RU1353142C

RU1353142C - Способ получени рисунка шаблона

Info

Publication number: RU1353142C
Application number: SU853928080A
Authority: RU
Inventors: Ю.В. Агрич; М.М. Иванковский; Т.А. Семенова; С.А. Сульжиц
Original assignee: Организация П/Я М-5222
Priority date: 1985-07-11
Filing date: 1985-07-11
Publication date: 1993-03-07

Abstract

Изобретение относитс к. микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретени - повьппение воспроизводимости размеров при формировании идентичных Элементов. Дл этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонировани пр моугольных фрагментов 3, ширина W каждого из. .которых может отличатьс на величину погрешности t W, св занную с погрешностью в задании времени экспонировани . Воспроизводимость размеров злементов 1 и 2 достигаетс за счет статического усреднени пр моугольного фрагмента 3. В описании приведено выражение дл определени кратности экспонировани N(W/W(P), где {Г - допустима погрешность отношени усредненных ширин идентичных элементов. Пары идентичных резисто- . ров, изготовленных по данному способу , показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погрешностью 0,05%. Это обеспечивает ловьшгение процента выхода годных БИС (с 10-раэр дной точностью) примерно в 1,4 раза. 2 ил. САЭ СП со to

Description

Изобретение относитс к микроэлекронике и может быть использовано ри Изготовлении шаблонов дл полу- роводникорых приборов и интегральых схем.

Кельм изобретени вл етс повышение воспроизводимости размеров при формировании идентичных элементов за счет исключени погрешности в задании экспозиции.

На фиг,1 и 2 показана геометри идентичных элементов рисунка шаблона. Идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонировани пр моугольных фрагментов 3, ширина W каждого из-которых может отличатьс На величину погрешности ±4W, св эанную с погрешностью в задании вр е- мени экспонировани (экспозиции). Воспроизводимость размеров злемен- тов 1 и 2 достигаетс за счет статистического усреднени ширины пр моугольного фрагмента 3.

П р и м ер. С помощью шаблона, рисунок которого был получен в соответствии с изобретением, был изготовлен резисти Вный делитель большой интегральной (БИС) аналого-цифрового преобр зойател (АЩ1). Идентичные пр моугольные элементы 1,2 резисторов делител длиной 300 мкм (между контактными област ми алюмини ) и тириной 45 мкм формировались на фо- тооригин ле экспонированием одного и того же пр моугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭМ 559Б, .10 раз со смещением на длину пр моугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции. Кратность экспозиции N определ лась, исход из требовани к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов ((И), из выражени

С изготовленного фото- .

,(||-).

оригинала на фотоповторителе иэго- тавлйвались эталонные фотошаблоны, С полученных описанным способом эталонных шаблонов изготавливались рабочие шаблоны контактной печатью. Рисунок резистивного делител пере

5

0

5

0

5

0

5

0

носилс на кристалл БИС АЦП контактной печатью с рабочего шаблона. Ре- зистивные элементы формировались на кристалле БИС з лектронно-лучевым напылением на поверхность сло двуокиси кремни сплава PC 2310К с последующей фотолитографией. Контакты к резисторам формировались напылением сло алюмини с последующей фотолитографией. Изготовленный согласно изобретению резистивный Делитель сравнивалс с резистивными делител ми , изготовлённьи и в том же технологическом цикле с использованием рабочего фотошаблона,; изготовленного с фотооригинала по прототипу.

Пары идентичных резисторов, изготовленных согласно изобретению, показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погрешностью менее 0,05%, что обеспечивает повьш1ени8 выхода годных БИС (с 10-раз- р дной точностью) примерно в 1,4 раза .

Claims

Формула изобретени

Способ получени рисунка шаблона, включающий формирование элементов рисунка путем N-кратного экспонировани пр моугольных фрагментов и последующей химобработки, отличающийс тем, что, с целью повышени Воспроизводимости размеров при формировании идентичных элементов , N-кратное. зкспонирование осу- ществл ют по длине элемента, при этом длину пр моугольного фрагмента выбирают в N раз меньше длины элемента рисунка, а ширину выбирают равной его ширине, причем кратность экспонировани N определ ют из выражени

N.(/1-).™. (3W - погрешность воспроизведени ширины элемента на шаблоне, выз ван- на неточностью задани времени экспонировани , MKMJ

f - допустима погрешность отношени усредненных ширин идентичных элементов;

W ширина элемента, мкм.

/. . 3

ГТ r-fП

L J-Hi-i...Jb-L-J

/

iH:T::tj- :i::tl

- J-J- J т J;i I a 1

(puff.Z