TWI504514B - 層疊結構、其製造方法及發光裝置 - Google Patents

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Description

層疊結構、其製造方法及發光裝置
本揭露係關於電子元件，且特別是有關於一種含聚對二甲苯膜之層疊結構及其製造方法。
聚對二甲苯(poly(p-xylylene))為一種有機高分子材料，其耐酸鹼、高透明度及高介電常數等特性，經常用作為電子元件的絕緣層的材料。電子元件所使用的基板大多為具有金屬表面之基板或具有半導體表面之基板，例如表面佈有銅層(或銅線路)之印刷電路板(PCB)基板。無論是具有金屬表面之基板或具有半導體表面之基板，表面皆為無機材料，性質與有機高分子材料相差甚遠。因此，若將聚對二甲苯膜直接鍍於金屬或半導體表面時，屬於異質接合，導致聚對二甲苯膜對於金屬或半導體表面的附著度不佳。也就是說，即便聚對二甲苯膜具有良好的絕緣層性質，但其附著度不佳的問題，使得其難以應用至更先進及微縮後的電子元件中。
目前，已發展出提升聚對二甲苯鍍膜對於金屬表面之附著度的方法。其中一種濕式清洗方法，其係以矽烷偶合劑對金屬表面做濕式清洗，並加熱該塗有矽烷偶合劑的金屬表面至至少90℃，以使矽烷偶合劑鍵結至金屬表面。之後，再以 合適的溶劑洗去未鍵結的矽烷偶合劑並烘乾金屬表面。需注意的是，若以濕式清洗方式進行清洗及烘乾，有可能會損害金屬表面的微小電路佈線，且上述矽烷偶合劑與金屬表面的鍵結會隨時間老化，使得聚對二甲苯膜對金屬表面的附著度亦隨時間逐漸降低。
業界另有研發出乾式清洗的方法，例如以電漿將金屬表面活化，以利於直接鍍製聚對二甲苯膜至金屬表面。然而，直接活化金屬表面僅能些微提昇聚對二甲苯膜對金屬表面的附著度，效果仍然有限。
本揭露係提供一種層疊結構，包括：一基板，其具有一表面；一聚對二甲苯膜，設於此基板之此表面上；以及一中介層設於此表面及此聚對二甲苯膜之間，其中此中介層對此基板及此聚對二甲苯膜皆共價接合，此中介層中之Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例為0.3~0.8，其中X為O或N。
本揭露亦提供一層疊結構之製造方法，包含：提供一基板，其具有一表面；通入一矽烷偶合劑於一沉積腔體中，以電漿輔助化氣相沉積形成一中介層於此基板之表面上，其中在進行此電漿輔助化氣相沉積時，此沉積腔體中的氣體實質上僅有此矽烷偶合劑；熱裂解對二甲苯之寡聚物，以形成帶自由基之對二甲苯單體；以及通入此對二甲苯單體至此沉積腔體中，以聚合形成一聚對二甲苯膜，此聚對二甲苯膜與此中介層共價接合。
本揭露更提供一種發光裝置，包括：一基板，具 有一表面；一發光元件於此基板之此表面上；一聚對二甲苯膜於此基板之此表面上，並包覆此發光元件；一中介層，位於此發光元件與此聚對二甲苯膜之間，其中此中介層對此基板及此聚對二甲苯膜皆具有共價連接，此中介層中之Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例為約0.3至0.8，其中X為O或N；以及一第一阻障層，覆於此聚對二甲苯膜上。
100‧‧‧層疊結構
102‧‧‧基板
103‧‧‧基板表面
104‧‧‧中介層
106‧‧‧聚對二甲苯膜
200‧‧‧發光裝置
210‧‧‧發光元件
212‧‧‧阻障層
214‧‧‧阻障層
300‧‧‧發光裝置
310‧‧‧雜質顆粒
第1A~1C圖顯示為依照本揭露一實施例之含聚對二甲苯膜之層疊結構之製造方法於各中間製造階段之剖面圖。
第2A~2E圖顯示為依照本揭露一實施例之發光裝置之製造方法於各中間製造階段之剖面圖。
第3圖顯示為沾附雜質顆粒之發光裝置之剖面圖。
第4A及4B圖各自顯示為本揭露多個實施例之中介層之傅立葉紅外線(FTIR)光譜圖。
第5A及5B顯示各自顯示為形成含聚對二甲苯膜之發光裝置及未包含聚對二甲苯膜之發光裝置置於空氣下操作時的照片之照片。
下述揭露內容提供多種實施例，以實現本揭露的多種不同特徵。在本說明書中，為了簡化說明，將採用特定的實施例、單元、及組合方式說明。然而這些特例僅用以說明而非限制本揭露。此外，為求圖示簡潔清楚，各元件可能以任意比例繪示。
第1A~1C圖顯示為依照本揭露一實施例之含聚對二甲苯膜之層疊結構100之製造方法於各中間製造階段之剖面圖。參見第1A圖，首先提供一基板102，其具有一表面103。基板102可為金屬基板、半導體基板、玻璃基板或塑膠基板。或者，基板102可為任意基板，但表面103為金屬表面、金屬氧化物表面、半導體表面、玻璃表面或塑膠表面。在某些實施例中，金屬表面可包含銅、鈦、鋁、前述之合金或不銹鋼。金屬氧化物表面可包含氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅鋁(AZO)或前述之組合。半導體表面可包含矽或其他任意的半導體材料。玻璃表面可包含強化玻璃、玻纖或前述之組合。塑膠表面可包含聚亞醯胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯基(PEN)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)或前述之組合。
接著，參見第1B圖，沉積一中介層104於基板102之表面103上。在一實施例中，中介層104由電漿輔助化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)形成，並可以矽烷偶合劑作為沉積源。所述之矽烷偶合劑可包含例如六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)或六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane，HMDS)。中介層104之厚度可為約30至約300nm。在本實施例中，中介層104係會與基板102以共價方式接合。此外，中介層104中的Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例為約0.3~0.8，其中X為O或N。
在本實施例中，上述Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例可由電漿輔助化學氣相沉積所使用的氣體氣氛及流量控制。例 如，進行電漿輔助化學氣相沉積時，沉積腔體中的氣體實質上僅有上述的矽烷偶合劑。矽烷偶合劑的流量可為約10sccm至200sccm。此外，電漿輔助化學氣相沉積的電漿功率可為約50W至1000W、沉積腔體的壓力可為約1mTorr至1000mTorr，沉積時間為約1mins~60mins。進行電漿輔助化學氣相沉積時，基板表面103可維持在室溫，如此的低溫可使得中介層104與基板表面103不易有老化的問題，且可減少基板表面103之微小電路(如有)所受的損傷。
在一可選擇之實施例中，於沉積中介層104之前，可先對基板表面103進行電漿處理。例如，此電漿處理可包含通入氬氣至幾近真空的腔體中，在約50W至1000W的功率及在約20℃至100℃的溫度下對基板表面103進行轟擊約1min至3mins，以活化基板表面103。需注意的是，此電漿處理不宜太久，以避免對基板表面103造成傷害。此電漿處理可於基板表面103形成懸鍵，其有助於基板102和中介層104形成共價鍵結。例如，當基板表面103為塑膠表面時，電漿處理可幫助塑膠表面形成碳懸鍵。
接著，參見第1C圖，形成聚對二甲苯膜106於中介層104上。在一實施例中，聚對二甲苯膜106可以化學氣相沉積(CVD)沉積於中介層104上。在本實施例中，化學氣相沉積製程可包括將對二甲苯的寡聚物(例如雙體)固體粉末置於一蒸發室中，並加溫至約150℃以上，以將對二甲苯寡聚物蒸發為氣體。接著，將對二甲苯寡聚物的氣體通入一熱裂解室進行熱裂解。例如，在高於約600℃之溫度下熱裂解。對二甲苯寡聚物將裂 解成對二甲苯單體，且裂解後的對二甲苯單體上係具有自由基以供聚合。接著，將裂解後的對二甲苯單體通入置有前述基板102(其上覆有中介層104)的沉積腔體中，沉積形成聚對二甲苯膜106於中介層104上。進行沉積時，沉積腔體之溫度可為室溫，基板102表面溫度可為室溫至-40℃)，且壓力為約10mTorr至50mTorr。在某些實施例中，聚對二甲苯膜106可包含Parylene-C、Parylene-D、Parylene-N、Parylene-F或前述之組合。聚對二甲苯膜106之厚度可為約0.2μm至10μm。
值得注意的是，聚對二甲苯膜106及中介層104係具有如下之結構式，以彼此共價連接： ，其中n為大於1或等於1之整數，Y為Cl或H，R為-(CH2 )m -，m為0~500之整數。
由於聚對二甲苯膜106共價接合於中介層104上，且中介層104亦是以形成共價接合於基板表面103上，聚對二甲苯膜106對於基板102之附著度可大幅提昇。此外，當中介層104中的Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例為約0.3~0.8時，可避免中介層104中的矽烷基團形成類晶格結構，因而可具有更多的矽烷基團可供與聚對二甲苯膜106形成如上述式(1)的結構，進而提昇聚對二甲苯膜106對於基板102的附著度至理想狀態。例如，無論基板102之表面103是金屬表面、金屬氧化物表面、半導體表 面、玻璃表面還是塑膠表面，聚對二甲苯膜104對於基材102的附著度均可於百格測試中達到5B的標準。
第2A~2E圖顯示為依照本揭露一實施例之發光裝置200之製造方法於各中間製造階段之剖面圖。參見第2A圖，首先提供基板102。如前述，基板102可為金屬基板、半導體基板、玻璃基板或塑膠基板。或者，基板102可為任意基板，但表面103為金屬表面、金屬氧化物表面、半導體表面、玻璃表面或塑膠表面。在此實施例中，基板102為玻璃基板。
接著，參見第2B圖，形成一或多個發光元件210於基板102上。在某些實施例中，發光元件204可包含有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、發光二極體(light emitting diode，LED)、雷射二極體(laser diode，LD)或其他合適的發光元件。需注意的是，雖然第2B圖中僅顯示兩個發光元件210，但亦可依設計需求將其變更為單個發光元件210或更多個發光元件210，且這些發光元件210可為陣列排列。
接著，參見第2C圖，形成中介層104覆蓋於發光元件210及基板102上，並至少具有一部分與基板表面103直接接觸。此中介層104可和基板102形成共價鍵結。在此實施例中，中介層104可和基板102之表面103以矽氧矽的鍵結作接合。
此外，在一可選擇之實施例中，可在形成中介層104之前，先形成一阻障層212於發光元件210上。此阻障層212可包覆整個發光元件210，例如包覆發光元件210之上表面及側壁，以防止水氣或氧氣入侵損害發光元件210。
在某些實施例中，阻障層212可由一或多個有機子 層及/或一或多個無機子層交替堆疊形成，其中每一子層之厚度為約30nm至約200nm。例如，無機子層可包含氧化矽、二氧化鈦、氧化鈦、氮化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、前述之組合或其他透明絕緣材料。有機子層可包含聚氨酯、聚醯胺、聚亞醯胺、聚烯烴、苯並環丁二烯(benzocyclobutadiene)、聚降冰片烯(polynorbornene)、環氧樹脂、聚醚、聚苯胺或前述之組合。或者，阻障層212可為由矽烷偶合劑作為沉積源所形成之有機矽氧層，但阻障層212中Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為小於約0.25。阻障層212中Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例可由電漿輔助化學氣相沉積所使用的氣體氣氛控制。例如，在進行此電漿輔助化學氣相沉積時，可同時通入矽烷偶合劑及氬氣，或者同時通入矽烷偶合劑及N2 O，以形成阻障層212。在某些實施例中，阻障層212之厚度為300nm至約1000nm，且水氣穿透率為小於約10-3 g/m2 ．day。
接著，參見第2D圖，形成聚對二甲苯膜106於中介層104。聚對二甲苯膜106可包含Parylene-C、Parylene-D、Parylene-N、Parylene-F或前述之組合，並可依前述實施例所述之製程形成。在此實施例中，聚對二甲苯膜106之厚度可為約0.2μm至約10μm。
接著，參見第2E圖，形成一阻障層214於聚對二甲苯膜106上。阻障層214可包含一或多個有機子層及/或一或多個無機子層交替堆疊形成，其中每一子層之厚度為約30nm至約200nm。例如，無機子層可包含氧化矽、二氧化鈦、氧化鈦、氮化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、前述之組合或其他透明絕 緣材料。有機子層可包含聚氨酯、聚醯胺、聚亞醯胺、聚烯烴、苯並環丁二烯(benzocyclobutadiene)、聚降冰片烯(polynorbornene)、環氧樹脂、聚醚、聚苯胺或前述之組合。或者，阻障層212可為由矽烷偶合劑作為沉積源所形成之有機矽氧層，但阻障層214中Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為小於約0.25。阻障層214中Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例可由電漿輔助化學氣相沉積所使用的氣體氣氛控制。例如，在進行此電漿輔助化學氣相沉積時，可同時通入矽烷偶合劑及氬氣，或者同時通入矽烷偶合劑及N2 O，以形成阻障層214。在一實施例中，矽烷偶合劑流量為40~80sccm。在某些實施例中，阻障層214之厚度為300nm至約1000nm，且水氣穿透率為小於約10-3 g/m2 ．day。
需注意的是，為避免發光元件210受水氣或其他雜質之影響，在第2B至第2E圖所示之步驟中(包含步驟進行期間及在步驟之間的傳送期間)，應皆保持在真空環境下。
聚對二甲苯膜106為可在真空環境中直接蒸鍍形成，因而可適用於發光元件210的封裝製程，發光元件210的封裝製程能自始至尾在真空環境下進行，以避免發光元件210在未封裝前即受到空氣中的水氣或氧氣損害。此外，聚對二甲苯膜106是在蒸鍍製程中自小分子聚合形成，可具有極佳的包覆性(例如良好的階梯覆蓋率)，並可在短時間內形成厚膜。當在封裝製程中，有雜質顆粒沾附至發光元件210上時，聚對二甲苯膜106即可完整包覆發光元件上之雜質顆粒，大幅降低空氣中的水氣及氧氣滲至發光元件210之機率。需注意的是，雜質顆粒之尺寸為約數μm。阻障層212及214雖然亦可包覆雜質顆粒 310，但其階梯覆蓋率不佳且厚度不足，以致在僅有阻障層212及/或214時，經常會產生空隙或氣泡。在此情況下，聚對二甲苯膜106可幫助包覆雜質顆粒，彌補僅有阻障層212及/或214時的不足，增加了發光裝置200的可靠度。
例如，參見第3圖，其顯示沾附雜質顆粒之發光裝置300之示意圖。如圖所示，聚對二甲苯膜106具有良好的包覆能力及足夠厚的厚度。因此，聚對二甲苯膜106可完整包覆這些雜質顆粒310，有效阻隔空氣中的水氣及氧氣滲入發光元件210。此外，由於中介層104之形成，增加聚對二甲苯膜106對基板102的附著度，更使聚對二甲苯膜106不易自基板102脫落。因此，即便具有雜質顆粒310沾附，發光裝置300仍能具有良好的效能。
【實施例1】
將SUS 304不銹鋼基板放置於沉積腔體中，並使此腔體維持在真空狀態。接著，通入流量為100sccm的Ar，使腔體壓力維持在60mtorr，並以100W的13.56MHz射頻電漿對不銹鋼基板表面作處理約1min。接著，通入流量為100sccm HMDSO至沉積腔體中，於壓力在40mtorr時，以100W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜10min，形成中介層。中介層膜厚約120nm，其中Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.3。
將10g的對二甲苯雙體的固態粉末置於蒸發室中加熱至150℃，以使對二甲苯昇華成氣態。接著，將氣態的對二甲苯通入溫度約650℃的熱裂解室做熱裂解，並將經熱裂解的對二甲苯單體至溫度為室溫的沉積腔體中，沉積聚對二甲苯 膜。聚對二甲苯膜之膜厚約1μm。
【實施例2】
進行如實施例1之相同步驟，但HMDSO的流量為150sccm。在此實施例中，中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.5。
【實施例3】
進行如實施例1之相同步驟，但HMDSO的流量為200sccm。在此實施例中，中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.8。
【實施例4】
進行如實施例1之相同步驟，但同時通入流量為100sccm的HMDSO及流量為30sccm的氬氣至沉積腔體中。在此實施例中，中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.25。
【實施例5】
進行如實施例1之相同步驟，但同時通入流量為100sccm的HMDSO及流量為160sccm的N2 O至沉積腔體中，以形成中介層。此中介層中，中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.07。
【實施例6】
進行如實施例1之相同步驟，但未形成中介層。
第4A及4B圖各自顯示為實施例1、5之中介層之傅立葉紅外線(FTIR)光譜圖。由第4A圖可推知，實施例1之中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.3，且由第4B圖可推知的是，實施例5之中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約 0.07。
將實施例1至6的聚對二甲苯膜做百格測試(依照ASTM D5539標準，以百格刀劃出100方格，再以百格膠帶貼緊確認無氣泡後，快速撕起以確認黏著度)。所得到的結果是，實施例1-3的聚對二甲苯膜對於不銹鋼基板可具有高達5B(無破損)的黏著度，實施例4、5的聚對二甲苯膜對於不銹鋼基板的黏著度2~4B(5~35%範圍有破損)，而實施例6的聚對二甲苯膜對於不銹鋼基板的黏著度0B(超過65%的範圍有破損)。此結果說明了有中介層存在，且中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例約0.3~0.8時，中介層對於基板具有較佳的附著度。
【實施例7】
將玻璃基板放置於沉積腔體中，並使此腔體維持在真空狀態。接著，通入流量為100sccm的Ar，使腔體壓力維持在60mtorr，並以100W的13.56MHz射頻電漿對玻璃基板表面作處理約1min。接著，通入流量為100sccm的HMDSO至沉積腔體中，於壓力在40mtorr時，以100W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜10min，形成中介層，其膜厚約120nm。
將10g的對二甲苯雙體的固態粉末置於蒸發室中加熱至150℃，以使對二甲苯昇華成氣態。接著，將氣態的對二甲苯通入溫度約650℃的熱裂解室做熱裂解，並將經熱裂解的對二甲苯單體至溫度為室溫的沉積腔體中，沉積聚對二甲苯膜。聚對二甲苯膜之膜厚約3μm。
【實施例8】
進行如實施例7之相同步驟，但未形成中介層。
【實施例9】
進行如實施例7之相同步驟，但以聚亞醯胺基板取代玻璃基板。
【實施例10】
進行如實施例8之相同步驟，但以聚亞醯胺基板取代玻璃基板。
對實施例7至10的聚對二甲苯膜做百格測試(依照ASTM D5539標準)。所得到的結果是，實施例7和9的聚對二甲苯膜各自對於玻璃基板和聚亞醯胺基板可具有高達5B(幾無破損)的黏著度，而實施例8和10的聚對二甲苯膜對於玻璃基板和聚亞醯胺基板的黏著度為0B(超過65%的範圍有破損)。
【實施例11】
將設有OLED發光元件之玻璃基板放置於沉積腔體中，並使此腔體維持在真空狀態。接著，通入30sccm的Ar及40sccm的HMDSO，於壓力在40mTorr時，以400W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜，形成第一層阻障子層，其厚度為約50nm，其中此阻障子層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.2。接著，再通入160sccm的N2 O及30sccm的HMDSO，於壓力在20mTorr時，以2000W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜，形成第二層阻障子層於第一層阻障子層上，其厚度為約100nm，其中此阻障子層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例為約0.07。
接著，通入流量為100sccm的HMDSO至沉積腔體中，於壓力在40mtorr時，以100W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜10min，形成約120nm的中介層於第二層阻障子層上，其 中此中介層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的的比例約0.3。
將10g的對二甲苯雙體的固態粉末置於蒸發室中加熱至150℃，以使對二甲苯昇華成氣態。接著，將氣態的對二甲苯通入溫度約650℃的熱裂解室做熱裂解，並將經熱裂解的對二甲苯單體至溫度為室溫的沉積腔體中，形成聚對二甲苯膜披覆於中介層上。所形成之聚對二甲苯膜之膜厚約3μm。
接著，同時通入流量為30sccm的Ar及40sccm的HMDSO，於壓力在40mTorr時，以400W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜，形成第三層阻障子層於聚對二甲苯膜上，其厚度為約50nm，其中此阻障子層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例約0.2。接著，再同時通入160sccm的N2 O及30sccm的HMDSO，於壓力在20mTorr時，以2000W的13.56MHz射頻電漿進行鍍膜，形成第四層阻障子層於第三層阻障子層上，其厚度為約100nm，其中此阻障子層中之矽烷基與矽氧烷基的比例約0.07。
【實施例12】
進行如實施例11之相同步驟，但未形成中介層及聚對二甲苯膜。
第5A及5B圖各自顯示了實施例11及12之OLED發光裝置於空氣下操作時的照片。由圖中可得知的，是實施例11之OLED發光裝置由於具有聚對二甲苯膜保護，在空氣下仍可均勻發光，並具有預期的亮度。相較之下，實施例12之OLED發光裝置由於沒有聚對二甲苯膜保護，亮度已明顯降低且有暗點產生。
雖然本揭露已以數個較佳實施例揭露如上，然其 並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧層疊結構
102‧‧‧基板
103‧‧‧基板表面
104‧‧‧中介層
106‧‧‧聚對二甲苯膜

Claims (20)

  1. 一種層疊結構，包括：一基板，其具有一表面；一聚對二甲苯膜，設於該基板之該表面上；以及一中介層設於該表面及該聚對二甲苯膜之間，其中該中介層對該基板及該聚對二甲苯膜皆共價接合，該中介層中之Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例為約0.3至0.8，其中X為O或N。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之層疊結構，其中該聚對二甲苯膜包含Parylene-C、Parylene-D、Parylene-N、Parylene-F或前述之組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之層疊結構，其中該表面包含金屬表面、金屬氧化物表面、半導體表面、玻璃表面或塑膠表面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之層疊結構，其中該金屬表面包含銅、鈦、鋁、前述之合金或不銹鋼。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之層疊結構，其中該金屬氧化物表面包含氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅鋁(AZO)或前述組合。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之層疊結構，其中該塑膠表面包含聚亞醯胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯基(PEN)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)或前述之組合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之層疊結構，其中該聚對二甲苯膜之厚度為約0.2μm至10μm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之層疊結構，其中該中介層之厚度為約30nm至300nm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之層疊結構，該聚對二甲苯膜及該中介層係以如下之結構式作共價接合： ，其中n為大於1或等於1之整數，Y為Cl或H，R為-(CH2 )m -，m為0~500之整數。
  10. 一種層疊結構之製造方法，包含：提供一基板，其具有一表面；通入一矽烷偶合劑於一沉積腔體中，以電漿輔助化氣相沉積形成一中介層於該基板之表面上，其中在進行該電漿輔助化氣相沉積時，該沉積腔體中的氣體實質上僅有該矽烷偶合劑；熱裂解對二甲苯之寡聚物，以形成帶自由基之對二甲苯單體；以及通入該對二甲苯單體至該沉積腔體中，以聚合形成一聚對二甲苯膜，該聚對二甲苯膜與該中介層共價接合。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之層疊結構之製造方法，其中該矽烷偶合劑的流量為約10至200sccm。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之層疊結構之製造方法，其中該矽烷偶合劑包含六甲基二矽氧烷或六甲基二矽氮烷。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之層疊結構之製造方法，其中該對二甲苯之寡聚物包含對二甲苯之雙體。
  14. 一種發光裝置，包括：一基板，具有一表面；一發光元件於該基板之該表面上；一聚對二甲苯膜於該基板之該表面上，並包覆該發光元件；一中介層，位於該發光元件與該聚對二甲苯膜之間，其中該中介層對該基板及該聚對二甲苯膜皆具有共價連接，該中介層中之Si-C鍵結與Si-X鍵結的比例為約0.3至0.8，其中X為O或N；以及一第一阻障層，覆於該聚對二甲苯膜上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該表面包含金屬表面、金屬氧化物表面、半導體表面、玻璃表面或塑膠表面。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該聚對二甲苯膜之厚度為約0.2μm至約10μm。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該第一阻障層包含一或多個有機子層及/或一或多個無機子層。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該第一阻障層包含一有機矽氧層，且該有機矽氧層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例小於0.25。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，更包含一第二阻 障層於該發光元件及該中介層之間，其中該第二阻障層覆蓋該發光元件之上表面及側壁。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之發光裝置，其中該第二阻障層包含一有機矽氧層，且該有機矽氧層中之Si-C鍵結與Si-O鍵結的比例小於0.25。
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