JPS63177576A - 非晶質薄膜太陽電池モジユ−ル - Google Patents
非晶質薄膜太陽電池モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS63177576A JPS63177576A JP62010462A JP1046287A JPS63177576A JP S63177576 A JPS63177576 A JP S63177576A JP 62010462 A JP62010462 A JP 62010462A JP 1046287 A JP1046287 A JP 1046287A JP S63177576 A JPS63177576 A JP S63177576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- diamond thin
- solar cell
- light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ステンレろセラミック等の不透明材料を基板
として用いた非晶質薄膜太陽電池モジュールの改良に関
するものである。
として用いた非晶質薄膜太陽電池モジュールの改良に関
するものである。
〈従来の技術〉
ステンレスやセラミック等の不透明材料を基板として用
いた非晶質薄膜太陽電池モジュールにあっては、光°の
入射が基板と反対側となるため、例えば第2図に示すよ
うに表面保護のだめの樹脂層が光入射側表面に設けられ
ている。なお、第2図において、11はステンレス等の
不透明基板、12は非晶質薄膜太陽電池セル、13は表
面保護樹脂層、14は光の入射を示す矢印である。この
場合、光の入射側表面にコーティングする樹脂には、次
のような諸特性が要求される。
いた非晶質薄膜太陽電池モジュールにあっては、光°の
入射が基板と反対側となるため、例えば第2図に示すよ
うに表面保護のだめの樹脂層が光入射側表面に設けられ
ている。なお、第2図において、11はステンレス等の
不透明基板、12は非晶質薄膜太陽電池セル、13は表
面保護樹脂層、14は光の入射を示す矢印である。この
場合、光の入射側表面にコーティングする樹脂には、次
のような諸特性が要求される。
すなわち、光の透過率が大きいこと、硬度が高いこと、
下地の非晶質薄膜等との密着性が良いこと及び耐薬品性
や耐環境性が良いこと等であるが、従来はアクリル、メ
ラミン系を中心として、その他フッ素系やエポキシ系等
の樹脂がスクリーン印刷法等により形成された表面保護
樹脂層が用いられている。
下地の非晶質薄膜等との密着性が良いこと及び耐薬品性
や耐環境性が良いこと等であるが、従来はアクリル、メ
ラミン系を中心として、その他フッ素系やエポキシ系等
の樹脂がスクリーン印刷法等により形成された表面保護
樹脂層が用いられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記した従来用いられている表面保護樹脂では
、上記の表面保護のだめの諸特性を充分に満足するもの
ではなく、屈折率が1.2〜1,4程度と低いため、光
の反射損失が大きく、まだ硬度が鉛筆硬度で2H程度と
充分に高いものでないため、傷が着き易かった。また表
面保護層を形成するだめの材料の保管や形成条件を厳密
に管理することが必要であり、曇りや発泡不良が生じ易
く、その結果歩留りが悪い等の問題点があった。
、上記の表面保護のだめの諸特性を充分に満足するもの
ではなく、屈折率が1.2〜1,4程度と低いため、光
の反射損失が大きく、まだ硬度が鉛筆硬度で2H程度と
充分に高いものでないため、傷が着き易かった。また表
面保護層を形成するだめの材料の保管や形成条件を厳密
に管理することが必要であり、曇りや発泡不良が生じ易
く、その結果歩留りが悪い等の問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであり、光の
透過率が良く、硬度が高く、更には耐環境性の良い優れ
た表面保護膜を備えた非晶質薄膜太陽電池モジュールを
提供することを目的としている。
透過率が良く、硬度が高く、更には耐環境性の良い優れ
た表面保護膜を備えた非晶質薄膜太陽電池モジュールを
提供することを目的としている。
く問題点を解決するための手段及び作用〉上記の目的を
達成するだめ、本発明は不透明材料を基板として用いた
非晶質薄膜太陽電池モジュールにおいて、光入射側に構
成されている表面保護膜をダイヤモンド薄膜によって形
成するように成しており、このような構成により、光の
反射損失が少なく、硬度が高く、更には耐環境性の良い
優れた表面保護膜が得られる。
達成するだめ、本発明は不透明材料を基板として用いた
非晶質薄膜太陽電池モジュールにおいて、光入射側に構
成されている表面保護膜をダイヤモンド薄膜によって形
成するように成しており、このような構成により、光の
反射損失が少なく、硬度が高く、更には耐環境性の良い
優れた表面保護膜が得られる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例装置を作製
するための製造工程の一例を示す図である。
するための製造工程の一例を示す図である。
第1図(a)は従来公知の方法によって製作したステン
レス基板の非晶質薄膜太陽電池モジュールの断面構造を
示す図であシ、不透明材料基板としてのステンレス基板
1上に、例えばアモルファスシリコン薄膜のp−1−n
構造よりなるアモルファス太陽電池セル層2を形成し、
この上に透明導電膜(TCO)3及び集電極4をこの順
に形成している。次に本発明にしたがって、基板1と反
対側表面の透明導電膜(TCO)3及び集電極4上に第
1図(b)に示すようにダイヤモンド薄膜5を、例えば
約0.8μm層に形成して、本発明の一実施例としての
非晶質薄膜太陽電池モジュールを作製する。
レス基板の非晶質薄膜太陽電池モジュールの断面構造を
示す図であシ、不透明材料基板としてのステンレス基板
1上に、例えばアモルファスシリコン薄膜のp−1−n
構造よりなるアモルファス太陽電池セル層2を形成し、
この上に透明導電膜(TCO)3及び集電極4をこの順
に形成している。次に本発明にしたがって、基板1と反
対側表面の透明導電膜(TCO)3及び集電極4上に第
1図(b)に示すようにダイヤモンド薄膜5を、例えば
約0.8μm層に形成して、本発明の一実施例としての
非晶質薄膜太陽電池モジュールを作製する。
なお、上記ダイヤモンド薄膜5は例えばCH4−H2原
料ガスのプラズマ中CVD法によって形成すれば良い。
料ガスのプラズマ中CVD法によって形成すれば良い。
このダイヤモンド薄膜5は透明で屈折率が大きいだめ(
条件により異なるが1.5〜2.4)、光の反射損失が
少なく、又、ダイヤモンド構造であるため硬度が高く、
表面に傷が着き難く、さらにはアルコールやアセトンな
どの耐薬品性が良く、湿気などの耐環境性にも優れてい
る。また2本ダイヤモンド薄膜5はプラズマCVD法に
より形成することが出来るため、太陽電池セル2を構成
する非晶質薄膜と同一装置内で製作することも可能であ
る。また、このダイヤモンド薄膜5は1μm以下の薄膜
で表面保護膜としての機能を充分有しているため薄型太
陽電池モジュールの製作が可能となる(従来の樹脂表面
保護膜では10〜20μmの厚みが必要である)。
条件により異なるが1.5〜2.4)、光の反射損失が
少なく、又、ダイヤモンド構造であるため硬度が高く、
表面に傷が着き難く、さらにはアルコールやアセトンな
どの耐薬品性が良く、湿気などの耐環境性にも優れてい
る。また2本ダイヤモンド薄膜5はプラズマCVD法に
より形成することが出来るため、太陽電池セル2を構成
する非晶質薄膜と同一装置内で製作することも可能であ
る。また、このダイヤモンド薄膜5は1μm以下の薄膜
で表面保護膜としての機能を充分有しているため薄型太
陽電池モジュールの製作が可能となる(従来の樹脂表面
保護膜では10〜20μmの厚みが必要である)。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、次の様な特徴を有する非
晶質薄膜太陽電池モジュールを提供することが可能とな
る。
晶質薄膜太陽電池モジュールを提供することが可能とな
る。
■ 光の反射損失が少なく高効率なモジュール。
■ 表面硬度が高く、耐薬品、耐環境性に優れた高信頼
性モジュール。
性モジュール。
■ 薄型モジュール。
■ 非晶質薄膜と表面保護膜を同一装置内で形成するこ
とが可能であシ、この場合、より、低価格なモジュール
の提供。
とが可能であシ、この場合、より、低価格なモジュール
の提供。
第1図(a)及び(b)はそれぞれ本発明の一実施例と
しての非晶質薄膜太陽電池モジュールの作製工程を示す
図、第2図は従来のステンレス基板アモルファス太陽電
池の構造例を示す断面図である。 1・・・ステンレス基板、2・・・アモルファス太陽電
池セル層(pin)、3・・・透明導電膜(TCO)、
4・・・集電極、5・・・表面保護膜(ダイヤモンド薄
膜)。
しての非晶質薄膜太陽電池モジュールの作製工程を示す
図、第2図は従来のステンレス基板アモルファス太陽電
池の構造例を示す断面図である。 1・・・ステンレス基板、2・・・アモルファス太陽電
池セル層(pin)、3・・・透明導電膜(TCO)、
4・・・集電極、5・・・表面保護膜(ダイヤモンド薄
膜)。
Claims (1)
- 1、不透明材料を基板として用いた非晶質薄膜太陽電池
モジュールにおいて、光入射側に構成されている表面保
護膜がダイヤモンド薄膜から成っていることを特徴とす
る非晶質薄膜太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62010462A JPS63177576A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 非晶質薄膜太陽電池モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62010462A JPS63177576A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 非晶質薄膜太陽電池モジユ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63177576A true JPS63177576A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11750800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62010462A Pending JPS63177576A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 非晶質薄膜太陽電池モジユ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63177576A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766436A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Ricoh Co Ltd | 有機光起電力素子 |
DE102005027190A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Photovoltaikmodul-Schichtaufbau |
KR101502807B1 (ko) * | 2009-08-20 | 2015-03-16 | 닛신 세이코 가부시키가이샤 | 색소 증감형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP62010462A patent/JPS63177576A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766436A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Ricoh Co Ltd | 有機光起電力素子 |
DE102005027190A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Photovoltaikmodul-Schichtaufbau |
KR101502807B1 (ko) * | 2009-08-20 | 2015-03-16 | 닛신 세이코 가부시키가이샤 | 색소 증감형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Söderström et al. | UV‐nano‐imprint lithography technique for the replication of back reflectors for n‐i‐p thin film silicon solar cells | |
CN102129215B (zh) | 钟表用玻璃罩和钟表 | |
CN201266244Y (zh) | 高透光导电膜系 | |
CN103765603A (zh) | 带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 | |
Hüpkes et al. | Coupling and trapping of light in thin-film solar cells using modulated interface textures | |
JPS63177576A (ja) | 非晶質薄膜太陽電池モジユ−ル | |
ES480135A1 (es) | Mejoras introducidas en un dispositivo colector y concen- trador solar luminiscente. | |
CN207623629U (zh) | 一种分划板 | |
JPS6088482A (ja) | 光電変換装置 | |
CN207799253U (zh) | 一种高反射分划板 | |
CN108728812B (zh) | 一种制备薄膜的方法 | |
CN204758850U (zh) | 阳光下可视的视窗防护屏 | |
JP2003229584A (ja) | 光電変換装置用ガラス基板およびそれを用いた光電変換装置 | |
JPS5694674A (en) | Thin-film solar cell | |
Li et al. | Preparation of MgF2, SiO2 and TiO2 optical films | |
JPS60246508A (ja) | 保護膜付き低反射透明導電性薄膜 | |
JPS5669875A (en) | Amorphous semiconductor solar cell | |
CN214496113U (zh) | 一种便于清洁的高精度光学玻璃 | |
JPS57166083A (en) | Thin film type photoelectric conversion element | |
CN212833490U (zh) | 一种水晶玻璃镀膜片 | |
JPS5689701A (en) | Half mirror | |
CN210639300U (zh) | 一种具备防雾功能的偏光片 | |
CN213581423U (zh) | 一种用于传感器的中远红外滤光片 | |
CN218146393U (zh) | 一种净色减反射镀膜玻璃 | |
CN214704069U (zh) | 一种复合光学膜片 |