RU2000101289A - Способ получения пленки оксидного сверхпроводника (варианты), оксидное сверхпроводниковое изделие (варианты), проводниковое изделие с покрытием - Google Patents
Способ получения пленки оксидного сверхпроводника (варианты), оксидное сверхпроводниковое изделие (варианты), проводниковое изделие с покрытиемInfo
- Publication number
- RU2000101289A RU2000101289A RU2000101289/28A RU2000101289A RU2000101289A RU 2000101289 A RU2000101289 A RU 2000101289A RU 2000101289/28 A RU2000101289/28 A RU 2000101289/28A RU 2000101289 A RU2000101289 A RU 2000101289A RU 2000101289 A RU2000101289 A RU 2000101289A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide superconductor
- film
- metal
- equal
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims 42
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910015901 Bi-Sr-Ca-Cu-O Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
Claims (38)
1. Способ получения пленки оксидного сверхпроводника, в котором получают пленку оксифторида металла на подложке, причем указанная пленка оксифторида металла имеет толщину, большую или равную 0,5 мкм, и содержит составляющие металлические элементы оксидного сверхпроводника, преимущественно, в стехиометрических соотношениях, и превращают оксифторид металла в оксидный сверхпроводник при скорости превращения, выбранной путем доведения параметра реакции, выбранного из группы, состоящей из температуры, РН2О и их сочетаний с получением пленки оксидного сверхпроводника, имеющей плотность критического тока переноса, большую или равную около 105 А/см2, при 77 К в нулевом поле.
2. Способ получения пленки оксидного сверхпроводника, в котором: получают пленку оксифторида металла на подложке, причем указанная пленка оксифторида металла содержит составляющие металлические элементы оксидного сверхпроводника, преимущественно, в стехиометрических соотношениях, и превращают оксифторид металла в оксидный сверхпроводник в участвующем в процессе газе, имеющем содержание влаги менее чем около 100% ОВ, как определено при 25oС.
3. Способ получения пленки оксидного сверхпроводника, в котором получают пленку оксифторида металла, причем указанная пленка оксифторида металла содержит составляющие металлические элементы оксидного сверхпроводника, преимущественно, в стехиометрических соотношениях, и превращают оксифторид металла в оксидный сверхпроводник в условиях реакции, выбранных чтобы обеспечить атмосферу над подложкой, содержащую HF в такой концентрации, чтобы получить пленку оксидного сверхпроводника, имеющую плотность критического тока переноса, большую или равную около 105 А/см2 при 77 К, в нулевом поле.
4. Способ получения пленки оксидного сверхпроводника, в котором:
a) получают пленку оксифторида металла на подложке, причем указанная пленка оксифторида металла содержит составляющие металлические элементы оксидного сверхпроводника, преимущественно, в стехиометрических соотношениях;
b) превращают оксифторид металла в оксидный сверхпроводник в участвующем в процессе газе, имеющем содержание влаги менее чем 100% ОВ, как определено при 25oС, в течение времени, достаточного для формирования слоя оксидного сверхпроводника на поверхности раздела подложка/пленка, и
c) завершают превращение оксифторида металла в оксидный сверхпроводник в участвующем в процессе газе, имеющем содержание влаги большее, чем на стадии (b).
a) получают пленку оксифторида металла на подложке, причем указанная пленка оксифторида металла содержит составляющие металлические элементы оксидного сверхпроводника, преимущественно, в стехиометрических соотношениях;
b) превращают оксифторид металла в оксидный сверхпроводник в участвующем в процессе газе, имеющем содержание влаги менее чем 100% ОВ, как определено при 25oС, в течение времени, достаточного для формирования слоя оксидного сверхпроводника на поверхности раздела подложка/пленка, и
c) завершают превращение оксифторида металла в оксидный сверхпроводник в участвующем в процессе газе, имеющем содержание влаги большее, чем на стадии (b).
5. Способ по п. 4, в котором время, достаточное для формирования слоя оксидного сверхпроводника на поверхности раздела подложка/пленка, находится в интервале от, приблизительно, 15 мин до, приблизительно, 2 ч.
6. Способ по п.2, в котором пленка оксидного сверхпроводника имеет плотность критического тока переноса, большую или равную, приблизительно, 105 А/см2 при 77 К, в нулевом поле.
7. Способ по п.1 или 2, в котором пленка оксидного сверхпроводника имеет плотность критического тока переноса, большую или равную, приблизительно, 106 А/см2 при 77 К, в нулевом поле.
8. Способ по п.1, в котором содержание влаги характеризуется относительной влажностью менее чем, приблизительно, 100%, как определено при 25oС.
9. Способ по п.1 или 2, в котором содержание влаги характеризуется относительной влажностью менее чем, приблизительно, 50%, как определено при 25oС.
10. Способ по п. 1 или 2, в котором содержание влаги характеризуется относительной влажностью менее чем, приблизительно, 3%, как определено при 25oС.
11. Способ по п. 1 или 2, в котором содержание влаги характеризуется относительной влажностью менее чем, приблизительно, 1%, как определено при 25oС.
12. Способ по п.1 или 2, в котором подложка содержит металл.
13. Способ по п.1 или 2, в котором подложка содержит керамику.
14. Способ по п.13, в котором керамику выбирают из группы, состоящей из SrTiO3, LaAlO3, диоксида циркония, стабилизированного диоксида циркония, МgО и СеO2.
15. Способ по п.1 или 2, в котором подложка, преимущественно, согласована по решетке с оксидным сверхпроводником.
16. Способ по п.1 или 2, в котором отжиг пленки оксидного сверхпроводника осуществляют так, чтобы произошло насыщение кислородом оксидного сверхпроводника.
17. Способ по п.3, в котором условия для превращения оксифторида металла содержат нагревание пленки оксифторида металла в участвующем в процессе газе, имеющем содержание влаги менее чем, приблизительно, 100% ОВ, как определено при 25oС, и при температуре в пределах 700-835oС.
18. Способ по п.1 или 2, в котором условия для превращения оксифторида металла в оксидный сверхпроводник содержат нагревание в среде, в которой содержание кислорода выбирают так, чтобы оно было настолько низким, как только возможно при заданной температуре, пока еще обеспечивается устойчивость фазы оксидного сверхпроводника.
19. Способ по п.1 или 2, в котором пленку оксифторида металла осаждают, используя технологию металлорганического осаждения.
20. Способ по п.1 или 2, в котором пленку оксифторида металла осаждают, используя технологию, выбранную из группы, состоящей из MOD, MOCVD, реакционного испарения, плазменного напыления, эпитаксии из молекулярных пучков, лазерной абляции, распыления ионным пучком и испарения электронным пучком.
21. Способ по п. 1 или 2, в котором осаждают покрытия трифторацетата металла на подложке и осуществляют разложение покрытия трифторацетата металла до образования пленки оксифторида металла.
22. Способ по п.21, в котором на подложку наносят множество слоев трифторацетата металла.
23. Способ по п. 1 или 2, в котором пленка оксидного сверхпроводника имеет толщину, большую или равную 0,8 мкм.
24. Способ по п. 1 или 2, в котором пленка оксидного сверхпроводника имеет толщину, большую или равную 1,0 мкм.
25. Оксидное сверхпроводниковое изделие, содержащее пленку оксидного сверхпроводника, имеющую толщину более чем 0,5 мкм, осажденную на подложке, причем указанное изделие имеет плотность критического тока переноса (Jc), большую или равную около 105 А/см2 при 77 К в нулевом приложенном магнитном поле.
26. Проводниковое изделие с покрытием, содержащее металлический сердечник, буферный слой, расположенный на сердечнике, и покрытие из оксидного сверхпроводника, имеющее толщину, большую или равную около 0,5 мкм, кристаллический буферный слой, преимущественно, согласован по кристаллической решетке с оксидным сверхпроводником, причем покрытый проводник имеет плотность критического тока, большую или равную около 105 А/см2 при 77 К в собственном поле.
27. Изделие по п. 25 или 26, отличающееся тем, что изделие обладает критической температурой перехода (Тc) больше, чем 92 К.
28. Изделие по п.25 или 26, отличающееся тем, что оксидный сверхпроводник содержит достаточно высокий объемный процент эпитаксии по с-оси, так чтобы обеспечить величины Jc, равные или больше, чем 105 А/см2 при 77 К в нулевом приложенном магнитном поле.
29. Изделие по п.25 или 26, отличающееся тем, что оксидный сверхпроводник содержит остаточный фторид, чтобы получить величины Тc более чем 92 К.
30. Изделие по п.25 или 26, в котором сердечник выбран из группы, состоящей из стали, сплавов никеля, железа, молибдена, серебра и их сочетаний.
31. Изделие по п.25 или 26, в котором буферный слой содержит керамику, выбранную из группы, состоящей из диоксида циркония, стабилизированного диоксида циркония, SrТiO3, LaAlO3, МgО и CeO2.
32. Изделие по п.25 или 26, в котором покрытие из оксидного сверхпроводника имеет толщину, большую или равную, приблизительно, 0,8 мкм.
33. Изделие по п.25 или 26, в котором покрытие из оксидного сверхпроводника имеет толщину, большую или равную, приблизительно, 1,0 мкм.
34. Изделие по п.25 или 26, в котором проводник имеет плотность критического тока, большую или равную, приблизительно, 106 А/см2 при 77 К в собственном поле.
35. Изделие по п.25 или 26, в котором оксидный сверхпроводник характеризуется высокой степенью эпитаксии по с-оси.
36. Изделие по п.25 или 26, в котором оксидный сверхпроводник выбран из группы, состоящей из оксидов из семейств оксидных сверхпроводников Bi-Sr-Ca-Cu-O, Re-Ba-Cu-O, где Re = редкоземельный элемент, Hg-Bi-Sr-Ca-Cu-O и Th-Bi-Sr-Ca-CuO.
37. Изделие по п.25 или 26, в котором оксидный сверхпроводник содержит Re-Ba-Cu-O, где Re = редкоземельный элемент.
38. Оксидное сверхпроводниковое изделие, содержащее пленку оксидного сверхпроводника, имеющую толщину более чем 0,5 мкм, расположенную на подложке, причем указанный оксидный сверхпроводник, преимущественно, эпитаксиально выровнен по с-оси.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US87805897A | 1997-06-18 | 1997-06-18 | |
| US08/878,058 | 1997-06-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000101289A true RU2000101289A (ru) | 2001-10-27 |
| RU2232448C2 RU2232448C2 (ru) | 2004-07-10 |
Family
ID=25371291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000101289/28A RU2232448C2 (ru) | 1997-06-18 | 1998-06-17 | Способ получения пленки оксидного сверхпроводника и оксидное сверхпроводниковое изделие |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6172009B1 (ru) |
| EP (1) | EP0992072A1 (ru) |
| JP (3) | JP4223076B2 (ru) |
| CN (1) | CN1182597C (ru) |
| AU (1) | AU751092B2 (ru) |
| CA (1) | CA2295194A1 (ru) |
| NZ (1) | NZ502030A (ru) |
| RU (1) | RU2232448C2 (ru) |
| WO (1) | WO1998058415A1 (ru) |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1182597C (zh) * | 1997-06-18 | 2004-12-29 | 麻省理工学院 | 将金属氟氧化物转化为超导氧化物的受控转化 |
| US6436317B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-08-20 | American Superconductor Corporation | Oxide bronze compositions and textured articles manufactured in accordance therewith |
| US6828507B1 (en) | 1999-07-23 | 2004-12-07 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors joined at a cap layer |
| US6765151B2 (en) | 1999-07-23 | 2004-07-20 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors |
| US6562761B1 (en) | 2000-02-09 | 2003-05-13 | American Superconductor Corporation | Coated conductor thick film precursor |
| EP1198849A2 (en) * | 1999-07-23 | 2002-04-24 | American Superconductor Corporation | Surface conditioning process for making multi-layer articles |
| US6730410B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-05-04 | Electronic Power Research Institute, Incorporated | Surface control alloy substrates and methods of manufacture therefor |
| US6974501B1 (en) | 1999-11-18 | 2005-12-13 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
| US6673387B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-06 | American Superconductor Corporation | Control of oxide layer reaction rates |
| JP3556586B2 (ja) | 2000-09-05 | 2004-08-18 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体の製造方法、酸化物超電導体用原料、および酸化物超電導体用原料の製造方法 |
| US20020056401A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-16 | Rupich Martin W. | Precursor solutions and methods of using same |
| JP4822637B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2011-11-24 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 酸化物超電導用トリフルオロ酢酸金属塩水和物の製造方法 |
| US6821338B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-11-23 | The Regents Of The University Of California | Particle beam biaxial orientation of a substrate for epitaxial crystal growth |
| WO2002093590A1 (fr) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | Supraconducteur oxyde sous forme de ruban et son mode de fabrication |
| US20030130129A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-07-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Vacuum processing for fabrication of superconducting films fabricated by metal-organic processing |
| US6809066B2 (en) | 2001-07-30 | 2004-10-26 | The Regents Of The University Of California | Ion texturing methods and articles |
| US6794339B2 (en) * | 2001-09-12 | 2004-09-21 | Brookhaven Science Associates | Synthesis of YBa2CU3O7 using sub-atmospheric processing |
| US6745059B2 (en) | 2001-11-28 | 2004-06-01 | American Superconductor Corporation | Superconductor cables and magnetic devices |
| JP3725085B2 (ja) | 2002-03-05 | 2005-12-07 | 株式会社東芝 | 超電導層及びその製造方法 |
| JP4741787B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2011-08-10 | 財団法人電力中央研究所 | 高温超電導膜の作製方法 |
| US20050065035A1 (en) * | 2003-06-10 | 2005-03-24 | Rupich Martin W. | Superconductor methods and reactors |
| KR100529602B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2005-11-17 | 한국산업기술대학교 | 희토류원소계 초전도 산화물을 이용하는 유기금속증착용 전구용액 제조방법 및 유기금속증착법에 의한 박막형 초전도체 제조방법 |
| US7361377B2 (en) * | 2003-07-18 | 2008-04-22 | Brookhaven Science Associates, Llc | Fluorinated precursors of superconducting ceramics, and methods of making the same |
| US20050016759A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-27 | Malozemoff Alexis P. | High temperature superconducting devices and related methods |
| US8227019B2 (en) * | 2003-12-15 | 2012-07-24 | Superpower Inc. | High-throughput ex-situ method for rare-earth-barium-copper-oxide (REBCO) film growth |
| US20050159298A1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-21 | American Superconductor Corporation | Oxide films with nanodot flux pinning centers |
| EP1655787A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-10 | Nexans | Precursor composition for YBCO-based superconductors |
| US7261776B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-08-28 | American Superconductor Corporation | Deposition of buffer layers on textured metal surfaces |
| US7608785B2 (en) * | 2004-04-27 | 2009-10-27 | Superpower, Inc. | System for transmitting current including magnetically decoupled superconducting conductors |
| US7582328B2 (en) | 2004-08-20 | 2009-09-01 | American Superconductor Corporation | Dropwise deposition of a patterned oxide superconductor |
| US7463915B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-12-09 | American Superconductor Corporation | Stacked filamentary coated superconductors |
| US7496390B2 (en) | 2004-08-20 | 2009-02-24 | American Superconductor Corporation | Low ac loss filamentary coated superconductors |
| US7622424B2 (en) | 2004-10-01 | 2009-11-24 | American Superconductor Corporation | Thick superconductor films with improved performance |
| JP5415696B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2014-02-12 | アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション | 機能が向上された厚膜超伝導フィルム |
| US7816303B2 (en) | 2004-10-01 | 2010-10-19 | American Superconductor Corporation | Architecture for high temperature superconductor wire |
| US7622426B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-11-24 | Brookhaven Science Associates, Llc | Methods of controlling hydrogen fluoride pressure during chemical fabrication processes |
| JP4925639B2 (ja) | 2005-03-31 | 2012-05-09 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | Ｒｅ１２３系酸化物超電導体とその製造方法 |
| US7763343B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-07-27 | American Superconductor Corporation | Mesh-type stabilizer for filamentary coated superconductors |
| GB2432726B (en) * | 2005-11-25 | 2008-06-18 | Coated Conductors Consultancy | Template for a superconducting coil |
| US7674751B2 (en) * | 2006-01-10 | 2010-03-09 | American Superconductor Corporation | Fabrication of sealed high temperature superconductor wires |
| JP4690246B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 超電導薄膜材料およびその製造方法 |
| WO2008118127A1 (en) | 2006-07-21 | 2008-10-02 | American Superconductor Corporation | Low resistance splice for high temperature superconductor wires |
| JP4738322B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
| US7893006B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-02-22 | American Superconductor Corporation | Systems and methods for solution-based deposition of metallic cap layers for high temperature superconductor wires |
| CN101471161B (zh) * | 2007-12-28 | 2010-12-08 | 北京有色金属研究总院 | 一种三氟酸盐-金属有机沉积制备高温超导薄膜的方法 |
| JP5017161B2 (ja) | 2008-03-27 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体 |
| US20100015340A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Zenergy Power Inc. | COMPOSITIONS AND METHODS FOR THE MANUFACTURE OF RARE EARTH METAL-Ba2Cu3O7-delta THIN FILMS |
| US8195260B2 (en) | 2008-07-23 | 2012-06-05 | American Superconductor Corporation | Two-sided splice for high temperature superconductor laminated wires |
| US8236733B2 (en) | 2009-07-20 | 2012-08-07 | Seoul National University Industry Foundation | Method of forming a precursor solution for metal organic deposition and method of forming superconducting thick film using the same |
| JP5562615B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2014-07-30 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 希土類系酸化物超電導線材の製造方法 |
| US9362477B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-06-07 | Sunam Co., Ltd. | Method of forming ceramic wire, system of forming the same, and superconductor wire using the same |
| US8428671B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-04-23 | American Superconductor Corporation | Thick oxide film by single coating |
| EP2601153A4 (en) * | 2010-08-06 | 2014-08-13 | Brookhaven Sciences Ass Llc | SOLID CATALYSIS OF SUPERCONDUCTIVE CUPRATES |
| WO2016150781A1 (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Basf Se | Process for the production of high temperature superconductor wires |
| JP6374365B2 (ja) * | 2015-09-16 | 2018-08-15 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体、およびその製造方法 |
| CN106282923B (zh) * | 2016-08-31 | 2017-07-18 | 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 | 高温超导薄膜制备方法 |
| US10301221B1 (en) | 2016-09-20 | 2019-05-28 | United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy | Materials, devices, and methods for producing strong magnetic-flux pinning in superconducting materials by including sites having high electronic effective mass and charge carrier density |
| KR102058865B1 (ko) | 2018-04-12 | 2019-12-24 | (주)아이엠 | 초가속 열소재를 이용한 발열 디바이스 및 이의 제조방법 |
| JP7342310B2 (ja) * | 2019-05-28 | 2023-09-12 | 国立大学法人東北大学 | 電源装置、超伝導装置、超伝導デバイス、及び超伝導デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5603983A (en) | 1986-03-24 | 1997-02-18 | Ensci Inc | Process for the production of conductive and magnetic transitin metal oxide coated three dimensional substrates |
| JPH01212220A (ja) | 1987-10-09 | 1989-08-25 | Fujitsu Ltd | 超伝導材料の気相成長方法 |
| US5296460A (en) | 1988-02-19 | 1994-03-22 | Northwestern University | CVD method for forming Bi -containing oxide superconducting films |
| JPH01281779A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Fujitsu Ltd | 集積回路用素子 |
| US4962086A (en) * | 1988-06-08 | 1990-10-09 | International Business Machines Corporation | High Tc superconductor - gallate crystal structures |
| NL8801945A (nl) * | 1988-08-04 | 1990-03-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting met een laag uit een oxidisch supergeleidend materiaal. |
| CA2008310C (en) | 1989-02-04 | 1997-03-04 | Satoshi Takano | Superconducting wire |
| US5004725A (en) * | 1989-04-27 | 1991-04-02 | Ovonic Synthetic Materials Company Inc. | Parametrically modified superconductor material |
| JPH0375204A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物超伝導膜パターン作製法 |
| JPH03103382A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 超伝導セラミックス構造体 |
| US5231074A (en) * | 1990-04-17 | 1993-07-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Preparation of highly textured oxide superconducting films from mod precursor solutions |
| US5280012A (en) | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Advanced Technology Materials Inc. | Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD |
| US5225561A (en) | 1990-07-06 | 1993-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements |
| US5453494A (en) | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
| US5124310A (en) * | 1990-08-20 | 1992-06-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Laser ablation method for depositing fluorinated y-ba-cu-o superconducting film having basal plane alignment of the unit cells deposited on non-lattice-matched substrates |
| US5426092A (en) * | 1990-08-20 | 1995-06-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous or semi-continuous laser ablation method for depositing fluorinated superconducting thin film having basal plane alignment of the unit cells deposited on non-lattice-matched substrates |
| US5319118A (en) | 1991-10-17 | 1994-06-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile barium precursor and use of precursor in OMCVD process |
| US5741377A (en) | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
| CN1182597C (zh) * | 1997-06-18 | 2004-12-29 | 麻省理工学院 | 将金属氟氧化物转化为超导氧化物的受控转化 |
| JP2001332145A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 高温超電導膜の作製方法 |
-
1998
- 1998-06-17 CN CNB988082314A patent/CN1182597C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-17 WO PCT/US1998/012645 patent/WO1998058415A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-06-17 EP EP98930342A patent/EP0992072A1/en not_active Withdrawn
- 1998-06-17 AU AU79752/98A patent/AU751092B2/en not_active Ceased
- 1998-06-17 CA CA002295194A patent/CA2295194A1/en not_active Abandoned
- 1998-06-17 NZ NZ502030A patent/NZ502030A/xx not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 RU RU2000101289/28A patent/RU2232448C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 JP JP50476799A patent/JP4223076B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-22 US US09/470,926 patent/US6172009B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-30 US US10/159,870 patent/US6610428B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006170836A patent/JP2007019015A/ja not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-12 JP JP2008234788A patent/JP2009035479A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2000101289A (ru) | Способ получения пленки оксидного сверхпроводника (варианты), оксидное сверхпроводниковое изделие (варианты), проводниковое изделие с покрытием | |
| JP2664066B2 (ja) | 超電導薄膜およびその作製方法 | |
| EP1735847B1 (en) | Biaxially-textured film deposition for superconductor coated tapes | |
| US4994435A (en) | Laminated layers of a substrate, noble metal, and interlayer underneath an oxide superconductor | |
| US6226858B1 (en) | Method of manufacturing an oxide superconductor wire | |
| US8653005B2 (en) | Fluorinated precursors of superconducting ceramics, and methods of making the same | |
| US7736761B2 (en) | Buffer layer for thin film structures | |
| US7737085B2 (en) | Coated conductors | |
| JP2009035479A (ja) | 金属オキシフッ化物の超伝導性酸化物への制御された変換 | |
| JP2002505032A5 (ru) | ||
| JPH08506216A (ja) | 低温にて形成された超伝導ＹＢａ▲下２▼Ｃｕ▲下３▼Ｏ▲下７−ｘ▼ | |
| WO2006071543A1 (en) | HIGH RATE BUFFER LAYER FOR IBAD MgO COATED CONDUCTORS | |
| US6794339B2 (en) | Synthesis of YBa2CU3O7 using sub-atmospheric processing | |
| EP0446789B1 (en) | Method of preparing oxide superconducting film | |
| KR930008648B1 (ko) | 페로브스키트형 초전도체막 준비공정 | |
| US5389606A (en) | Process for producing thin films of inorganic oxides of controlled stoichiometry | |
| US7622426B2 (en) | Methods of controlling hydrogen fluoride pressure during chemical fabrication processes | |
| Araki et al. | Carbon expelling scheme and required conditions for obtaining high-J/sub c/YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7-x/film by metalorganic deposition using trifluoroacetates | |
| Shoup et al. | Low-cost combustion chemical vapor deposition of epitaxial buffer layers and superconductors | |
| US20090036313A1 (en) | Coated superconducting materials | |
| JP2564598B2 (ja) | 酸化物超伝導体及びその製造方法 | |
| JP2813287B2 (ja) | 超電導線材 | |
| JP3045705B2 (ja) | 酸化物系超電導材料とその製法およびそれを用いた装置 | |
| KR100336940B1 (ko) | （100）＜001＞집합조직을 갖는 니켈판 위에화학증착법으로 에피택시알(ｅｐｉｔａｘｉａｌ)하게ＮｉＯ박막을 제조한 Ｎｉ/ＮｉＯ 복합체 및 이의제조방법과 장치 | |
| JPH01105416A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 |