RU1838236C - Способ получени трихлормоносилана - Google Patents

Способ получени трихлормоносилана

Info

Publication number
RU1838236C
RU1838236C SU894742716A SU4742716A RU1838236C RU 1838236 C RU1838236 C RU 1838236C SU 894742716 A SU894742716 A SU 894742716A SU 4742716 A SU4742716 A SU 4742716A RU 1838236 C RU1838236 C RU 1838236C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
trichloromonosilane
hci
amount
silicon powder
Prior art date
Application number
SU894742716A
Other languages
English (en)
Inventor
Форвалл Карл
Скюсслер Гуннар
Серли Эйвинн
Original Assignee
Элкем А/С
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Элкем А/С filed Critical Элкем А/С
Application granted granted Critical
Publication of RU1838236C publication Critical patent/RU1838236C/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

Использование: в качестве сырь  при изготовлении кремниевых транзисторов. Сущность изобретени : трихлормоносилан получают при взаимодействии кремниевого порошка фракции 50-350 мкм, полученного газовым распылением расплавленного кремни , с газообразным хлористым водородом в псевдоожиженном слое при 290°С. 1 табл.

Description

Изобретение относитс  к способам получени  трихлормоносилана, HSiCla.
.Сверхчистый трихлормоносилан используетс  в качестве сырь  при изготовлении кремниевых транзисторов. Трихлормоносилан получают путем взаимодействи  кремниевого порошка с газообразным HCI в реакторе с псевдоожиженном слоем, причем газообразный HCI подаетс  в реактор, содержащий порошок, при температуре от 280 до 300°С. Трихлормоносилан, который имеет температуру кипени , равную 31,8°С, отдел ют от газообразного продукта, выдел ющегос  из псевдоожиженного сло , путем конденсации, а от других хлорсиланов - перегонкой.
Важным параметром при получении трихлормоносилана  вл ете количество непрореагио,овавшего газообразного HCI. Количество непреагировавшего газообразного НС представл ет очень важный фактор стоимости процесса, поэтому количество непрореагировавшего HCI должно быть как можно более низким. Большое количество непрореагировавшего HCI также ведет к увеличению нежелательного побочного продукта SICU в газообразном продукте , в результате чего снижаетс  количество полученного трихлормоносилана. При получении трихлормоносилана используетс  кремниевый порошок, получаемый путем дроблени  и измельчени  отливок кремни . Из-за низкой скорости охлаждени , характерной дл  лить  заготовок, в отливках кремни  наблюдаетс  значительна  тенденци  с сегрегации легирующих элементов и примесей. В процессе дроблени  и измельчени  отливок кремни  получают неоднородный порошкообразный продукт, который характеризуетс  довольно большими различи ми в химическом составе у отдельных частиц.
Качество и однородность кремниевого порошка оказывает заметное вли ние на вышеописанный способ получени  трихлормоносилана , при этом было установлено, что использование кремниевого порошка, полученного с помощью газового распылени  расплавленного кремни , позэол ет достичь удивительно высокой эффективности расходовани  газообразного НС1 в способе получени  трихлормоносилана на основе взаимодействи  кремниевого порошка с газообразным HCI.
ел
с
Предметом насто щего изобретени  также  вл етс  способ получени  трихлормоносилана в реакторе с псевдоожижен- ным слоем в результате взаимодействи  кремниевого порошка с газообразным ВС) при температуре от 280 до 300°С, причем этот способ отличаетс  тем, что кремний, загружаемый в.реактор, получают путем газового распылени  расплавленного кремни .
Кремниевыми порошок имеет размер частиц от 1 до 1000 мкм, предпочтительно от 50до800мкм.
В соответствии со способом по насто щему изобретению значительно увеличиваетс  эффективность использовани  HCI в этом процессе, так как количество непроре- агировавшегос  HCI в газообразном продукте уменьшаетс  с обычных 5 - 10% до 2-3%. Уменьшение количества непрореагировавшего HCI также ведет к снижению количества побочных продуктов, прежде всего SICU. Было установлено, что количество образовавшегос  SICU уменьшаетс  на 3 - 5% при применении способа по насто щему изобретению. Это также ведет к большему производству трихлормоносилана.
Пример. Испытани  проводились в реакторе с псевдоожиженным слоем, внутренний диаметр которого равн етс  40 мм. Во всех испытани х использовалось одинаковое количество кремни  с размером частиц от 50 до 350 мкм. Газообразный HCI под давлением 2 бара подавали в нижнюю часть реактора. Поток HCI оставалс  посто нным
0
5.
0
5
0
5
на прот жении всех испытаний. После нагрева и инициировани  реакции услови  ре- акции оставались посто нными при температуре 290°С. В этих услови х измер ли содержание HCI в газообразном продукте .
Испытание А проводили с использованием кремниевого порошка, полученного обычным способом путем, дроблени  и измельчени  отливки кремни . Испытание В проводили с использованием кремниевого порошка, полученного путем распылени  расплавленного кремни  азотом.
Химический состав кремниевых порошков приведен в таблице.
Было установлено, что степень HCI в испытании А составил 92%, в то врем  как степень использовани  НС1 в испытании составил 98%. Эти данные свидетельствуют о сильном увеличении выхода HCI при получении его в соответствии со способом по насто щему изобретению при сравнении и обычным способом.
Формул а изобретен и   Способ получени  трихлормоносилана, включающий взаимодействие кремниевого порошка с газообразным хлористым водородом в псевдоожиженном слое при 290°С, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  степени использовани  хлористого водорода, на взаимодействие подают кремниевый порошок фракции 50-350 мкм, полученный газовым расплавлением расплавленного кремни .
SU894742716A 1988-12-08 1989-12-07 Способ получени трихлормоносилана RU1838236C (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO885454A NO166032C (no) 1988-12-08 1988-12-08 Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1838236C true RU1838236C (ru) 1993-08-30

Family

ID=19891500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894742716A RU1838236C (ru) 1988-12-08 1989-12-07 Способ получени трихлормоносилана

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4986971A (ru)
JP (1) JPH02208217A (ru)
BR (1) BR8906363A (ru)
CA (1) CA2003168C (ru)
DD (1) DD285967A5 (ru)
DE (1) DE3938897A1 (ru)
FR (1) FR2640254B1 (ru)
NO (1) NO166032C (ru)
RU (1) RU1838236C (ru)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871705A (en) * 1996-09-19 1999-02-16 Tokuyama Corporation Process for producing trichlorosilane
DE102004017453A1 (de) * 2004-04-08 2005-10-27 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan
DE502006008382D1 (de) * 2005-03-05 2011-01-05 Jssi Gmbh Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium
JP4664892B2 (ja) * 2006-12-05 2011-04-06 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ シリコン塩化物の製造方法
JP4620694B2 (ja) * 2007-01-31 2011-01-26 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 高純度トリクロロシランの製造方法
JP5337749B2 (ja) 2010-03-10 2013-11-06 信越化学工業株式会社 トリクロロシランの製造方法
JP5909153B2 (ja) 2012-06-14 2016-04-26 信越化学工業株式会社 高純度多結晶シリコンの製造方法
JP5879283B2 (ja) 2013-02-13 2016-03-08 信越化学工業株式会社 トリクロロシランの製造方法
JP5886234B2 (ja) 2013-04-11 2016-03-16 信越化学工業株式会社 シラン化合物またはクロロシラン化合物の精製方法、多結晶シリコンの製造方法、および、弱塩基性イオン交換樹脂の再生処理方法
DE102013215011A1 (de) 2013-07-31 2015-02-05 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
JP6069167B2 (ja) 2013-10-23 2017-02-01 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
JP6095613B2 (ja) 2014-07-10 2017-03-15 信越化学工業株式会社 クロロシランの精製方法
JP7087109B2 (ja) * 2018-04-18 2022-06-20 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト クロロシランの製造方法
CN114127012B (zh) * 2018-12-18 2024-02-06 瓦克化学股份公司 制备氯硅烷的方法
WO2020125955A1 (de) * 2018-12-18 2020-06-25 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
WO2020221421A1 (de) * 2019-04-29 2020-11-05 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit struktur-optimierten silicium-partikeln
EP3976533A1 (de) * 2019-05-29 2022-04-06 Wacker Chemie AG Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit strukturoptimierten silicium-partikeln
US12065457B2 (en) 2019-06-14 2024-08-20 Wacker Chemie Ag Process for preparing methylchlorosilanes with structure-optimised silicon particles
JP7278888B2 (ja) * 2019-06-28 2023-05-22 高純度シリコン株式会社 トリクロロシランの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA652188A (en) * 1962-11-13 Chassaing Pierre Production of trichlorosilane
FR1239350A (fr) * 1959-06-24 1960-12-16 Pechiney Perfectionnement à la fabrication industrielle du trichlorosilane
US3592391A (en) * 1969-01-27 1971-07-13 Knapsack Ag Nozzle for atomizing molten material
US4347199A (en) * 1981-03-02 1982-08-31 Dow Corning Corporation Method and apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form
JPS5832011A (ja) * 1981-08-17 1983-02-24 Nippon Aerojiru Kk 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法
US4419060A (en) * 1983-03-14 1983-12-06 Dow Corning Corporation Apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form

Also Published As

Publication number Publication date
FR2640254B1 (fr) 1993-08-27
CA2003168C (en) 1997-07-15
DD285967A5 (de) 1991-01-10
DE3938897A1 (de) 1990-06-13
NO885454L (no) 1990-06-11
NO885454D0 (no) 1988-12-08
BR8906363A (pt) 1990-08-21
JPH055765B2 (ru) 1993-01-25
JPH02208217A (ja) 1990-08-17
FR2640254A1 (fr) 1990-06-15
US4986971A (en) 1991-01-22
NO166032B (no) 1991-02-11
CA2003168A1 (en) 1990-06-08
NO166032C (no) 1991-05-22
DE3938897C2 (ru) 1992-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU1838236C (ru) Способ получени трихлормоносилана
US5125964A (en) Fluidized bed process for preparing tungsten powder
JP2005298327A (ja) トリクロロモノシランの製造方法
KR100752810B1 (ko) 트리클로로실란을 제조하는 방법 및 트리클로로실란의제조에서 사용되는 실리콘
EP2792640B1 (en) Method for producing high-purity chloropolysilane
EP0620803A1 (en) Process for preparing ultrafine aluminum nitride powder
US4895969A (en) Process for the production of organosilanes
JPS6111886B2 (ru)
EP0385096B1 (en) Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder
US2504927A (en) Production of alkali metal hydrides
US3109014A (en) Method for preparing monomethyldichlorosilane
KR950004958B1 (ko) 아민 알란의 안정화 방법 및 안정도가 증가된 아민 알란을 제조하는 방법
US2698343A (en) Vapor phase process for the production of dimethylcarbamyl chloride from phosgene and trimethyl amine
US5693342A (en) Coumarin spherules/beads having unique morphology
JPH0297415A (ja) 塩化水素又は塩化水素と塩素との混合物と金属珪素含有物質との反応の際に四塩化珪素の量を上昇させるための方法
JPS6111885B2 (ru)
US3897541A (en) Process for preparing pure cyanogen chloride
JPH0131454B2 (ru)
SU865790A1 (ru) Способ получени дихлорсилана
JPH0353247B2 (ru)
JPH0816113B2 (ja) カルボン酸のビスートリメチルシリルアミドの製造法
SU188974A1 (ru)
US2898357A (en) Method for making titanium dichloride diacetate
CN115636416A (zh) 一种四氯化硅的合成方法
JPS6341482A (ja) テトラメトキシシランの製法