NO166032B - Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. - Google Patents
Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. Download PDFInfo
- Publication number
- NO166032B NO166032B NO885454A NO885454A NO166032B NO 166032 B NO166032 B NO 166032B NO 885454 A NO885454 A NO 885454A NO 885454 A NO885454 A NO 885454A NO 166032 B NO166032 B NO 166032B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- trichloromonosilane
- gas
- production
- amount
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av triklormonosilan, HSiCl^.
Superrent triklormonosilan benyttes som utgangsmateriale for fremstilling av silisiumtransistorer. Fremstilling av triklormonosilan foregår ved omsetning av pulverformet silisium og HCl-gass i en fluidisert seng ved at HCl-gass ledes over silisiumpulver ved en temperatur mellom ca. 280 og 300°C. Triklormonosilan, som har et kokepunkt på 31,8°C, utvinnes fra produktgassen fra den fluidiserte seng ved kondensering, og renses fra andre klorsilaner som utvinnes som biprodukter ved destillering.
En vesentlig faktor ved fremstilling av triklormonosilan er mengden av uomsatt HCl-gass. Mengden av uomsatt HCl-gass har en vesentlig innvirkning på prosessens økonomi og det er ønskelig å holde mengden av uomsatt HCl-gass på et så lavt nivå som mulig. En økende mengde av uomsatt HCl-gass gir videre en økende andel av det uønskete biprodukt SiCl4 i produktgassen, hvilket nedsetter mengden av produsert triklormonosilan.
Ved fremstilling av triklormonosilan har det hittil blitt anvendt silisiumpulver som er fremstilt ved nedknusing og maling av blokkstøpt silisium. På grunn av den langsomme avkjølingshastighet som oppnås ved blokkstøping vil legeringselementer og forurensninger i blokkstøpt silisium vise en sterk segregeringstendens og ved knusing og maling av blokkstøpt silisium vil man derfor oppnå et inhomogent pulverprodukt som oppviser store forskjeller i analyse mellom enkeltpartikler.
Det har vist seg at kvaliteten og homogeniteten av silisiumpulveret har en vesentlig innvirkning ved den oven-for nevnte fremgangsmåte for fremstilling av triklormonosilan, og det er nå blitt funnet at anvendelse av silisiumpulver fremstilt ved gassatomisering av smeltet silisium overraskende gir et meget høyt HCl-utbyttte ved fremgangsmåten for fremstilling av triklormonosilan ved reaksjon mellom silisiumpulver og HCl-gass.
Foreliggende oppfinnelse vedrører således en fremgangsmåte ved fremstilling av triklormonosilan i en fluidisert seng reaktor ved omsetning av pulverformet silisium og HCl-gass ved en temperatur mellom 280 og 300°C, og fremgangsmåten er kjennetegnet ved at det anvendes silisiumpulver fremstilt ved gassatomisering av smeltet silisium, hvilket pulver har en partikkelstørrelse mellom 1 og lOOO^um.
Silisiumpulveret har fortrinnsvis en partikkelstørrelse mellom 50 og 80 0 ^um.
Ved den foreliggende fremgangsmåte er utbyttet av HC1 i prosessen øket vesentlig idet uomsatt mengde av HC1 er redusert fra normalt 5 - 10 % til 2 - 3 %. Reduksjonen av mengde uomsatt HC1 fører også til en reduksjon av produ-serte biprodukter, først og fremst SiCl4. Det har således vist seg at mengden av SiCl^ er blitt redusert med 3 - 5 % ved den foreliggende fremgangsmåte. Dette fører igjen til et høyere utbytte av triklormonosilan.
Eksempe1:
I en fluidisert seng reaktor med indre diameter 40 mm ble de etterfølgende forsøk utført. Det ble i alle forsøk benyttet like mengder silisium med en partikkelstørrelse mellom-50 og 350 ^um. HCl-gass under et trykk på 2,0 bar ble ledet inn i bunnen av reaktoren. I-IC1 mengden ble holdt konstant gjennom alle forsøkene. Etter oppvarming og initiering av reaksjon ble det innstilt en stasjonær forsøksfase ved 290°C. Ved disse betingelser ble HCl-innholdet i produktgassen fra reaktoren bestemt.
Prøve A bestod av silisiumpulver fremstilt på konvensjonell måte ved knusing og maling. Prøve B bestod av silisiumpulver fremstilt ved gassatomisering med nitrogengass.
Den kjemiske analyse av prøvene A og B var som følger:
A B
Vekt % Vekt %
Fe 0,40 0,35
Ca 0,01 0,05
Al 0,47 0,42
Ti 0,02 0,02
Det ble funnet at HCl-utbyttet for prøve A var 92 %, mens HCl-utbyttet for prøve B var 98 %.
Av dette fremgår det at det oppnås et sterkt forbedret utbytte ved fremgangsmåten i henhold til foreliggende oppfinnelse enn i forhold til teknikkens stilling.
Claims (2)
1. Fremgangsmåte ved fremstilling av triklormonosilan i en fluidisert seng reaktor ved omsetning av pulverformet silisium og HC1 ved en temperatur mellom 280 og 300°C, karakterisert ved at det anvendes silisiumpulver som er fremstilt ved gassatomisering av smeltet silisium, hvilket pulver har en partikkelstørrelse mellom 1 og 1000^,um.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at det anvendes et gassatomisert silisiumpulver med en partikkelstørrelse mellom 50 og 800 ^um.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO885454A NO166032C (no) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. |
US07/434,087 US4986971A (en) | 1988-12-08 | 1989-11-09 | Method for production of trichloromonosilane |
CA002003168A CA2003168C (en) | 1988-12-08 | 1989-11-16 | Method for producing trichloromonosilane |
FR898915325A FR2640254B1 (fr) | 1988-12-08 | 1989-11-22 | Procede de fabrication de trichloromonosilane |
DE3938897A DE3938897A1 (de) | 1988-12-08 | 1989-11-24 | Verfahren zur herstellung von trichlormonosilan |
JP1314472A JPH02208217A (ja) | 1988-12-08 | 1989-12-05 | トリクロルモノシランの製造方法 |
DD89335320A DD285967A5 (de) | 1988-12-08 | 1989-12-06 | Verfahren zur herstellung von trichlormonosilan |
SU894742716A RU1838236C (ru) | 1988-12-08 | 1989-12-07 | Способ получени трихлормоносилана |
BR898906363A BR8906363A (pt) | 1988-12-08 | 1989-12-08 | Processo para producao de tricloromonosilano |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO885454A NO166032C (no) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO885454D0 NO885454D0 (no) | 1988-12-08 |
NO885454L NO885454L (no) | 1990-06-11 |
NO166032B true NO166032B (no) | 1991-02-11 |
NO166032C NO166032C (no) | 1991-05-22 |
Family
ID=19891500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO885454A NO166032C (no) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4986971A (no) |
JP (1) | JPH02208217A (no) |
BR (1) | BR8906363A (no) |
CA (1) | CA2003168C (no) |
DD (1) | DD285967A5 (no) |
DE (1) | DE3938897A1 (no) |
FR (1) | FR2640254B1 (no) |
NO (1) | NO166032C (no) |
RU (1) | RU1838236C (no) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5871705A (en) * | 1996-09-19 | 1999-02-16 | Tokuyama Corporation | Process for producing trichlorosilane |
DE102004017453A1 (de) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan |
DE502006008382D1 (de) * | 2005-03-05 | 2011-01-05 | Jssi Gmbh | Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium |
JP4664892B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2011-04-06 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | シリコン塩化物の製造方法 |
JP4620694B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2011-01-26 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 高純度トリクロロシランの製造方法 |
JP5337749B2 (ja) | 2010-03-10 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
JP5909153B2 (ja) | 2012-06-14 | 2016-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
JP5879283B2 (ja) | 2013-02-13 | 2016-03-08 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
JP5886234B2 (ja) | 2013-04-11 | 2016-03-16 | 信越化学工業株式会社 | シラン化合物またはクロロシラン化合物の精製方法、多結晶シリコンの製造方法、および、弱塩基性イオン交換樹脂の再生処理方法 |
DE102013215011A1 (de) | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
JP6069167B2 (ja) | 2013-10-23 | 2017-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
JP6095613B2 (ja) | 2014-07-10 | 2017-03-15 | 信越化学工業株式会社 | クロロシランの精製方法 |
JP7087109B2 (ja) * | 2018-04-18 | 2022-06-20 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | クロロシランの製造方法 |
CN114127012B (zh) * | 2018-12-18 | 2024-02-06 | 瓦克化学股份公司 | 制备氯硅烷的方法 |
WO2020125955A1 (de) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von chlorsilanen |
WO2020221421A1 (de) * | 2019-04-29 | 2020-11-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit struktur-optimierten silicium-partikeln |
EP3976533A1 (de) * | 2019-05-29 | 2022-04-06 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit strukturoptimierten silicium-partikeln |
US12065457B2 (en) | 2019-06-14 | 2024-08-20 | Wacker Chemie Ag | Process for preparing methylchlorosilanes with structure-optimised silicon particles |
JP7278888B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-05-22 | 高純度シリコン株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA652188A (en) * | 1962-11-13 | Chassaing Pierre | Production of trichlorosilane | |
FR1239350A (fr) * | 1959-06-24 | 1960-12-16 | Pechiney | Perfectionnement à la fabrication industrielle du trichlorosilane |
US3592391A (en) * | 1969-01-27 | 1971-07-13 | Knapsack Ag | Nozzle for atomizing molten material |
US4347199A (en) * | 1981-03-02 | 1982-08-31 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form |
JPS5832011A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | Nippon Aerojiru Kk | 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法 |
US4419060A (en) * | 1983-03-14 | 1983-12-06 | Dow Corning Corporation | Apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form |
-
1988
- 1988-12-08 NO NO885454A patent/NO166032C/no not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-11-09 US US07/434,087 patent/US4986971A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-16 CA CA002003168A patent/CA2003168C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-22 FR FR898915325A patent/FR2640254B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-24 DE DE3938897A patent/DE3938897A1/de active Granted
- 1989-12-05 JP JP1314472A patent/JPH02208217A/ja active Granted
- 1989-12-06 DD DD89335320A patent/DD285967A5/de not_active IP Right Cessation
- 1989-12-07 RU SU894742716A patent/RU1838236C/ru active
- 1989-12-08 BR BR898906363A patent/BR8906363A/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2640254B1 (fr) | 1993-08-27 |
CA2003168C (en) | 1997-07-15 |
DD285967A5 (de) | 1991-01-10 |
DE3938897A1 (de) | 1990-06-13 |
RU1838236C (ru) | 1993-08-30 |
NO885454L (no) | 1990-06-11 |
NO885454D0 (no) | 1988-12-08 |
BR8906363A (pt) | 1990-08-21 |
JPH055765B2 (no) | 1993-01-25 |
JPH02208217A (ja) | 1990-08-17 |
FR2640254A1 (fr) | 1990-06-15 |
US4986971A (en) | 1991-01-22 |
CA2003168A1 (en) | 1990-06-08 |
NO166032C (no) | 1991-05-22 |
DE3938897C2 (no) | 1992-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO166032B (no) | Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. | |
EP1437327B1 (en) | Method for producing silicon | |
US7033561B2 (en) | Process for preparation of polycrystalline silicon | |
US8697023B2 (en) | Method for producing high-purity silicon nitride | |
NO321276B1 (no) | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan | |
EP0063272B1 (en) | Synthesis of silicon nitride | |
JP2002060212A (ja) | クロロシラン合成の気体状反応混合物から金属塩化物を分離する方法およびその装置 | |
FR2545077A1 (fr) | Preparation de poudres de diborures metalliques | |
JPH09118598A (ja) | 窒化アルミニウムウイスカーの製造法 | |
CA1260227A (en) | Method of making high purity silicon nitride precursor | |
US20040042949A1 (en) | Method for removing aluminum from chlorosilanes | |
JPS6111886B2 (no) | ||
EP0385096B1 (en) | Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder | |
KR20000029323A (ko) | 조립 함량이 높은 마그네슘 에톡사이드, 이의 제조방법 및이의 용도 | |
JP6239753B2 (ja) | トリクロロシランの製造 | |
US11198613B2 (en) | Process for producing chlorosilanes using a catalyst selected from the group of Co, Mo, W | |
AU2019437369A1 (en) | Method for producing technical silicon | |
JPS6021808A (ja) | 四塩化珪素の製造方法 | |
US4803062A (en) | Method for producing tungsten hexachloride | |
JPH0433723B2 (no) | ||
RU2089489C1 (ru) | Способ получения нитрида титана | |
JPH0353247B2 (no) | ||
JPH07173173A (ja) | アルケニルシランの合成法 | |
JPH02255510A (ja) | 低酸素高β型窒化珪素微粉末及びその製造方法 | |
JPH0328371B2 (no) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Lapsed by not paying the annual fees |
Free format text: LAPSED IN JUNE 2002 |