JPS5832011A - 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法 - Google Patents
珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属珪素捷たは金属珪素含有固体材料とJム
ロヒ水累とを反応させることにより、トリクロルシラン
と四用化珪素を工業的に製造する方法に関する。
ロヒ水累とを反応させることにより、トリクロルシラン
と四用化珪素を工業的に製造する方法に関する。
珪素とj稀化水素との反応は、公知の様に急速に進行し
、かつ強い発熱をともなう。寸た反応温度が1F6くな
るほど、生成されるトリクロルシランと四jn化珪素中
のトリクロルシラン濃度は減少する。
、かつ強い発熱をともなう。寸た反応温度が1F6くな
るほど、生成されるトリクロルシランと四jn化珪素中
のトリクロルシラン濃度は減少する。
たとえば、同1− IJジクロシラン成分は、平衡状態
において260°CでIflJ95重層係、400°0
で約70重i%、600℃で約40重F71−%、
800”0で約20重量%である。この反応により生成
されるトリクロルシラン、四重化珪素は共に15f″V
、上有用な物貰である。たとえばトリクロル7ランは半
導体シリコンの原料として、1女四」スA化丁↑素は気
相法シリカの原料として特に有J14である。
において260°CでIflJ95重層係、400°0
で約70重i%、600℃で約40重F71−%、
800”0で約20重量%である。この反応により生成
されるトリクロルシラン、四重化珪素は共に15f″V
、上有用な物貰である。たとえばトリクロル7ランは半
導体シリコンの原料として、1女四」スA化丁↑素は気
相法シリカの原料として特に有J14である。
したがって、従来、トリクロルシランを主成分として製
造する1L:合には、主として熱移動操作の簀易な流動
層を便ハ1し、1六四j虐化珪1を主成分として(II
J造する場合には、主として熱移動が少く。
造する1L:合には、主として熱移動操作の簀易な流動
層を便ハ1し、1六四j虐化珪1を主成分として(II
J造する場合には、主として熱移動が少く。
製造コストの安価な固定層を使用している。これら両装
置は共に公知である。
置は共に公知である。
ところが、流動層法においては9次のJiiti 1:
<jがあっに0 1、 1#、勧化気体としてのjλ百1;水素の1′]
荷1面囲itr下限がj;、る。
<jがあっに0 1、 1#、勧化気体としてのjλ百1;水素の1′]
荷1面囲itr下限がj;、る。
もし塩化水素のみを流、 IIJj化気体として使用す
れば、地化水素負荷惜の下lX11′は固体か“l子の
流動化開始連複に対応する。ぞれJυ、下の地化水素負
(3) ついには固体粒子が焼結して流動層が形成されなくなる
。これを避けるために、環化水素流速を増大させればu
A化水素過剰となるから、門地化珪素蒸気tiはトリク
ロルシラン蒸気を塩化水素と共に供給して流動化させる
(特開昭53−6297>か、もしくは不活性ガスを供
給して流動させる方法が考えられているが、前者は液体
を蒸発させ、再び水素含有反応生成物よシ四塩化珪素と
トリクロルシランとを凝縮させるためのエネルギーが、
後者は、水素含有反応生成物と不活性ガスよりトリクロ
ルシランと門地化珪素を凝縮分離するためのエネルギー
がいずi]も増大し、 Jji失となることは明らかで
ある。
れば、地化水素負荷惜の下lX11′は固体か“l子の
流動化開始連複に対応する。ぞれJυ、下の地化水素負
(3) ついには固体粒子が焼結して流動層が形成されなくなる
。これを避けるために、環化水素流速を増大させればu
A化水素過剰となるから、門地化珪素蒸気tiはトリク
ロルシラン蒸気を塩化水素と共に供給して流動化させる
(特開昭53−6297>か、もしくは不活性ガスを供
給して流動させる方法が考えられているが、前者は液体
を蒸発させ、再び水素含有反応生成物よシ四塩化珪素と
トリクロルシランとを凝縮させるためのエネルギーが、
後者は、水素含有反応生成物と不活性ガスよりトリクロ
ルシランと門地化珪素を凝縮分離するためのエネルギー
がいずi]も増大し、 Jji失となることは明らかで
ある。
なよ・−1与えられた条件下である期間平均して流動層
をj急止水素負荷量下限以下で操業しなければならない
場合上記難点を避けるためには当然断続運転することも
考えられるが、これもまた経済的に不利なことは明らか
である。
をj急止水素負荷量下限以下で操業しなければならない
場合上記難点を避けるためには当然断続運転することも
考えられるが、これもまた経済的に不利なことは明らか
である。
2、固体粒子の大きさの使用可能範囲が狭い。
(4)
周知の様に、金属珪素または全組珪素含有固体材料(・
L、工業的に塊状で得られる。流動させるためには、こ
ねらな微粉砕し、かつ分級、たとえば20〜500μm
の範囲内にしなければならない。塊状物質を微粉砕し分
級するにはエネルギーをヴし、経済的に不利なことは明
らかである。なお、前述のように、金!1珪素nu士金
属珪累含有固体材料と13目し水素との反応は。
L、工業的に塊状で得られる。流動させるためには、こ
ねらな微粉砕し、かつ分級、たとえば20〜500μm
の範囲内にしなければならない。塊状物質を微粉砕し分
級するにはエネルギーをヴし、経済的に不利なことは明
らかである。なお、前述のように、金!1珪素nu士金
属珪累含有固体材料と13目し水素との反応は。
急速に進行するので9反応促進のために7(−固接触m
+積を′l<:f大する目的で、固体物質を硫粉砕する
必要はない。固体物質の微粉砕け、熱怪Kd+操作が容
易な流動層を使用する限り9層内粒子を流動させなけれ
ばならないので必要なだけである。
+積を′l<:f大する目的で、固体物質を硫粉砕する
必要はない。固体物質の微粉砕け、熱怪Kd+操作が容
易な流動層を使用する限り9層内粒子を流動させなけれ
ばならないので必要なだけである。
ろ、流動層内部の熱保有量が少い。
本反応の反応持続温度は、約260°C以上である。流
動層内においては、単位容積あたりの固体保有重量が少
く、シたがって熱保有量゛が少いため、塩化水素供給量
の変動による層内部温度の変化が激しく、特にj塩化水
素供給量が減少 □した場合、または一時停止した場
合には、急速に反応持続温度以下となる。これを避ける
ためには、高価な層内温度制御装置が必要となる。
動層内においては、単位容積あたりの固体保有重量が少
く、シたがって熱保有量゛が少いため、塩化水素供給量
の変動による層内部温度の変化が激しく、特にj塩化水
素供給量が減少 □した場合、または一時停止した場
合には、急速に反応持続温度以下となる。これを避ける
ためには、高価な層内温度制御装置が必要となる。
−+*、固定層においては9次の難点があった。
1、 固定層内温度が異常に上昇する。
固定層においては熱移動が困難であり、かつ供給端化水
素の層内均一分布も困難である。したがって1局部的に
層内温度が上昇し、固体物質が焼結するに到る。これら
の現象は、特に装置が大型化するにつれて顕著となる。
素の層内均一分布も困難である。したがって1局部的に
層内温度が上昇し、固体物質が焼結するに到る。これら
の現象は、特に装置が大型化するにつれて顕著となる。
これらの籾、象を避けるために、塩化水素と共に門地化
珪素蒸気−まkはトリクロルシラン蒸気を供給する方法
(特公昭52−58518)、 もしくは不活性ガスを
供給する方法が考えられている。しかl−カから、いず
れの方法も前述のようにエネルギーの損失が大きく不利
である。
珪素蒸気−まkはトリクロルシラン蒸気を供給する方法
(特公昭52−58518)、 もしくは不活性ガスを
供給する方法が考えられている。しかl−カから、いず
れの方法も前述のようにエネルギーの損失が大きく不利
である。
2、反応が進行するにつれて固体表面が反応不活性とな
る。
る。
本反応が進行するにしたがって、金属珪素または金属珪
素含有固体材料中の不純物より生じる不純璃化物たとえ
ば塙化第1鉄で固体表面が被覆さね11反応不活性とな
る。それにつハて。
素含有固体材料中の不純物より生じる不純璃化物たとえ
ば塙化第1鉄で固体表面が被覆さね11反応不活性とな
る。それにつハて。
塩化水素反応率は低下することに々るので、必要層高を
予めその分高りし、なけり、 lJ’、’ frらない
。
予めその分高りし、なけり、 lJ’、’ frらない
。
今日までのところ、固定層法は殆んど絶望イ(♂、され
、専ら流動層法の改良のみが試みらJlている。
、専ら流動層法の改良のみが試みらJlている。
例えば、上イ、ラル・エレクトリツクネ1の米国特許2
.449,821号では、ハロゲン化アルキルと珪素粉
末の流動層法において、流動層を安定化させるために1
円筒状の反応塔に垂直回転軸のまわりに軸から隙間をお
いてリボン状の輝線攪拌翼を4Wりつけたものを30〜
600 r、p、m、で回転させる方法と装置が開示さ
れている。
.449,821号では、ハロゲン化アルキルと珪素粉
末の流動層法において、流動層を安定化させるために1
円筒状の反応塔に垂直回転軸のまわりに軸から隙間をお
いてリボン状の輝線攪拌翼を4Wりつけたものを30〜
600 r、p、m、で回転させる方法と装置が開示さ
れている。
東北大学選鉱製錬研究所貧相23 [1) 45〜54
(1967)によると、山化水累と珪素との反応におい
て前記米国特許に開示されたものと同様の装置を1月い
て、2市以下の珪素粉末を使1−41 L。
(1967)によると、山化水累と珪素との反応におい
て前記米国特許に開示されたものと同様の装置を1月い
て、2市以下の珪素粉末を使1−41 L。
リボン状螺腓攪拌買つき回転IQ11を100〜600
r、p、m、の高速で回転する方法が報告さノ1ている
。
r、p、m、の高速で回転する方法が報告さノ1ている
。
固定層法についてはケミカルエンジニアリング(7)
1957年12月号228−!:−ジに粉砕した金属珪
素粉末に銅または酸化銅粉末を混じて攪拌機つきのバッ
チ式縦型反応器に充填し、下方から塩化メチルを導入す
る有機ハロゲン化珪素を製造する方式が開示されている
。
素粉末に銅または酸化銅粉末を混じて攪拌機つきのバッ
チ式縦型反応器に充填し、下方から塩化メチルを導入す
る有機ハロゲン化珪素を製造する方式が開示されている
。
以−にの流動層法捷たは固定層法の難点を克服するため
に9本発明者等は攪拌層法に着目1し、該方法による珪
素と塩化水素からのトリクロルシランと四塩化珪素製造
法の開発を行った結果、低速攪拌層が技術的にも経済的
にも有利であることを見出した。気−固発熱反応におい
て、攪拌層を使用することは、概念的には可能であシ、
ある工業分野では、現に同反応に攪拌層を使用している
。
に9本発明者等は攪拌層法に着目1し、該方法による珪
素と塩化水素からのトリクロルシランと四塩化珪素製造
法の開発を行った結果、低速攪拌層が技術的にも経済的
にも有利であることを見出した。気−固発熱反応におい
て、攪拌層を使用することは、概念的には可能であシ、
ある工業分野では、現に同反応に攪拌層を使用している
。
17かしながら、塊状の金属珪素または金属珪素含有固
体材料たとえば珪素鉄と塩化水素とを反応させることに
より、トリクロルシランと四環化珪素を製造するのに攪
拌層法を採用して工業的に成功1. i (3’llは
未だ見当らない。その理由として金属珪素または金属珪
素含有固体材料が高い硬度を有する故に攪拌機及び層壁
の摩耗が激しいこと。反(8) 応が急速かつ強い発熱を伴う大め、完全に層内を均一な
温度分布とするための攪拌層の形状及び攪拌機の形状が
見出せなかったこと■がネ6けられる。
体材料たとえば珪素鉄と塩化水素とを反応させることに
より、トリクロルシランと四環化珪素を製造するのに攪
拌層法を採用して工業的に成功1. i (3’llは
未だ見当らない。その理由として金属珪素または金属珪
素含有固体材料が高い硬度を有する故に攪拌機及び層壁
の摩耗が激しいこと。反(8) 応が急速かつ強い発熱を伴う大め、完全に層内を均一な
温度分布とするための攪拌層の形状及び攪拌機の形状が
見出せなかったこと■がネ6けられる。
本発明によれば、金楕珪素′−1,た仁1゛金114珪
素含有固体材料と塩化水素を反応させることによって。
素含有固体材料と塩化水素を反応させることによって。
トリクロルシランと四基化珪素を製造する方法において
。
。
原料として塊状(粉末を含む)の◇属珪素才たは金属珪
素含有固体材料を使用1し。
素含有固体材料を使用1し。
反応容器として、スクリューコンベアをI+itlえた
縦型の円筒状反応容器であって、該スクリューコンベア
ーのスクリューの直径が反応ff器の内径の少くとも1
/2以上あり、該スクリューと容器内壁との間に使用す
べき原料の塊状の金属11累−企女は金属珪素含有固体
材料のル′太径の3〜6倍の間を有するものを使用し。
縦型の円筒状反応容器であって、該スクリューコンベア
ーのスクリューの直径が反応ff器の内径の少くとも1
/2以上あり、該スクリューと容器内壁との間に使用す
べき原料の塊状の金属11累−企女は金属珪素含有固体
材料のル′太径の3〜6倍の間を有するものを使用し。
反応容器に塩化水素を導入し、前記スクリューコンベア
ーを粉塊を上方に搬送する方向に反応系の発熱に応じて
回転することを特徴とする方法が提供される。
ーを粉塊を上方に搬送する方向に反応系の発熱に応じて
回転することを特徴とする方法が提供される。
本発明の方法において金属珪素含有固体材料とは珪素鉄
のようか不純な珪素材料を意味し、珪素を少くとも50
チ程度含有していることが望ましい。
のようか不純な珪素材料を意味し、珪素を少くとも50
チ程度含有していることが望ましい。
塊状とは粉末分を除外することを意味しない。
、1lll、状材料に必然的に伴われる粉末をも含めて
使用できる。本発明方法においては、それに見合う大き
さの反応容器を使用すれば、最大塊の径が100mm程
度のものまで使用できる。前述のように粉末であっても
よいわけであるが、粉末では本発明方法の利点が発揮で
きないから、最大塊の径が10mm以」二の(オ料を使
用するのが望ましい。
使用できる。本発明方法においては、それに見合う大き
さの反応容器を使用すれば、最大塊の径が100mm程
度のものまで使用できる。前述のように粉末であっても
よいわけであるが、粉末では本発明方法の利点が発揮で
きないから、最大塊の径が10mm以」二の(オ料を使
用するのが望ましい。
本発明方法の利点はスクリューコンベアーの回転速度を
加減して固気接触時間を自由に調節できるととである。
加減して固気接触時間を自由に調節できるととである。
塩化水素供給量の少いときは、攪拌回転数を小さくして
1粒体の水平方向のみの攪拌を行い、熱移動を低下させ
ることによって層内温度低下を防止し、また、塩化水素
供給量が増すKつわて、攪拌回転数を大きくして9粒体
の垂直方向の帽、拌を増大させ、熱移動速度を早めて層
内部温度を所望のン晶度に維持することが可ス11:だ
からである。
1粒体の水平方向のみの攪拌を行い、熱移動を低下させ
ることによって層内温度低下を防止し、また、塩化水素
供給量が増すKつわて、攪拌回転数を大きくして9粒体
の垂直方向の帽、拌を増大させ、熱移動速度を早めて層
内部温度を所望のン晶度に維持することが可ス11:だ
からである。
攪拌機の回転数は、スクリューのピッチに、1つて異な
るが、大体において0−5 Or、 p、m、とするの
が望−土しい。それ以上に回転数を高めてもその効果は
少く、いたずらfスクリューの1lI4耗を早めるから
である。この回転数範囲内で、かつ反応0.11度を2
60〜500°0に調節する場合、スクリューの材質は
軟鋼でPiい。反応θ劇J)“を500〜800’OI
C調節する場合、同拐質は耐熱、耐地化水素性を有する
インコネル等を使111シなけわげならγい。
るが、大体において0−5 Or、 p、m、とするの
が望−土しい。それ以上に回転数を高めてもその効果は
少く、いたずらfスクリューの1lI4耗を早めるから
である。この回転数範囲内で、かつ反応0.11度を2
60〜500°0に調節する場合、スクリューの材質は
軟鋼でPiい。反応θ劇J)“を500〜800’OI
C調節する場合、同拐質は耐熱、耐地化水素性を有する
インコネル等を使111シなけわげならγい。
必要に応じてスクリュー91周部に高fIψl& 、+
4’ II 、六〇−ばタングステンカーバイドを陪接
すると良い。
4’ II 、六〇−ばタングステンカーバイドを陪接
すると良い。
これによりスクリューは技)IJI jilt続i)]
(転に而1え11する。
(転に而1え11する。
本発明方法においては9反応容器内において固体材料は
攪拌されると同時に−i+Iiの循環を起こしている。
攪拌されると同時に−i+Iiの循環を起こしている。
このような意味において、スクリューコンはアーのスク
リューの的径け1反応谷zxの内径に対して少くとも1
/2稈度り上あることが必要である。コンばアーがこね
より小さいとlit:4′l効果(11) は少く、iた不当に高速度で回転させなければならなく
なるからである。
リューの的径け1反応谷zxの内径に対して少くとも1
/2稈度り上あることが必要である。コンばアーがこね
より小さいとlit:4′l効果(11) は少く、iた不当に高速度で回転させなければならなく
なるからである。
撹拌層反応容器内壁とスクリュー外周エツジとの間隔を
最大粒径の3〜6倍としたのは、3倍以下では器壁の摩
耗が著しく、装置の寿命を短くシ。
最大粒径の3〜6倍としたのは、3倍以下では器壁の摩
耗が著しく、装置の寿命を短くシ。
かつ1急化水累最太負荷−計も少いためであり6倍以上
では、熱移動速度が低下し1局部的高温となって、J鱒
1/′(均一温度分布を維持するのが困難だからである
。この範Ir1l内では器壁材料として軟鋼を用いて良
く、長期連続運転に耐え得る。
では、熱移動速度が低下し1局部的高温となって、J鱒
1/′(均一温度分布を維持するのが困難だからである
。この範Ir1l内では器壁材料として軟鋼を用いて良
く、長期連続運転に耐え得る。
1=化水素の供給lI:j: 、層下部の器壁近辺から
行うのが好斗しい。というのは、器壁近辺よシj菖化水
累を供給することによシ、用化水素は器壁すなわち冷却
面に近いところから層内に入り、上昇する圧しだがって
層中心部に侵入するから反応は主として器壁(冷ハ1面
)近辺で起こり、熱移動速度が早い故に9層内部温度を
制御し易いためである。
行うのが好斗しい。というのは、器壁近辺よシj菖化水
累を供給することによシ、用化水素は器壁すなわち冷却
面に近いところから層内に入り、上昇する圧しだがって
層中心部に侵入するから反応は主として器壁(冷ハ1面
)近辺で起こり、熱移動速度が早い故に9層内部温度を
制御し易いためである。
しかしながらこの堪化水素供給口は層下部中心もしくけ
層上部からでも良く本発明を実施する上に於いて限定さ
れない。また環化水素供給口の構造(12) は、許容圧(D内であれば一般的な構造で11<、特別
な工夫を要しない。
層上部からでも良く本発明を実施する上に於いて限定さ
れない。また環化水素供給口の構造(12) は、許容圧(D内であれば一般的な構造で11<、特別
な工夫を要しない。
本発明の方法において、前述のようVC使I11する金
蜆几素−ffCけ金属「1′1含イf固体材料の耐大:
F<を径は約IO#I+aか0約1oomm−tで任意
にj:p: jI<できる。
蜆几素−ffCけ金属「1′1含イf固体材料の耐大:
F<を径は約IO#I+aか0約1oomm−tで任意
にj:p: jI<できる。
選、択しfc最大粒径により、前述のヤ、g lui什
様す1へ凹円で装置を設計すれば良い。この):きスク
リューのピッチは使用1する才<l子のノ伎丁K IW
7径」月」−0に一ノベきととは当然である。彫大粒I
Yについては、前述のように牛テにとだわることはない
。エマ11勺にイ:1らjする金属珪素−を斤は、全組
珪素菖゛有固体材オニ1の塊状物を必要に応じて粉砕す
る場合、 +lrI當の川砂(幾lコとえばショークラ
ッシャーのジョーフェイス間隔を79r要最大粒径に合
わせてMIN整し、和粉砕すhげ良く。
様す1へ凹円で装置を設計すれば良い。この):きスク
リューのピッチは使用1する才<l子のノ伎丁K IW
7径」月」−0に一ノベきととは当然である。彫大粒I
Yについては、前述のように牛テにとだわることはない
。エマ11勺にイ:1らjする金属珪素−を斤は、全組
珪素菖゛有固体材オニ1の塊状物を必要に応じて粉砕す
る場合、 +lrI當の川砂(幾lコとえばショークラ
ッシャーのジョーフェイス間隔を79r要最大粒径に合
わせてMIN整し、和粉砕すhげ良く。
同相砕機の砂製特性による。砕製物の大きさの不均一・
さは9本発明IF、よる攪拌層に於いて、不都合が牛じ
ないからである。
さは9本発明IF、よる攪拌層に於いて、不都合が牛じ
ないからである。
本発明による攪拌層の冷却にI器壁のみで光分てあり、
たとえば特1声昭53−127396に見らtするよう
な流動層内部における特別f!熟交換1番1a □
を要し々い。本発明によると、冷却方法は極く簡単な方
法、たとえば環化水素負荷量及び所望反応温度に応じて
、空冷法または器壁外部の水膜冷却法を採用すれば充分
である。特に水膜形成の上辺を器壁の任意の高さに変更
できる方法を採用すれば、 J?:4内反応温度を26
0〜800℃の範囲内に自由に調整できるので好都合で
ある。このことは。
たとえば特1声昭53−127396に見らtするよう
な流動層内部における特別f!熟交換1番1a □
を要し々い。本発明によると、冷却方法は極く簡単な方
法、たとえば環化水素負荷量及び所望反応温度に応じて
、空冷法または器壁外部の水膜冷却法を採用すれば充分
である。特に水膜形成の上辺を器壁の任意の高さに変更
できる方法を採用すれば、 J?:4内反応温度を26
0〜800℃の範囲内に自由に調整できるので好都合で
ある。このことは。
トリクロルシランと四基化珪素の生成割合を1重−m比
テ5IC1/4/5IHC,#3=80/20〜4 /
96 (D範囲で自由に選択できることを可能とする。
テ5IC1/4/5IHC,#3=80/20〜4 /
96 (D範囲で自由に選択できることを可能とする。
本発明による装置のこの特徴は、トリクロルシランと四
17J化珪累の必要生成割合及び量に応じて自由に対応
できるという点で有利である。本発明による攪拌層は、
流動層と比べ層内部の熱の水当量が大きいことから、1
重内部の急激な温度変化がなく。
17J化珪累の必要生成割合及び量に応じて自由に対応
できるという点で有利である。本発明による攪拌層は、
流動層と比べ層内部の熱の水当量が大きいことから、1
重内部の急激な温度変化がなく。
したがって、流動層で通常使用されている。高価な、応
答速度の早い層内部温度制御装置を必要としない点でも
有利である。更に本発明の方法が有利なことには。
答速度の早い層内部温度制御装置を必要としない点でも
有利である。更に本発明の方法が有利なことには。
1 攪拌により、常に金属珪素または金枳珪素含有固体
材料の表1f11が摩砕され1反応活1’1面が露呈す
るので、増化水素の反応率が低下するととけない。
材料の表1f11が摩砕され1反応活1’1面が露呈す
るので、増化水素の反応率が低下するととけない。
2 攪拌機が低速回転であるから、金kr4珪素含有固
体材料たとえば珪素鉄とj高化水素の反応に4.・ける
微粒固体反応残渣(主に鉄)が1゛部に堆イ“lI(し
、未反応固体粒子と同反応残11”tとの分離を容易に
することが判明し六〇下部に堆IM L fr (i々
粒同体反応残渣け、一般的な[1皿ビ介1〜で容易に反
応容器外に取り出すととができて9層内に反応不活性な
固体物質が蓄積されるととがない。
体材料たとえば珪素鉄とj高化水素の反応に4.・ける
微粒固体反応残渣(主に鉄)が1゛部に堆イ“lI(し
、未反応固体粒子と同反応残11”tとの分離を容易に
することが判明し六〇下部に堆IM L fr (i々
粒同体反応残渣け、一般的な[1皿ビ介1〜で容易に反
応容器外に取り出すととができて9層内に反応不活性な
固体物質が蓄積されるととがない。
以上述べたように、トリクロルシランと四1島化珪素の
製造に関する公知のjli、 1i1+層及び固定層の
欠点がすべて解決哀れ1本発明に、■:る低速攪1′1
層法の有利性は明らかである。
製造に関する公知のjli、 1i1+層及び固定層の
欠点がすべて解決哀れ1本発明に、■:る低速攪1′1
層法の有利性は明らかである。
なお1本発明力法における低、’・Ji攪拌層の充填層
高及び径は、所望の均化水素0荷b1−により決定され
るわけであるが9機械的な粂件がら充J@層高は1基に
つき最高、5m、径は最大1mとするのが経済的である
。
高及び径は、所望の均化水素0荷b1−により決定され
るわけであるが9機械的な粂件がら充J@層高は1基に
つき最高、5m、径は最大1mとするのが経済的である
。
(15)
金妨ラシヒリング、金属棒等を入れておくのも。
層内部温度を均一にする上で有効である。
実施例につき1図面にしたがって以下に、説明する。
添付図面において1反応容器1[]0は、直径400闘
高さ1.600mmの鉄製密閉容器である。
高さ1.600mmの鉄製密閉容器である。
その中心部に径220朋、ピッチ200朋の鉄製スクリ
ュー2が取付けられている。スクリュ一部の高さは1.
000y+11である。スクリューは、軸6とブー9−
及びベルト4を介して減速機5と継がっていて、その回
転数は0〜6 Or、 p、m、の範囲内で任意にル1
′4整できるようになっている。器壁1の内部には0粒
径約1〜30龍の珪素鉄(仕業含有量90チ)が目皿6
から1+00Qimの高さまで充填されていて充填層7
を成している。反応容器上部には、生成ガス出口管8.
珪素鉄供給管9及び生成ガスと外気とを遮断するガスシ
ール部1oが取付けられている。オた下部円錐部11に
は環化水素ガス供給管12及び反応残渣受器13が取付
(16) けられている。層内部の温度を測定するために。
ュー2が取付けられている。スクリュ一部の高さは1.
000y+11である。スクリューは、軸6とブー9−
及びベルト4を介して減速機5と継がっていて、その回
転数は0〜6 Or、 p、m、の範囲内で任意にル1
′4整できるようになっている。器壁1の内部には0粒
径約1〜30龍の珪素鉄(仕業含有量90チ)が目皿6
から1+00Qimの高さまで充填されていて充填層7
を成している。反応容器上部には、生成ガス出口管8.
珪素鉄供給管9及び生成ガスと外気とを遮断するガスシ
ール部1oが取付けられている。オた下部円錐部11に
は環化水素ガス供給管12及び反応残渣受器13が取付
(16) けられている。層内部の温度を測定するために。
スクリューの軸5の中に同軸の下部より300 +++
tnの間隔で熱′市対を4本挿入した。層内部冷却のた
めに、目皿の位置より3QQmx間隔て協壁外部に円環
状水散布管14が3本敗(ツけられている。
tnの間隔で熱′市対を4本挿入した。層内部冷却のた
めに、目皿の位置より3QQmx間隔て協壁外部に円環
状水散布管14が3本敗(ツけられている。
この装置において、堪化水累ガスをイ11、給したとこ
ろ、同反応率95%以上でのM′大増化水素供給可能量
は1反応容器中心最高搗度300’cで12ONm7h
rであった。このときの生成トリクロルシランと四堆化
珪紫中のトリクロル7ラン成分は95重量%であつfc
oまた。同最高幅変500″Cで140 N717hr
のときの同トリクロルシラン成分は50重量%であっ
た。反応芥7に内最高温1yの調整は空冷、水冷を使い
分けることにより、260〜500°Cの範囲内で自由
に謔整することができた。スクリュー回転数は上記最大
塊1ヒ水素II+、給瞳において、いずれも2Or、p
、m、であった。
ろ、同反応率95%以上でのM′大増化水素供給可能量
は1反応容器中心最高搗度300’cで12ONm7h
rであった。このときの生成トリクロルシランと四堆化
珪紫中のトリクロル7ラン成分は95重量%であつfc
oまた。同最高幅変500″Cで140 N717hr
のときの同トリクロルシラン成分は50重量%であっ
た。反応芥7に内最高温1yの調整は空冷、水冷を使い
分けることにより、260〜500°Cの範囲内で自由
に謔整することができた。スクリュー回転数は上記最大
塊1ヒ水素II+、給瞳において、いずれも2Or、p
、m、であった。
−+た。同じ装置を使用して10日間)1V絖[ハ化水
素ガスを供給したところ、微粒固体残置は、1−1皿6
を通って同受器13に貯り9層内粒1川分イ[]が平衡
に達した時点り、降においても、微粒固体残液が層内に
冨積することによって、地化水累ガスの反応率が低下す
るというようガ不都合は生じなかった。
素ガスを供給したところ、微粒固体残置は、1−1皿6
を通って同受器13に貯り9層内粒1川分イ[]が平衡
に達した時点り、降においても、微粒固体残液が層内に
冨積することによって、地化水累ガスの反応率が低下す
るというようガ不都合は生じなかった。
同じ装置と同じ珪素原料を用いて 414化水素供給格
、スクリュー回転数、冷却方法等を種々に変化させた実
施結果を次表に示す。
、スクリュー回転数、冷却方法等を種々に変化させた実
施結果を次表に示す。
(19)
添付図面は本発明による低速攪拌層の実施例の略示断7
fM図である。
fM図である。
100・・・反答容器、1・・・器壁、2・・・スクリ
ュー。
ュー。
3・・・軸、4・・・プーリー及びベルト、5・・・減
速機。
速機。
6・・・ピ皿、7・・・充填層、8・・・生成ガス出口
管、9・・・珪素鉄供給管、10・・・ガスシール部、
11・・・円錐部、12・・・喝化水素ガス供給管、1
3・・・反応残lfE受器、14・・・円環状水散布管
。
管、9・・・珪素鉄供給管、10・・・ガスシール部、
11・・・円錐部、12・・・喝化水素ガス供給管、1
3・・・反応残lfE受器、14・・・円環状水散布管
。
特許出願人 日本アエロジル株式会社代理人 弁理
士 松 井 政 広 (20) 手続補正書 昭和57r−8月ノ乙■1 特許庁長官 若杉和夫 h(り 1、事件の表示 昭和56年 4寺許 願2イX127 sコ345J
3、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 自発 6 補正により増加する発明の数 なし7、補正の対象
特許請求の範囲及び発明の詳X111な説明の各欄 ■ 特許請求の範囲を次のように訂正する。
士 松 井 政 広 (20) 手続補正書 昭和57r−8月ノ乙■1 特許庁長官 若杉和夫 h(り 1、事件の表示 昭和56年 4寺許 願2イX127 sコ345J
3、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 自発 6 補正により増加する発明の数 なし7、補正の対象
特許請求の範囲及び発明の詳X111な説明の各欄 ■ 特許請求の範囲を次のように訂正する。
「1. 金属珪素または金属珪素含有固体材料と塩化
水素を反応させることによって、トリクロルシランと四
IiA化珪素を製造する方法において。
水素を反応させることによって、トリクロルシランと四
IiA化珪素を製造する方法において。
原料として塊状(粉末を含む)の金属珪素または金属珪
素含有固体材料を使用し。
素含有固体材料を使用し。
反応容器として、スクリューコンベアを備えたAdt型
の円筒状反応容器であって、該スクリューコンベアーの
スクリューの直径が反応容器の内径の少くとも1/2以
」二あり、該スクリューと容器内壁との間に使用すべき
原料の塊状の金属珪素または金属珪素含有固体材料の最
大径の6〜6倍の間を有するものを使用し。
の円筒状反応容器であって、該スクリューコンベアーの
スクリューの直径が反応容器の内径の少くとも1/2以
」二あり、該スクリューと容器内壁との間に使用すべき
原料の塊状の金属珪素または金属珪素含有固体材料の最
大径の6〜6倍の間を有するものを使用し。
反応容器に塩化水素を導入し、前記スクリューコンベア
ーを粉塊を上方に搬送する方向に反応系の発熱に応じて
回転することを特徴とする方法。
ーを粉塊を上方に搬送する方向に反応系の発熱に応じて
回転することを特徴とする方法。
2、特許請求の範囲第1項に記載の方法であって。
反応容器を外部から冷却することを特徴とする方法。
3、特許請求の範囲第2項に記載の方法でろって。
該冷却ンー汗水によって行なうことを% Y::、Yと
する方法。
する方法。
4、特許Mil氷の範囲第1ffいし6」nのいずハ、
かに記載の方法であって2反応容器が・その−[端に反
応しなかった不純物粉東を、[lk7り出す手段t イ
jすにとを特徴とする方法。」 ■ 明am沓の発明の詳細な説明の欄において1次のよ
うに補正を行なう。
かに記載の方法であって2反応容器が・その−[端に反
応しなかった不純物粉東を、[lk7り出す手段t イ
jすにとを特徴とする方法。」 ■ 明am沓の発明の詳細な説明の欄において1次のよ
うに補正を行なう。
(1)7頁、最下行のr li!d定層法についてに1
」全rまた、1にiJ正する。
」全rまた、1にiJ正する。
(2)8頁5打目の1方式が開示されている。」の次に
以下の文−7ζを挿入する。
以下の文−7ζを挿入する。
「しかしながら、これらはいずれも#、 J+ I−法
本来の利点である気体による固体微粒子の太き々混合、
攪拌効果を充分に発揮できないために、流動の補助的手
段として攪拌翼を利用したものでre)って、訛動層法
の難点を本質的に解法したものではない。」 (3)8頁下〃)ら9〜8行目の1・・・可能であり、
ある工業分野では、現に同反応に攪拌g全便用している
。」を 「・・可能であるが1本発明者等はそれが、縦型の反応
塔で実施されている事実全知らない。」に訂正する。
本来の利点である気体による固体微粒子の太き々混合、
攪拌効果を充分に発揮できないために、流動の補助的手
段として攪拌翼を利用したものでre)って、訛動層法
の難点を本質的に解法したものではない。」 (3)8頁下〃)ら9〜8行目の1・・・可能であり、
ある工業分野では、現に同反応に攪拌g全便用している
。」を 「・・可能であるが1本発明者等はそれが、縦型の反応
塔で実施されている事実全知らない。」に訂正する。
(4)10頁下から7行目の「固気接触時間」を「固気
接触の度合、1に訂正する。
接触の度合、1に訂正する。
(5)13頁9行目の「最大粒径」全r粒匿分布」にN
J正する。
J正する。
(6) 13頁16行目の「ショークラッシャーのジョ
ーフェイス」を「ショークラッシャーのジョーフェイス
」に訂正する。
ーフェイス」を「ショークラッシャーのジョーフェイス
」に訂正する。
(ハ 15頁下から6行目の「枠装特性による。砕製物
の大きさ」を1′砕製特性による砕製物の大きさ」に訂
正する。
の大きさ」を1′砕製特性による砕製物の大きさ」に訂
正する。
(8114頁4付目の「水膜形成の上辺」を「水膜形成
しJ上辺、1に訂正する。
しJ上辺、1に訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属珪素または全組珪素含有固体4A料と1魚化水
素を反応させることによって、トリクロルシランと四1
焦化珪素を製造する方法例おいて。 原料と1〜で塊状(粉末を含む)の金frn Fl・素
または全圧珪素含有固体材料を(iJ艷Ill t、。 反応容器として、スクリュ・−コンベアをfliiiえ
fc縦型の円筒状反応h’ XSであって、該スクリュ
ーコンベアーのスクリューの1f■秤が反応′、p−X
5の内径の少くとも1/2以上あυ、該ススクリユー容
′/(内壁との間に使用すべき原料の塊状の全組[ト素
−または金属珪素含有固体材料の語大径のろ〜5倍の間
を有するものを使用し。 反応容器に」急止水素をdt人し、前記スクリューコン
ベアーを粉塊を上方に搬送する方向に反応系の発熱に応
じて回転することを特徴とする方法。 2、特許請求の範囲第1項に記載の方法であって。 反応容器を外部から冷却することを特徴とする方法。 5 特許請求の範囲第2項に記載の方法であって。 該冷却を注水によって行なうことを特徴とする方7)へ 4、特許請求の範囲第1ないしろ項のいずれかに記載の
方法であって1反応容器がその下端に反応l−なかった
不純物粉末を取り111す手段を有することを特徴とす
る方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127834A JPS5832011A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法 |
US06/404,751 US4424198A (en) | 1981-08-17 | 1982-08-03 | Process for preparing trichlorosilane and silicon tetrachloride from silicon and hydrogen chloride |
DE3230590A DE3230590C2 (de) | 1981-08-17 | 1982-08-17 | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid aus Silicium und Chlorwasserstoff |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127834A JPS5832011A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5832011A true JPS5832011A (ja) | 1983-02-24 |
JPS6121166B2 JPS6121166B2 (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=14969807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56127834A Granted JPS5832011A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4424198A (ja) |
JP (1) | JPS5832011A (ja) |
DE (1) | DE3230590C2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000140605A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-05-23 | Degussa Huels Ag | 可燃性及び侵食性のガスを収容する容器に内容物を装てん又は排出する装置及び方法 |
CN104760959A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-07-08 | 湖北晶星科技股份有限公司 | 一种反歧化法制备三氯氢硅的工艺 |
WO2020137853A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 株式会社トクヤマ | クロロシラン類の製造方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3828344C1 (ja) * | 1988-08-20 | 1989-07-06 | Huels Ag, 4370 Marl, De | |
NO166032C (no) * | 1988-12-08 | 1991-05-22 | Elkem As | Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. |
DE3918718C2 (de) * | 1989-06-08 | 1994-02-17 | Nukem Gmbh | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von organischen und anorganischen Stoffen |
DE4033611A1 (de) * | 1990-10-23 | 1992-04-30 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur gewinnung von chloridarmer ofenasche bei der umsetzung von rohsilicium zu chlorsilanen |
EP0684070A1 (en) * | 1994-05-23 | 1995-11-29 | Hemlock Semiconductor Corporation | Fluidized-bed reactor |
US6300429B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-10-09 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Method of modifying near-wall temperature in a gas phase polymerization reactor |
DE102004017453A1 (de) | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan |
WO2008088465A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Dow Corning Corporation | Wear resistant materials in the direct process |
US7754175B2 (en) * | 2007-08-29 | 2010-07-13 | Dynamic Engineering, Inc. | Silicon and catalyst material preparation in a process for producing trichlorosilane |
EP2055674B1 (en) * | 2007-10-23 | 2016-09-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing trichlorosilane and method for producing thrichlorosilane |
US20100264362A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-10-21 | Yongchae Chee | Method of producing trichlorosilane (TCS) rich Chlorosilane product stably from a fluidized gas phase reactor (FBR) and the structure of the reactor |
US8178051B2 (en) * | 2008-11-05 | 2012-05-15 | Stephen Michael Lord | Apparatus and process for hydrogenation of a silicon tetrahalide and silicon to the trihalosilane |
US20100124525A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Kuyen Li | ZERO-HEAT-BURDEN FLUIDIZED BED REACTOR FOR HYDRO-CHLORINATION OF SiCl4 and M.G.-Si |
KR101687833B1 (ko) | 2009-01-20 | 2016-12-19 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 트리클로로실란 제조 장치 및 트리클로로실란 제조 방법 |
SG174957A1 (en) * | 2009-03-30 | 2011-11-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Method for collection of hexachlorodisilane and plant for the method |
CN102574091B (zh) * | 2009-05-12 | 2016-03-16 | 普罗斯迪尼公司 | 用于合成三氯硅烷的流化床方法和三氯硅烷合成器 |
US8298490B2 (en) * | 2009-11-06 | 2012-10-30 | Gtat Corporation | Systems and methods of producing trichlorosilane |
DE102010044108A1 (de) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Chlorsilanen aus kleinstteiligem Reinstsilicium |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA504581A (en) | 1954-07-27 | B. Hatcher David | Production of silicochloroform | |
US3148035A (en) | 1960-03-10 | 1964-09-08 | Wacker Chemie Gmbh | Apparatus for the continuous production of silicon chloroform and/or silicon tetrachloride |
NL6506163A (ja) | 1964-05-23 | 1965-11-24 | ||
DE2630542C3 (de) * | 1976-07-07 | 1981-04-02 | Dynamit Nobel Ag, 5210 Troisdorf | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrahlorid |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP56127834A patent/JPS5832011A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-03 US US06/404,751 patent/US4424198A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-08-17 DE DE3230590A patent/DE3230590C2/de not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000140605A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-05-23 | Degussa Huels Ag | 可燃性及び侵食性のガスを収容する容器に内容物を装てん又は排出する装置及び方法 |
CN104760959A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-07-08 | 湖北晶星科技股份有限公司 | 一种反歧化法制备三氯氢硅的工艺 |
CN104760959B (zh) * | 2015-04-08 | 2017-01-04 | 湖北晶星科技股份有限公司 | 一种反歧化法制备三氯氢硅的工艺 |
WO2020137853A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 株式会社トクヤマ | クロロシラン類の製造方法 |
TWI849026B (zh) * | 2018-12-27 | 2024-07-21 | 日商德山股份有限公司 | 氯矽烷類的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3230590A1 (de) | 1983-03-10 |
DE3230590C2 (de) | 1985-03-21 |
JPS6121166B2 (ja) | 1986-05-26 |
US4424198A (en) | 1984-01-03 |
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