NO166032B - Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. - Google Patents

Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. Download PDF

Info

Publication number
NO166032B
NO166032B NO885454A NO885454A NO166032B NO 166032 B NO166032 B NO 166032B NO 885454 A NO885454 A NO 885454A NO 885454 A NO885454 A NO 885454A NO 166032 B NO166032 B NO 166032B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
silicon
trichloromonosilane
gas
production
amount
Prior art date
Application number
NO885454A
Other languages
English (en)
Other versions
NO885454L (no
NO885454D0 (no
NO166032C (no
Inventor
Gunnar Schuessler
Karl Forwald
Oeyvind Soerli
Original Assignee
Elkem As
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Publication of NO885454D0 publication Critical patent/NO885454D0/no
Priority to NO885454A priority Critical patent/NO166032C/no
Application filed by Elkem As filed Critical Elkem As
Priority to US07/434,087 priority patent/US4986971A/en
Priority to CA002003168A priority patent/CA2003168C/en
Priority to FR898915325A priority patent/FR2640254B1/fr
Priority to DE3938897A priority patent/DE3938897A1/de
Priority to JP1314472A priority patent/JPH02208217A/ja
Priority to DD89335320A priority patent/DD285967A5/de
Priority to SU894742716A priority patent/RU1838236C/ru
Priority to BR898906363A priority patent/BR8906363A/pt
Publication of NO885454L publication Critical patent/NO885454L/no
Publication of NO166032B publication Critical patent/NO166032B/no
Publication of NO166032C publication Critical patent/NO166032C/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Description

Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av triklormonosilan, HSiCl^.
Superrent triklormonosilan benyttes som utgangsmateriale for fremstilling av silisiumtransistorer. Fremstilling av triklormonosilan foregår ved omsetning av pulverformet silisium og HCl-gass i en fluidisert seng ved at HCl-gass ledes over silisiumpulver ved en temperatur mellom ca. 280 og 300°C. Triklormonosilan, som har et kokepunkt på 31,8°C, utvinnes fra produktgassen fra den fluidiserte seng ved kondensering, og renses fra andre klorsilaner som utvinnes som biprodukter ved destillering.
En vesentlig faktor ved fremstilling av triklormonosilan er mengden av uomsatt HCl-gass. Mengden av uomsatt HCl-gass har en vesentlig innvirkning på prosessens økonomi og det er ønskelig å holde mengden av uomsatt HCl-gass på et så lavt nivå som mulig. En økende mengde av uomsatt HCl-gass gir videre en økende andel av det uønskete biprodukt SiCl4 i produktgassen, hvilket nedsetter mengden av produsert triklormonosilan.
Ved fremstilling av triklormonosilan har det hittil blitt anvendt silisiumpulver som er fremstilt ved nedknusing og maling av blokkstøpt silisium. På grunn av den langsomme avkjølingshastighet som oppnås ved blokkstøping vil legeringselementer og forurensninger i blokkstøpt silisium vise en sterk segregeringstendens og ved knusing og maling av blokkstøpt silisium vil man derfor oppnå et inhomogent pulverprodukt som oppviser store forskjeller i analyse mellom enkeltpartikler.
Det har vist seg at kvaliteten og homogeniteten av silisiumpulveret har en vesentlig innvirkning ved den oven-for nevnte fremgangsmåte for fremstilling av triklormonosilan, og det er nå blitt funnet at anvendelse av silisiumpulver fremstilt ved gassatomisering av smeltet silisium overraskende gir et meget høyt HCl-utbyttte ved fremgangsmåten for fremstilling av triklormonosilan ved reaksjon mellom silisiumpulver og HCl-gass.
Foreliggende oppfinnelse vedrører således en fremgangsmåte ved fremstilling av triklormonosilan i en fluidisert seng reaktor ved omsetning av pulverformet silisium og HCl-gass ved en temperatur mellom 280 og 300°C, og fremgangsmåten er kjennetegnet ved at det anvendes silisiumpulver fremstilt ved gassatomisering av smeltet silisium, hvilket pulver har en partikkelstørrelse mellom 1 og lOOO^um.
Silisiumpulveret har fortrinnsvis en partikkelstørrelse mellom 50 og 80 0 ^um.
Ved den foreliggende fremgangsmåte er utbyttet av HC1 i prosessen øket vesentlig idet uomsatt mengde av HC1 er redusert fra normalt 5 - 10 % til 2 - 3 %. Reduksjonen av mengde uomsatt HC1 fører også til en reduksjon av produ-serte biprodukter, først og fremst SiCl4. Det har således vist seg at mengden av SiCl^ er blitt redusert med 3 - 5 % ved den foreliggende fremgangsmåte. Dette fører igjen til et høyere utbytte av triklormonosilan.
Eksempe1:
I en fluidisert seng reaktor med indre diameter 40 mm ble de etterfølgende forsøk utført. Det ble i alle forsøk benyttet like mengder silisium med en partikkelstørrelse mellom-50 og 350 ^um. HCl-gass under et trykk på 2,0 bar ble ledet inn i bunnen av reaktoren. I-IC1 mengden ble holdt konstant gjennom alle forsøkene. Etter oppvarming og initiering av reaksjon ble det innstilt en stasjonær forsøksfase ved 290°C. Ved disse betingelser ble HCl-innholdet i produktgassen fra reaktoren bestemt.
Prøve A bestod av silisiumpulver fremstilt på konvensjonell måte ved knusing og maling. Prøve B bestod av silisiumpulver fremstilt ved gassatomisering med nitrogengass.
Den kjemiske analyse av prøvene A og B var som følger:
A B
Vekt % Vekt %
Fe 0,40 0,35
Ca 0,01 0,05
Al 0,47 0,42
Ti 0,02 0,02
Det ble funnet at HCl-utbyttet for prøve A var 92 %, mens HCl-utbyttet for prøve B var 98 %.
Av dette fremgår det at det oppnås et sterkt forbedret utbytte ved fremgangsmåten i henhold til foreliggende oppfinnelse enn i forhold til teknikkens stilling.

Claims (2)

1. Fremgangsmåte ved fremstilling av triklormonosilan i en fluidisert seng reaktor ved omsetning av pulverformet silisium og HC1 ved en temperatur mellom 280 og 300°C, karakterisert ved at det anvendes silisiumpulver som er fremstilt ved gassatomisering av smeltet silisium, hvilket pulver har en partikkelstørrelse mellom 1 og 1000^,um.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at det anvendes et gassatomisert silisiumpulver med en partikkelstørrelse mellom 50 og 800 ^um.
NO885454A 1988-12-08 1988-12-08 Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan. NO166032C (no)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO885454A NO166032C (no) 1988-12-08 1988-12-08 Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan.
US07/434,087 US4986971A (en) 1988-12-08 1989-11-09 Method for production of trichloromonosilane
CA002003168A CA2003168C (en) 1988-12-08 1989-11-16 Method for producing trichloromonosilane
FR898915325A FR2640254B1 (fr) 1988-12-08 1989-11-22 Procede de fabrication de trichloromonosilane
DE3938897A DE3938897A1 (de) 1988-12-08 1989-11-24 Verfahren zur herstellung von trichlormonosilan
JP1314472A JPH02208217A (ja) 1988-12-08 1989-12-05 トリクロルモノシランの製造方法
DD89335320A DD285967A5 (de) 1988-12-08 1989-12-06 Verfahren zur herstellung von trichlormonosilan
SU894742716A RU1838236C (ru) 1988-12-08 1989-12-07 Способ получени трихлормоносилана
BR898906363A BR8906363A (pt) 1988-12-08 1989-12-08 Processo para producao de tricloromonosilano

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO885454A NO166032C (no) 1988-12-08 1988-12-08 Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan.

Publications (4)

Publication Number Publication Date
NO885454D0 NO885454D0 (no) 1988-12-08
NO885454L NO885454L (no) 1990-06-11
NO166032B true NO166032B (no) 1991-02-11
NO166032C NO166032C (no) 1991-05-22

Family

ID=19891500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO885454A NO166032C (no) 1988-12-08 1988-12-08 Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4986971A (no)
JP (1) JPH02208217A (no)
BR (1) BR8906363A (no)
CA (1) CA2003168C (no)
DD (1) DD285967A5 (no)
DE (1) DE3938897A1 (no)
FR (1) FR2640254B1 (no)
NO (1) NO166032C (no)
RU (1) RU1838236C (no)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871705A (en) * 1996-09-19 1999-02-16 Tokuyama Corporation Process for producing trichlorosilane
DE102004017453A1 (de) * 2004-04-08 2005-10-27 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan
DE502006008382D1 (de) * 2005-03-05 2011-01-05 Jssi Gmbh Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium
JP4664892B2 (ja) * 2006-12-05 2011-04-06 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ シリコン塩化物の製造方法
JP4620694B2 (ja) * 2007-01-31 2011-01-26 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 高純度トリクロロシランの製造方法
JP5337749B2 (ja) 2010-03-10 2013-11-06 信越化学工業株式会社 トリクロロシランの製造方法
JP5909153B2 (ja) 2012-06-14 2016-04-26 信越化学工業株式会社 高純度多結晶シリコンの製造方法
JP5879283B2 (ja) 2013-02-13 2016-03-08 信越化学工業株式会社 トリクロロシランの製造方法
JP5886234B2 (ja) 2013-04-11 2016-03-16 信越化学工業株式会社 シラン化合物またはクロロシラン化合物の精製方法、多結晶シリコンの製造方法、および、弱塩基性イオン交換樹脂の再生処理方法
DE102013215011A1 (de) 2013-07-31 2015-02-05 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
JP6069167B2 (ja) 2013-10-23 2017-02-01 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
JP6095613B2 (ja) 2014-07-10 2017-03-15 信越化学工業株式会社 クロロシランの精製方法
JP7087109B2 (ja) * 2018-04-18 2022-06-20 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト クロロシランの製造方法
CN114127012B (zh) * 2018-12-18 2024-02-06 瓦克化学股份公司 制备氯硅烷的方法
WO2020125955A1 (de) * 2018-12-18 2020-06-25 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
WO2020221421A1 (de) * 2019-04-29 2020-11-05 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit struktur-optimierten silicium-partikeln
EP3976533A1 (de) * 2019-05-29 2022-04-06 Wacker Chemie AG Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit strukturoptimierten silicium-partikeln
US12065457B2 (en) 2019-06-14 2024-08-20 Wacker Chemie Ag Process for preparing methylchlorosilanes with structure-optimised silicon particles
JP7278888B2 (ja) * 2019-06-28 2023-05-22 高純度シリコン株式会社 トリクロロシランの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA652188A (en) * 1962-11-13 Chassaing Pierre Production of trichlorosilane
FR1239350A (fr) * 1959-06-24 1960-12-16 Pechiney Perfectionnement à la fabrication industrielle du trichlorosilane
US3592391A (en) * 1969-01-27 1971-07-13 Knapsack Ag Nozzle for atomizing molten material
US4347199A (en) * 1981-03-02 1982-08-31 Dow Corning Corporation Method and apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form
JPS5832011A (ja) * 1981-08-17 1983-02-24 Nippon Aerojiru Kk 珪素と塩化水素からトリクロルシランと四塩化珪素を製造する方法
US4419060A (en) * 1983-03-14 1983-12-06 Dow Corning Corporation Apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form

Also Published As

Publication number Publication date
FR2640254B1 (fr) 1993-08-27
CA2003168C (en) 1997-07-15
DD285967A5 (de) 1991-01-10
DE3938897A1 (de) 1990-06-13
RU1838236C (ru) 1993-08-30
NO885454L (no) 1990-06-11
NO885454D0 (no) 1988-12-08
BR8906363A (pt) 1990-08-21
JPH055765B2 (no) 1993-01-25
JPH02208217A (ja) 1990-08-17
FR2640254A1 (fr) 1990-06-15
US4986971A (en) 1991-01-22
CA2003168A1 (en) 1990-06-08
NO166032C (no) 1991-05-22
DE3938897C2 (no) 1992-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO166032B (no) Fremgangsmaate ved fremstilling av triklormonosilan.
EP1437327B1 (en) Method for producing silicon
US7033561B2 (en) Process for preparation of polycrystalline silicon
US8697023B2 (en) Method for producing high-purity silicon nitride
NO321276B1 (no) Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan
EP0063272B1 (en) Synthesis of silicon nitride
JP2002060212A (ja) クロロシラン合成の気体状反応混合物から金属塩化物を分離する方法およびその装置
FR2545077A1 (fr) Preparation de poudres de diborures metalliques
JPH09118598A (ja) 窒化アルミニウムウイスカーの製造法
CA1260227A (en) Method of making high purity silicon nitride precursor
US20040042949A1 (en) Method for removing aluminum from chlorosilanes
JPS6111886B2 (no)
EP0385096B1 (en) Process for producing sinterable crystalline aluminum nitride powder
KR20000029323A (ko) 조립 함량이 높은 마그네슘 에톡사이드, 이의 제조방법 및이의 용도
JP6239753B2 (ja) トリクロロシランの製造
US11198613B2 (en) Process for producing chlorosilanes using a catalyst selected from the group of Co, Mo, W
AU2019437369A1 (en) Method for producing technical silicon
JPS6021808A (ja) 四塩化珪素の製造方法
US4803062A (en) Method for producing tungsten hexachloride
JPH0433723B2 (no)
RU2089489C1 (ru) Способ получения нитрида титана
JPH0353247B2 (no)
JPH07173173A (ja) アルケニルシランの合成法
JPH02255510A (ja) 低酸素高β型窒化珪素微粉末及びその製造方法
JPH0328371B2 (no)

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Lapsed by not paying the annual fees

Free format text: LAPSED IN JUNE 2002