、アモルファスシリコン太陽電池の
反射率は減少する。したがって第１図に示した本発明の
実施例のように透明導電膜層３を従来のＩＴＯから５ｎ
Ｏｚを全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３に代えて形成す
ることにより、透明導電膜層３の屈折率が凡そ１，８か
ら２．０と高くなり、その結果アモルファスシリコン太
陽電池の反射率が５％低下することＫなる。
高くすることにより、アモルファスシリコン太陽電池の
反射率は減少する。したがって第１図に示した本発明の
実施例のように透明導電膜層３を従来のＩＴＯから５ｎ
Ｏｚを全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３に代えて形成す
ることにより、透明導電膜層３の屈折率が凡そ１，８か
ら２．０と高くなり、その結果アモルファスシリコン太
陽電池の反射率が５％低下することＫなる。
第３図は第１図に示す本発明の実施例と、同様の構造で
透明導電膜層３を従来のようにＩＴＯを用いて構成した
場合の太陽電池の反射率の比較を行なったものである。
透明導電膜層３を従来のようにＩＴＯを用いて構成した
場合の太陽電池の反射率の比較を行なったものである。
この第３図より明らかなように透明導電膜層をＩＴＯか
らＩｎ２Ｏ＋ＶＣ代えることによってアモルファスシリ
コン太陽電池の反射率が５％低下し、この結果、入射光
損失が減少し、アモルファスシリコン太陽電池の効果を
５％改善することが出来た。
らＩｎ２Ｏ＋ＶＣ代えることによってアモルファスシリ
コン太陽電池の反射率が５％低下し、この結果、入射光
損失が減少し、アモルファスシリコン太陽電池の効果を
５％改善することが出来た。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えばオーバーコート層４を備えていないアモルファス
シリコン太陽電池に用いても、同様の結果を得ることが
出来る。
例えばオーバーコート層４を備えていないアモルファス
シリコン太陽電池に用いても、同様の結果を得ることが
出来る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、透明導電膜層として５ｎ
ｏ２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３を用いることに
より、屈折率が大きくなり、光学的マツることが出来る
。
ｏ２を全くドーピングしないＩｎ２Ｏ３を用いることに
より、屈折率が大きくなり、光学的マツることが出来る
。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す図、第２図は透
明導電膜の屈折率変化によるアモルファスシリコン太陽
電池の反射率の変化のシュミレーション結果を示す図、
第３図は従来及び本発明のアモルファス７リコン太陽電
池の反射率の比較結果を示す図である。 ！・・・ステンレス基板、２・・・アモルファスシリコ
ン半導体層、３・・・透明導電膜層（Ｉｎ２０３）、４
・・・オーバーコート層。
明導電膜の屈折率変化によるアモルファスシリコン太陽
電池の反射率の変化のシュミレーション結果を示す図、
第３図は従来及び本発明のアモルファス７リコン太陽電
池の反射率の比較結果を示す図である。 ！・・・ステンレス基板、２・・・アモルファスシリコ
ン半導体層、３・・・透明導電膜層（Ｉｎ２０３）、４
・・・オーバーコート層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板とアモルファスシリコン半導体層と透明導電膜
層とを備えたアモルファスシリコン太陽電池において、 上記透明導電膜層をＳｎＯ＿２を全くドーピングしない
Ｉｎ＿２Ｏ＿３により構成してなることを特徴とするア
モルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60297401A JPS62154672A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60297401A JPS62154672A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154672A true JPS62154672A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17846017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60297401A Pending JPS62154672A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154672A (ja) |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60297401A patent/JPS62154672A/ja active Pending
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