RU2006143322A - Устройство для генерирования жесткого ультрафиолетового света и его приложения к источнику жесткой ультрафиолетовой радиации для литографии - Google Patents

Устройство для генерирования жесткого ультрафиолетового света и его приложения к источнику жесткой ультрафиолетовой радиации для литографии Download PDF

Info

Publication number
RU2006143322A
RU2006143322A RU2006143322/28A RU2006143322A RU2006143322A RU 2006143322 A RU2006143322 A RU 2006143322A RU 2006143322/28 A RU2006143322/28 A RU 2006143322/28A RU 2006143322 A RU2006143322 A RU 2006143322A RU 2006143322 A RU2006143322 A RU 2006143322A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser beams
target
focusing
collection
focused
Prior art date
Application number
RU2006143322/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Бенуа БАРТО (FR)
Бенуа БАРТО
Филипп КОРМОН (FR)
Филипп КОРМОН
Пьер-Ив ТРО (FR)
Пьер-Ив ТРО
Ги ШЕЙМОЛЬ (FR)
Ги ШЕЙМОЛЬ
Мартин ШМИДТ (FR)
Мартин Шмидт
Оливье СУБЛЕМОНТЬЕ (FR)
Оливье СУБЛЕМОНТЬЕ
Original Assignee
Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr)
Коммиссариат А Л`Энержи Атомик
Алкатель Вакуум Текнолоджи Франс (Fr)
Алкатель Вакуум Текнолоджи Франс
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr), Коммиссариат А Л`Энержи Атомик, Алкатель Вакуум Текнолоджи Франс (Fr), Алкатель Вакуум Текнолоджи Франс filed Critical Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr)
Publication of RU2006143322A publication Critical patent/RU2006143322A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

1. Устройство для генерирования излучения в крайней ультрафиолетовой области (EUV), содержащее:a) группу источников лазерного излучения высокой мощности для испускания лазерных пучков (12);b) фокусирующие средства (11; 111) для фокусирования лазерных пучков (12) с формированием сфокусированных лазерных пучков (1);c) средства для создания откачанного объема с давлением менее 1 Па, по меньшей мере, в области фокусировки указанных сфокусированных лазерных пучков (1);d) элемент (2) для формирования плотной мишени (4) в области фокусировки указанных сфокусированных лазерных пучков (1), причем плотная мишень (4) способна взаимодействовать со сфокусированными лазерными пучками (1) с испусканием плазмы, по меньшей мере, одна из линий спектра испускания которой находится в крайней ультрафиолетовой области;e) принимающий элемент (3) для приема мишени (4) после ее взаимодействия со сфокусированными лазерными пучками (1);f) по меньшей мере, один первый компонент (10; 110) для сбора EUV-излучения, испускаемого мишенью (4),отличающееся тем, что имеет среднюю ось сбора EUV-излучения, перпендикулярную оси, задаваемой, по существу, линейной плотной мишенью (4), причем фокусирующие средства (11; 111) для фокусирования лазерных пучков на мишени (4) расположены так, что лазерные пучки (1) сфокусированы на боковой поверхности мишени (4), находятся в одном и том же полупространстве относительно мишени (4) и наклонены относительно указанной средней оси (6) сбора под углом (β), лежащим в интервале от приблизительно 60 до приблизительно 90°, а первый собирающий компонент (10; 110) расположен симметрично относительно средней оси (6) сбора в полупространстве, содержащем лазерные п

Claims (25)

1. Устройство для генерирования излучения в крайней ультрафиолетовой области (EUV), содержащее:
a) группу источников лазерного излучения высокой мощности для испускания лазерных пучков (12);
b) фокусирующие средства (11; 111) для фокусирования лазерных пучков (12) с формированием сфокусированных лазерных пучков (1);
c) средства для создания откачанного объема с давлением менее 1 Па, по меньшей мере, в области фокусировки указанных сфокусированных лазерных пучков (1);
d) элемент (2) для формирования плотной мишени (4) в области фокусировки указанных сфокусированных лазерных пучков (1), причем плотная мишень (4) способна взаимодействовать со сфокусированными лазерными пучками (1) с испусканием плазмы, по меньшей мере, одна из линий спектра испускания которой находится в крайней ультрафиолетовой области;
e) принимающий элемент (3) для приема мишени (4) после ее взаимодействия со сфокусированными лазерными пучками (1);
f) по меньшей мере, один первый компонент (10; 110) для сбора EUV-излучения, испускаемого мишенью (4),
отличающееся тем, что имеет среднюю ось сбора EUV-излучения, перпендикулярную оси, задаваемой, по существу, линейной плотной мишенью (4), причем фокусирующие средства (11; 111) для фокусирования лазерных пучков на мишени (4) расположены так, что лазерные пучки (1) сфокусированы на боковой поверхности мишени (4), находятся в одном и том же полупространстве относительно мишени (4) и наклонены относительно указанной средней оси (6) сбора под углом (β), лежащим в интервале от приблизительно 60 до приблизительно 90°, а первый собирающий компонент (10; 110) расположен симметрично относительно средней оси (6) сбора в полупространстве, содержащем лазерные пучки (1), сфокусированные на мишени (4), и в конической области, у которой центральная ось совпадает со средней осью (6) сбора, вершина расположена на мишени (4), а половинный угол (α) при вершине меньше угла (β) наклона сфокусированных лазерных пучков (1) относительно средней оси (6) сбора.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что элемент (2) для формирования, по существу, линейной плотной мишени (4) содержит инжектор (2) для формирования в вакууме нитевидной струи, жидкой струи, капельной взвеси или струи, состоящей из отдельных капель.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что сфокусированные лазерные пучки (1), наклоненные относительно средней оси (6) сбора, распределены по кольцу вокруг средней оси (6) сбора.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что количество сфокусированных лазерных пучков (1), содержащихся в нем, составляет от 3 до 20.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что сфокусированные лазерные пучки (1) расположены несимметрично относительно средней оси (6) сбора.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что сфокусированные лазерные пучки (1) расположены симметрично относительно средней оси (6) сбора.
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что фокусирующие средства (11; 111) обеспечивают фокусирование лазерных пучков на областях малого диаметра, составляющего 10-300 мкм.
8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что фокусирующие средства (11; 111) содержат оптические фокусирующие средства (11) для фокусирования лазерных пучков (12) высокой мощности, у которых произведение диаметра на расходимость в несколько раз больше, чем у гауссовых лазерных пучков.
9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что фокусирующие средства (111) содержат, по меньшей мере, одно зеркало.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что зеркало или зеркала выполнены из полупроводникового или металлического материала.
11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что зеркало или зеркала выполнены из кремния.
12. Устройство по п.9, отличающееся тем, что на задней поверхности зеркала или зеркал, образующих фокусирующие средства (111), расположены охлаждающие средства (112).
13. Устройство по п.9, отличающееся тем, что зеркало или зеркала, образующие фокусирующие средства (111), имеют эллипсоидальную или параболическую форму, обеспечивающую прохождение лазерных пучков (12), до их фокусировки, между элементом (2) для формирования мишени и первым собирающим компонентом (10; 110).
14. Устройство по п.7, отличающееся тем, что фокусирующие средства (11; 111) расположены внутри откачиваемого объема.
15. Устройство по п.3, отличающееся тем, что фокусирующие средства (11; 111) расположены по кольцу вокруг первого собирающего компонента (10; 110).
16. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первый собирающий компонент (10) содержит стопу из диэлектрических элементов, изготовленных из Мо и Si, функционирующую при нормальном падении излучения.
17. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первый собирающий компонент (110) содержит оптический элемент, функционирующий при скользящем падении излучения и имеющий поверхность из золота, рутения или палладия.
18. Устройство по п.17, отличающееся тем, что первый собирающий компонент (110) содержит первый и второй собирающие элементы (110а, 110b), вложенные один в другой.
19. Устройство по п.18, отличающееся тем, что первый и второй вложенные собирающие элементы (110а, 110b) имеют форму эллипсоидов вращения вокруг средней оси (6) сбора.
20. Устройство по п.18, отличающееся тем, что первый вложенный собирающий элемент (110а) является внутренним элементом, имеющим форму эллипсоида вращения вокруг средней оси (6) сбора, а второй вложенный собирающий элемент (110b) является внешним элементом, имеющим, начиная от его конца, обращенного к мишени (4), сначала форму гиперболоида вращения, а затем форму эллипсоида вращения.
21. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно содержит второй собирающий компонент (210), расположенный симметрично относительно средней оси (6) сбора в определяемом мишенью (4) полупространстве, не содержащем лазерных пучков (1), сфокусированных на мишени (4).
22. Устройство по п.21, отличающееся тем, что второй собирающий компонент (210) содержит зеркало, функционирующее при нормальном падении пучков и содержащее многослойную стопу со сферической поверхностью.
23. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выполнено с возможностью генерирования излучения в крайней ультрафиолетовой области с длинами волн в интервале от 1 до 15 нм.
24. Устройство по любому из пп.1-23, отличающееся тем, что выполнено с возможностью использования в приборе для литографии на полупроводниковых подложках в качестве источника излучения в крайней ультрафиолетовой области с длиной волны около 13,5 нм.
25. Устройство по любому из пп.1-23, отличающееся тем, что мишень изготовлена из материала, способного к испусканию излучения с длинами волн в интервале от 2,3 до 4,4 нм, причем освещенность в области фокусировки лазерных пучков составляет от 1013 до 1015 Вт/см2, а устройство содержит средства для прикрепления и подсоединения к прибору для микроскопии или томографии, работающему в крайней ультрафиолетовой области.
RU2006143322/28A 2004-06-14 2005-06-14 Устройство для генерирования жесткого ультрафиолетового света и его приложения к источнику жесткой ультрафиолетовой радиации для литографии RU2006143322A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0406429A FR2871622B1 (fr) 2004-06-14 2004-06-14 Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
FR0406429 2004-06-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2006143322A true RU2006143322A (ru) 2008-07-20

Family

ID=34946881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006143322/28A RU2006143322A (ru) 2004-06-14 2005-06-14 Устройство для генерирования жесткого ультрафиолетового света и его приложения к источнику жесткой ультрафиолетовой радиации для литографии

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7399981B2 (ru)
EP (1) EP1800188B1 (ru)
JP (1) JP2008503078A (ru)
KR (1) KR20070058386A (ru)
CN (1) CN100541336C (ru)
AT (1) ATE394708T1 (ru)
DE (1) DE602005006599D1 (ru)
FR (1) FR2871622B1 (ru)
RU (1) RU2006143322A (ru)
WO (1) WO2006000718A1 (ru)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7439530B2 (en) * 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7034320B2 (en) * 2003-03-20 2006-04-25 Intel Corporation Dual hemispherical collectors
US7482609B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
EP2083327B1 (en) * 2008-01-28 2017-11-29 Media Lario s.r.l. Improved grazing incidence collector optical systems for EUV and X-ray applications
EP2083328B1 (en) * 2008-01-28 2013-06-19 Media Lario s.r.l. Grazing incidence collector for laser produced plasma sources
JP5368764B2 (ja) * 2008-10-16 2013-12-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及び極端紫外光の生成方法
EP2182412A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-05 ASML Netherlands B.V. Radiation source and lithographic apparatus
DE102009047712A1 (de) * 2009-12-09 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lichtquelle für eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
EP2534672B1 (en) 2010-02-09 2016-06-01 Energetiq Technology Inc. Laser-driven light source
US8587768B2 (en) 2010-04-05 2013-11-19 Media Lario S.R.L. EUV collector system with enhanced EUV radiation collection
DE102010028655A1 (de) 2010-05-06 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
US8258485B2 (en) * 2010-08-30 2012-09-04 Media Lario Srl Source-collector module with GIC mirror and xenon liquid EUV LPP target system
US20120050706A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Media Lario S.R.L Source-collector module with GIC mirror and xenon ice EUV LPP target system
US20120050707A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Media Lario S.R.L Source-collector module with GIC mirror and tin wire EUV LPP target system
DE102010047419B4 (de) * 2010-10-01 2013-09-05 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von EUV-Strahlung aus einem Gasentladungsplasma
KR101958857B1 (ko) 2011-09-02 2019-03-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스
US9516732B2 (en) 2011-09-02 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Radiation source
DE102013002064A1 (de) 2012-02-11 2013-08-14 Media Lario S.R.L. Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle
CN103079327B (zh) * 2013-01-05 2015-09-09 中国科学院微电子研究所 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置
US9127981B2 (en) * 2013-08-06 2015-09-08 Cymer, Llc System and method for return beam metrology with optical switch
IL234729B (en) 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer
IL234727B (en) 2013-09-20 2020-09-30 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned
US9723703B2 (en) * 2014-04-01 2017-08-01 Kla-Tencor Corporation System and method for transverse pumping of laser-sustained plasma
US10186416B2 (en) 2014-05-15 2019-01-22 Excelitas Technologies Corp. Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp
WO2015175760A1 (en) 2014-05-15 2015-11-19 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp
US9741553B2 (en) 2014-05-15 2017-08-22 Excelitas Technologies Corp. Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps
KR102211898B1 (ko) * 2014-11-27 2021-02-05 삼성전자주식회사 노광 장치용 액체 누출 감지 장치 및 방법
US10034362B2 (en) * 2014-12-16 2018-07-24 Kla-Tencor Corporation Plasma-based light source
WO2016148608A1 (ru) * 2015-03-16 2016-09-22 Игорь Георгиевич РУДОЙ Источник широкополосного оптического излучения с высокой яркостью
US9576785B2 (en) 2015-05-14 2017-02-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single CW laser driven xenon lamp
US10008378B2 (en) 2015-05-14 2018-06-26 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with improved stability
US10057973B2 (en) 2015-05-14 2018-08-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp
CN104914680B (zh) * 2015-05-25 2017-03-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于溶胶射流靶的lpp‑euv光源系统
DE102016205893A1 (de) * 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
RU2658314C1 (ru) * 2016-06-14 2018-06-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс" Высокояркостный источник эуф-излучения и способ генерации излучения из лазерной плазмы
US9996009B2 (en) 2016-07-27 2018-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) exposure system and method of manufacturing semiconductor device using the same
US10959318B2 (en) * 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
US10109473B1 (en) 2018-01-26 2018-10-23 Excelitas Technologies Corp. Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same
US20200235544A1 (en) * 2019-01-22 2020-07-23 Coherent, Inc. Diode-pumped solid-state laser apparatus for laser annealing
US11086226B1 (en) * 2020-06-03 2021-08-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography
RU2765486C1 (ru) * 2021-06-07 2022-01-31 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Термоядерная мишень непрямого инициирования
CN113433805B (zh) * 2021-07-26 2023-04-14 广东省智能机器人研究院 极紫外光光刻方法和系统
CN113433804B (zh) * 2021-07-26 2023-04-14 广东省智能机器人研究院 极紫外光光刻方法和系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063088A (en) * 1974-02-25 1977-12-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of and means for testing a glancing-incidence mirror system of an X-ray telescope
US4704718A (en) * 1985-11-01 1987-11-03 Princeton University Apparatus and method for generating soft X-ray lasing action in a confined plasma column through the use of a picosecond laser
JPH0675200B2 (ja) * 1990-05-18 1994-09-21 株式会社オーク製作所 露光装置用冷却構造
JP4174970B2 (ja) * 1998-05-29 2008-11-05 株式会社ニコン レーザ励起プラズマ光源、露光装置及びその製造方法、並びにデバイス製造方法
US6307913B1 (en) * 1998-10-27 2001-10-23 Jmar Research, Inc. Shaped source of soft x-ray, extreme ultraviolet and ultraviolet radiation
US6831963B2 (en) * 2000-10-20 2004-12-14 University Of Central Florida EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
FR2802311B1 (fr) * 1999-12-08 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif de lithographie utilisant une source de rayonnement dans le domaine extreme ultraviolet et des miroirs multicouches a large bande spectrale dans ce domaine
FR2823949A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US6633048B2 (en) * 2001-05-03 2003-10-14 Northrop Grumman Corporation High output extreme ultraviolet source
JP3944008B2 (ja) * 2002-06-28 2007-07-11 キヤノン株式会社 反射ミラー装置及び露光装置及びデバイス製造方法
TWI242690B (en) * 2002-08-15 2005-11-01 Asml Netherlands Bv Reflector assembly, lithographic projection apparatus, radiation system with the reflector assembly, and method of manufacturing an integrated structure by a lithographic process
US6973164B2 (en) * 2003-06-26 2005-12-06 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement
EP1658615B1 (de) * 2003-08-27 2009-10-14 Carl Zeiss SMT AG Schiefspiegliges normal-incidence-kollektorsystem für lichtquellen, insbesondere euv-plasmaentladungsquellen

Also Published As

Publication number Publication date
FR2871622A1 (fr) 2005-12-16
KR20070058386A (ko) 2007-06-08
EP1800188A1 (fr) 2007-06-27
DE602005006599D1 (de) 2008-06-19
ATE394708T1 (de) 2008-05-15
US20060039435A1 (en) 2006-02-23
EP1800188B1 (fr) 2008-05-07
FR2871622B1 (fr) 2008-09-12
CN101019078A (zh) 2007-08-15
US7399981B2 (en) 2008-07-15
CN100541336C (zh) 2009-09-16
WO2006000718A1 (fr) 2006-01-05
JP2008503078A (ja) 2008-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006143322A (ru) Устройство для генерирования жесткого ультрафиолетового света и его приложения к источнику жесткой ультрафиолетовой радиации для литографии
US6590959B2 (en) High-intensity sources of short-wavelength electromagnetic radiation for microlithography and other uses
KR101843701B1 (ko) 레이저 구동 광원
JP4320999B2 (ja) Ｘ線発生装置及び露光装置
TW469756B (en) Plasma focus high energy photon source
TWI252377B (en) Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
EP1475807B1 (en) High efficiency collector
EP2172962B1 (en) Exposure device
TWI287236B (en) Soft X-ray light source apparatus, EUV exposure apparatus, and illumination method
US20110249436A1 (en) High brightness illumination device using double-sided excitation of wavelength conversion materials
US7034320B2 (en) Dual hemispherical collectors
KR20150080915A (ko) 자외선 발광 모듈 및 자외선 조사 장치
TWI262362B (en) Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus
TW201237565A (en) Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method
US20110309271A1 (en) Spectral purity filter and extreme ultraviolet light generation apparatus provided with the spectral purity filter
US6633048B2 (en) High output extreme ultraviolet source
JP2000299197A (ja) Ｘ線発生装置
US9992856B2 (en) Solution for EUV power increment at wafer level
JP2001035688A (ja) 軟ｘ線発生装置及びこれを備えた露光装置及び軟ｘ線の発生方法
RU2808771C1 (ru) Мощный источник направленного экстремального ультрафиолетового излучения c длиной волны 9 - 12 нм для проекционной литографии высокого разрешения
JP2009105399A (ja) Ｅｕｖ放射線を生成するための配列装置
JP2004127641A (ja) Ｘ線発生装置
JPH05180991A (ja) Ｘ線光学系
JP2007208100A (ja) 極端紫外光または軟ｘ線領域の短波長光光源装置および極端紫外光または軟ｘ線領域の短波長光発生方法
JP2012038546A (ja) レーザ駆動光源

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20080616