RU2006110560A - Материал для заполнения под кристаллом не по механизму течения, характеризующийся низким коэффициентом термического расширения и хорошими характеристиками флюсования шарикового вывода из припоя - Google Patents

Материал для заполнения под кристаллом не по механизму течения, характеризующийся низким коэффициентом термического расширения и хорошими характеристиками флюсования шарикового вывода из припоя Download PDF

Info

Publication number
RU2006110560A
RU2006110560A RU2006110560/04A RU2006110560A RU2006110560A RU 2006110560 A RU2006110560 A RU 2006110560A RU 2006110560/04 A RU2006110560/04 A RU 2006110560/04A RU 2006110560 A RU2006110560 A RU 2006110560A RU 2006110560 A RU2006110560 A RU 2006110560A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon dioxide
composition according
colloidal silicon
functionalized
hardener
Prior art date
Application number
RU2006110560/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Славомир РУБИНШТАЙН (US)
Славомир РУБИНШТАЙН
Сандип ТОНАПИ (US)
Сандип ТОНАПИ
Джон КЭМПБЕЛЛ (US)
Джон КЭМПБЕЛЛ
Анантх ПРАБХАКУМАР (US)
Анантх ПРАБХАКУМАР
Original Assignee
Дженерал Электрик Компани (US)
Дженерал Электрик Компани
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дженерал Электрик Компани (US), Дженерал Электрик Компани filed Critical Дженерал Электрик Компани (US)
Publication of RU2006110560A publication Critical patent/RU2006110560A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/02—Layer formed of wires, e.g. mesh
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Claims (10)

1. Композиция, содержащая эпоксидную смолу в комбинации с отвердителем эпоксида и наполнителем в виде функционализованного коллоидального диоксида кремния, где коллоидальный диоксид кремния функционализуют органоалкоксисиланом, и он характеризуется размером частиц в диапазоне от приблизительно 1 нм до приблизительно 250 нм.
2. Композиция по п.1, где эпоксидная смола включает циклоалифатический эпоксидный мономер, алифатический эпоксидный мономер, ароматический эпоксидный мономер, силиконовый эпоксидный мономер или их комбинации.
3. Композиция по п.1, где органоалкоксисилан включает фенилтриметоксисилан.
4. Композиция по п.1, где отвердитель эпоксида включает ангидридный отвердитель, фенольную смолу, аминовый отвердитель эпоксида или их комбинации.
5. Композиция по п.1, дополнительно включающая катализатор отверждения, выбираемый из группы, состоящей из аминов, фосфинов, солей металлов, солей азотсодержащих соединений и их комбинаций.
6. Композиция по п.1, дополнительно включающая гидроксилсодержащий мономер, выбираемый из группы, состоящей из спиртов, алкандиолов, глицерина и фенолов.
7. Композиция по п.1, где коллоидальный диоксид кремния впоследствии функционализуют, используя, по меньшей мере, один агент введения концевых блокирующих групп.
8. Твердотельное устройство в корпусе, включающее корпус; кристалл и герметик, содержащий эпоксидную смолу в комбинации с отвердителем эпоксида и наполнителем в виде функционализованного коллоидального диоксида кремния, где коллоидальный диоксид кремния функционализуют, используя, по меньшей мере, один органоалкоксисилановый функционализующий агент, и он характеризуется размером частиц в диапазоне от приблизительно 1 нм до приблизительно 250 нм.
9. Твердотельное устройство в корпусе по п.8, дополнительно включающее гидроксилсодержащий мономер, выбираемый из группы, состоящей из спиртов, алкандиолов, глицерина и фенолов.
10. Твердотельное устройство в корпусе по п.8, где коллоидальный диоксид кремния впоследствии функционализуют, используя, по меньшей мере, один агент введения концевых блокирующих групп.
RU2006110560/04A 2003-09-02 2004-09-01 Материал для заполнения под кристаллом не по механизму течения, характеризующийся низким коэффициентом термического расширения и хорошими характеристиками флюсования шарикового вывода из припоя RU2006110560A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/653,371 US20050048700A1 (en) 2003-09-02 2003-09-02 No-flow underfill material having low coefficient of thermal expansion and good solder ball fluxing performance
US10/653,371 2003-09-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2006110560A true RU2006110560A (ru) 2007-10-10

Family

ID=34217877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006110560/04A RU2006110560A (ru) 2003-09-02 2004-09-01 Материал для заполнения под кристаллом не по механизму течения, характеризующийся низким коэффициентом термического расширения и хорошими характеристиками флюсования шарикового вывода из припоя

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20050048700A1 (ru)
EP (1) EP1664192A1 (ru)
JP (1) JP2007504336A (ru)
KR (1) KR20060132799A (ru)
CN (1) CN1875068A (ru)
AU (1) AU2004268147A1 (ru)
BR (1) BRPI0413775A (ru)
CA (1) CA2537688A1 (ru)
MX (1) MXPA06002463A (ru)
RU (1) RU2006110560A (ru)
WO (1) WO2005021647A1 (ru)
ZA (1) ZA200602272B (ru)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050170188A1 (en) * 2003-09-03 2005-08-04 General Electric Company Resin compositions and methods of use thereof
US20040102529A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Campbell John Robert Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby
US20060147719A1 (en) * 2002-11-22 2006-07-06 Slawomir Rubinsztajn Curable composition, underfill, and method
US20050266263A1 (en) * 2002-11-22 2005-12-01 General Electric Company Refractory solid, adhesive composition, and device, and associated method
WO2005024938A1 (en) * 2003-09-03 2005-03-17 General Electric Company Solvent-modified resin compositions and methods of use thereof
TW200604269A (en) * 2004-04-06 2006-02-01 Showa Denko Kk Thermosetting composition and curing method thereof
US7446136B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device
US10041176B2 (en) 2005-04-07 2018-08-07 Momentive Performance Materials Inc. No-rinse pretreatment methods and compositions
GB0512610D0 (en) * 2005-06-18 2005-07-27 Hexcel Composites Ltd Composite material
US8048819B2 (en) * 2005-06-23 2011-11-01 Momentive Performance Materials Inc. Cure catalyst, composition, electronic device and associated method
KR100833568B1 (ko) 2006-12-28 2008-05-30 제일모직주식회사 플립칩 패키지용 비도전성 페이스트 조성물
EP2144282A4 (en) * 2007-04-27 2010-06-09 Sumitomo Bakelite Co METHOD FOR LINKING SEMICONDUCTOR WAFERS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
EP3029106A1 (en) * 2007-09-25 2016-06-08 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
JP5493327B2 (ja) * 2007-12-18 2014-05-14 日立化成株式会社 封止充てん用樹脂組成物、並びに半導体装置及びその製造方法
JP5152656B2 (ja) * 2008-03-26 2013-02-27 荒川化学工業株式会社 表面被覆シリカオルガノゾルの製造方法、および表面被覆シリカ粒子含有エポキシ樹脂組成物の製造方法
US8070046B1 (en) * 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Amine flux composition and method of soldering
US8070045B1 (en) * 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Curable amine flux composition and method of soldering
US9085685B2 (en) 2011-11-28 2015-07-21 Nitto Denko Corporation Under-fill material and method for producing semiconductor device
KR101867955B1 (ko) * 2012-04-13 2018-06-15 삼성전자주식회사 패키지 온 패키지 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4217438A (en) * 1978-12-15 1980-08-12 General Electric Company Polycarbonate transesterification process
JPH07100766B2 (ja) * 1987-06-25 1995-11-01 ソマール株式会社 エポキシ樹脂粉体塗料組成物
CA2010331A1 (en) * 1989-03-02 1990-09-02 James O. Peterson Low stress epoxy encapsulant compositions
JP3098663B2 (ja) * 1993-09-28 2000-10-16 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂組成物およびその製法
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6576718B1 (en) * 1999-10-05 2003-06-10 General Electric Company Powder coating of thermosetting resin(s) and poly(phenylene ethers(s))
DE60011199T2 (de) * 1999-10-06 2004-09-30 Nitto Denko Corp., Ibaraki Harzzusammensetzung zur Einkapselung von Halbleitern, Halbleiteranordnungen die diese enthalten und Verfahren für die Herstellung von diesen Halbleiteranordnungen
JP4633214B2 (ja) * 1999-12-08 2011-02-16 富士通株式会社 エポキシ樹脂組成物
US6664318B1 (en) * 1999-12-20 2003-12-16 3M Innovative Properties Company Encapsulant compositions with thermal shock resistance
JP3707534B2 (ja) * 2000-12-15 2005-10-19 信越化学工業株式会社 半導体スクリーン印刷封止用液状エポキシ樹脂組成物
JP2003105168A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
US6548189B1 (en) * 2001-10-26 2003-04-15 General Electric Company Epoxy adhesive
US20040102529A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Campbell John Robert Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby
US20040101688A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Slawomir Rubinsztajn Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom
JP3925803B2 (ja) * 2003-07-18 2007-06-06 信越化学工業株式会社 フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
JP4176619B2 (ja) * 2003-07-18 2008-11-05 信越化学工業株式会社 フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005021647A1 (en) 2005-03-10
JP2007504336A (ja) 2007-03-01
MXPA06002463A (es) 2006-06-20
EP1664192A1 (en) 2006-06-07
BRPI0413775A (pt) 2006-10-31
CA2537688A1 (en) 2005-03-10
KR20060132799A (ko) 2006-12-22
US20050048700A1 (en) 2005-03-03
AU2004268147A1 (en) 2005-03-10
CN1875068A (zh) 2006-12-06
ZA200602272B (en) 2007-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006110560A (ru) Материал для заполнения под кристаллом не по механизму течения, характеризующийся низким коэффициентом термического расширения и хорошими характеристиками флюсования шарикового вывода из припоя
RU2006110520A (ru) Модифицированные растворителем смоляные системы, содержащие наполнитель, которые имеют высокую tg, прозрачность и хорошую надежность в применениях в качестве герметика уровня полупроводниковой пластины
TWI619209B (zh) Packaging material with semiconductor package substrate, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device
RU2006107927A (ru) Нанонаполненные композиционные материалы с исключительно высокой температурой стеклования
JP5721203B2 (ja) アンダーフィル封止剤として有用でありかつリワーク可能な低発熱性の熱硬化性樹脂組成物
JP2007162001A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物
TW200707673A (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP3022135B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2004331728A (ja) 電子部品被覆用接着性フィルム
EP1422266A4 (en) THERMOSETTING RESIN COMPOSITION
JP2006274186A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4557148B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4810835B2 (ja) アンダーフィル用液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2008222961A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JPH09302201A (ja) 気密封止用エポキシ樹脂系組成物
JP2004168829A (ja) エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた真空用機器
MY126565A (en) Epoxy resin composition and resin-encapsulated semiconductor device
JP2005146157A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用中空パッケージ
JP5005272B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2004115747A (ja) ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置
JPH09165498A (ja) 電子部品封止用樹脂組成物
JP2005290077A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005053978A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09286845A (ja) 電子部品封止用樹脂組成物
JP3944736B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20081023

FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20081023