RU2001120908A

RU2001120908A - Пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием

Info

Publication number: RU2001120908A
Application number: RU2001120908/04A
Authority: RU
Inventors: Игорь Ефимович Кардаш; Андрей Владимирович Пебалк; Карен Андраникович Маилян; Сергей Николаевич Чвалун; Такахаси Акио; Сатсу Юичи; Накай Харуказу
Original assignee: Хитачи, Лтд.
Filing date: 2001-07-27
Publication date: 2003-08-10

Claims

1. Пленка из полипараксилилена или его замещенных, имеющая пористую структуру, полученную в результате осуществления следующих стадий: а) сублимации циклического димера параксилилена или его замещенных; б) пиролиза полученного сублимата от более 800 до 950°С; с) полимеризации продукта пиролиза; и д) последующей термообработки.

2. Пленка из полипараксилилена или его замещенных по п.1, отличающаяся тем, что пленка имеет внутри пористую структуру с содержанием пор в количестве 10 - 50 об.%.

3. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных имеющей пористую структуру, включающий стадии: а) сублимации циклического димера параксилилена или его замещенных от 30 до 160°С; б) пиролиза полученного сублимата от более 800 до 950°С; с) полимеризации полученного продукта пиролиза от -40 до +25°С, и д) термообработки продукта полученного полимеризацией.

4. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных имеющей пористую структуру, включающий стадии: а) сублимации циклического димера параксилилена или его замещенных от 30 до 160°С; б) пиролиза полученного сублимата от более 800 до 950°С при скорости потока циклического димера параксилилена или его замещенных из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,009 г/мин; с) полимеризации полученного продукта пиролиза от - 40 до +25°С, и д) термообработки продукта полученного полимеризацией.

5. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных по п.3, отличающийся тем, что каждая из стадий сублимации, пиролиза и полимеризации осуществляется при пониженном давлении 0,001 - 0,1 мм рт.ст.

6. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных по п.3, отличающийся тем, что стадию термической обработки осуществляют ступенчато, чередуя подъем температуры и выдержку нагревания при постоянной температуре, и конечный нагрев осуществляют в интервале от 390 до 410°С.

7. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных по п.3, отличающийся тем, что стадию ступенчатой термической обработки осуществляют при пониженном давлении 0,001 - 0,1 мм рт.ст. или в инертной атмосфере.

8. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных по пп.3-7, отличающийся тем, что стадию термической обработки осуществляют при таких условиях, что на первой стадии, нагрев осуществляют со скоростью не более 4°С/мин до 170-220°С, на второй стадии нагрев осуществляют при постоянной температуре 170 - 220°С не менее 35 мин; на третей стадии нагрев осуществляют со скоростью не более 0,5°С/мин до 350-390°С; на четвертой стадии нагрев осуществляют при постоянной температуре 350 - 390°С не менее 70 мин; на пятой стадии нагрев осуществляют со скоростью не более 0,5°С/мин до 390-410°С; и на шестой стадии нагрев осуществляют при постоянной температуре 390 - 410°С не менее 70 мин.

9. Способ получения пленки из полипараксилилена или его замещенных по п.8, отличающийся тем, что стадию термической обработки осуществляют при таких условиях, что на первой стадии, нагрев осуществляют со скоростью не более 4°С/мин до 190-210°С; на второй стадии нагрев осуществляют при постоянной температуре 190 - 210°С не менее 35 мин; на третей стадии нагрев осуществляют со скоростью не более 0,5°С/мин до 370-380°С; на четвертой стадии нагрев осуществляют при постоянной температуре 370 - 380°С не менее 70 мин; на пятой стадии нагрев осуществляют со скоростью не более 0,5°С/мин до 390-410°С; и на шестой стадии нагрев осуществляют при постоянной температуре 390 - 410°С не менее 70 мин.

10. Пленка из полипараксилилена или его замещенных, имеющая пористую структуру, полученная осуществлением следующих стадий: а) сублимации циклического димера параксилилена или его замещенных от 30 до 160°С; б) пиролиза полученного сублимата от более 800 до 950°С при скорости потока циклического димера параксилилена или его замещенных из зоны сублимации в зону пиролиза до 0,009 г/мин; с) конденсации полученного продукта пиролиза на подложку с одновременной полимеризацией в образующемся слое от -40 до +25°С; и д) температурной обработки продукта полученного полимеризацией, причем продукт полимеризации извлекают из камеры полимеризации после завершения стадии полимеризации и затем подвергают термообработке.

11. Полупроводниковый прибор, включающий: изолирующую пленку; тонкую пленку разводки сформированную на изолирующей пленке; и полупроводниковый элемент, причем тонкая пленка разводки электрически связана с полупроводниковым элементом, в котором изолирующая пленка является пленкой из полипараксилилена или его замещенных имеющей пористую структуру образующуюся в результате осуществления стадий: а) сублимации циклического димера параксилилена или его замещенных; б) пиролиза полученного сублимата от более 800 до 950°С; и с) конденсации продукта полученного пиролизом на подложке с его одновременной полимеризацией в образующемся слое, и последующей стадии термообработки.

12. Полупроводниковый прибор по п.11, отличающийся тем, что полипараксилиленовая пленка, представляющая изолирующую пленку, является пленкой из фторированного полипараксилилена полученного сублимацией циклофана содержащего атомы фтора, с последующим пиролизом полученного сублимата от более 800 до 950°С, и конденсацией полученного продукта пиролиза на подложке с одновременной полимеризацией в образующемся слое, и последующей стадии термообработки.

13. Полупроводниковый прибор по пп.11 и 12, отличающийся тем, что стадию термической обработки изолирующей пленки осуществляют ступенчато, с чередованием подъема температуры и выдержкой нагревания при постоянной температуре, и конечный нагрев осуществляют при 390 - 410°С.

14. Полупроводниковый прибор по пп.11-13, отличающийся тем, что изолирующая пленка является пленкой полученной способом по пп.3 и 4.

15. Полупроводниковый прибор, включающий изолирующую пленку, тонкую пленку разводки, сформированную на изолирующей пленке, и полупроводниковый элемент, причем тонкая пленка разводки электрически связана с полупроводниковым элементом, в котором изолирующая пленка является пленкой из полипараксилилена или его замещенных, имеющей пористую структуру полученную способом по п.3.

16. Полупроводниковый прибор по п.15, отличающийся тем, что изолирующая пленка имеет внутри пленки пористую структуру с содержанием пор в количестве 25 - 50 об.%.

17. Полупроводниковый прибор в виде подложки с многослойной разводкой, включающей основной изолирующий материал, подложки разводки, причем каждая включает проводящую цепь сформированную на ней, и изолирующие слои, причем подложки разводки располагаются одна над другой с изолирующими слоями, каждый из которых располагается между ними, и по крайней мере одна подложка разводки располагается на главной поверхности основного изолирующего материала, причем по крайней мере или изолирующий основной материал или изолирующие слои являются пленкой из полипараксилилена или его замещенных имеющие пористую структуру внутри изолирующего слоя, полученной способом по п.3 или 4.