RU2006121440A - Нанометровый кристаллический порошкообразный кремний - Google Patents
Нанометровый кристаллический порошкообразный кремний Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006121440A RU2006121440A RU2006121440/15A RU2006121440A RU2006121440A RU 2006121440 A RU2006121440 A RU 2006121440A RU 2006121440/15 A RU2006121440/15 A RU 2006121440/15A RU 2006121440 A RU2006121440 A RU 2006121440A RU 2006121440 A RU2006121440 A RU 2006121440A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sih
- powdered silicon
- proportion
- dopant
- silane
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- -1 SiH 4 Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AFRJJFRNGGLMDW-UHFFFAOYSA-N lithium amide Chemical compound [Li+].[NH2-] AFRJJFRNGGLMDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Claims (23)
1. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний, характеризующийся тем, что он обладает площадью поверхности БЭТ более чем 50 м2/г.
2. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по п.1, отличающийся тем, что площадь поверхности БЭТ находится в диапазоне между 100 и 700 м2/г.
3. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по п.1, отличающийся тем, что он обладает содержанием водорода, составляющим вплоть до 10 мол.%.
4. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по пп.1-3, отличающийся тем, что он легирован с помощью фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута, бора, алюминия, галлия, индия, таллия, европия, эрбия, церия, празеодима, неодима, самария, гадолиния, тербия, диспрозия, гольмия, тулия, лютеция, лития, германия, железа, рутения, осмия, кобальта, родия, иридия, никеля, палладия, платины, меди, серебра, золота или цинка.
5. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по п.4, отличающийся тем, что доля легирующих компонентов фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута, бора, алюминия, галлия, индия, таллия, европия, эрбия, церия, празеодима, неодима, самария, гадолиния, тербия, диспрозия, гольмия, тулия, иттербия и лютеция составляет вплоть до 1 мас.%.
6. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по п.4, отличающийся тем, что доля легирующего компонента лития составляет вплоть до 53 мас.%.
7. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по п.4, отличающийся тем, что вплоть доля легирующего компонента германия составляет вплоть до 40 мас.%.
8. Агрегированный кристаллический порошкообразный кремний по п.4, отличающийся тем, что доля легирующих компонентов железа, рутения, осмия, кобальта, родия, иридия, никеля, палладия, платины, меди, серебра, золота и цинка составляет вплоть до 5 мас.%.
9. Способ получения порошкообразного кремния по пп.1-8, характеризующийся тем, что
по меньшей мере один парообразный или газообразный силан и необязательно по меньшей мере одно парообразное или газообразное легирующее вещество,
и инертный газ
непрерывно подают в реактор и перемешивают в нем,
причем доля силана находится в диапазоне между 0,1 и 90 мас.% в пересчете на суммарное количество силана, легирующего вещества и инертных газов,
и образуется плазма посредством подачи энергии с помощью электромагнитного излучения в микроволновой области при давлении от 10 до 1100 мбар,
реакционной смеси дают охладиться и продукт реакции отделяют от газообразных веществ в виде порошка.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что доля силана, необязательно с включением легирующего компонента, в газовом потоке находится в диапазоне между 1 и 10 мас.%.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что силан выбирают из группы соединений, включающей SiH4, Si2H6, ClSiH3, Cl2SiH2, Cl3SiH и/или SiCl4.
12. Способ по п.9, отличающийся тем, что силан выбирают из группы соединений, включающей N(SiH3)3, HN(SiH3)2, H2N(SiH3), (H3Si)2NN(SiH3)2, (H3Si)NHNH(SiH3) или Н2NN(SiH3)2.
13. Способ по п.9, отличающийся тем, что легирующее вещество выбирают из группы водородсодержащих соединений фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута, бора, алюминия, галлия, индия, таллия, европия, эрбия, церия, празеодима, неодима, самария, гадолиния, тербия, диспрозия, гольмия, тулия, иттербия, лютеция, лития, германия, железа, рутения, осмия, кобальта, родия, иридия, никеля, палладия, платины, меди, серебра, золота или цинка.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что в качестве легирующего вещества используют металлический литий или амид лития (LiNH2).
15. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве инертных газов используют азот, гелий, неон или аргон.
16. Способ по п.9, отличающийся тем, что в реактор дополнительно вводят водород.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что доля водорода находится в диапазоне от 1 до 96 об.%.
18. Способ по п.9, отличающийся тем, что реакционную смесь подвергают последующей термической обработке.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что последующую термическую обработку проводят в присутствии по меньшей мере одного легирующего вещества, причем легирующее вещество вводят совместно с инертным газом и/или водородом.
20. Способ по п.18 или 19, отличающийся тем, что последующую термическую обработку реакционной смеси проводят с помощью реактора с горячими стенками.
21. Способ по п.9, отличающийся тем, что после охлаждения продукт реакции повторно подвергают последующей термической обработке.
22. Способ по п.21, отличающийся тем, что последующую термическую обработку проводят в присутствии по меньшей мере одного легирующего вещества.
23. Применение порошкообразного кремния по пп.1-8 для изготовления электронных компонентов, электронных схем и электрически активных наполнителей.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10353996.4 | 2003-11-19 | ||
| DE10353996A DE10353996A1 (de) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | Nanoskaliges, kristallines Siliciumpulver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006121440A true RU2006121440A (ru) | 2008-01-10 |
| RU2340551C2 RU2340551C2 (ru) | 2008-12-10 |
Family
ID=34559700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006121440/15A RU2340551C2 (ru) | 2003-11-19 | 2004-11-13 | Нанометровый кристаллический порошкообразный кремний |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070172406A1 (ru) |
| EP (1) | EP1685065A1 (ru) |
| JP (1) | JP2007513041A (ru) |
| KR (1) | KR100769441B1 (ru) |
| CN (1) | CN100431954C (ru) |
| DE (1) | DE10353996A1 (ru) |
| IL (1) | IL175702A0 (ru) |
| RU (1) | RU2340551C2 (ru) |
| WO (1) | WO2005049491A1 (ru) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4320258B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-08-26 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 硬化可能でかつ再剥離可能な接着結合体 |
| DE10353995A1 (de) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Degussa Ag | Nanoskaliges, kristallines Siliciumpulver |
| DE102004012682A1 (de) | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Objekten mittels Lasertechnik und Auftragen eines Absorbers per Inkjet-Verfahren |
| DE102004016766A1 (de) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Degussa | Nanoskalige Siliziumpartikel in negativen Elektrodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien |
| DE102004041747A1 (de) * | 2004-08-28 | 2006-03-02 | Degussa Ag | Indium-Zinn-Mischoxidpulver |
| DE102004041746A1 (de) * | 2004-08-28 | 2006-03-02 | Degussa Ag | Kautschukmischung, enthaltend nanoskalige, magnetische Füllstoffe |
| DE102005049136A1 (de) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Degussa Ag | Zubereitung, enthaltend ein polymerisierbares Monomer und/oder ein Polymer und darin dispergiert ein superparamagnetisches Pulver |
| CN101137701B (zh) * | 2005-04-18 | 2011-02-09 | 赢创罗姆有限公司 | 由含纳米级无机粒子的热塑性塑料构成的模塑材料和模制品、所述模塑材料和模制品的制备方法及其用途 |
| DE102005040157A1 (de) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Paste aus nanoskaligem Pulver und Dispergiermittel |
| EP1760045A1 (en) * | 2005-09-03 | 2007-03-07 | Degussa GmbH | Nanoscale silicon particles |
| DE102005049718A1 (de) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Degussa Gmbh | Durch Schweißen im elektromagnetischen Wechselfeld erhältliche Kunststoffverbundformkörper |
| DE102005056286A1 (de) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Degussa Gmbh | Schweißverfahren mittels elektromagnetischer Strahlung |
| DE102005059405A1 (de) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Degussa Gmbh | Zinkoxid-Ceroxid-Kompositpartikel |
| DE102005060121A1 (de) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Zinkoxidpulver |
| DE102006007564A1 (de) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Röhm Gmbh | Nanoskalige superparamagnetische Poly(meth)acrylatpolymere |
| US20090010833A1 (en) * | 2006-11-28 | 2009-01-08 | Cima Nano Tech Israel Ltd. | Process for producing ultra-fine powder of crystalline silicon |
| DE102006059318A1 (de) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Evonik Degussa Gmbh | Poröses Silicium |
| WO2008108265A1 (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 半導体ナノ粒子の製造方法および半導体ナノ粒子 |
| DE102007014608B4 (de) | 2007-03-23 | 2017-04-06 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines porösen halbleitenden Films |
| DE102007039060B4 (de) | 2007-08-17 | 2019-04-25 | Evonik Degussa Gmbh | Thermokraftelement oder Peltier-Elemente aus gesinterten Nanokristallen aus Silicium, Germanium oder Silicium-Germanium-Legierungen |
| EP2090638A1 (de) | 2008-02-12 | 2009-08-19 | Evonik Degussa GmbH | Lumineszierende Silicium-Nanopartikel |
| WO2009151489A2 (en) * | 2008-02-25 | 2009-12-17 | Corning Incorporated | Nanomaterial and method for generating nanomaterial |
| DE102008040827A1 (de) | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung eines partikelbasierten Transistors |
| DE102009033251A1 (de) | 2008-08-30 | 2010-09-23 | Universität Duisburg-Essen | Einlagerung von Silizium und/oder Zinn in poröse Kohlenstoffsubstrate |
| CN102143909A (zh) * | 2008-09-09 | 2011-08-03 | 智索株式会社 | 高纯度结晶硅、高纯度四氯化硅及其制造方法 |
| DE102009024667A1 (de) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Universität Duisburg-Essen | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters sowie Halbleiter und elektrisches Element |
| CN101559946B (zh) * | 2009-04-27 | 2011-01-05 | 浙江大学 | 利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置 |
| DE102011008814A1 (de) | 2011-01-19 | 2012-07-19 | Volkswagen Ag | Verfahren zur Herstellung von einem Kohlenstoffträger mit auf der Oberfläche befindlichen nanoskaligen Siliciumpartikeln sowie ein entsprechender Kohlenstoffträger insbesondere für den Einsatz in Akkumulatoren |
| DE102011008815A1 (de) | 2011-01-19 | 2012-07-19 | Volkswagen Ag | Verfahren zur Herstellung von einem Kohlenstoffträger mit auf der Oberfläche befindlichen nanoskaligen Siliciumpartikeln sowie ein entsprechender Kohlenstoffträger insbesondere für den Einsatz in Akkumulatoren |
| UA107875C2 (uk) | 2011-03-30 | 2015-02-25 | Viktor Grigorjevich Kolesnik | СПОСІБ ВІДНОВЛЕННЯ КРЕМНІЮ І ТИТАНУ ШЛЯХОМ ГЕНЕРАЦІЇ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ВЗАЄМОДІЙ ЧАСТОК SiO2, FeTiO3 ТА МАГНІТНИХ ХВИЛЬ |
| RU2460689C1 (ru) * | 2011-06-21 | 2012-09-10 | Закрытое акционерное общество "Институт прикладной нанотехнологии" | Способ получения бор-кремнийсодержащих наночастиц |
| DE102013205225A1 (de) | 2013-03-25 | 2014-09-25 | Wacker Chemie Ag | Herstellung von Silicium enthaltenden nano- und mikrometerskaligen Partikeln |
| US20150372290A1 (en) * | 2013-05-30 | 2015-12-24 | Applejack 199 L,P., A California Limited Partnership | Hybrid silicon-metal anode using microparticles for lithium-ion batteries |
| RU2547016C2 (ru) * | 2013-06-03 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук | Способ получения наноразмерных структур кремния |
| CN104928761B (zh) * | 2014-03-19 | 2018-02-23 | 新特能源股份有限公司 | 一种硅片母合金的制备方法 |
| EP3025699A1 (de) * | 2014-11-28 | 2016-06-01 | Evonik Degussa GmbH | Verwendung von Silicium enthaltenden Partikeln zum Schutz von technischen Materialien vor UV-Strahlung |
| EP3025701A1 (de) * | 2014-11-28 | 2016-06-01 | Evonik Degussa GmbH | Nanokristalline siliciumpulver, verfahren zu dessen herstellung als auch deren verwendung |
| EP3196951B1 (de) | 2016-01-21 | 2018-11-14 | Evonik Degussa GmbH | Rationelles verfahren zur pulvermetallurgischen herstellung thermoelektrischer bauelemente |
| JPWO2017183487A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2019-03-07 | 株式会社トクヤマ | 金属粉末の製造方法 |
| CN108101061A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-06-01 | 合肥开尔纳米能源科技股份有限公司 | 纳米硅粉的制备方法 |
| CN109824052A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-05-31 | 北京矿冶科技集团有限公司 | 一种等离子化学气相反应制备单质纳米粉体的方法 |
| CN114031082B (zh) * | 2021-12-22 | 2023-10-31 | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 | 一种感应等离子热解硅烷制备纳米硅粉的方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3610713A1 (de) * | 1985-09-07 | 1987-03-19 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von silicium und dessen verbindungen in feinstteiliger form |
| FR2591412A1 (fr) * | 1985-12-10 | 1987-06-12 | Air Liquide | Procede de fabrication de poudres et reacteur etanche a plasma micro-onde |
| US5334423A (en) * | 1993-01-28 | 1994-08-02 | United Solar Systems Corp. | Microwave energized process for the preparation of high quality semiconductor material |
| KR20010016692A (ko) * | 1999-08-02 | 2001-03-05 | 최만수 | 레이저 가열에 의한 입자 소결 제어를 이용한 구형의 미세입자 제조방법 |
| DE10140089A1 (de) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Degussa | Superparamagnetische oxidische Partikel, Verfahren zu deren Herstellung und ihre Verwendung |
| DE10153547A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-22 | Degussa | Dispersion, enthaltend pyrogen hergestellte Abrasivpartikel mit superparamagnetischen Domänen |
| JP4320258B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-08-26 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 硬化可能でかつ再剥離可能な接着結合体 |
| DE10235758A1 (de) * | 2002-08-05 | 2004-02-26 | Degussa Ag | Dotiertes Zinkoxidpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
| DE10343728A1 (de) * | 2003-09-22 | 2005-04-21 | Degussa | Zinkoxidpulver |
| DE102004010504B4 (de) * | 2004-03-04 | 2006-05-04 | Degussa Ag | Hochtransparente lasermarkierbare und laserschweißbare Kunststoffmaterialien, deren Verwendung und Herstellung sowie Verwendung von Metallmischoxiden und Verfahren zur Kennzeichnung von Produktionsgütern |
| BRPI0508433B1 (pt) * | 2004-03-04 | 2012-12-25 | materiais plÁsticos tingidos por corantes de modo transparente, translécido ou opaco, uso de partÍculas em nanoescala e processos para produÇço e solda do mesmo. | |
| DE102004012682A1 (de) * | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Objekten mittels Lasertechnik und Auftragen eines Absorbers per Inkjet-Verfahren |
| DE102004041746A1 (de) * | 2004-08-28 | 2006-03-02 | Degussa Ag | Kautschukmischung, enthaltend nanoskalige, magnetische Füllstoffe |
| US7704586B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-04-27 | Degussa Ag | Plastic molded bodies having two-dimensional and three-dimensional image structures produced through laser subsurface engraving |
| CN101137701B (zh) * | 2005-04-18 | 2011-02-09 | 赢创罗姆有限公司 | 由含纳米级无机粒子的热塑性塑料构成的模塑材料和模制品、所述模塑材料和模制品的制备方法及其用途 |
| DE102005040157A1 (de) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Paste aus nanoskaligem Pulver und Dispergiermittel |
| DE102005059405A1 (de) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Degussa Gmbh | Zinkoxid-Ceroxid-Kompositpartikel |
| DE102005060121A1 (de) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Zinkoxidpulver |
-
2003
- 2003-11-19 DE DE10353996A patent/DE10353996A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-11-13 JP JP2006540273A patent/JP2007513041A/ja not_active Abandoned
- 2004-11-13 RU RU2006121440/15A patent/RU2340551C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-11-13 WO PCT/EP2004/012889 patent/WO2005049491A1/en active Application Filing
- 2004-11-13 KR KR1020067009671A patent/KR100769441B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-13 US US10/579,762 patent/US20070172406A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-13 CN CNB2004800340991A patent/CN100431954C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-13 EP EP04797875A patent/EP1685065A1/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-05-17 IL IL175702A patent/IL175702A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1685065A1 (en) | 2006-08-02 |
| JP2007513041A (ja) | 2007-05-24 |
| CN100431954C (zh) | 2008-11-12 |
| KR20060092263A (ko) | 2006-08-22 |
| KR100769441B1 (ko) | 2007-10-22 |
| US20070172406A1 (en) | 2007-07-26 |
| WO2005049491A1 (en) | 2005-06-02 |
| DE10353996A1 (de) | 2005-06-09 |
| CN1882502A (zh) | 2006-12-20 |
| IL175702A0 (en) | 2006-09-05 |
| RU2340551C2 (ru) | 2008-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006121440A (ru) | Нанометровый кристаллический порошкообразный кремний | |
| RU2006121436A (ru) | Нанометровый кристаллический порошкообразный кремний | |
| KR101081995B1 (ko) | 금속 나노입자 및 그 제조 방법 | |
| Yasar-Inceoglu et al. | Silicon nanocrystal production through non-thermal plasma synthesis: a comparative study between silicon tetrachloride and silane precursors | |
| EP2420336A1 (en) | Coated silver nanoparticles and manufacturing method therefor | |
| EP1760045A1 (en) | Nanoscale silicon particles | |
| WO2014137096A1 (en) | A method for preparing trichlorosilane | |
| CN110540208A (zh) | 一种生产硅的方法 | |
| Muroi et al. | Boron-silicon film chemical vapor deposition using boron trichloride, dichlorosilane and monomethylsilane gases | |
| Zhuang et al. | Synthesis of polymeric nitrogen with non-thermal radio frequency plasma | |
| CN1327434A (zh) | 生产单同位素硅Si28的方法 | |
| JP5512487B2 (ja) | 金微粒子の製造方法 | |
| JP3325344B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| RU2042748C1 (ru) | Способ синтеза алмаза | |
| CN113548648A (zh) | 氮化铝纳米颗粒及其制备方法 | |
| Sakurai et al. | Reactivity improvement of Fe-compounds for the UT-3 thermochemical hydrogen procduction process | |
| Normatov | Catalytic synthesis of aluminum hydride in the presence of palladium black | |
| Liancheng et al. | A versatile route for the convenient synthesis of rare earth and alkaline earth hexaborides in mild temperatures | |
| Qiu et al. | H2-Assistance One-Step Growth of Si Nanowires and Their Growth Mechanism | |
| JP2005220002A (ja) | ＳｉＯの精製装置、かかる精製装置を用いるＳｉＯの精製方法及び得られたＳｉＯを用いる高純度シリコンの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091114 |