RU2008111871A - Реактор, установка и промышленный способ для непрерывного получения высокочистого тетрахлорида кремния или высокочистого тетрахлорида германия - Google Patents
Реактор, установка и промышленный способ для непрерывного получения высокочистого тетрахлорида кремния или высокочистого тетрахлорида германия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008111871A RU2008111871A RU2008111871/15A RU2008111871A RU2008111871A RU 2008111871 A RU2008111871 A RU 2008111871A RU 2008111871/15 A RU2008111871/15 A RU 2008111871/15A RU 2008111871 A RU2008111871 A RU 2008111871A RU 2008111871 A RU2008111871 A RU 2008111871A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dielectric
- reactor
- heat exchanger
- plasma
- tetrachloride
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0093—Microreactors, e.g. miniaturised or microfabricated reactors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
- C01G17/04—Halides of germanium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00002—Chemical plants
- B01J2219/00018—Construction aspects
- B01J2219/0002—Plants assembled from modules joined together
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00002—Chemical plants
- B01J2219/00027—Process aspects
- B01J2219/00033—Continuous processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00788—Three-dimensional assemblies, i.e. the reactor comprising a form other than a stack of plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00819—Materials of construction
- B01J2219/00822—Metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00851—Additional features
- B01J2219/00853—Employing electrode arrangements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00851—Additional features
- B01J2219/00867—Microreactors placed in series, on the same or on different supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00851—Additional features
- B01J2219/00869—Microreactors placed in parallel, on the same or on different supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00851—Additional features
- B01J2219/00871—Modular assembly
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00873—Heat exchange
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00925—Irradiation
- B01J2219/0093—Electric or magnetic energy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0824—Details relating to the shape of the electrodes
- B01J2219/0826—Details relating to the shape of the electrodes essentially linear
- B01J2219/0828—Wires
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0824—Details relating to the shape of the electrodes
- B01J2219/0826—Details relating to the shape of the electrodes essentially linear
- B01J2219/083—Details relating to the shape of the electrodes essentially linear cylindrical
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0837—Details relating to the material of the electrodes
- B01J2219/0841—Metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0871—Heating or cooling of the reactor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0875—Gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
- B01J2219/0896—Cold plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
1. Реактор для обработки тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия, который загрязнен по меньшей мере одним водородсодержащим соединением, причем плазменный реактор (4) основан на корпусе реактора, высоковольтном питании и по меньшей мере одном микроблоке для плазменной обработки, который состоит, по существу, из заземленного металлического теплообменника (4.2), диэлектрика (4.4), перфорированной пластины, решетки или сетки (4.1) и электрода (4.3) высокого напряжения, при этом продольные оси диэлектрика (4.4), электрода (4.3) высокого напряжения и заземленного металлического теплообменника (4.2) ориентированы параллельно друг другу и одновременно параллельно направлению вектора силы тяготения. ! 2. Установка для получения высокочистого тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия в реакторной системе (1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) при помощи холодной плазмы и последующей перегонной установки (9, 10, 11, 12, 13, 14, 15) для перегонки обработанной фазы, причем плазменный реактор (4) основан на корпусе реактора, высоковольтном питании и по меньшей мере одном микроблоке для плазменной обработки, который состоит, по существу, из заземленного металлического теплообменника (4.2), диэлектрика (4.4), перфорированной пластины, решетки или сетки (4.1) и электрода (4.3) высокого напряжения, при этом продольные оси диэлектрика (4.4), электрода (4.3) высокого напряжения и заземленного металлического теплообменника (4.2) ориентированы параллельно друг другу и одновременно параллельно направлению вектора силы тяготения. ! 3. Установка по п.2, отличающаяся тем, что трубчатый диэлектрик (4.4) ориентирован на перфорированной пластине, решетке или сетке (4.1) и окружен трубчат�
Claims (25)
1. Реактор для обработки тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия, который загрязнен по меньшей мере одним водородсодержащим соединением, причем плазменный реактор (4) основан на корпусе реактора, высоковольтном питании и по меньшей мере одном микроблоке для плазменной обработки, который состоит, по существу, из заземленного металлического теплообменника (4.2), диэлектрика (4.4), перфорированной пластины, решетки или сетки (4.1) и электрода (4.3) высокого напряжения, при этом продольные оси диэлектрика (4.4), электрода (4.3) высокого напряжения и заземленного металлического теплообменника (4.2) ориентированы параллельно друг другу и одновременно параллельно направлению вектора силы тяготения.
2. Установка для получения высокочистого тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия в реакторной системе (1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) при помощи холодной плазмы и последующей перегонной установки (9, 10, 11, 12, 13, 14, 15) для перегонки обработанной фазы, причем плазменный реактор (4) основан на корпусе реактора, высоковольтном питании и по меньшей мере одном микроблоке для плазменной обработки, который состоит, по существу, из заземленного металлического теплообменника (4.2), диэлектрика (4.4), перфорированной пластины, решетки или сетки (4.1) и электрода (4.3) высокого напряжения, при этом продольные оси диэлектрика (4.4), электрода (4.3) высокого напряжения и заземленного металлического теплообменника (4.2) ориентированы параллельно друг другу и одновременно параллельно направлению вектора силы тяготения.
3. Установка по п.2, отличающаяся тем, что трубчатый диэлектрик (4.4) ориентирован на перфорированной пластине, решетке или сетке (4.1) и окружен трубчатым теплообменником (4.2), а стержневой электрод или трубчатый сетчатый электрод (4.3) полностью или частично выступает в трубку (4.4).
4. Установка по п.2, отличающаяся тем, что диэлектрик (4.4) представляет собой трубку с толщиной стенки от 0,1 до 10 мм, внутренним диаметром от 1 до 300 мм и длиной от 10 до 3000 мм и содержит кварцевое стекло, жароупорное стекло, боросиликатное стекло или оксид алюминия.
5. Установка по п.2, отличающаяся тем, что электрод (4.3) содержит металл или металлический сплав и является охлаждаемым.
6. Установка по п.2, отличающаяся тем, что соответствующие наименьшие открытые промежутки (d) между диэлектриком (4.4) и электродом (4.3) высокого напряжения и между диэлектриком (4.4) и трубчатым теплообменником (4.2) являются одинаковыми.
7. Установка по п.2, отличающаяся тем, что промежуток (d) составляет от 0,01 до 100 мм.
8. Установка по п.2, отличающаяся тем, что перфорированная пластина, решетка или сетка (4.1) имеет живое сечение от 10 до 90%.
9. Установка по п.2, отличающаяся тем, что теплообменник является одновременно нагреваемым и охлаждаемым и выполнен в виде кожухотрубного теплообменника.
10. Установка по любому из пп.2-9, отличающая тем, что плазменный реактор (4) содержит от 1 до 50000 микроблоков.
11. Непрерывный промышленный способ получения высокочистого тетрахлорида кремния или высокочистого тетрахлорида германия посредством обработки подлежащего очистке тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия, который загрязнен по меньшей мере одним водородсодержащим соединением, при помощи холодной плазмы и отделения очищенного тетрахлорида кремния и тетрахлорида германия от полученной обработанной фазы посредством фракционной перегонки, причем обработка выполняется в плазменном реакторе (4), в котором продольные оси диэлектрика (4.4), электрода (4.3) высокого напряжения и заземленного металлического теплообменника (4.2) ориентированы параллельно друг другу и одновременно параллельно вектору силы тяготения.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что холодная плазма создается посредством диэлектрически сдерживаемого разряда.
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что используется плазменный реактор для обработки газообразной фазы (4), область разряда которого имеет трубкообразную форму и свободна от стоек.
14. Способ по п.11, отличающийся тем, что используют плазменный реактор для обработки газообразной фазы (4), трубчатые диэлектрики (4.4) которого стоят на перфорированной пластине, решетке или сетке (4.1), причем фаза, подлежащая обработке (А), протекает через перфорированный опорный участок (4.1) и затем проходит через область реакции между диэлектриком (4.4) и электродом (4.3 или 4.2).
15. Способ по п.11, отличающийся тем, что два или более плазменных реактора (4) работают последовательно или параллельно.
16. Способ по п.11, отличающийся тем, что диэлектрически сдерживаемый разряд вырабатывается при помощи переменного напряжения или импульсного напряжения от 1 В до 1×106 В.
17. Способ по 11, отличающийся тем, что диэлектрически сдерживаемый разряд происходит при частоте 1 Гц до 30 ГГц.
18. Способ по п.11, отличающийся тем, что время воздействия в расчете на один разряд составляет от 10 нc до 1 мс.
19. Способ по п.11, отличающийся тем, что подлежащий обработке тертрахлорид кремния или тетрахлорид германия проходит через зону разряда со скоростью потока от 0,01 до 100 м/с.
20. Способ по п.11, отличающийся тем, что время нахождения тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия в зоне разряда составляет от 1 мс до 10 мин.
21. Способ по п.11, отличающийся тем, что диэлектрически сдерживаемый разряд происходит при температуре газообразной фазы от 0 до 200°С.
22. Способ по п.11, отличающийся тем, что в одной или нескольких точках способа к подлежащей обработке фазе добавляется благородный газ, азот или инертный буферный газ или смесь вышеупомянутых газов.
23. Способ по п.11, отличающийся тем, что к подлежащей обработке фазе добавляют хлор и (или) хлорид водорода.
24. Способ по п.11, отличающийся тем, что обработка осуществляется при абсолютном давлении от 0,1 мбар до 10 бар, причем температура подлежащей обработке фазы составляет 0 до 200°С.
25. Способ по любому из пп.11-24, отличающийся тем, что подлежащую обработке фазу преобразуют в газообразную фазу, при желании добавляют инертный газ и (или) хлор, газообразную фазу подвергают воздействию диэлектрически сдерживаемого разряда в находящемся под заданным давлением нагреваемом и (или) охлаждаемом реакторе (4), обработку контролируют посредством характерного параметра и фракция, состоящая из высокочистого тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия, непрерывно отделяется от обработанной фазы посредством фракционной перегонки.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005041137.1 | 2005-08-30 | ||
DE102005041137A DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008111871A true RU2008111871A (ru) | 2009-10-10 |
RU2419484C2 RU2419484C2 (ru) | 2011-05-27 |
Family
ID=37310291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008111871/05A RU2419484C2 (ru) | 2005-08-30 | 2006-06-06 | Реактор, установка и промышленный способ для непрерывного получения высокочистого тетрахлорида кремния или высокочистого тетрахлорида германия |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8221593B2 (ru) |
EP (1) | EP1919828B1 (ru) |
JP (1) | JP5001943B2 (ru) |
KR (1) | KR101337146B1 (ru) |
CN (1) | CN101282906B (ru) |
BR (1) | BRPI0615608A2 (ru) |
DE (1) | DE102005041137A1 (ru) |
RU (1) | RU2419484C2 (ru) |
WO (1) | WO2007025787A1 (ru) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004008442A1 (de) * | 2004-02-19 | 2005-09-15 | Degussa Ag | Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips |
DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102007007874A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007013219A1 (de) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Plasmagestützte Synthese |
DE102007014107A1 (de) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
DE102007048937A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen |
DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102007050573A1 (de) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
DE102007059170A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
DE102008004396A1 (de) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen |
DE102008002537A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
CN103787336B (zh) | 2008-09-16 | 2016-09-14 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的方法 |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
GB2466664B (en) | 2009-01-06 | 2015-04-01 | Perlemax Ltd | Plasma microreactor apparatus, sterilisation unit and analyser |
DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
CN101867863B (zh) * | 2010-05-21 | 2012-12-26 | 工业和信息化部电信传输研究所 | 音频测试系统 |
CN101891243B (zh) * | 2010-06-10 | 2012-01-11 | 南京中锗科技股份有限公司 | 一种提纯四氯化锗的萃取工艺方法 |
DE202010015018U1 (de) * | 2010-11-07 | 2011-04-14 | Bohnet, Hans | Anordnung zur Herstellung von strukturierten Substraten |
DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
DE102011078942A1 (de) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane mit verbesserter Ausbeute |
US9635962B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-05-02 | Cabeau, Inc. | Travel pillow with lateral and rear support bar and a flat and thin back |
DE102013207443A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polysilanen |
DE102013207447A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan |
CN103408581B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-06-29 | 淄博市临淄齐泉工贸有限公司 | N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷连续生产反应装置及方法 |
CN103754428B (zh) * | 2014-01-14 | 2015-08-19 | 武汉云晶飞光纤材料有限公司 | 一种光纤用四氯化锗的灌装方法 |
US10321765B2 (en) | 2014-03-11 | 2019-06-18 | Cabeau, Inc. | Travel pillow |
US9968197B2 (en) | 2014-03-11 | 2018-05-15 | Cabeau, Inc. | Travel pillow |
USD762400S1 (en) | 2014-10-20 | 2016-08-02 | Cabeau, Inc. | Travel pillow |
WO2017058914A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | Cabeau, Inc. | Neck pillow with chin supports, multiple anchor points, and magnetic clip |
CN106219551B (zh) * | 2016-07-06 | 2018-01-12 | 成都蜀菱科技发展有限公司 | 高纯度四氯化硅的提纯方法 |
EP3385223A1 (de) * | 2017-04-05 | 2018-10-10 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur abtrennung von brom, jod, brom und/oder jod enthaltenden verbindungen aus chlorsilanen |
RU2672428C1 (ru) * | 2017-10-25 | 2018-11-14 | Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" | Способ получения тетрахлорида кремния высокой чистоты |
CN109574020A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-04-05 | 湖北省通发矿业有限责任公司 | 一种用于规模化生产石英砂的除铁除杂的方法 |
US20210346565A1 (en) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | airPHX | Method and system for generating non-thermal plasma |
CN113181852B (zh) * | 2021-05-25 | 2023-03-24 | 湖北理工学院 | 利用微反应器制备微粉化药物的方法及设备 |
US20240157325A1 (en) * | 2021-06-17 | 2024-05-16 | Tenoks Aritma Teknolojileri Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | A reactor structure of providing energization |
TR202109921A2 (tr) * | 2021-06-17 | 2021-08-23 | Tenoks Aritma Teknolojileri Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | Enerji̇lendi̇rme sağlayan bi̇r reaktör yapilanmasi |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1983437A (en) * | 1934-03-30 | 1934-12-04 | William C Carr Corp | Heat radiating unit |
US3214364A (en) * | 1961-07-07 | 1965-10-26 | Emery Industries Inc | Ozone generator |
US3942020A (en) * | 1974-12-09 | 1976-03-02 | Cubic Corporation | Corona discharge ozone generator |
AT379119B (de) * | 1976-01-20 | 1985-11-25 | Hutter Apparatebau Ag | Roehrenozonisator |
US4310341A (en) * | 1980-09-12 | 1982-01-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Removal of --OH impurities from fiber optic precursor materials |
US4372834A (en) * | 1981-06-19 | 1983-02-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Purification process for compounds useful in optical fiber manufacture |
FR2530638A1 (fr) * | 1982-07-26 | 1984-01-27 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation d'un melange a base de trichlorosilane utilisable pour la preparation de silicium de haute purete |
DE3502367A1 (de) * | 1985-01-25 | 1986-07-31 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum entfernen von wasserstoff aus in siliziumtetrachlorid oder germaniumtetrachlorid geloesten wasserstoffhaltigen verbindungen |
DE3711444A1 (de) * | 1987-04-04 | 1988-10-13 | Huels Troisdorf | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan |
DE3828549A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-08 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen |
JP2867696B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1999-03-08 | 信越化学工業株式会社 | 四塩化ケイ素の精製方法 |
JPH05261242A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 排ガス処理装置 |
JPH06168910A (ja) | 1992-11-30 | 1994-06-14 | M C Electron Kk | 縦型プラズマリアクター |
EP0702017B1 (de) * | 1994-09-14 | 2001-11-14 | Degussa AG | Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen |
JPH08130210A (ja) | 1994-10-31 | 1996-05-21 | M C Electron Kk | 縦型プラズマリアクター |
DE19516386A1 (de) * | 1995-05-04 | 1996-11-07 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen |
DE19520737C2 (de) * | 1995-06-07 | 2003-04-24 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen |
DE19649023A1 (de) * | 1996-11-27 | 1998-05-28 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen |
GB9719434D0 (en) | 1997-09-13 | 1997-11-12 | Aea Technology Plc | The processing of gaseous media |
DE19746862A1 (de) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Huels Chemische Werke Ag | Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten |
DE19821156B4 (de) * | 1998-05-12 | 2006-04-06 | Degussa Ag | Verfahren zur Minderung von Resthalogengehalten und Farbzahlverbesserung in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen und die Verwendung von Aktivkohle dazu |
DE19847786A1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-04-20 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters |
DE19849196A1 (de) * | 1998-10-26 | 2000-04-27 | Degussa | Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen |
EP0999214B1 (de) * | 1998-11-06 | 2004-12-08 | Degussa AG | Verfahren zur Herstellung von chloridarmen oder chloridfreien Alkoxysilanen |
DE19918114C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE19918115C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
EP1085075A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-21 | Abb Research Ltd. | Treatment of hydrogen sulfide-containing gaseous compositions |
DE19963433A1 (de) * | 1999-12-28 | 2001-07-12 | Degussa | Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen |
US6368568B1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-04-09 | Stephen M Lord | Method for improving the efficiency of a silicon purification process |
DE10116007A1 (de) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen |
JP2002338203A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-27 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 低温プラズマによる水素の製造方法 |
CA2353752A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-01-25 | Precisionh2 Inc. | Production of hydrogen and carbon from natural gas or methane using barrier discharge non-thermal plasma |
JP3892794B2 (ja) * | 2002-09-04 | 2007-03-14 | 住友チタニウム株式会社 | クロロシラン及びその精製方法 |
DE10330022A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-20 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen |
CN1289421C (zh) * | 2003-07-14 | 2006-12-13 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种制造掺稀土光纤预制棒的方法 |
DE102004008442A1 (de) * | 2004-02-19 | 2005-09-15 | Degussa Ag | Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips |
DE102004025766A1 (de) * | 2004-05-26 | 2005-12-22 | Degussa Ag | Herstellung von Organosilanestern |
DE102004037675A1 (de) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid |
DE102004045245B4 (de) * | 2004-09-17 | 2007-11-15 | Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102006003464A1 (de) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
DE102007023759A1 (de) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur kontinuierlichen industriellen Herstellung von Fluoralkylchlorsilan |
DE102007007874A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007014107A1 (de) | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
DE102007050199A1 (de) | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102007050573A1 (de) | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
DE102007059170A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
DE102008004397A1 (de) | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102008004396A1 (de) | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen |
DE102008002537A1 (de) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
-
2005
- 2005-08-30 DE DE102005041137A patent/DE102005041137A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-06-06 CN CN2006800313885A patent/CN101282906B/zh active Active
- 2006-06-06 EP EP06763520.1A patent/EP1919828B1/en active Active
- 2006-06-06 US US12/065,126 patent/US8221593B2/en active Active
- 2006-06-06 WO PCT/EP2006/062916 patent/WO2007025787A1/en active Application Filing
- 2006-06-06 KR KR1020087004848A patent/KR101337146B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-06 RU RU2008111871/05A patent/RU2419484C2/ru active
- 2006-06-06 JP JP2008528440A patent/JP5001943B2/ja active Active
- 2006-06-06 BR BRPI0615608-8A patent/BRPI0615608A2/pt not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-04-16 US US13/447,703 patent/US8574505B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101282906A (zh) | 2008-10-08 |
BRPI0615608A2 (pt) | 2011-05-24 |
KR101337146B1 (ko) | 2013-12-05 |
EP1919828B1 (en) | 2016-04-27 |
WO2007025787A1 (en) | 2007-03-08 |
DE102005041137A1 (de) | 2007-03-01 |
JP5001943B2 (ja) | 2012-08-15 |
KR20080039948A (ko) | 2008-05-07 |
RU2419484C2 (ru) | 2011-05-27 |
US8574505B2 (en) | 2013-11-05 |
JP2009505937A (ja) | 2009-02-12 |
EP1919828A1 (en) | 2008-05-14 |
US8221593B2 (en) | 2012-07-17 |
US20120195804A1 (en) | 2012-08-02 |
CN101282906B (zh) | 2011-11-16 |
US20080197014A1 (en) | 2008-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2008111871A (ru) | Реактор, установка и промышленный способ для непрерывного получения высокочистого тетрахлорида кремния или высокочистого тетрахлорида германия | |
JP5114198B2 (ja) | 水素化合物を含有する四塩化珪素または四塩化ゲルマニウムを精製する方法および装置 | |
JP2008509065A5 (ru) | ||
TWI554549B (zh) | 用於製造聚矽烷之方法及裝置 | |
JPH0710519A (ja) | ジシランの製造方法及びこれに使用する反応器 | |
KR20160002830A (ko) | 실란을 제조하는 방법 및 장치 | |
Haverkamp et al. | Ozone production in a high frequency dielectric barrier discharge generator | |
TWI585040B (zh) | 製備純八氯三矽烷及十氯四矽烷之方法 | |
JP6250827B2 (ja) | 多結晶質シリコンの製造方法 | |
NO132659B (ru) | ||
RU85155U1 (ru) | Устройство для конверсии тетрахлорида кремния и напыления поликристалилического кремния | |
Jivotov | Microwave reactors for plasma chemistry |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner |