CN105651463B - 用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法，其可通过对提供给极紫外光产生设备的收集镜的冷却水的泄漏进行感测来防止收集镜受到污染。所述液体泄漏感测设备包括收集镜模块、配置为向所述收集镜模块的一个表面提供冷却水的冷却单元、配置为向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为对泄漏到所述冷却单元外部的水溶性气体进行感测的感测单元。

Description

用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年11月27日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2014-0167105的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明构思涉及用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法。
背景技术
近来，为了实现半导体器件的微加工，已经提出了一种利用极紫外(EUV)辐射的光刻工艺。在所述光刻工艺中，光(也被称为光束)可穿过具有电路图案的掩模投影到硅衬底上，从而通过对光刻胶材料进行曝光而形成电子电路。
由光刻所形成的电路的最小工艺尺寸通常取决于光源的波长。因此，为了生产具有更小几何排列(geometry)的电路，可在用于光刻工艺的光源中使用具有更短波长的光。作为下一代光刻光源，EUV光源适合使用。极紫外(EUV)辐射具有约1nm至100nm的波长。由于该范围内的光关于多种材料具有较高的吸收率，因此不可使用透射性光学系统(例如透镜)，但是可使用反射性光学系统。
为了产生EUV辐射，可使用激光产生等离子体(LPP)的技术以及由脉冲功率驱动的放电产生等离子体(DPP)的技术。
发明内容
本发明构思提供一种液体泄漏感测设备，所述液体泄漏感测设备可通过对提供给极紫外(EUV)光产生设备的收集镜的冷却水的泄漏进行感测来防止所述收集镜受到污染。这里，水溶性气体用于感测冷却水的泄漏。
本发明构思还提供一种液体泄漏感测方法，所述液体泄漏感测方法可通过对提供给极紫外(EUV)光产生设备的收集镜的冷却水的泄漏进行感测来防止收集镜受到污染。
通过以下各优选实施例的描述，本发明构思的这些及其他方面将变得清楚，或者将在以下各优选实施例的描述中对本发明构思的这些及其他方面进行描述。
根据本发明构思的一个方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括收集镜模块、配置为向所述收集镜模块的一个表面提供冷却水的冷却单元、配置为向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为对泄漏到所述冷却单元外部的水溶性气体进行感测的感测单元。
根据本发明构思的另一方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括容器、配置为向所述容器提供源光的光源、配置为产生微滴(droplet)的微滴产生器、布置在所述容器中并配置为收集和反射通过所述源光与所述微滴之间的相互反应而产生的EUV光的收集镜、布置在所述收集镜的一侧并配置为向所述收集镜的一个表面提供冷却水以调节所述收集镜的温度的冷却单元、向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及对水溶性气体是否泄漏到冷却单元外部进行感测的感测单元。
根据本发明构思的又一方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括物体、配置为向形成为与所述物体的一个表面接触的液体接收空间提供工艺液体的液体供应单元、配置为向所述液体供应单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为感测泄漏到液体接收空间外部的水溶性气体的感测单元。
根据本发明构思的又一方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括源光与微滴在其中发生反应以产生EUV光的容器、配置为向所述容器内部提供冷却水的冷却单元、配置为向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为感测容器中是否存在泄漏到所述冷却单元外部的水溶性气体的感测单元。
根据本发明构思的又一方面，提供一种液体泄漏感测方法，其包括步骤：向容器中的物体提供包括有水溶性气体的冷却水；以及对所述容器中是否存在泄漏到所述物体外部的水溶性气体进行感测，其中所述感测包括测量所述水溶性气体的分压。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的优选实施例，本发明构思的以上及其他特征和优点将变得更加明显，其中：
图1示意性示出了极紫外(EUV)光产生设备；
图2示意性示出了根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测设备；
图3为图2所示的液体泄漏感测设备的框图；
图4示出了图2所示的液体泄漏感测设备的操作；
图5是根据本发明构思的另一实施例的液体泄漏感测设备的框图；
图6示意性示出了图5所示的示例性设备；
图7是根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性框图；
图8是示出图7所示的容器的内部电路的示意性框图；
图9是根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性示图；
图10是根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性框图；
图11是顺序示出根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测方法的流程图；
图12是顺序示出根据本发明构思的另一实施例的液体泄漏感测方法的流程图；
图13是包括了利用根据本发明构思的光刻设备制造的半导体器件的电子系统的框图；以及
图14和图15示出了可对其应用利用根据本发明构思的光刻设备制造的半导体器件的示例性半导体系统。
具体实施方式
下面将参照示出了本发明优选实施例的附图对本发明进行更加全面的描述。然而，本发明可实现为不同的形式，并且不应理解为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本发明将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面传达本发明的范围。在本说明书中，相同的附图标记始终表示相同的部件。为清楚起见，在附图中放大了层与区域的厚度。
应当理解，当一层被称作“位于”另一层或衬底“之上”时，所述层可以直接位于另一层或衬底之上，或者也可存在中间层。相反，当一个元件被称作“直接位于”另一元件“之上”时，不存在中间元件。
为了便于描述，本文中可使用空间相对术语，例如“位于……下方”、“之下”、“下部”、“位于……之下”、“之上”、“上部”等，来描述附图所示的一个元件或特征与另一个(一些)元件或特征的关系。应当理解，空间相对术语旨在涵盖在使用或操作中的器件的除附图所示的指向之外的不同指向。例如，如果附图中的器件被翻转，则被描述为“在”另一些元件或特征“之下”或者“位于”另一些元件或特征“下方”的元件将指向为“在”另一些元件或特征“之上”。因此，示例性术语“之下”可以涵盖“之上”和“之下”这两种指向。器件可另外地进行指向(旋转90度或以其他指向)，并相应地解释本文所使用的空间相对描述词。
除非在本文中另外表示或明显与上下文矛盾，否则将术语“一个”、“一”和“该”以及在描述本发明的上下文中的类似指示物的用法理解为涵盖单数和复数这两者。除非另外指明，否则将术语“包含……的”、“具有……的”、“包括……的”以及“含有……的”理解为开放性术语(即，意指“包括，但不限于”)。
除非另外定义，否则本文所使用的所有技术术语和科学术语具有与本领域普通技术人员之一的通常理解相同的含义。应当注意到，除非另外指定，否则使用任何及所有示例或者本文所提供的示例性术语仅旨在更好地示出本发明，而不是对本发明的范围进行限制。此外，除非另外定义，否则不可对常用字典中定义的所有术语过度地进行解释。
将参照示出了本发明优选实施例的透视图、截面图和/或平面图对本发明进行描述。因此，可以根据制造技术和/或容差修改示例性示图的轮廓。也即，本发明的实施例并非旨在限制本发明的范围，而是涵盖可由制造工艺的变化所导致的所有变化和修改。因此，以示意性形式示出附图所示的区域，并且仅通过示意的方式呈现所述区域的形状，而不是将其作为一种限定。
下面，将参照附图对根据本发明构思的原理的示例性实施例进行详细说明。
首选，将参照图1描述极紫外(EUV)光产生设备。
图1示意性示出了极紫外(EUV)光产生设备。
参照图1，利用容器11中发生的化学反应产生EUV光。在容器11中布置了提供微滴d的微滴产生器31以及与微滴产生器31竖直分离并接收微滴d的微滴捕获器41。
微滴d可包括锡(Sn)、锂(Li)和氙(Xe)中的至少一种。具体地，微滴d可以是例如锡(Sn)、锂(Li)或氙(Xe)的气体或者一组气体。优选地，在真空环境中提供微滴d。例如，优选地，在其中提供微滴d的真空环境约为1毫巴(mbar)。
光源21提供第一光。换言之，由光源21提供的第一光与微滴d相互反应并产生EUV光。可将由光源21提供的第一光沿着反射镜61和62提供给容器11中的微滴d。可利用例如CO2激光器来产生第一光。特别地，第一光可以是具有40kHz或更高的脉冲且以9.3μm或10.6μm的波长振荡的CO2激光。
收集镜100布置在容器11的一个表面上。在收集镜100的中央形成孔，从而将由光源21提供的第一光提供至容器11的内部。由微滴产生器31提供的微滴d与提供至容器11内部的第一光发生反应，以产生EUV光。收集镜100对所产生的EUV光进行收集和反射，以将EUV光聚焦在聚焦透镜51上并将EUV光发射到容器11外部。由此产生的EUV光可在光刻处理期间用于光刻设备中。
这里，由于收集镜100的反射率影响所发射的EUV光的辐射强度，因此将收集镜100保持在清洁状态是很重要的。然而，在持续使用EUV光产生设备之后，容器11中的收集镜100会被微滴沉积物污染。受污染的收集镜100会具有更低的反射率，从而所发射的EUV光的输出也会降低。根据本发明构思，可在早期阶段对收集镜100的污染进行感测，从而通过采取即时测量来防止收集镜100持续受到污染。
图2示意性示出了根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测设备，图3为图2所示的液体泄漏感测设备的框图，图4示出了图2所示的液体泄漏感测设备的操作。
参照图2和图3，根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测设备1包括容器10、光源20、微滴产生器30、微滴捕获器40、聚焦透镜50、收集镜100、冷却单元200、气体供应单元300以及感测单元400。
容器10是接收用于产生EUV光的装置的空间。在容器10中，微滴d和由光源20提供的第一光彼此发生反应以产生EUV光。微滴产生器30和微滴捕获器40可布置在容器10中，并且收集镜100可布置在容器10的后表面。感测单元400可布置在容器10的一个表面上，并可对容器10的内部空间中包含的气体的种类和浓度进行分析。容器10可具有大体封闭的空间。然而，可在容器10的一个表面上形成用于光的进入和发射的孔。
光源20提供第一光。这里，第一光可由例如CO2激光器产生。特别地，第一光可以是具有40kHz或更高的脉冲且以9.3μm或10.6μm的波长振荡的CO2激光。由光源20提供的第一光可与由微滴产生器30提供的微滴d相互反应以产生EUV光。
微滴产生器30向容器10内部提供微滴d。例如，微滴产生器30可布置在容器10的顶表面上，并且可朝向容器10的底表面提供微滴d。微滴捕获器40可布置在容器10的底表面上，并且可接收由微滴产生器30提供的微滴d。向容器10内部提供的微滴d可与由光源20提供的第一光相互反应以产生EUV光。因此，微滴d可包括锡(Sn)、锂(Li)和氙(Xe)中的至少一种。具体地，微滴d可以是例如锡(Sn)、锂(Li)或氙(Xe)的气体或者一组气体。
聚焦透镜50可布置在容器10内部，以在其上对通过微滴d与第一光的相互反应而产生的EUV光进行聚焦，并可将EUV光发射到容器10外部。
收集镜100可布置在容器10的后表面，并且可对通过微滴d与第一光的相互反应而产生的EUV光进行收集和反射。这里，由于已到达收集镜100的EUV光被反射回来，因此收集镜100会具有升高的温度。因此，可在收集镜100的一个表面上布置冷却单元200来调节收集镜100的温度。
冷却单元200向收集镜100的一个表面提供冷却水。冷却水可以从布置在容器10外部的冷却单元200的存储罐沿着冷却线路提供到收集镜100的所述一个表面。冷却水在冷却单元200中循环，并且冷却单元200具有防止冷却水泄漏到外面的封闭空间。然而，会存在由冷却单元200的硬件结构缺陷所导致的冷却水泄漏的可能性。当部分冷却水附着至收集镜100的反射表面时，微滴沉积物会沉积在收集镜100的反射表面上。
当微滴沉积物沉积在收集镜100的反射表面上时，收集镜100的反射效率会降低，从而导致EUV光产生设备的输出减少。如果可以预先对冷却水是否泄漏进行感测，则可采取适当的测量来解决冷却单元200的硬件结构缺陷。然而，如果无法预先对冷却水是否泄漏进行感测，则会使收集镜100受到污染，并且在收集镜100受到污染之后所要采取的措施会使时间和经济成本增加。此外，传统的感测装置难以感测冷却水是否泄漏。
根据本发明构思，将水溶性气体(WSG)注入冷却水中，进而对所述水溶性气体(WSG)是否存在于容器10内部进行感测。当冷却水已发生泄漏时，溶于冷却水中的水溶性气体(WSG)会存在于容器10的空间中，并且可通过检测所述水溶性气体(WSG)来容易地感测到冷却水的泄漏。
气体供应单元300可将水溶性气体(WSG)注入到冷却单元200中。这里，水溶性气体(WSG)可包括例如Kr、He、Ar和CO2中的至少一种。注入到冷却单元200中的水溶性气体(WSG)可以是不与容器10中包含的工艺气体(例如，H2气体)发生反应的气体。换言之，H2气体从容器10内部提供至收集镜100的一个表面，并沿着收集镜100的一个表面流动，以在防止微滴沉积物沉积在收集镜100的反射表面上的同时使收集镜100保持在清洁状态。另外，H2气体的流动可提高EUV光产生效率。
气体供应控制单元310可安装在气体供应单元300中，以对注入到冷却单元200中的水溶性气体(WSG)的量进行调整。需要将水溶性气体(WSG)以适当的受控量注入到冷却单元200中，以不对所述工艺产生影响。因此，可在需要时安装气体供应控制单元310。
感测单元400可布置在容器10的一个内表面上，并可感测容器10中包含的气体的种类和浓度。特别地，感测单元400可测量泄漏到容器10中的水溶性气体(WSG)的分压。感测单元400可包括例如残余气体分析仪(RGA)。
将参照图4来描述根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测设备的操作。在水溶性气体(WSG)溶于冷却单元200中包含的冷却水中的状态下，水溶性气体(WSG)由气体供应单元300注入到冷却单元200中，并提供给收集镜100的一个表面以调节收集镜100的温度。当冷却单元200的一部分(例如，冷却线路或者冷却单元200与收集镜100接触的一个表面)中产生硬件结构缺陷时，冷却水会发生泄漏，并且溶于冷却水中的水溶性气体(WSG)会存在于容器10的内部空间中。感测单元400可以感测泄漏到冷却单元200外部的水溶性气体(WSG)的存在。特别地，感测单元400可感测水溶性气体(WSG)的分压，以对容器10中的水溶性气体(WSG)的存在进行感测，从而感测冷却水的泄漏。
下面，将对可应用根据本发明构思的液体泄漏感测设备的操作原理的另一实施例进行描述。
图5是根据本发明构思的另一实施例的液体泄漏感测设备的框图，图6示意性示出了图5所示的示例性设备。为简明起见以及便于说明，以下描述将着重于根据本发明构思的当前实施例的液体泄漏感测设备与根据本发明构思实施例的先前实施例的液体泄漏感测设备之间的差异。
参照图5，根据本发明构思的另一实施例的液体泄漏感测设备2包括物体110、冷却水供应单元210、气体供应单元300以及感测单元400。
物体110表示向其提供冷却水且需调节其温度的任意装置。例如，参照图6，可向第一聚焦透镜51以及第二聚焦透镜52提供冷却水。这里，物体110可以是第一聚焦透镜51或第二聚焦透镜52。
第一聚焦透镜51可使从光源20提供的第一光聚焦，并可将聚焦后的第一光经由收集镜100提供到容器10内部。第二聚焦透镜52可使从收集镜100反射的EUV光聚焦，并可将聚焦后的EUV光发射到容器10外部。
由于所述光到达第一聚焦透镜51和第二聚焦透镜52，因此第一聚焦透镜51和第二聚焦透镜52会具有升高的温度。为了调节第一聚焦透镜51和第二聚焦透镜52的温度，可额外提供冷却线路来向第一聚焦透镜51和第二聚焦透镜52提供冷却水。这里，在向第一聚焦透镜51提供冷却水的冷却线路中会产生硬件结构缺陷，或者在向第二聚焦透镜52提供冷却水的冷却线路中会产生硬件结构缺陷。
如上所述，如果提供给第一聚焦透镜51或第二聚焦透镜52的冷却水存在泄漏，则所述冷却水的泄漏会因持续使用而影响收集镜100，并且会使得微滴沉积物形成在收集镜100的反射表面上。因此，气体供应单元300将水溶性气体(WSG)注入到冷却水供应单元210中，并且所述水溶性气体(WSG)溶于冷却水供应单元210中包含的冷却水中。当向第一聚焦透镜51或第二聚焦透镜52提供冷却水时，由感测单元400对水溶性气体(WSG)的存在进行感测，从而感测冷却水的泄漏。同时，根据本发明构思的一些实施例的液体泄漏感测设备不仅可应用于冷却水供应装置，还可应用于利用多种不同类型的气体对氯酸供应装置或氟酸供应装置中的氯酸或氟酸的泄漏进行感测的装置。
所述水溶性气体(WSG)可包括例如Kr、He、Ar和CO2中的至少一种。特别地，注入到冷却水供应单元210中的水溶性气体(WSG)应当是不与容器10中包含的工艺气体(例如，H2气体)发生反应的气体。
如上所述，感测单元400可测量泄漏到容器10中的水溶性气体(WSG)的分压。换言之，感测单元400可包括例如残余气体分析仪(RGA)。
图7是根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性框图，图8是示出图7所示的容器的内部电路的示意性框图。为简明起见以及便于说明，以下描述将着重于根据本发明构思的当前实施例的液体泄漏感测设备与根据本发明构思实施例的先前实施例的液体泄漏感测设备之间的差异。
参照图7，根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备3包括容器10、冷却水供应单元210、气体供应单元300以及感测单元400。
容器10是接收用于产生EUV光的装置的空间。在容器10中，微滴和源光相互反应以产生EUV光。容器10可将任意装置并入其中。换言之，容器10可包括用于产生对生成EUV光所必需的光的任意装置。容器10可具有大体封闭的空间。然而，可在容器10的一个表面上形成用于光的进入和发射的孔。EUV光可通过该孔发射。
图8示出了容器10的内部电路。例如，微滴产生器30、微滴捕获器40和收集镜100可布置在容器10中，这与上文描述的实质上相同。
冷却水供应单元210向容器10内部提供冷却水。可提供冷却水以调节容器10自身的温度或调节提供在容器10中的任意装置的温度。
气体供应单元300向冷却水供应单元210提供水溶性气体(WSG)。将水溶性气体(WSG)溶于冷却水供应单元210中包含的冷却水中，并且可向容器10内部提供溶有水溶性气体(WSG)的冷却水。
水溶性气体(WSG)可包括例如Kr、He、Ar和CO2中的至少一种。特别地，注入到冷却水供应单元210中的水溶性气体(WSG)应当是不与容器10中包含的工艺气体(例如，H2气体)发生反应的气体。
如上所述，感测单元400可测量泄漏到容器10中的水溶性气体(WSG)的分压。换言之，感测单元400可包括例如残余气体分析仪(RGA)。
图9是根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性示图，图10是根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性框图。为简明起见以及便于说明，以下描述将着重于根据本发明构思的当前实施例的液体泄漏感测设备与根据本发明构思实施例的先前实施例的液体泄漏感测设备之间的差异。
参照图9和图10，根据本发明构思的又一实施例的液体泄漏感测设备4包括容器10、光源20、微滴产生器30、微滴捕获器40、聚焦透镜50、收集镜100、冷却单元200、气体供应单元300、感测单元400以及压力计单元500。
容器10、光源20、微滴产生器30、微滴捕获器40、聚焦透镜50、收集镜100、冷却单元200、气体供应单元300以及感测单元400的描述与根据先前描述的本发明构思的实施例的液体泄漏感测设备1中的这些模块实质上相同。
压力计单元500可测量容器10中的压力变化。当冷却水已从冷却单元200泄漏时，向容器10提供溶于冷却水中的水溶性气体(WSG)，并且压力计单元500对容器10中的各种气体(包括水溶性气体(WSG))的压力进行测量，从而感测冷却水的泄漏。
冷却水的泄漏可由感测单元400和压力计单元500进行感测，或者可单独使用感测单元400或压力计单元500进行感测。
下面，将对根据本发明构思的一些实施例的液体泄漏感测方法进行描述。
图11是顺序示出根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测方法的流程图。
参照图11，首先，根据本发明构思的实施例的液体泄漏感测方法包括向容器中的物体提供溶有水溶性气体的冷却水(S100)。这里，所述物体可包括例如并入容器中的收集镜或聚焦透镜。
接下来，感测容器中是否存在泄漏到所述物体外部的溶于冷却水中的水溶性气体(S110)。
当冷却水已泄漏到物体外部时，对所述容器中存在水溶性气体进行判定，并且可通过感测容器中存在的水溶性气体来对冷却水的泄漏进行感测。水溶性气体(WSG)可包括例如Kr、He、Ar和CO2中的至少一种。注入到冷却单元200中的水溶性气体(WSG)可以是不与容器10中包含的工艺气体(例如，H2气体)发生反应的气体。
这里，可通过测量溶于冷却水的水溶性气体在容器中的分压来感测冷却水的泄漏。
图12是顺序示出根据本发明构思的另一实施例的液体泄漏感测方法的流程图。
参照图12，根据本发明构思的另一实施例的液体泄漏感测方法包括：向容器中的物体提供包括有水溶性气体的冷却水(S100)；以及对容器中是否存在泄漏到所述物体外部的水溶性气体进行感测(S110)。
另外，对容器中的压力变化进行测量，以判定是否存在冷却水的泄漏(S120)。
当冷却水已泄漏到物体外部时，确定所述容器中存在水溶性气体，并且所述容器中的压力会增加。因此，可通过测量容器中的压力变化来判定冷却水的泄漏。
图13是包括了利用根据本发明构思的光刻设备制造的半导体器件的电子系统的框图。
参照图13，根据本发明构思的实施例的电子系统4100可包括控制器4110、输入/输出装置(I/O)4120、存储器装置4130、接口4140以及总线4150。
控制器4110、I/O 4120、存储器装置4130和/或接口4140可通过总线4150彼此连接。总线4150对应于数据移动的路径。
控制器4110可包括微处理器、数字信号处理器、微控制器以及具有与上述这些元件类似的功能的逻辑元件中的一个。
I/O 4120可包括从键区、键盘、显示装置等中选择的至少一种。
存储器装置4130可存储数据和/或代码。
接口4140可执行将数据传输至通信网络或从所述通信网络接收数据的功能。接口4140可以是有线的或无线的。例如，接口4140可包括天线或者有线/无线收发机等。
虽然并未示出，但是电子系统4100还可包括高速DRAM和/或SRAM作为用于改善控制器4110的操作的工作存储器。可在存储器装置4130中提供使用了用于根据本发明构思的实施例的光刻的掩模的半导体器件，或者可将所述半导体器件提供为控制器4110或I/O4120的一些部件。
电子系统4100可应用于个人数字助理(PDA)、便携计算机、上网本、无线电话、移动电话、数字音乐播放器、存储卡或能够在无线网络中传输和/或接收信息的任何类型的电子装置。
图14和图15示出了可对其应用利用根据本发明构思的光刻设备制造的半导体器件的示例性半导体系统。
图14示出了将根据本发明构思的实施例的半导体器件应用于平板PC的示例，图15示出了将根据本发明构思的实施例的半导体器件应用于笔记本电脑的示例。本领域技术人员应当理解，也可以将根据本发明构思的一些实施例的半导体器件应用于本文没有示出的其他IC装置中。
虽然已经参照示例性实施例详细示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员应当理解，可以在形式和细节上做出多种不同的变化，而没有背离所附权利要求所限定的本发明构思的精神和范围。因此，预期的是，本实施例在所有方面均被视为示意性而非限制性的，参照所附权利要求而非以上描述来表示本发明构思的范围。

Claims (10)

1.一种液体泄漏感测设备，包括：
容器；
光源，其配置为向所述容器提供源光；
微滴产生器，其配置为产生微滴；
收集镜，其布置在所述容器中，并配置为利用收集镜的反射表面对通过所述源光与所述微滴之间的相互反应而产生的处于所述反射表面一侧的极紫外光进行收集和反射；
冷却单元，其配置为向所述收集镜的不同于所述反射表面的一个表面提供冷却水以调节所述收集镜的温度；
气体供应单元，其配置为向所述冷却单元提供水溶性气体；以及
感测单元，其配置为对水溶性气体从所述容器内的冷却单元泄漏进行感测。
2.根据权利要求1所述的液体泄漏感测设备，还包括压力计单元，其配置为测量所述容器中的压力变化。
3.根据权利要求1所述的液体泄漏感测设备，其中所述感测单元配置为测量泄漏的水溶性气体的分压。
4.根据权利要求3所述的液体泄漏感测设备，其中所述感测单元包括残余气体分析仪。
5.根据权利要求1所述的液体泄漏感测设备，其中所述水溶性气体不与所述容器中的工艺气体发生反应。
6.根据权利要求5所述的液体泄漏感测设备，其中所述工艺气体包括H2。
7.根据权利要求6所述的液体泄漏感测设备，其中所述水溶性气体包括Kr、He、Ar和CO2中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的液体泄漏感测设备，其中所述光源包括CO2激光器。
9.根据权利要求8所述的液体泄漏感测设备，其中所述微滴包括锡(Sn)。
10.根据权利要求1所述的液体泄漏感测设备，还包括布置在所述容器内部的物体，并且其中所述冷却单元配置为向形成为与所述物体的一个表面接触的接收空间提供冷却水。
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