RU2005109910A - Фотоэлектрическое или электретное запоминающее устройство и способ управления подобным устройством - Google Patents
Фотоэлектрическое или электретное запоминающее устройство и способ управления подобным устройством Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005109910A RU2005109910A RU2005109910/09A RU2005109910A RU2005109910A RU 2005109910 A RU2005109910 A RU 2005109910A RU 2005109910/09 A RU2005109910/09 A RU 2005109910/09A RU 2005109910 A RU2005109910 A RU 2005109910A RU 2005109910 A RU2005109910 A RU 2005109910A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- memory cells
- voltage
- temperature
- electrodes
- switching speed
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 27
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 claims 1
- 230000036755 cellular response Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/221—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
Claims (29)
1. Способ управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством, содержащим ячейки памяти на основе тонкопленочного поляризуемого ферроэлектрического или электретного материала, обладающего гистерезисом, например, на основе тонкой ферроэлектрической или электретной полимерной пленки, и первый и второй наборы электродов, взаимно параллельных в пределах одного набора, причем электроды первого и второго наборов расположены, по существу, ортогонально по отношению к электродам другого набора и находятся в прямом или непрямом контакте с тонкопленочным материалом, образующим ячейки памяти, а поляризационное состояние индивидуальных ячеек памяти можно считывать, обновлять или записывать путем подачи соответствующих напряжений на индивидуальные электроды первого и второго наборов, причем способ реализует протокол подачи импульсов напряжения заданной амплитуды и длительности, включающий циклы считывания и записи/обновления, состоящие из временных последовательностей импульсов напряжения заданной амплитуды и длительности, при этом цикл считывания предусматривает приложение набора разности напряжений к электродам первого и второго наборов с осуществлением считывания данных из ячеек памяти, цикл записи/обновления в составе протокола подачи импульсов напряжения предусматривает приложение к электродам первого и второго наборов иного набора разности напряжений с осуществлением записи/обновления данных, хранящихся в ячейках памяти, указанные наборы разностей напряжений соответствуют заданному массиву значений потенциалов, причем этот заданный массив содержит, по меньшей мере, три отдельных значения потенциала, отличающийся тем, что включает операции
(а) определения, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика ячеек памяти на прикладываемые к ним разности напряжений;
(б) определения, по меньшей мере, одного корректирующего фактора для импульсов напряжения, входящих в состав протокола подачи импульсов напряжения, на основе указанного, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика ячеек памяти на прикладываемые к ним разности напряжений;
(в) выбора для корректировки протокола подачи импульсов напряжения, по меньшей мере, одного из следующих параметров указанного протокола: амплитуд импульсов, длительностей импульсов и интервалов между импульсами; и
(г) корректировки одного или более значений, по меньшей мере, одного из выбранных параметров протокола подачи импульсов напряжения в соответствии с указанным, по меньшей мере, одним корректирующим фактором, с обеспечением тем самым корректировки одной или более амплитуд импульсов, одной или более длительностей импульсов и одного или более интервалов между импульсами либо по отдельности, либо в комбинации в соответствии с обнаруженным изменением отклика ячеек памяти.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что корректируют, по меньшей мере, значения амплитуд импульсов и/или длительностей импульсов напряжения, обеспечивающих переключение, в составе протокола подачи импульсов напряжения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что определение, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика, при выполнении операции (а) осуществляют путем определения, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего скорость переключения в ферроэлектрическом запоминающем устройстве, а определение, по меньшей мере, одного корректирующего фактора при выполнении операции (б) осуществляют путем определения корректирующего фактора, зависящего от скорости переключения.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один параметр, характеризующий скорость переключения, определяют при выполнении операции (а) путем измерения мгновенной скорости переключения в ферроэлектрическом запоминающем устройстве.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что измерение скорости переключения осуществляют путем измерения скорости переключения одной или более опорных ячеек памяти.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что измерение скорости переключения осуществляют путем анализа текущих операций адресации, включающих переключение ячеек памяти в ферроэлектрическом запоминающем устройстве.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что определение, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего скорость переключения, при выполнении операции (а) осуществляют путем непрерывного мониторинга скорости переключения в ферроэлектрическом запоминающем устройстве, корректируя протокол подачи импульсов напряжения посредством создания, с помощью, по меньшей мере, одного корректирующего фактора, зависящего от скорости переключения, прикладываемых разностей напряжения, настраивая указанный протокол в реальном времени в соответствии с изменением в отклике на приложенные разности напряжений и применяя настроенный в реальном времени протокол подачи импульсов напряжения для корректировки, по меньшей мере, одного из значений параметра протокола подачи импульсов напряжения при выполнении операции (г).
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что при выполнении операции (г) корректируют все значения, по меньшей мере, одного параметра протокола подачи импульсов напряжения.
9. Способ по п.3, отличающийся тем, что корректирующий фактор, зависящий от скорости переключения, определяют при выполнении операции (б) путем вычислений.
10. Способ по п.3, отличающийся тем, что корректирующий фактор, зависящий от скорости переключения, определяют при выполнении операции (б) путем считывания из таблицы соответствия.
11. Способ по п.3, отличающийся тем, что при выполнении операции (б) определяют первый и второй корректирующие факторы, зависящие от скорости переключения.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что определение, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика, при выполнении операции (а) осуществляют путем определения, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего температуру запоминающего устройства, а определение, по меньшей мере, одного корректирующего фактора при выполнении операции (б) осуществляют путем определения, по меньшей мере, одного корректирующего фактора, зависящего от температуры.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что определение, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего температуру, при выполнении операции (а) осуществляют путем прямого определения рабочей температуры ферроэлектрического запоминающего устройства.
14. Способ по п.12, отличающийся тем, что определение корректирующего фактора, зависящего от температуры, при выполнении операции (б) осуществляют путем вычислений.
15. Способ по п.12, отличающийся тем, что определение корректирующего фактора, зависящего от температуры, при выполнении операции (б) осуществляют путем считывания из таблицы соответствия.
16. Способ по п.12, отличающийся тем, что при выполнении операции (б) осуществляют определение первого и второго корректирующих факторов, зависящих от температуры.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что первый корректирующий фактор определяют, как температурный коэффициент, который используют при выполнении операции (г) для корректировки всех значений, по меньшей мере, одного из параметров протокола подачи импульсов напряжения.
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что второй корректирующий фактор определяют, как напряжение смещения, которое используют при выполнении операции (г) для корректировки, по меньшей мере, одного значения амплитуды или уровня потенциала.
19. Способ по п.16, отличающийся тем, что корректировку значений параметра при выполнении операции (г) сначала осуществляют путем первой корректировки в соответствии с первым корректирующим фактором, зависящим от температуры, а затем путем второй корректировки в соответствии со вторым корректирующим фактором, зависящим от температуры, или, альтернативно, указанную корректировку сначала осуществляют путем первой корректировки в соответствии со вторым корректирующим фактором, зависящим от температуры, а затем путем второй корректировки в соответствии с первым корректирующим фактором, зависящим от температуры.
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что определение, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика, при выполнении операции (а) осуществляют путем определения, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего температуру запоминающего устройства, посредством измерения скорости переключения ячеек памяти в запоминающем устройстве и использования установленной корреляции между измеренной скоростью переключения и действительной температурой запоминающего материала ячеек памяти для определения указанной действительной температуры.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что измерение скорости переключения осуществляют путем измерения скорости переключения одной или более опорных ячеек памяти.
22. Способ по п.20, отличающийся тем, что измерение скорости переключения осуществляют путем анализа текущих операций адресации, вызывающих переключение ячеек памяти в ферроэлектрическом запоминающем устройстве.
23. Ферроэлектрическое или электретное запоминающее устройство, содержащее ячейки памяти на основе тонкопленочного поляризуемого ферроэлектрического или электретного материала, обладающего гистерезисом, например, на основе тонкой ферроэлектрической или электретной полимерной пленки, и первый и второй наборы электродов, взаимно параллельных в пределах одного набора, причем электроды первого и второго наборов расположены, по существу, ортогонально по отношению к электродам другого набора и находятся в прямом или непрямом контакте с тонкопленочным материалом, образующим ячейки памяти, а поляризационное состояние индивидуальных ячеек памяти может быть считано, обновлено или записано путем подачи соответствующих напряжений на индивидуальные электроды первого и второго наборов с использованием способа, реализующего протокол подачи импульсов напряжения, включающий циклы считывания и записи/обновления, состоящие из временных последовательностей импульсов напряжения заданной амплитуды и длительности, при этом цикл считывания предусматривает приложение набора разности напряжений к электродам первого и второго наборов с осуществлением считывания данных из ячеек памяти, цикл записи/обновления в составе протокола подачи импульсов напряжения предусматривает приложение к электродам первого и второго наборов иного набора разности напряжений с осуществлением записи/обновления данных, хранящихся в ячейках памяти, указанные наборы разностей напряжений соответствуют заданному массиву значений потенциалов, причем этот заданный массив содержит, по меньшей мере, три отдельных значения потенциала, запоминающее устройство снабжено блоком управления драйверами для приложения к электродам через драйверные контура заданного массива значений потенциалов с целью осуществления указанных операций по отношению к выбранным ячейкам памяти в соответствии с протоколом подачи импульсов напряжения, предусматривающим операции считывания и записи/обновления, отличающееся тем, что дополнительно содержит средство для определения, по меньшей мере, одного параметра, характеризующего изменение отклика ячеек памяти на прикладываемые к ней разности напряжений; калибровочную память, присоединенную к выходу указанного средства для определения, на основе указанного параметра, характеризующего изменение отклика ячеек памяти, по меньшей мере, одного корректирующего фактора, и один или более контроллеров, присоединенных к выходу калибровочной памяти для осуществления корректировки одного или более значений, по меньшей мере, одного параметра протокола подачи импульсов напряжения, причем контроллеры присоединены также к управляющим входам управляющего блока и/или блока управления драйверами, и декодеры строк и столбцов, включенные между выходами блока управления драйверами и электродами, при этом устройство выполнено с возможностью подачи импульсов напряжения в составе протокола, скорректированного в соответствии с изменением отклика ячеек памяти, через драйверные контура и декодеры строк и столбцов на электроды.
24. Запоминающее устройство по п.23, отличающееся тем, что указанное средство соединено с одной или более парами опорных ячеек памяти.
25. Запоминающее устройство по п.23, отличающееся тем, что снабжено анализатором сигналов, включенным между набором усилителей считывания и калибровочной памятью для проведения анализа отклика ячеек памяти при осуществлении применительно к ним операций считывания или записи/обновления.
26. Запоминающее устройство по п.23, отличающееся тем, что указанное средство содержит датчик температуры для определения рабочей температуры ферроэлектрического запоминающего устройства.
27. Запоминающее устройство по п.23, отличающееся тем, что датчик температуры, калибровочная память и драйверные контуры выполнены в составе контура температурной компенсации.
28. Запоминающее устройство по п.23, отличающееся тем, что контур температурной компенсации является аналоговым контуром.
29. Запоминающее устройство по п.23, отличающееся тем, что контур температурной компенсации является цифровым контуром.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20024335 | 2002-09-11 | ||
| NO20024335A NO317905B1 (no) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | Fremgangsmate for a operere ferroelektrisk eller elektret minneinnretning og en innretning av denne art |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005109910A true RU2005109910A (ru) | 2005-10-10 |
| RU2297051C2 RU2297051C2 (ru) | 2007-04-10 |
Family
ID=19913985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005109910/09A RU2297051C2 (ru) | 2002-09-11 | 2003-09-10 | Фотоэлектрическое или электретное запоминающее устройство и способ управления подобным устройством |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6937500B2 (ru) |
| EP (1) | EP1547091B1 (ru) |
| JP (2) | JP4708026B2 (ru) |
| KR (1) | KR100710931B1 (ru) |
| CN (1) | CN100585730C (ru) |
| AT (1) | ATE365368T1 (ru) |
| AU (1) | AU2003267867A1 (ru) |
| CA (1) | CA2496670A1 (ru) |
| DE (1) | DE60314531T2 (ru) |
| NO (1) | NO317905B1 (ru) |
| RU (1) | RU2297051C2 (ru) |
| WO (1) | WO2004025658A1 (ru) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO317905B1 (no) * | 2002-09-11 | 2004-12-27 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate for a operere ferroelektrisk eller elektret minneinnretning og en innretning av denne art |
| US6922350B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-07-26 | Intel Corporation | Reducing the effect of write disturbs in polymer memories |
| JP4249573B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2009-04-02 | パイオニア株式会社 | 位置認識構造を有する記録媒体、位置認識装置および位置認識方法 |
| JP2005085332A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 強誘電体記憶装置、その駆動方法及び駆動回路 |
| US7233880B2 (en) * | 2003-09-11 | 2007-06-19 | Intel Corporation | Adaptive cache algorithm for temperature sensitive memory |
| NO324607B1 (no) * | 2003-11-24 | 2007-11-26 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate for a betjene et datalagringsapparat som benytter passiv matriseadressering |
| US20050146923A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Diana Daniel C. | Polymer/metal interface with multilayered diffusion barrier |
| NO320149B1 (no) * | 2004-02-13 | 2005-10-31 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate for a drive en ferroelektrisk eller elektret minneinnretning |
| US7222052B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Intel Corporation | Temperature adaptive ferro-electric memory access parameters |
| NO20042771D0 (no) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Thin Film Electronics Asa | Optimering av driftstemperatur i et ferroelektrisk eller elektret minne |
| US7215565B2 (en) * | 2005-01-04 | 2007-05-08 | Thin Film Electronics Asa | Method for operating a passive matrix-addressable ferroelectric or electret memory device |
| US7164289B1 (en) * | 2005-01-21 | 2007-01-16 | Altera Corporation | Real time feedback compensation of programmable logic memory |
| JP4511377B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2010-07-28 | パナソニック株式会社 | 強誘電体記憶装置 |
| JP4143094B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 強誘電体記憶装置 |
| US7405964B2 (en) * | 2006-07-27 | 2008-07-29 | Qimonda North America Corp. | Integrated circuit to identify read disturb condition in memory cell |
| JP2008071440A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリ装置及びその制御方法 |
| US7961493B2 (en) * | 2008-06-06 | 2011-06-14 | International Business Machines Corporation | Programmable device |
| CN101814313B (zh) * | 2010-04-02 | 2013-07-03 | 清华大学 | 单管单电容型铁电存储器 |
| DE102012102326A1 (de) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. | Integrierter nichtflüchtiger Analogspeicher |
| US9520445B2 (en) | 2011-07-12 | 2016-12-13 | Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf E. V. | Integrated non-volatile memory elements, design and use |
| US9064563B2 (en) * | 2013-02-08 | 2015-06-23 | Seagate Technology Llc | Optimization of variable resistance memory cells |
| US9886571B2 (en) | 2016-02-16 | 2018-02-06 | Xerox Corporation | Security enhancement of customer replaceable unit monitor (CRUM) |
| US10528099B2 (en) * | 2016-10-10 | 2020-01-07 | Micron Technology, Inc. | Configuration update for a memory device based on a temperature of the memory device |
| US9977627B1 (en) * | 2016-11-09 | 2018-05-22 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and memory controlling method |
| US10978169B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-04-13 | Xerox Corporation | Pad detection through pattern analysis |
| US10410721B2 (en) * | 2017-11-22 | 2019-09-10 | Micron Technology, Inc. | Pulsed integrator and memory techniques |
| EP3671197A4 (en) * | 2018-03-06 | 2021-06-02 | Hitachi High-Tech Corporation | ION CONCENTRATION MEASURING DEVICE |
| US10497521B1 (en) | 2018-10-29 | 2019-12-03 | Xerox Corporation | Roller electric contact |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US60923A (en) * | 1867-01-01 | Frederick h | ||
| US24837A (en) * | 1859-07-19 | 1859-07-19 | Fastening fob | |
| JPH0677434A (ja) | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP3355595B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2002-12-09 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP3822286B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2006-09-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体メモリ装置 |
| US6157563A (en) * | 1997-06-27 | 2000-12-05 | Matsushita Electronics Corporation | Ferroelectric memory system and method of driving the same |
| US6392916B1 (en) | 1999-10-01 | 2002-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit for providing an adjustable reference voltage for long-life ferroelectric random access memory device |
| JP3768055B2 (ja) * | 2000-01-21 | 2006-04-19 | シャープ株式会社 | 強誘電体型記憶装置 |
| JP2001351373A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置およびそれを用いた半導体集積装置 |
| NO312698B1 (no) | 2000-07-07 | 2002-06-17 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte til å utföre skrive- og leseoperasjoner i en passiv matriseminne og apparat for å utföre fremgangsmåten |
| NO312699B1 (no) | 2000-07-07 | 2002-06-17 | Thin Film Electronics Asa | Adressering av minnematrise |
| JP2002184170A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Sony Corp | 強誘電体型不揮発性半導体メモリ、及び、印加電圧パルス幅制御回路 |
| JP2002313076A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリデバイス |
| NO317905B1 (no) * | 2002-09-11 | 2004-12-27 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate for a operere ferroelektrisk eller elektret minneinnretning og en innretning av denne art |
-
2002
- 2002-09-11 NO NO20024335A patent/NO317905B1/no unknown
-
2003
- 2003-09-10 KR KR1020057004275A patent/KR100710931B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-10 EP EP03748800A patent/EP1547091B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-10 WO PCT/NO2003/000312 patent/WO2004025658A1/en active IP Right Grant
- 2003-09-10 AT AT03748800T patent/ATE365368T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-09-10 AU AU2003267867A patent/AU2003267867A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-10 CA CA002496670A patent/CA2496670A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-10 CN CN03821549A patent/CN100585730C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-10 JP JP2004535291A patent/JP4708026B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-10 RU RU2005109910/09A patent/RU2297051C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-09-10 DE DE60314531T patent/DE60314531T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 US US10/659,428 patent/US6937500B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-06-16 JP JP2008156826A patent/JP2008234832A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1547091A1 (en) | 2005-06-29 |
| EP1547091B1 (en) | 2007-06-20 |
| NO317905B1 (no) | 2004-12-27 |
| US20050073869A1 (en) | 2005-04-07 |
| AU2003267867A1 (en) | 2004-04-30 |
| JP2008234832A (ja) | 2008-10-02 |
| KR20050044919A (ko) | 2005-05-13 |
| CN1682312A (zh) | 2005-10-12 |
| US6937500B2 (en) | 2005-08-30 |
| CA2496670A1 (en) | 2004-03-25 |
| CN100585730C (zh) | 2010-01-27 |
| NO20024335D0 (no) | 2002-09-11 |
| ATE365368T1 (de) | 2007-07-15 |
| KR100710931B1 (ko) | 2007-04-23 |
| JP4708026B2 (ja) | 2011-06-22 |
| DE60314531D1 (de) | 2007-08-02 |
| RU2297051C2 (ru) | 2007-04-10 |
| JP2006512697A (ja) | 2006-04-13 |
| WO2004025658A1 (en) | 2004-03-25 |
| DE60314531T2 (de) | 2008-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2005109910A (ru) | Фотоэлектрическое или электретное запоминающее устройство и способ управления подобным устройством | |
| EP2359357B1 (en) | Digital-drive electroluminescent display with aging compensation | |
| KR101670402B1 (ko) | 구동 및 감지 기술을 복합한 디스플레이 패널 및 터치 패널 | |
| EP0336742A2 (en) | Method and apparatus for the calibration of electrosurgical apparatus | |
| US4701253A (en) | ISFET-based measuring device and method for correcting drift | |
| USRE45291E1 (en) | Voltage-programming scheme for current-driven AMOLED displays | |
| CA2567076C (en) | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays | |
| US20060092183A1 (en) | System and method for setting brightness uniformity in an active-matrix organic light-emitting diode (OLED) flat-panel display | |
| WO2008069257A3 (en) | Liquid crystal display apparatus and liquid crystal panel driving method | |
| CA2577477A1 (en) | Electrochemical sensor | |
| KR102511229B1 (ko) | 표시 패널 및 표시 패널의 구동 모듈 | |
| JP2004348953A5 (ru) | ||
| CN103166640B (zh) | 用于监测转换器基准电压的变化的方法和系统 | |
| GB2621018A (en) | Electrochemical cell characterisation | |
| KR101002099B1 (ko) | 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 디바이스 | |
| JP2000275619A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS6054527A (ja) | Ａ／ｄ変換装置 | |
| JPS63179335A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
| WO2001075459A1 (en) | Electrical conductivity measurement circuit | |
| GB2403581A (en) | A substrate and a display device incorporating the same | |
| SU1345105A1 (ru) | Способ электрохимического определени содержани молекул рного кислорода в биологических объектах,жидких и газообразных средах и устройство дл его осуществлени | |
| JPH01251219A (ja) | アナログ入力装置 | |
| SU586899A1 (ru) | Устройство дл измерени электрических параметров биологических мембран | |
| JPH0465993B2 (ru) | ||
| TW201104277A (en) | Drift calibration circuit and drift calibration system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080911 |