RU1809840C - Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме - Google Patents

Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме

Info

Publication number
RU1809840C
RU1809840C SU884356883A SU4356883A RU1809840C RU 1809840 C RU1809840 C RU 1809840C SU 884356883 A SU884356883 A SU 884356883A SU 4356883 A SU4356883 A SU 4356883A RU 1809840 C RU1809840 C RU 1809840C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
anodes
additional electrode
vacuum
substrate holder
Prior art date
Application number
SU884356883A
Other languages
English (en)
Inventor
Себастьяно Франческо
Массарелли Либерто
Original Assignee
Сочиета Италиана Ветро-Сив-С.П.А
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сочиета Италиана Ветро-Сив-С.П.А filed Critical Сочиета Италиана Ветро-Сив-С.П.А
Application granted granted Critical
Publication of RU1809840C publication Critical patent/RU1809840C/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0055Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

Использование: нанесение покрытий в вакууме. Сущность изобретени : устройство содержит катодные пластины, размещенные таким образом, что они образуют стенки пр моугольного параллелепипеда. В устройстве создаетс  поток атомов дл  образовани  тонкого сло , наносимого на подложку, и одно-, временно поток ионов дл  бомбардировки сло  при его образовании. Слои могут быть сформированы на прозрачной подложке большого размера дл  использовани  в качестве листов стекла при строительстве зданий или дл  автомобилей. 2 ил.

Description

Ј
... Изобретение касаетс  нанесени  покрытий в вакууме, относитс  к магнетрон1 ным устройствам распылени  и может быть использовано дл  нанесени  покрытий на издели -листовой формы в производстве затемненных стекол.
Цель изобретени  - расширение экс плуатационных возможностей устройства за счет обеспечени  возможности обработ;ки подложек листовой прот женной формы и больших габаритов..
На фиг.1 изображена конструкци  устройства; на фиг.2 - вид на устройство со стороны креплени  мишеней.
Устройство содержит полый катод с мишен ми 1-4. По его .торцам расположены два анода 5 и 6.
Магнитный блок 7 с двум .полюсными
.наконечниками противоположной пол рности охватывает внешнюю поверхность полого катода. Со стороны подложкодержэте- л  8 расположен дополнительный электрод 9. Внутренн   поверхность катода расположена перпендикул рно поверхности под- ложкодержател  8 и анодов 5 и 6, а дополнительный электрод 9 и один анод 6 размещены со стороны подложкодержател  8 и выполнены с соосными отверсти ми 10. Катод выполнен в форме пр моугольного параллелепипеда, при этом отношение длины короткой стороны параллелепипеда к его высоте составл ет 1:1 и 1:2, а длина короткой стороны параллелепипеда находитс  в диапазоне 10-7Q мм. На катоде закреплены две длинные 1 и 3, две короткие 2 и 4 пла- :стины (мишени). Магнитный блок 7 выполнен на посто нных магнитах.
Полость 11 узла охлаждени  12 охватывает внешнюю поверхность полого катодз. Аноды 5 и 6 и дополнительный электрод 9
СО
о о
00 JV
о
со
выполнены пр моугольной формы, а отверсти  в них - щелевой формы. Устройство размещено в стекл нной или металлической камере, котора  на фиг. не показана, внутри которой создаетс  вакуум.
Устройство работает следующим образом . После получени  высокого вакуума в камеру напускаетс  рабочий газ, давление которого составл ет 10,1-10.2 Па, а к катоду с мишен ми 1-4 подводитс  напр жение 200-1000 В.
В результате происходит ионизаци  газа и между катодом и анодом 5 образуетс  электрический зар д. Ионы рабочего газа-в разр де устремл ютс  к катоду и, когда осуществл етс  контакт, один или более атомов материала мишеней 1-4 вытесн ютс  при ударе. Отделившиес  атомы перемещаютс  в обратном направлении, энерги  атомов пропорциональна энергии, которую отдают ионы при ударе, и направл ютс  к противоположной стенке под углом, ограниченным 30 градусами . Атомы доход т до противоположной стороны катода и возвращаютс  в обратном направлении, но при этом они не сталкиваютс  с другими частицами.
При таком рикошете атомы с большей веро тностью сталкиваютс  с электронами газа, образующего плазму, и в свою очередь ионизируютс . Между стенками катодов образуетс  большое количество ионов, которые под действием положительного зар да анода 5 устремл ютс  к противоположному выходу и затем к подложкодержателю 8, на котором, происходит осаждение требуемого покрыти  ..
Дл  получени  достаточной степени ионизации атомов и соответствующих ионов и дл  получени  требуемой толщины тонкого сло , рассто ние между мишен ми 1 и 3 устанавливаетс  в диапазоне 10-70 мм. Кроме того, отношение этого рассто ни  к -высоте мишеней 1 и 3 находитс  в пределах 1:1-1:2.
При работе в устройстве создаютс  одновременно от одного и того же источника потоки атомов и ионов, которые при осаждении позвол ют получить покрытие, которое может быть с успехом использовано в издели х, наход щихс  в контакте с внеш- ней средой..В качестве таких изделий можно указать листы стекла, покрытого тонким слоем. Это стекло может быть использовано дл  застеклени  зданий и дл  автомобилей.
Питание анода 6 осуществл етс  от отдельного источника напр жени  и он обеспечивает повышение концентрации ионов в потоке распыленного материала.
Дополнительный электрод 9 извлекает и одновременно ускор ет ионы.
К электроду 9 подводитс  отрицательное напр жение от 5 к.В до 500 кВ дл  прит жени  и ускорени  ионов.
Группа электродов образует систему электрических линз дл  того, чтобы дополнительно к ускорению ионов осуществл лась их фокусировка.
При помощи устройства возможно получить значительно более сильное и сфокуси- 0 рованное бомбардирование поверхности изделий ионами, что позволит улучшить ад- гезию тонкого сло  к подложке на ограниченных участках.
Возможно, в частности, заменить пло- 5 ские мишени 1 и 3 на другие, имеющие радиус кривизны с вогнутостью, обращенной к мишени 3, и наоборот.

Claims (6)

1. Устройство дл  нанесени  тонких
0 пленок в вакууме, содержащее полый катод с расположенными по его торцам двум  анодами , магнитный блок с двум  полюсными наконечниками противоположной пол рности , охватывающий внешнюю поверхность
5 полого катода, подложкодержатель и дополнительный электрод, при этом внутренн   поверхность катода расположена перпендикул рно поверхности подложкодержате- л  и анодов, а дополнительный электрод и
0 один из анодов размещены со стороны под- ложкодержател  и выполнены с соосными отверсти ми, отличающеес  тем, что, с целью расширени  эксплуатационных возможностей устройства за счет обеспечени 
5 возможности обработки подложек листовой прот женной формы и больших габаритов, катод выполнен в форме пр моугольного параллелепипеда, при этом отношение длины короткой стороны параллелепипеда к его
0 высоте составл ет 1:1-1:2, а длина короткой стороны параллелепипеда находитс  вдиа- , пазоне 10-70 мм.
2. Устройство по п,1, о т л и ч а ю ще - е с   тем, что катод выполнен из отдельных 5 пластин, образующих соответствующие стороны пр моугольного параллелепипеда.
3. Устройство по гс.1, о т л и ч а ю щ е - е с   тем, что магнитный блок выполнен на посто нных магнитах.
0 4. Устройство поп,1,отличающе - е с   тем, что оно снабжено узлом охлаждени , охватывающим внешнюю поверхность полого катода.
5. Устройство по п.1, о т л и ч а ю ще - 5 ее   тем, что аноды и дополнительный электрод выполнены пр моугольной формы.
6. Устройство по п.1, отличаю ще - е с   тем, что отверсти  в аноде и дополнительном электроде выполнены щелевой формы.
SU884356883A 1987-11-27 1988-11-25 Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме RU1809840C (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT8748644A IT1211938B (it) 1987-11-27 1987-11-27 Apparecchiatura e procedimento per la deposizione di uno strato sottile su un substrato trasparente, particolarmente per la realizzazione di vetrature

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1809840C true RU1809840C (ru) 1993-04-15

Family

ID=11267817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884356883A RU1809840C (ru) 1987-11-27 1988-11-25 Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме

Country Status (11)

Country Link
US (1) US4933057A (ru)
EP (1) EP0318441B1 (ru)
JP (1) JPH01168862A (ru)
AT (1) ATE88222T1 (ru)
BR (1) BR8806229A (ru)
DD (1) DD275861A5 (ru)
DE (1) DE3880275T2 (ru)
ES (1) ES2040896T3 (ru)
IT (1) IT1211938B (ru)
PL (1) PL161618B1 (ru)
RU (1) RU1809840C (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073245A (en) * 1990-07-10 1991-12-17 Hedgcoth Virgle L Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
US5437778A (en) * 1990-07-10 1995-08-01 Telic Technologies Corporation Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
US5277779A (en) * 1992-04-14 1994-01-11 Henshaw William F Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
US6444100B1 (en) 2000-02-11 2002-09-03 Seagate Technology Llc Hollow cathode sputter source
SG90171A1 (en) * 2000-09-26 2002-07-23 Inst Data Storage Sputtering device
DE10227048A1 (de) * 2002-06-17 2004-01-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels physikalischer Dampfabscheidung über den Hohlkathodeneffekt
WO2004027825A2 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Applied Process Technologies, Inc. Beam plasma source
US7411352B2 (en) * 2002-09-19 2008-08-12 Applied Process Technologies, Inc. Dual plasma beam sources and method
US7038389B2 (en) * 2003-05-02 2006-05-02 Applied Process Technologies, Inc. Magnetron plasma source
KR20180121798A (ko) * 2016-03-30 2018-11-08 케이힌 람테크 가부시키가이샤 스퍼터링 캐소드, 스퍼터링 장치 및 성막체의 제조 방법
US20230029343A1 (en) * 2021-07-20 2023-01-26 Canon Kabushiki Kaisha Sputtering apparatus, film formation method, and method for manufacturing product

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1425754A (en) * 1973-07-03 1976-02-18 Electricity Council Methods of and apparatus for coating wire rod or strip material by sputtering
US3878085A (en) * 1973-07-05 1975-04-15 Sloan Technology Corp Cathode sputtering apparatus
DD141932B1 (de) * 1978-12-18 1982-06-30 Guenter Reisse Verfahren und vorrichtung zur teilchenstromionisierung und hochratebeschichtung
US4472259A (en) * 1981-10-29 1984-09-18 Materials Research Corporation Focusing magnetron sputtering apparatus
US4428816A (en) * 1983-05-25 1984-01-31 Materials Research Corporation Focusing magnetron sputtering apparatus
US4690744A (en) * 1983-07-20 1987-09-01 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method of ion beam generation and an apparatus based on such method
CH659484A5 (de) * 1984-04-19 1987-01-30 Balzers Hochvakuum Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung.
JPS6277460A (ja) * 1985-09-30 1987-04-09 Tokuda Seisakusho Ltd 放電電極

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 4Л28.316, кл. С 27 С 15/00, 1984. Патент DD № 141932, кл. С 23 С 15/00, 1980. *

Also Published As

Publication number Publication date
US4933057A (en) 1990-06-12
EP0318441A3 (en) 1990-07-25
IT1211938B (it) 1989-11-08
EP0318441A2 (en) 1989-05-31
JPH01168862A (ja) 1989-07-04
DE3880275T2 (de) 1993-10-21
ES2040896T3 (es) 1993-11-01
IT8748644A0 (it) 1987-11-27
BR8806229A (pt) 1989-08-15
EP0318441B1 (en) 1993-04-14
DD275861A5 (de) 1990-02-07
PL161618B1 (pl) 1993-07-30
PL275999A1 (en) 1989-07-24
DE3880275D1 (de) 1993-05-19
ATE88222T1 (de) 1993-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1321772C (en) Apparatus for the application of thin layers to a substrate by means of cathode sputtering
RU1809840C (ru) Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме
US7411352B2 (en) Dual plasma beam sources and method
US4179351A (en) Cylindrical magnetron sputtering source
JPS60135573A (ja) スパツタリング方法及びその装置
WO1998059088A1 (en) Sputter coating system and method using substrate electrode
JPH1161401A (ja) スパッタリング方法及び装置
KR100326503B1 (ko) 차폐된보조애노드를이용한전기적절연물질의dc반응성플라즈마기상증착장치및방법
KR100273326B1 (ko) 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법
JPS62199767A (ja) イオンプレ−テイング装置
RU2716133C1 (ru) Источник быстрых нейтральных молекул
US4201654A (en) Anode assisted sputter etch and deposition apparatus
JP2001164360A (ja) Dcスパッタリング装置
JPS6324068A (ja) 連続真空蒸着メツキ装置
RU2037559C1 (ru) Способ нанесения покрытий на изделия методом ионного распыления и устройство для его осуществления
WO2002040736B1 (en) Conical sputtering target
CN221720910U (zh) 磁控溅射设备
RU2023744C1 (ru) Катодный узел для ионно-плазменного нанесения
RU2151439C1 (ru) Магнетронная распылительная система
JPH0214426B2 (ru)
RU2101383C1 (ru) Способ катодного распыления
KR20110029500A (ko) 플라즈마 성막 장치
KR100388358B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 산화 마그네슘 박막 증착장치
CN117604477A (zh) 磁控溅射设备及磁控溅射方法
JP2002038264A (ja) スパッタ成膜方法およびスパッタ成膜装置