CN101019078A - 产生远紫外光的设备以及对远紫外辐射光刻光源的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于在激光束(1)聚焦的真空空间内产生基本上线性的靶(4)的设备(2)，该靶能够通过与聚焦的激光束(1)相互作用而发射等离子体，该等离子体发射远紫外辐射。接收设备(3)在靶(4)与聚焦的激光束(1)相互作用之后接收靶(4)，同时收集设备(110)收集由靶(4)发射的EUV辐射。将激光束聚焦在靶(4)上的元件(11)被布置成使得通过使激光束(1)位于相对于靶(4)的公共半空间内并通过相对于垂直于靶(4)的中间收集轴(6)倾斜大约60°至90°之间的预定角度而使得激光束(1)侧向聚焦在靶(4)上。收集设备(110)相对于中间收集轴(6)对称布置在包含聚焦在靶(4)上的激光束(1)的半空间内，且在中间收集轴(6)为中心的锥形空间(8)内，该锥形空间(8)的顶点位于靶(4)上，且顶点处的半角小于相对于该中间收集轴(6)的聚焦的激光束(1)的倾斜角度。该设备适于用作在光刻中用于EUV辐射的光源，用于制造集成电路。

Description

产生远紫外光的设备以及对远紫外辐射光刻光源的应用
技术领域
本发明涉及一种用于产生远紫外区中的光的设备，并且涉及该设备对于利用远紫外辐射的光刻源的应用，尤其用于制造集成电路。
下面的描述中，远紫外区域(典型地覆盖处于1纳米(nm)至15nm范围内的波长)内的辐射也被更简单地称为“EUV”辐射。
背景技术
光刻法在集成电路的制造方面已经处于统治地位几十年。经过持续的发展，该技术已经能够通过制造日益精细分辨率的集成电路而适应市场需要。分辨率方面的改进已经主要通过利用更短的波长而获得。
因此，60年代，在微电子时期开始时，使用汞灯，最初波长为436nm，后来波长为365nm。20世纪90年代受激准分子激光器接替了汞灯。在248nm的KrF激光器产生之后，目前的实践中是使用发射193nm波长的ArF受激准分子激光器，由此有可能获得大约130nm的笔画宽度(strokes of width)，也被称为“极限”尺寸。
尽管在过去极限尺寸比所使用的波长长，但是自20世纪90年代中期以来随着技术窍门(trick)的引进，目前光刻已经能够产生尺寸比所使用的波长短得多的蚀刻图案。尤其是，所提及之事涉及利用干涉技术、越来越完善的掩模以及越来越精确的投射光学。与表现目前标准的110nm相比，目前正设想利用短于50nm的极限尺寸制造集成电路。
为了获得具有小于50nm的细度(fineness)的蚀刻，已经提议使用发射13.5nm波长辐射的源，以至少7千赫兹(KHz)的高重复率，在EUV区域引入光刻。通常，通过产生被加热至20电子伏特(eV)至40eV量级的合适的电子温度的等离子体而获得EUV发射。这种源被称为“热的”。在产生这种等离子体的研究中的一种可能性是利用在真空中聚焦在靶(target)上的一个或多个激光束。这个概念被称为“激光产生等离子体光源”或LPP光源。
为了拥有适合于工业用途的EUV光源，仍然需要确保其平均EUV功率水平是有用的，即该功率对于光刻真正有用，并易于在收集和传输EUV辐射中产生非常高的损耗，约为100瓦特。已经进行了大量研究来增加对于下一代光刻转发器(repeater)有用的来自LPP光源的EUV功率。这个研究已经特别导致激光和靶之间的耦合方面的改善，增加了由产生的EUV功率与消耗的电功率之比限定的光源效率，并且最终使收集EUV辐射的效率最优化。为了获得足够的EUV功率，已经确定需要射入大大超过10千瓦(kW)的非常高的平均激光功率。激光功率方面的这种增加必须与保持激光与靶的耦合效率兼顾(激光的空间性质必须不随激光功率的增加而受到可损害)，并同时保持对收集由等离子体发射的EUV辐射的最大效率。
EUV光源功率的增加是光刻中这种光源的耐久性的关键点。
欧洲专利文献EP 1 319 988 A2提出了结合多个EUV光源以获得较高功率的光源，但是这种类型的解决方案很大地增加了成本。
对于通过激光激发(LPP光源)产生等离子体的EUV光源而言，通过增加激光功率(例如利用红外线激光器)来增加EUV光源的功率是可行的。通常，射至靶上的激光功率能够通过使用振荡器和一个或多个放大器而得以增加。这导致了复杂的、昂贵的且在将电转换为光时通常表现出低效率的激光器的增长。
为了收集或多或少的由等离子体发射的均质(isotropic)EUV辐射，欧洲专利文献EP 1 255 163 A2提出了具有两个激光束的设备，这两个激光束通过第一收集元件中的两个不同的开口，第一收集元件是在正入射方向具有大数值孔径且靠近发射的等离子体设置的镜子。然而，这种类型的设备仅具有70％的最大反射率，这导致大量辐射被吸收，且因此导致高水平的热应力。另外，该设备存在有限的寿命，这是因为多个精细(fine)层的堆叠经受不住由等离子体给出的大量碎片(debris)。
对于通过在“放电产生等离子体光源”(DPP光源)中放电产生等离子体的EUV光源，国际专利申请WO01/99143描述了在掠入射时利用防碎片过滤器操作的EUV辐射收集器的一个可能的实施方式。该类型的设备通常不用于LPP光源。
发明内容
本发明的一个目标是消除现有技术的缺陷且使LPP型EUV辐射源能够以高平均功率制成。
本发明更特别寻求使多个激光束能够被同时使用以大大增强入射激光功率，同时保存在收集EUV辐射方面有效的设备，并且同时限制制造和使用方面的成本。
这些目标通过用于产生远紫外区内的光的设备而实现，该设备包括：
a)多个功率激光源，用于发射多个激光束；
b)聚焦装置，用于聚焦激光束以产生聚焦的激光束；
c)用于产生真空空间的装置，其至少在所述聚焦的激光束被聚焦的区域内具有低于1帕(Pa)的压强；
d)用于在所述聚焦的激光束被聚焦的所述空间内产生密集靶的设备，该密集靶适于与所述聚焦的激光束相互作用以发射在远紫外区内拥有至少一个发射线的等离子体；
e)接收设备，用于在其已经与所述聚焦的激光束相互作用之后接收该靶；以及
f)至少一个第一设备，用于收集由该靶发射的EUV辐射；
该设备的特征在于：它具有用于EUV辐射的中间(mean)收集轴，该中间收集轴垂直于由实质上线性的密集靶限定的轴；其特征在于，用于将激光束聚焦到该靶上的聚焦装置以这样的方式设置：激光束侧向聚焦在该靶上同时处于相对于该靶的公共半空间内，且同时相对于所述中间收集轴倾斜于预定角度，该预定角度处于大约60°至大约90°的范围内；并且其特征在于，所述第一收集设备关于所述中间收集轴对称布置在包含聚焦至该靶上的激光束的半空间内，且处在以该中间收集轴为中心的锥形空间内，该锥形空间的顶点处于该靶上，且该顶点处的半角小于聚焦的激光束相对于该中间收集轴的入射角度。
用于产生实质上线性的密集靶的设备可包括喷嘴设备，用于在真空内产生丝状喷射、流体喷射、或者微滴的薄雾。
该靶也可有利地通过由与激光脉冲同步的快速连续的单独的微滴形成喷射而构成。这种解决方案使得保留丝状喷射优点的同时限制引入真空封闭区的材料的数量成为可能。
有利地是，相对于该中间收集轴倾斜的该聚焦的激光束布置在围绕所述中间收集轴的环内。
如果所使用的激光源的数目过大，则倾斜的聚焦激光束也可分布在围绕该中间收集轴的多个环内。
聚焦的激光束的数目大于或等于2，优选处于3至20的范围内。
聚焦的激光束可相对于包含中间收集轴的平面以对称的方式(例如，两组五个聚焦的激光束)或者以不对称的方式(例如，一侧上的一组四个聚焦的激光束，以及另一侧上的另一组两个聚焦的激光束)布置。
聚焦装置以这样的方式设计，即，产生在处于大约20微米(μm)至300μm范围内的小直径上聚焦的激光束。
然而，在本发明对于水传输窗口中的EUV显微镜和/或层析成象的应用中，即在2.3nm至4.4nm范围内，可执行聚焦以便实现小至大约10μm的最小直径。这使得显微镜的空间分辨率能够得以增加。
在特定的实施方式中，聚焦装置包括用于聚焦多个功率激光束的光学聚焦装置，该功率激光束表现出的由发散度乘以直径的乘积比高斯激光束的该乘积大数倍。
有利地是，该聚焦装置包括至少一个镜子，该镜子可有利地由金属或诸如硅的半导体材料制成。
在这种情况下，冷却装置可布置在构成聚焦装置的镜子的背面。
根据有利的特性，构成聚焦装置的镜子是椭圆面或双曲面形状，使激光束能够在聚焦之前通过靶生成设备和第一收集设备之间。
优选地，聚焦装置布置在围绕第一收集设备的一个或更多环内。
在第一个可能的实施例中，第一收集设备包括在正入射处包含Mo/Si绝缘体的多层堆叠的设备。
在另一个可能的实施方式中，第一收集设备在掠入射处包括光学设备，该光学设备呈现金、钌或钯的表面。
在这种情况下，第一收集设备可包括第一和第二交替式(interleaved)收集元件。
在第一变体中，第一和第二交替式收集元件的每一个均呈现出围绕中间收集轴旋转的椭圆面形状。
在另一变体中，第一交替式收集元件是呈现出围绕中间收集轴旋转的椭圆面形状的内部元件，同时第二交替式收集元件是一外部元件，该外部元件从面向靶的一端开始接连呈现出：旋转的双曲面形状而后是旋转的椭圆体形状(Wolter透镜)。
本发明的设备还可包括第二收集设备，其相对于中间收集轴对称设置在由靶限定且不包括聚焦在靶上的激光束的半空间内。
在这种情况下，并且有利的是，第二收集设备包括具有球面的多层堆叠的正入射镜子。
附图说明
本发明的其它特征和优点由下面作为例子给出的特定实施方式的描述参考附图而显现，其中：
图1是在包含中间收集轴的平面上的图解剖面图，示出了用于将多个功率激光束聚焦至靶上的设备的实施例，适用于供本发明产生EUV光的设备使用；
图2是在图l的垂直于中间收集轴的II-II平面上的图解视图，示出了用于聚焦以对称的方式分布在环内的十个功率激光束的设备；
图3是类似于图1的图解视图，示出了来自靶的有用的EUV光发射锥形区，聚焦的激光与该靶相互作用；
图4是类似于图3的图解视图，示出了具有正入射的EUV辐射收集设备的第一实施例的实施；
图5是类似于图3的图解视图，示出了具有掠入射和两个交替式收集元件的EUV辐射收集设备的第二实施例的实施；
图6示出了两条曲线的图示，该曲线分别对于椭圆面形状单个收集元件和对于双曲面+椭圆面形状的另外的第二收集元件(相应于Wolter透镜)给出了作为相对于EUV收集器表面的入射角的函数的反射率；
图7是包含该设备的中间收集轴的平面上的图解视图，示出了本发明的EUV光生成设备的实施例，其包括位于靶两侧的两个不同的EUV辐射收集器，聚焦的激光与该靶相互作用；以及
图8是包含该设备的中间收集轴的平面上的图解视图，示出了本发明利用镜子聚焦装置的EUV光生成设备的特定实施方式。
具体实施方式
图1示出了适于产生构成靶4的丝状喷射或流体微射流或单独的微滴(例如，诸如氙的液化稀有气体的微滴，或例如锂或锡的真正的金属微滴)的喷射的喷嘴设备2。通过喷嘴设备2在真空中产生的喷射通过接收设备3重新获得。
图1示出了由诸如透镜、衍射光学设备(例如光栅)或真正的镜子的聚焦装置11聚焦到靶4上的两个功率激光束1。
该发明利用大量大于或等于2的聚焦的功率激光束1。图1中所示的两个聚焦的激光束1的每一个均相对于该设备的中间收集轴6倾斜一角度β，该角度β处于大约60°至大约90°的范围内。通常，对于聚焦在靶4上的激光束1的侧面的通路(lateral approach)使能够使所产生的EUV辐射获得更好地收集。
图1示出了由每个单独的激光束1所产生的EUV发射区5。通常，这个EUV发射5向相应的入射激光束1集中，但是这个EUV发射可以非常均匀，尤其是如果利用丝状喷射型或微滴喷射型的靶4。
如图1中所示，当两个激光束1侧向聚焦在靶4上，相对于垂直于靶4的中间收集轴6形成角度β时，产生EUV发射区5的两个聚焦的光束1的每一个产生总的EUV发射参考7，其沿着中间收集轴6呈现出最大值。
图2相应于图1的II-II面上的横截面，示出了布置在关于中间收集轴6(其垂直于图2的该平面)对称的环内的一组十个激光束。所有激光束1都会聚在靶4上，该靶4相对于图2的平面稍微倾斜。这些激光束可分布在多个同心环上。它们也可以关于包含中间收集轴6的平面以不对称的方式布置。因此，有可能例如在一侧上具有两个激光束而在另一侧上具有四个激光束。
能够观察到所得到的发射7能够根据每个单独的激光束是否充分地照亮靶4以产生EUV，或者是否仅多个激光束的重叠使得获得用于EUV发射的最优照明成为可能而不同。在这两种情况下，发射最大值沿着轴6的方向发生，但是在第二种情况(需要重叠)下发射关于中间收集轴6更加集中。
图3示出了锥形区8，当利用图1和图2中所示种类的发射设备时，该锥形区8真正易于收集EUV辐射7。锥形区8的顶点在激光束1聚焦在靶4上的区域中，且设备的中间收集轴6作为锥形区8的轴，由于激光束1相对于中间收集轴6存在处于60°至90°范围内的倾斜角度β，所以在该锥形区8的顶点处存在构成大的可能的收集角度(可能超过60°)的半角α。作为例子，倾斜角度β可等于75°。
用于收集由与靶4相互作用的聚焦的激光束1产生的EUV辐射的设备可设计成拾取以相对于设备的中间收集轴6处于0至α范围内的角度γ方向的辐射9。
图4示出了EUV辐射收集器10的第一实施例，该EUV辐射收集器10关于中间收集轴6对称布置在包含聚焦在靶4上的激光束1且在锥形空间8内的半空间(相对于靶4)内。在图4的实施例中，EUV辐射收集器10包括在正入射处由Mo和Si的多层绝缘体堆叠制成的设备。
多层绝缘体堆叠在正入射处表现出70％的最大反射率和±10°的角度接受度，即大于10°的入射角度的射线具有小于20％的反射率。
图5示出了EUV辐射收集器110的第二实施例，该EUV辐射收集器110呈现超出图4中所示的收集器10一定数量的优势。
收集设备110也可关于中间收集轴6对称布置在包含聚焦在靶4上的激光束1的相对于靶4且在锥形空间8内的半空间内。
在图5中，EUV辐射收集器110处于掠入射，且使获得的反射率大于具有类似接受角度的收集器10的反射率。
有利的是，对于掠入射的收集器110，利用关于中间收集轴6对称的第一和第二交替式收集元件110a、110b是可行的。
在第一变体实施方式中，两个收集元件110a、110b的每一个均为关于中间收集轴6旋转的椭圆面形式。在这些情况下，收集器110对于收集由等离子体发出的且使得相对于收集器的中间收集轴6的角度小于大约50°的EUV射线是有效率的。
为了计算取决于孔径的收集效率，足以将用于收集器表面的等式与用作掠射角函数的材料的反射率方面给出变化的曲线相结合。在图3中，γ表示由EUV光源发射的射线9相对于中间收集轴6构成的角度。
图6中的曲线E示出了对于包含由钌制成的旋转的椭圆面类型的收集器而言，反射率怎样随着EUV发射和收集器的中间收集轴6之间的角度γ的函数变化。这条曲线E表示收集使角度γ处于0°至50°范围内的EUV发射是可行的。然而，仅25％的50°角处射出的EUV射线被收集。
为了增加大于40°的角度γ处射出的射线的收集，将由收集器以旋转的椭圆面形式构成的内部元件110a与由Wolter透镜构成的外部元件110b相关联是可行的。Wolter透镜是旋转的双曲面(双曲线部分在图5中元件110b的左侧)和旋转的椭圆面(在图5中元件110b的右侧)的结合。大于40°的角度γ处的来自点光源的射线在双曲面上被反射，然后在椭圆面上被反射，即，在元件110b上有两次反射。这种设备在美国专利No.4063 088中可获知。Wolter透镜的优点在于以小的掠射角发生两次反射，其中材料的反射率为其最大反射率(典型地为90％)。
图6中的曲线H示出了由椭圆面收集元件110a与结合了双曲面和椭圆面的收集元件110b相关联而获得的反射率。这种收集器关联使得有可能显著增加被收集EUV射线的百分比。这表示高效率地收集在大于60°的角度γ处发出的射线是可行的。然而，收集对大于70°的角度变得相对效率较低。
应该观察到，类似收集器110的掠入射EUV收集器在用于LPP光源的情况下，表现出使得在真空腔和由收集器110自身形成的腔之间能够使用差动泵的优点，在该真空腔中产生靶形成喷射4。差动泵使得有可能在由收集器形成的封闭区内具有更好质量的真空，并且这对于传输EUV辐射然后被真正使用EUV辐射，尤其用于光刻应用是非常有利的。
在本发明结合参考图2和5所示的特征的实施方式中，利用光学设备11聚焦呈现出大数值孔径的激光束是可行的。
这是必要的，首先为了利用功率激光，该功率激光常具有比高斯激光束大几倍的由发散度乘以直径的乘积(M2)，其次为了使激光束以小直径(典型地在10μm至300μm范围内)聚焦的目的，且为了实现1011瓦特每平方厘米(W/cm2)至1015(W/cm2)量级的照明，其对于获得需要的等离子体温度是必要的。
然而，该发明的设备并不局限于大约13.5nm的EUV光刻应用。也可提供给需要稍微不同的波长、尤其是较短波长的设备，只要对于与任何熟知的不连续或变更尺度无关的各种物理现象而言，所选择的工作频率足够接近用于EUV光刻的范围。
因此，例如，远紫外区内的显微镜和层析成象构成对于该发明的远紫外光发生设备的其它应用。其利用甚至更短的波长，尤其相应于水中传输窗口位于2.3nm至4.4nm范围内。产生的波长比用于EUV光刻的波长短，并能够仅仅通过选取一些其它用于靶的发射材料，诸如氮、氧或碳，以及通过增加激光聚焦到1013W/cm2至1015W/cm2量级的值时的照明而实现。经验显示在这种情况下，等离子体所要求的温度Te为40eV至200eV量级。
以这种方式获得的设备的特征在于靶由适于发射处于2.3nm至4.4nm范围内的波长的材料构成，特征在于，激光聚焦处的照明具有1013W/cm2至1015W/cm2量级的值，并且特征在于，其包括紧固件和接合装置，用于连接至在远紫外区工作的显微镜或层析成象装置。
大孔径光学聚焦系统11因此能够使多个光束在三维空间合并。在这种情况下，来自激光源的多个光束通过相同的光学元件，从而以相同的方式聚焦到相同的点上。
如上所述，光学聚焦装置可以是透镜、镜子或诸如光栅的折射光学系统。镜子的使用在温度管理方面表现出一定优势，因为镜子能够经由其后表面而有效冷却。这对于仅适于经由其边缘进行冷却的折射光学装置(透镜)或衍射光学装置(光栅)是不可能的。
图7示出了第二特定实施例，其中不仅参考图5所描述类型的收集设备110被实现，且被布置在包含聚焦激光束1(图7中聚焦到靶4的右方)的半空间内，而且也利用了另外的收集设备210，该收集设备210关于对称轴6对称布置在不包含聚焦的激光束1(图7中聚焦到靶4的左方)的半空间内。
作为例子，另外的收集器210可以是具有球面的包括多层堆叠的正入射镜子。向着这个镜子210的EUV辐射由此被反射到收集器110的元件110a、110b中。
另外的收集器210仅利用正入射处的射线(来自曲率中心的射线随后被反射回所述曲率中心)操作，由此使得总是具有70％的反射率成为可能。同样，其遭受来源于在喷射设备2的出口处形成的碎片的较小的损害，因为这种碎片主要向着激光束1传播。
图7中所示的实施方式具有位于靶4与聚焦的激光束1相同侧的第一掠入射收集器110，和位于靶4与聚焦的激光束1相反侧的第二正入射收集器210，由此构成从收集EUV辐射的有效性的观点出发是最优化的实施方式。
通过利用射线追踪软件，对于各种类型的收集器，确定传输到第二聚焦或者中间聚焦(构成由收集系统制得的收集光源的图像)的EUV功率。其执行的计算考虑作为射线入射角的函数的表面的反射率方面的变化。利用钌层获得极好的结果。
利用聚焦的激光束侧向追踪靶4使得有可能避免对收集角度的限制，同时仍然具有在与第一收集器10或110所限定的相同的半空间内聚焦的激光束。激光束1相对于收集器10或110的轴6的入射角度由此大约处于60°至90°的范围内。
利用侧向追踪的另一优点在于利用足够远离等离子体的光学聚焦系统，以确保其功能不被等离子体扰乱。实质上首先应限制光学聚焦系统被加热的程度，其次是它们受到损害的程度。等离子体是主要的热源也是损坏邻近表面的带电离子源。
图8示出了一特定实施方式，其中聚焦装置包括镜子111。
作为例子，镜子表面111可以是图8中所示的椭圆面形式。这种镜子111首先用于使激光束1以典型地为50μm的小直径聚焦，其次用于减小先前聚焦的激光束的尺寸。通常，激光束在聚焦之前被准直。然而，准直的激光束的使用与实施本发明的EUV光源不相适应，由于该光束可以是大直径的且被该光源的多种元件占据的空间并未留出用于通过准直光束的空间。能够产生靶4的结构、收集EUV能量的结构、以及用于在光源封闭区内获得真空的结构并未使激光束1得到通向靶4的通路变得容易。相反，椭圆面形状的镜子111使得来自激光源13且在聚焦之前的激光束12在收集器110的组成部分和用于产生靶4的元件2、3之间通过变得容易。
镜子111也表现出适于利用冷却装置112经由其背面进行冷却的优点，由此能够使其温度稳定且保持其特性(不同于折射或衍射光学系统)。
光学聚焦系统可位于围绕收集器110(称为“三角架(spider)”构造)的环内。
围绕收集器10、110的环布置表现出引进关于由EUV收集器10、110限定的轴6圆对称的大量激光束1的优点。这种对称性使得对于照明并因此对于EUV发射在三维空间获得良好的均匀性成为可能，该均匀性是很重要的标准，尤其对于光刻源。为了与已经开发的那种掩模照明器相适应，这种圆对称性在中间聚焦时是必需的。
本发明提供用于制得高平均功率LPP型EUV光源的多个激光束的优化聚焦，能够使入射激光功率大大增加，且能够使EUV辐射以与使用单个激光束时一样高的效率收集，而有效可用的EUV辐射收集角度不会由于用于聚焦多种激光束的光学装置的存在而减小。
所使用的激光束的数量大于或等于2，且优选处于3至20的范围内。
该发明的设备有利地用应用为远紫外区域内的光源，用于执行半导体衬底光刻的装置。
真空中用于产生诸如丝状喷射、流体喷射、微滴的薄雾或者单独微滴的喷射的靶4的设备2可依据例如专利文献WO02/085080和WO01/30122中所描述的实施方式。
出于简化的目的，图8并未直接示出功率激光源，但是附图标记13表示用于将光束传输到聚焦镜子111的光学系统的中间聚焦。
选择利用由金属或半导体材料制得的镜子111使得在热传导和膨胀系数之间实现良好的折中成为可能。
该发明的设备适合于产生在1nm至15nm范围内远紫外区中的辐射。

Claims (25)

1.一种用于产生远紫外区(EUV)中的光的设备，该设备包括：
a)多个功率激光源，用于发射多个激光束(12)；
b)聚焦装置(11；111)，用于聚焦激光束(12)以产生聚焦的激光束(1)；
c)用于产生真空空间的装置，其至少在所述聚焦的激光束(1)聚焦的区域内具有低于1Pa的气压；
d)用于在所述聚焦的激光束(1)聚焦的所述空间内产生密集靶(4)的设备(2)，该密集靶(4)适于与所述聚焦的激光束(1)相互作用以发射在远紫外区内拥有至少一条发射线的等离子体(7)；
e)接收设备(3)，用于在其已经与所述聚焦的激光束(1)相互作用之后接收该靶(4)；以及
f)至少一个第一设备(10；110)，用于收集由该靶(4)发射的EUV辐射；
该设备的特征在于：其具有用于EUV辐射的中间收集轴，该中间收集轴垂直于由实质上线性的密集靶(4)限定的轴；其特征在于，用于将激光束聚焦到该靶(4)上的聚焦装置(11；111)以这样的方式设置：激光束(1)侧向聚焦在该靶(4)上同时处于相对于该靶(4)的公共半空间内，且同时相对于所述中间收集轴(6)倾斜预定角度(β)，该预定角度(β)处于大约60°至大约90°的范围内；并且其特征在于，所述第一收集设备(10；110)关于所述中间收集轴(6)对称布置在包含该聚焦在该靶(4)上的该激光束(1)的该半空间内，且在以该中间收集轴(6)为中心的锥形空间内，该锥形空间的顶点处于该靶(4)上，且该顶点处的半角(α)小于该聚焦的激光束(1)相对于该中间收集轴(6)的入射角度(β)。
2.根据权利要求1的设备，其特征在于：用于产生实质上线性的密集靶(4)的该设备(2)包括喷嘴设备(2)，用于在真空内产生丝状喷射、流体喷射、或者微滴的薄雾、或者单独微滴的喷射。
3.根据权利要求1或权利要求2的设备，其特征在于：相对于该中间收集轴(6)倾斜的该聚焦的激光束(1)布置在围绕该中间收集轴(6)的环内。
4.根据权利要求1至3的任意一个的设备，其特征在于：其中包括的该聚焦的激光束(1)的数目处于3至20的范围内。
5.根据权利要求1至4的任意一个的设备，其特征在于：该聚焦的激光束(1)以关于该中间收集轴(6)不对称的方式布置。
6.根据权利要求1至4的任意一个的设备，其特征在于：该聚焦的激光束(1)关于该中间收集轴(6)对称布置。
7.根据权利要求1至6的任意一个的设备，其特征在于：该聚焦装置(11；111)以这样的方式设计：产生在处于大约10μm至大约300μm范围内的小直径上聚焦的激光束。
8.根据权利要求1至7的任意一个的设备，其特征在于：该聚焦装置(11；111)包括用于聚焦多个功率激光束(12)的光学聚焦装置(11)，该功率激光束(12)表现出的由发散度乘以直径的乘积比高斯激光束的该乘积大数倍。
9.根据权利要求1至8的任意一个的设备，其特征在于：该聚焦装置(111)包括至少一个镜子。
10.根据权利要求9的设备，其特征在于：该镜子由半导体或金属材料制成。
11.根据权利要求10的设备，其特征在于：该镜子由硅制成。
12.根据权利要求9至11的任意一个的设备，其特征在于：冷却装置(112)布置在构成该聚焦装置(111)的该镜子的背面上。
13.根据权利要求9至12的任意一个的设备，其特征在于：构成该聚焦装置(111)的该镜子是椭圆面或双曲面形状，适于使激光束(12)在聚焦之前通过用于产生靶的该设备(2)和所述第一收集设备(10；110)之间。
14.根据权利要求7至13的任意一个的设备，其特征在于：该聚焦装置(11；111)自身设置在该真空空间内部。
15.根据权利要求3的设备，其特征在于：该聚焦装置(11；111)布置在围绕所述第一收集设备(10；110)的环内。
16.根据权利要求1至15的任意一个的设备，其特征在于：所述第一收集设备(10)在正入射处包括Mo和Si的多个绝缘层的堆叠。
17.根据权利要求1至15的任意一个的设备，其特征在于：所述第一收集设备(110)在掠入射处包括一光学设备，该光学设备存在金、钌或钯的表面。
18.根据权利要求17的设备，其特征在于：所述第一收集设备(110)包括第一和第二交替式收集元件(110a，110b)。
19.根据权利要求18的设备，其特征在于：该第一和第二交替式收集元件(110a，110b)的每一个均表现出关于该中间收集轴(6)旋转的椭圆面形状。
20.根据权利要求18的设备，其特征在于：该第一交替式收集元件(110a)是表现出关于该中间收集轴(6)旋转的椭圆面形状的内部元件，同时该第二交替式收集元件(110b)是一外部元件，该外部元件从面向该靶(4)的一端开始接连表现出：旋转的双曲面形状而后是旋转的椭圆面形状。
21.根据权利要求1至20的任意一个的设备，其特征在于：其还包括第二收集设备(210)，其关于该中间收集轴(6)对称布置在由该靶(4)限定且不包括聚焦在该靶(4)上的激光束(1)的半空间内。
22.根据权利要求21的设备，其特征在于：该第二收集设备(210)包括具有球面的多层堆叠的正入射镜子。
23.根据权利要求1至22的任意一个的设备，其特征在于：其适合于产生在1nm至15nm范围内的远紫外区内的辐射。
24.根据权利要求1至23的任意一个的设备，其特征在于：其应用于用于半导体衬底光刻的装置作为大约13.5nm的远紫外区域内的光源。
25.根据权利要求1至23的任意一个的设备，其特征在于：该靶由适于发射处于2.3 nm至4.4nm范围内的波长的材料制成，其特征在于，激光聚焦时的照明具有1013W/cm2至1015W/cm2量值的值，并且其特征在于，其包括紧固件和连接装置，用于连接至在远紫外区工作的显微镜或层析成象装置。
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