RU1809840C - Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме - Google Patents
Устройство дл нанесени тонких пленок в вакуумеInfo
- Publication number
- RU1809840C RU1809840C SU884356883A SU4356883A RU1809840C RU 1809840 C RU1809840 C RU 1809840C SU 884356883 A SU884356883 A SU 884356883A SU 4356883 A SU4356883 A SU 4356883A RU 1809840 C RU1809840 C RU 1809840C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cathode
- anodes
- additional electrode
- vacuum
- substrate holder
- Prior art date
Links
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000009435 building construction Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Использование: нанесение покрытий в вакууме. Сущность изобретени : устройство содержит катодные пластины, размещенные таким образом, что они образуют стенки пр моугольного параллелепипеда. В устройстве создаетс поток атомов дл образовани тонкого сло , наносимого на подложку, и одно-, временно поток ионов дл бомбардировки сло при его образовании. Слои могут быть сформированы на прозрачной подложке большого размера дл использовани в качестве листов стекла при строительстве зданий или дл автомобилей. 2 ил.
Description
Ј
... Изобретение касаетс нанесени покрытий в вакууме, относитс к магнетрон1 ным устройствам распылени и может быть использовано дл нанесени покрытий на издели -листовой формы в производстве затемненных стекол.
Цель изобретени - расширение экс плуатационных возможностей устройства за счет обеспечени возможности обработ;ки подложек листовой прот женной формы и больших габаритов..
На фиг.1 изображена конструкци устройства; на фиг.2 - вид на устройство со стороны креплени мишеней.
Устройство содержит полый катод с мишен ми 1-4. По его .торцам расположены два анода 5 и 6.
Магнитный блок 7 с двум .полюсными
.наконечниками противоположной пол рности охватывает внешнюю поверхность полого катода. Со стороны подложкодержэте- л 8 расположен дополнительный электрод 9. Внутренн поверхность катода расположена перпендикул рно поверхности под- ложкодержател 8 и анодов 5 и 6, а дополнительный электрод 9 и один анод 6 размещены со стороны подложкодержател 8 и выполнены с соосными отверсти ми 10. Катод выполнен в форме пр моугольного параллелепипеда, при этом отношение длины короткой стороны параллелепипеда к его высоте составл ет 1:1 и 1:2, а длина короткой стороны параллелепипеда находитс в диапазоне 10-7Q мм. На катоде закреплены две длинные 1 и 3, две короткие 2 и 4 пла- :стины (мишени). Магнитный блок 7 выполнен на посто нных магнитах.
Полость 11 узла охлаждени 12 охватывает внешнюю поверхность полого катодз. Аноды 5 и 6 и дополнительный электрод 9
СО
о о
00 JV
о
со
выполнены пр моугольной формы, а отверсти в них - щелевой формы. Устройство размещено в стекл нной или металлической камере, котора на фиг. не показана, внутри которой создаетс вакуум.
Устройство работает следующим образом . После получени высокого вакуума в камеру напускаетс рабочий газ, давление которого составл ет 10,1-10.2 Па, а к катоду с мишен ми 1-4 подводитс напр жение 200-1000 В.
В результате происходит ионизаци газа и между катодом и анодом 5 образуетс электрический зар д. Ионы рабочего газа-в разр де устремл ютс к катоду и, когда осуществл етс контакт, один или более атомов материала мишеней 1-4 вытесн ютс при ударе. Отделившиес атомы перемещаютс в обратном направлении, энерги атомов пропорциональна энергии, которую отдают ионы при ударе, и направл ютс к противоположной стенке под углом, ограниченным 30 градусами . Атомы доход т до противоположной стороны катода и возвращаютс в обратном направлении, но при этом они не сталкиваютс с другими частицами.
При таком рикошете атомы с большей веро тностью сталкиваютс с электронами газа, образующего плазму, и в свою очередь ионизируютс . Между стенками катодов образуетс большое количество ионов, которые под действием положительного зар да анода 5 устремл ютс к противоположному выходу и затем к подложкодержателю 8, на котором, происходит осаждение требуемого покрыти ..
Дл получени достаточной степени ионизации атомов и соответствующих ионов и дл получени требуемой толщины тонкого сло , рассто ние между мишен ми 1 и 3 устанавливаетс в диапазоне 10-70 мм. Кроме того, отношение этого рассто ни к -высоте мишеней 1 и 3 находитс в пределах 1:1-1:2.
При работе в устройстве создаютс одновременно от одного и того же источника потоки атомов и ионов, которые при осаждении позвол ют получить покрытие, которое может быть с успехом использовано в издели х, наход щихс в контакте с внеш- ней средой..В качестве таких изделий можно указать листы стекла, покрытого тонким слоем. Это стекло может быть использовано дл застеклени зданий и дл автомобилей.
Питание анода 6 осуществл етс от отдельного источника напр жени и он обеспечивает повышение концентрации ионов в потоке распыленного материала.
Дополнительный электрод 9 извлекает и одновременно ускор ет ионы.
К электроду 9 подводитс отрицательное напр жение от 5 к.В до 500 кВ дл прит жени и ускорени ионов.
Группа электродов образует систему электрических линз дл того, чтобы дополнительно к ускорению ионов осуществл лась их фокусировка.
При помощи устройства возможно получить значительно более сильное и сфокуси- 0 рованное бомбардирование поверхности изделий ионами, что позволит улучшить ад- гезию тонкого сло к подложке на ограниченных участках.
Возможно, в частности, заменить пло- 5 ские мишени 1 и 3 на другие, имеющие радиус кривизны с вогнутостью, обращенной к мишени 3, и наоборот.
Claims (6)
1. Устройство дл нанесени тонких
0 пленок в вакууме, содержащее полый катод с расположенными по его торцам двум анодами , магнитный блок с двум полюсными наконечниками противоположной пол рности , охватывающий внешнюю поверхность
5 полого катода, подложкодержатель и дополнительный электрод, при этом внутренн поверхность катода расположена перпендикул рно поверхности подложкодержате- л и анодов, а дополнительный электрод и
0 один из анодов размещены со стороны под- ложкодержател и выполнены с соосными отверсти ми, отличающеес тем, что, с целью расширени эксплуатационных возможностей устройства за счет обеспечени
5 возможности обработки подложек листовой прот женной формы и больших габаритов, катод выполнен в форме пр моугольного параллелепипеда, при этом отношение длины короткой стороны параллелепипеда к его
0 высоте составл ет 1:1-1:2, а длина короткой стороны параллелепипеда находитс вдиа- , пазоне 10-70 мм.
2. Устройство по п,1, о т л и ч а ю ще - е с тем, что катод выполнен из отдельных 5 пластин, образующих соответствующие стороны пр моугольного параллелепипеда.
3. Устройство по гс.1, о т л и ч а ю щ е - е с тем, что магнитный блок выполнен на посто нных магнитах.
0 4. Устройство поп,1,отличающе - е с тем, что оно снабжено узлом охлаждени , охватывающим внешнюю поверхность полого катода.
5. Устройство по п.1, о т л и ч а ю ще - 5 ее тем, что аноды и дополнительный электрод выполнены пр моугольной формы.
6. Устройство по п.1, отличаю ще - е с тем, что отверсти в аноде и дополнительном электроде выполнены щелевой формы.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT8748644A IT1211938B (it) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | Apparecchiatura e procedimento per la deposizione di uno strato sottile su un substrato trasparente, particolarmente per la realizzazione di vetrature |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1809840C true RU1809840C (ru) | 1993-04-15 |
Family
ID=11267817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884356883A RU1809840C (ru) | 1987-11-27 | 1988-11-25 | Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4933057A (ru) |
EP (1) | EP0318441B1 (ru) |
JP (1) | JPH01168862A (ru) |
AT (1) | ATE88222T1 (ru) |
BR (1) | BR8806229A (ru) |
DD (1) | DD275861A5 (ru) |
DE (1) | DE3880275T2 (ru) |
ES (1) | ES2040896T3 (ru) |
IT (1) | IT1211938B (ru) |
PL (1) | PL161618B1 (ru) |
RU (1) | RU1809840C (ru) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5073245A (en) * | 1990-07-10 | 1991-12-17 | Hedgcoth Virgle L | Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device |
US5437778A (en) * | 1990-07-10 | 1995-08-01 | Telic Technologies Corporation | Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device |
US5277779A (en) * | 1992-04-14 | 1994-01-11 | Henshaw William F | Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source |
US6444100B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-09-03 | Seagate Technology Llc | Hollow cathode sputter source |
SG90171A1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-07-23 | Inst Data Storage | Sputtering device |
DE10227048A1 (de) * | 2002-06-17 | 2004-01-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels physikalischer Dampfabscheidung über den Hohlkathodeneffekt |
WO2004027825A2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Applied Process Technologies, Inc. | Beam plasma source |
US7411352B2 (en) * | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
US7038389B2 (en) * | 2003-05-02 | 2006-05-02 | Applied Process Technologies, Inc. | Magnetron plasma source |
KR20180121798A (ko) * | 2016-03-30 | 2018-11-08 | 케이힌 람테크 가부시키가이샤 | 스퍼터링 캐소드, 스퍼터링 장치 및 성막체의 제조 방법 |
US20230029343A1 (en) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus, film formation method, and method for manufacturing product |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1425754A (en) * | 1973-07-03 | 1976-02-18 | Electricity Council | Methods of and apparatus for coating wire rod or strip material by sputtering |
US3878085A (en) * | 1973-07-05 | 1975-04-15 | Sloan Technology Corp | Cathode sputtering apparatus |
DD141932B1 (de) * | 1978-12-18 | 1982-06-30 | Guenter Reisse | Verfahren und vorrichtung zur teilchenstromionisierung und hochratebeschichtung |
US4472259A (en) * | 1981-10-29 | 1984-09-18 | Materials Research Corporation | Focusing magnetron sputtering apparatus |
US4428816A (en) * | 1983-05-25 | 1984-01-31 | Materials Research Corporation | Focusing magnetron sputtering apparatus |
US4690744A (en) * | 1983-07-20 | 1987-09-01 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Method of ion beam generation and an apparatus based on such method |
CH659484A5 (de) * | 1984-04-19 | 1987-01-30 | Balzers Hochvakuum | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung. |
JPS6277460A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 放電電極 |
-
1987
- 1987-11-27 IT IT8748644A patent/IT1211938B/it active
-
1988
- 1988-11-22 AT AT88830503T patent/ATE88222T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-11-22 DE DE88830503T patent/DE3880275T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-22 US US07/275,570 patent/US4933057A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-22 ES ES198888830503T patent/ES2040896T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-22 EP EP88830503A patent/EP0318441B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-24 DD DD32214888A patent/DD275861A5/de not_active IP Right Cessation
- 1988-11-25 RU SU884356883A patent/RU1809840C/ru active
- 1988-11-25 JP JP63297995A patent/JPH01168862A/ja active Pending
- 1988-11-25 BR BR888806229A patent/BR8806229A/pt unknown
- 1988-11-26 PL PL88275999A patent/PL161618B1/pl unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 4Л28.316, кл. С 27 С 15/00, 1984. Патент DD № 141932, кл. С 23 С 15/00, 1980. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4933057A (en) | 1990-06-12 |
EP0318441A3 (en) | 1990-07-25 |
IT1211938B (it) | 1989-11-08 |
EP0318441A2 (en) | 1989-05-31 |
JPH01168862A (ja) | 1989-07-04 |
DE3880275T2 (de) | 1993-10-21 |
ES2040896T3 (es) | 1993-11-01 |
IT8748644A0 (it) | 1987-11-27 |
BR8806229A (pt) | 1989-08-15 |
EP0318441B1 (en) | 1993-04-14 |
DD275861A5 (de) | 1990-02-07 |
PL161618B1 (pl) | 1993-07-30 |
PL275999A1 (en) | 1989-07-24 |
DE3880275D1 (de) | 1993-05-19 |
ATE88222T1 (de) | 1993-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1321772C (en) | Apparatus for the application of thin layers to a substrate by means of cathode sputtering | |
RU1809840C (ru) | Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме | |
US7411352B2 (en) | Dual plasma beam sources and method | |
US4179351A (en) | Cylindrical magnetron sputtering source | |
JPS60135573A (ja) | スパツタリング方法及びその装置 | |
WO1998059088A1 (en) | Sputter coating system and method using substrate electrode | |
JPH1161401A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
KR100326503B1 (ko) | 차폐된보조애노드를이용한전기적절연물질의dc반응성플라즈마기상증착장치및방법 | |
KR100273326B1 (ko) | 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법 | |
JPS62199767A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
RU2716133C1 (ru) | Источник быстрых нейтральных молекул | |
US4201654A (en) | Anode assisted sputter etch and deposition apparatus | |
JP2001164360A (ja) | Dcスパッタリング装置 | |
JPS6324068A (ja) | 連続真空蒸着メツキ装置 | |
RU2037559C1 (ru) | Способ нанесения покрытий на изделия методом ионного распыления и устройство для его осуществления | |
WO2002040736B1 (en) | Conical sputtering target | |
CN221720910U (zh) | 磁控溅射设备 | |
RU2023744C1 (ru) | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения | |
RU2151439C1 (ru) | Магнетронная распылительная система | |
JPH0214426B2 (ru) | ||
RU2101383C1 (ru) | Способ катодного распыления | |
KR20110029500A (ko) | 플라즈마 성막 장치 | |
KR100388358B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 산화 마그네슘 박막 증착장치 | |
CN117604477A (zh) | 磁控溅射设备及磁控溅射方法 | |
JP2002038264A (ja) | スパッタ成膜方法およびスパッタ成膜装置 |