Uprawniony z patentu: Rank Xerox Limited, Londyn (Wielka Brytania) Plyta elektrofotograficzna oraz sposób wytwarzania plyty elektrofotograficznej Przedmiotem wynalazku jest plyta elektrofoto¬ graficzna oraz sposób wytwarzania plyty elektro¬ fotograficznej.Do wytwarzania fotoprzewodzacych warstw izo¬ lacyjnych, na których tworzy sie utajony obraz elektrostatyczny, stosuje sie, jak to podano w opi¬ sach patentowych Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2,207,691, 2,745,327, 3,170,790, odpowiednie sub¬ stancje organiczne i nieorganiczne. Mimo, ze sto¬ sowane byly rózne materialy fotoprzewodzace, ma¬ terialem najbardziej przydatnym okazal sie ze wzgledów handlowych selen.Odkrycie wlasciwosci fotoprzewodnictwa izoluja¬ cego szklistego selenu doprowadzilo do tego, ze jego stosowanie w kserografii stalo sie powszech¬ ne. Fotograficzna czulosc tego materialu jest wie¬ lokrotnie wieksza niz czjulosc materialów stosowa¬ nych dotychczas, a plyty, w których material ten zastosowano, odznaczaja sie tym, ze przyjmuja wy¬ starczajaca ilosc ladunków elektrycznych oraz roz¬ praszaja taki ladunek w sposób selektywny po naswietleniu obrazem swietlnym.Jakkolwiek selen jest najbardziej pozadanym znanym obecnie fotoprzewodnikieim, nadajacym sie do elektrofotografii stwierdzono jednak, ze ply¬ ty elelctroifioltograficzne, w których zastosowano warstwy fotoprzewodzace zawierajace selen, maja wade polegajaca na slabej przyczepnosci miedzy warstwa fotoprzewodzaca a lezacym pod nia pod- 10 15 20 25 90 2 lozem. Róznice rozszerzalnosci cieplnej podloza i warstwy fotoprzewodizacej moga wywolac peknie¬ cia i nastepujace wskutek tego zluszczande sie warstwy fotoprzewodzacej z podloza. Plyty urza¬ dzen powielajacych narazone sa na znaczne róz¬ nice temperatur, miedzy okresami stanu chlod¬ nego, gidy plyty nie sa uzywane i okresami ogrze¬ wania, którego przyczyna jest bezposrednia blis¬ kosc urzadzen do cieplnego stapiania. Ogrzewanie to powoduje rozszerzanie cieplne materialów pod¬ loza i fotoprzewodnika, co prowadzi z kolei do omówionego wyzej pekania i luszczenia sie warstwy pokrycia.W znanych plytach elektrofotograficznych umiesz¬ czano zwykle selen na podkladzie ze sztywnego ma¬ terialu, takiego jak sztywny beben cylindryczny.W celu zwiekszenia szybkosci dzialania powielacza, zaproponowano ostatnio zastosowanie gietkiego pasa, opisanego w opisie paltenitowym Stanów Zjednoczonych Nr 3.146.688, jako podloza dla osa^ dzonego na nim fotoprzewodzacego izolatora.Umozliwia to znaczne zwiekszenie powierachru od* twarzania obrazów, przez co zostala zjwiejk&zona predkosc powielania.Problem przyczepnosci staje sie bardziej istotny gdy warstwa fotoprzewodzaca porwleczano podlo¬ ze z elastycznego pasa, który jest ciagniony do¬ okola kól pasowych. Ciagle zginanie warstwy foto¬ przewodzacej powoduje w czasie szybkiego ruchu 80 00780 007 3 ¦¦'.„, 4 pasa pekniecia tej warstwy, jej zliuszczanie sie i od¬ dzielanie od podloza. Jesli miedzy warstwa foto¬ przewodzaca a podlozem umieszczona jest warstwa przegradzajaca, powstaja dodatkowe trudnosci gdyz warstwa posrednia przy naprezeniu zginajacym musi wykazywac dobra przyczepnosc zarówno do podloza, jak i warstwy pokrywajacej, zawierajacej selen. Dobór materialów warstwy posredniej ogra¬ niczony jest wymaganiem, by warstwa ta nie wtplyjwala na dzialanie kserograficbne warstwy fio- totirzewadzatcej. W zgloszeniu patentowym Stanów Zjednoczonych Nr 579.826 Dimówiono stosowanie na warstwe posrednia pewnych epoksydów, tjdliorgia- ruo-siloksaaicfw, poliuretanów, poMestirów, fenopla- stów, poliamidów J iwdisiarczków. Mimo, ze ma¬ terialy te w pewnym stopniu przeciwdzialaja od¬ dzielaniu sde warstwy fotoprzewodzaceij od pod¬ loza, to jednak ~w czasie szyibkieigip ruchu pasa wy¬ stepuje nadal luszczenie sie, pekanie i odpryskiwa- nie warstwy fotoprzewodzacej. Ponadto przyczep¬ nosc tych materialów zanika po dluzszym czasie uzywania pasa.Celem wynalazku jest opracowanie plyty elek- t^ofotograficznej, która posiadalaby lepsza przy¬ czepnosc miedzy warstwa fotoprzewodzaca i pod¬ lozem, posiadalaby Lepsze wlasnosci fizyczne i me¬ chaniczne, i której fotoprzewodzaca powloka nie ulegalaby, w czasie ruchu po krzywiznie, pekaniu, luszczeniu i odprystówandtu,; Celem wynalazku jest równiez opracowanie spo¬ sobu wytwarzania plyty elektrofotograficznej nie posiadajacej wad znanych plyt.Cel wynalazku osiagnieto przez to, ze elektrycz¬ nie przewodzace podloze plyty pokryte j-est war- stwa posrednia zawierajaca podstawiona sililo-azo- butyloHeftyleno^dwuamiine, korzystnie o wzorze: Rx • R2 • R3 • SiHCH^-CH(CH3)CH2^NHH(CH2)2-NH2 gdzie Rj, R2, R3 sa podobnymi lub róznymi pod¬ stawnikami, zas podstawiona stlilo-Jzobutylo-etyle- no-dwuamina wybrana jest z grupy skladajacej sie z N-{divwmeitoksy-mert;y!oHsili^ ndiwuamiiny, N-JOtrójmetoksynsililOH^^ no-dwuaminy, dwóch czesci liczonych wagowo Nnfdwumeftoksy-metylo-sifó^ -dfwiuamany i jednej czesci wagowej gamma-ime- takryloksy-propylo-)txójime1x)iksysilaniu, oraz z dwóch czesci wagowych N^dwumetoksy^metylioHsililo-izo- buitylo wanylOHtró^acetoksysilaniu, przy czyim warstwa posrednia powleczona jest fotoprzewodzaca powlo¬ ka zawierajaca selen. Najkorzystniej grubosc warstwy posredniej wynosi od 0,1 mikrona do 2 mikronów a grubosc fotoprzewodzacej powloki, zawierajacej selen, wynosi od 20 mikronów do 50 mikronów.Cel wynalazku osiagnieto równiez w sposobie, który polega na uzyciu wstepnie oczyszczonego przewodzacego podloza, osadzeniu na podlozu warstwy posredniej zawierajacej spoiwo z podsta¬ wionej sililo^izObutylo^tyleno^dwuaminy, wysu¬ szeniu, w razie potrzeby, warstwy posredniej w celu usuniecia nadmiaru rozpuszczalnika, a na¬ stepnie nalozeniu jednej, lub wiecej warstw foto- przewodzacych materialów izolacyjnych.Podloze przewodzace lezace pod warstwa posred¬ nia jest wykonane z dowolnego materialu spelnia¬ jacego role podstawy plyty elektrofotograficznej.Typowe materialy przewodzace to metale takie, jak aliuminiium, mosiadz, nierdzewna stal, miedz, nikiel i cynk, szkla powleczone przewodzacym ma¬ terialem takim jak tlenek cyny, ilenek indu oraz szklo powleczone aluminium, podobne powloki na podlozach z tworzyw sztucznych lub pajier uczy¬ niony przewodzacym przez wlaczenie odpowiednich substancji chemicznych do papieru lub przez kon- dycjonowanie go w wilgotnej atmosferze dla uzys¬ kania w papierze dostatecznej zawartosci wody, zapewniajacej przewodnosc. Chociaz materialy o rezystancji wlasciwej okolo 1010 orno centymetrów nadaja sie na ogól na podloza to jednak korzystne jest stosowanie materialów o rezystancji wlasciwej mniejszej niz 105 orno centymetrów.Przed powleczeniem materialu przewodzacego warstwa posrednia podloze zostaje oczyszczone z zanieczyszczen, które wplywalyby ujemnie na me¬ chaniczne lub elektryczne wlasnosci plyty elektro- fotograficznej. Oczyszczanie wykonuje sie w celu usuniecia tluszczu, brudu i wszelkich innych za¬ nieczyszczen, które uniemozliwilyby mocne przy¬ czepienie warstwy posredniej do przewodzacego podloza. Oczyszczenie sprawia ponadto, ze wlas¬ nosci elektryczne podloza sa równomierne na ca¬ lym obszarze powierzchni.Mozna stosowac kazdy odpowiedni sposób oczysz¬ czania, który pozwoli uzyskac powierzchnie wolna od zanieczyszczen. Przykladowo podloza mosiezne oczyszcza sie przez odtluszczenie mosiadzu we wrzacym trójchloroetyleniie, wytrawianie w ciagu kilku minut odtluszczonego podloza w 30°/o roz¬ tworze wody utlenionej, plukanie w wodzie zdejo¬ nizowanej i nastepnie wysuszanie przewodzacego materialu w prózni. Podloze mosiezne mozna rów¬ niez oczyszczac poddajac je dzialaniu pary trój¬ chloroetylenu, po czym nastepuje moczenie w za¬ sadowym srodku oczyszczajacym przy podwyzszo¬ nej temperaturze a nastepnie moczenie w roztwo¬ rze usuwajacym tlenki.Odpowiednim zasadowym materialem do oczysz¬ czania podlozy niezelaznych jest „ALTREX" wy¬ twarzany iprzez Wayndotte Company, który stosuje sie w stezeniu okolo 45 gramów materialu oczysz¬ czajacego na litr wody destylowanej. Podloze mo¬ siezne moczy sie w tym roztworze o temperaturze 80°C w ciagu jednej do dwóch minut. W rzeczywi¬ stosci stosowanie roztworu usuwajacego tlenki jest zabiegiem fakultatywnym w kompletnym procesie oczyszczania. Rozpuszczalniki takie jak trójchloro¬ etylen lub rozpuszczalniki weglowodorowe zostaja zatrzymane w zewnetrznej warstwie tlenków. Aby usunac te zanieczyszczenia, koniecznym jest usu¬ niecie warstwy tlenków przez wytrawienie. Wobec tego, ze roztwór usuwajacy tlenki jest pierwotnie kwasny, powoduje on dodatkowo neutralizacje alkalicznych srodków oczyszczajacych, które ewen¬ tualnie pozostaly na powierzchni. Odpowiedni roz¬ twór usuwajacy tlenki zawiera okolo trzydziesci czesci wagowych stezonego kwasu siarkowego, oko¬ lo trzydziesci czesci stezonego kwasu azotowego 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 605 okolo czterdziesci czesci wody destylowanej. Czas zanurzenia jest rzedu pieciu sekund, Po oczyszczeniu podloza w celu utworzenia od¬ powiedniej powierzchni przydatnej do wiazania dalszych substancji, powierachnia ta zostaje pow¬ leczona przyczepnym materialem warstwy posred¬ niej.Material tej warstwy zawiera dowolna, odpo¬ wiednia, podstawiona siMlo-izobutylo-etyleno-dwu- amine. Typowe podstawione sililo-izobutylo-etyle- no-dwuaminy obejmuja nndiwiumetoksy^metylo-siili- lo-izobutylo-etyleno-dwuamine, n-trójmetoksynsili- lo-d&obu(tylo-etyleilOHdwuamine, n-dwuetoksyTmety- lo-sililó4zo:butylo-eitylenia-d(Wuamine, n-dwuetoksy- -etylo-sililo-izobutylo-etyleaio-dwuamine, n^trój- etoksy-sililo-izobutylo-etyleno-dwuamine oraz sze¬ reg innych. Najlepsza przyczepnosc poczatkowa i dlugotrwala warstwy foboprzewodzacej wzglejdem podloza wystepuje przy uzyciu n-dwumetoksy^me- tylo-sililo-izobutylo-etyleno-dwuaminy, n-trójnie- toksy-sililo-izobuitylo-etyleno-diwiuaminy; okolo 2 czesci wagowych n-dwumetoksyHmetyio-sililo-izo- butylo-etyleno-dwuaminy i okolo 1 czesci wagowej gamma-metakryloksy-proipylo-trójmetoksy-silanu; okolo 2 czesci wagowych n-dwumeltoksy^meitylo- -sinio-izobutylo-etyleno-dwuaminy i okolo 1 czesci wagowej winylo-trójacetoksysilanu. Optymalna przyczepnosc wystepuje gdy jako material warstwy posredniej stosuje sie 2 czesci wagowe n^dwume- toksy-metyito-siMiLo-iizobutylo-eityleno-dwuaminy i okolo 1 czesci wagowej gammanmetakryloksy-pro- pylo-itrójmetoksy-silanu.Chociaz opisana wyzej warstwa posrednia moze posiadac dowolna odpowiednia grubosc, to jednak najkorzystniejsze sa warstwy o grubosciach w za¬ kresie od okolo 0,1 mikrona do okolo 5 mikronów.Warstwy o grubosci mieszczacej sie w podanym zakresie wykazuja doskonale wlasciwosci wiazace miedzy przewodzacym podlozem i fotoprzewodza- cym materialem izolacyjnym, przy utrzymaniu, lub nawet polepszeniu wlasnosci elektrycznych plyty elektrofotograficznej. Grubosc mniejsza niz okolo 0,1 mikrona, moze okazac sie niedostateczna dla wytworzenia niezbednych wlasnosci fizykalnych takich, jak dostateczna sila wiazaca. Natomiast grubosc przekraczajaca 5 mikronów moze byc nie¬ odpowiednia dla uzyskania optymalnych wlasnosci tworzenia obrazu, albowiem przy takiej grubosci moze wystepowac wysokie napiecie szczatkowe.Optymalna grubosc warstwy miedzypowierzchnio- wej miesci sie w zakresie od okolo 04 mikrona do okolo 2,0 mikronów, albowiem w tym zakresie gru¬ bosci stwierdzono istnienie najlepszych wlasciwosci elektrycznych i fizykalnych.W celu nalozenia na podloze przewodzace war¬ stwy posredniej mozna stosowac kazdy odpowiedni sposób. Jednym ze sposobów nakladania tej war¬ stwy jest przygotowanie w obszernym zbiorniku roztworu pozadanego materialu, zanurzenie prze¬ wodzacego podloza do zbiornika, tak aby powierz¬ chnia podloza, kitóra ma byc piowleczona, lezaila ponizej powierzchni roztworu, wyciaganie powle¬ czonego podloza ze stala predkoscia i usuniecie z powloki przynajmniej czesci rozpuszczalnika. Pow- 80 007 6 lekanie mozna przeprowadzac kiilkoma innymispo¬ sobami, na przyklad.pnsez(natrystóiwanie,:praez za¬ stosowanie walka zanurizanióiwego, strumienia po¬ wietrza^ lub-4opatki skrobakowej. Uprzywilejowa- 5 nym sposobeni nakladania na przewodzacym pod¬ lozu równomiernej warstwy posredniej jest sposób hydrauliczny. Przy stosowaniu tego sposobu pod¬ loze przewodzace zostaje umieszczone w agregacie, który miesci roztwór w ilosci wystarczajacej dla 10 calkowitego pokrycia calej powierzchni przewodza¬ cego podloza. U spodu agregatu umieszczony jest kurek odcinajacy, wobec czego po jego otwarciu roztwór wyplywa latwo z agregatu. Roztwór-zos¬ taje wprowadzony do agregatu w ilosciach wystar- 15 czajacych dla calkowitego pokrycia przygotowanego podloza, kurek odcinajacy zostaje otwarty i nad¬ miar roztworu wycieka na zewnatrz. Sposób ten jest szczególnie przydatny dla nakladania warstw o grubosci rzedu 0,1 mikrona. Stwierdzono, ze ten sposób powlekania prowadzi do wytwarzania wy¬ jatkowo równych powlok, które wykazuja stosun¬ kowo niewielkie odchylki grubosci, dzieki czemu wytworzona plyta elektrofotograficzna ma bardziej równomierne wlasnosci elektryczne.Dla powlekania podloza mozna stosowac dowolny roztwór wlasciwego materialu w odpowiednim rozpuszczalniku, pozadanym jest jednak ogranicze¬ nie grubosci warstwy posredniej. Grubosc te moz¬ na latwiej regulowac, gdy utrzymana zostaje mala koncentracja lepiszcza w rozpuszczalniku^ Korzy¬ stne sa roztwory o koncentracji czastek stalych rzedu az do okolo 69/o wagowo, albowiem pozwa¬ laja one na wytracanie z roztworu dostatecznych ilosci materialu, a grubosc osadzonej warstwy moze byc regulowana w rozsadnych granicach.Dla rozcienczenia przyczepnego materialu odpo¬ wiadajacego niniejszemu wynalazkowi, do osiag¬ niecia wymaganej koncentracji, mozna stosowac 40 dowolny odpowiedni rozpuszczalnik. Typowe sub¬ stancje rozpuszczajace zawieraja alkohol metylowy, octan butylu, toluen itd. Jakkolwiek mozna stoso¬ wac dowolny rozpuszczalnik, to jednak stosuje sie w sposób uprzywilejowany okolo 20 czesci wago- 45 wo, stosunkowo czystego alkoholu metylowego z okolo 1 czescia wody dejonizowainej.Jakkolwiek powloke o skladzie wedlug niniejsze¬ go wynalazku mozna nakladac na podloze w kaz¬ dej odpowiedniej temperaiturze, to jednak korzy- 50 stniej jest nakladac wymieniona mieszanine w tem¬ peraturze zblizonej do temperatury otoczenia, w celu wytworzenia plyty, która posiada ulepszone wlasnosci mechaniczne i fizykalne.Po nalozeniu materialu lepiszcza pozwala sie 55 powleczonemu podlozu ociekac w ciagu pewnego okresu czasu, najkorzystniej w ciagu od okolo 30 do okolo 60 sekund. Po ocieknieciu umieszcza sie powleczone podloze w piecu suszarniczyim i osusza sie je w ciagu okolo 2 do okolo 15 minut w tem- 60 peraturze od okblo U0°C do okolo 160°C. Jakkol¬ wiek mozna do suszenia stosowac dowolny odpo¬ wiedni czasokres i dowolna odpowiednia tempera¬ ture, to jednak stwierdzono, ze suszenie powloki o grubosci okolo 1 do 2 mikronów w ciagu 4 mi- 65 nut w temperaturze okolo 140°C daje najlepsze80 007 10 w zasadzie, na oddzialywaniu na badana powierz¬ chnie promieniem swietnym ustawionym pod mar lym katem. Obserwacja przy pomocy mikroskopu wykazuje bardzo delikatne linie pekniec powierzch- niowyich, których nde moznaby rozpoznac golym okiem.Wlasnosci elektryczne plyty elektrofotograficznej mierzy sie za pomoca elektrostatycznego wykry¬ wacza kontrastów, który nasladuje normalne zabie¬ gi elektrofotograficzne, bez stosowania pigmentu.Mierzone wlasnosci obejmuja poczatkowe napiecie, napiecie w stanie równowagi, napiecie podkladki, wyladowanie w ciemnosci i napiecie szczatkowe.W koncu wykonuje sie odbitki elektrofotogra¬ ficzne przyczepiajac badane próbki paskami na sztywnym bebnie kserograficznym i przeprowa¬ dzajac kolejne zabiegi.Przyklad I. Podloze mosiezne o gruibosci 0,1 mm, dlugosci okolo 180 mm oraz szerokosci 130 mm bylo odtluszczone za pomoca pary trój¬ chloroetylenu, moczone w ciagu okolo 1 milnuty w piecioprocentowym roztworze zasadowym oczysz- czacza „Altrex", po czym zostalo splukane woda zdejonizowana i zanurzone w roztworze wytrawia¬ jacym, który zawieral okolo 30 czesci wagowych stezonego kwasu siarkowego, okolo 30 czesci wa¬ gowych stezonego kwasu azotowego, okolo 39,9 czesci wagowych wody destylowanej i okolo 0,01 czesci wagowych chlorku sodu. Oczyszczone pod¬ loze zostalo powleczone na grubosc okolo 1 mikro¬ na, lepka mieszanina, która zawierala okolo 2 czesci wagowych n-dwumetctay-metylo-sililo-izobutylo- -etyleno-dwuaminy i okolo 1 czesci wagowej gam- maHmetakryio-tosypropylo^trójmetoksy-silanu, oko¬ lo 20 czesci wagowych alkoholu metylowego oraz okolo 1 czesci wagowej wody zdejonizowanej. Pow¬ leczone podloze zostalo nastepnie poddane suszeniu w ciagu okolo 4 minut w temperaturze okolo 140°C po czyim zostalo umieszczone w prózniowym na¬ czyniu do wytracania, gdzie zostalo powleczone warstwa selenu o grubosci okolo 40 mikronów.Plyta posiada wlasnosci elektryczne w zasadzie identyczne z wlasnosciami normalnych plyt sele¬ nowych. Uzyskuje sie wyrazne odbitki kserogra¬ ficzne przy czym zestaw zgina sie bez luszczenia sie, pekniec i odlupywania (na powierzchni foto- przewodnika obserwowanej przy 7—ii0-krotnym powiekszeniu, przy wpadajacym swietle, nie zaob¬ serwowano mikropekniec). Ponadto nie stwierdzono odrywania materialu od podloza przy próbie z uzy¬ ciem tasmy samoprzylepnej. Wartosc CSN wynosi w przyblizeniu 9,5.Przyklad II. W celu kontroli plyty wedlug przykladu I, powtórzono przygotowanie wedlug podanego sposobu. Podobne podloze mosiezne zo¬ stalo oczyszczone jak w przykladzie I, po czym osadzono na nim metoda prózniowa okolo 40 mi- kronowa warstwe selenu. Nie umieszczono zadnej warstwy posredniej miedzy podlozem i warstwa selenu. Przy gieciu selen nie przywieral do mo¬ sieznego podloza.Przyklad III. Powtórzono przyklad I z zasto¬ sowaniem przyczepnej mieszaniny organopolisilok- sanowej, która zawierala okolo 4 czesci wagowych 25 45 50 55 60 winylo- trójetoksysilokisanu i okolo 8 ozesci wato¬ wych aniino-propylo-trójetoksysiloksanu w ofóqlo 78 czesciach rozpuszczalnika metanolowego, zawie¬ rajacego okolo. 9,25 czesci zakwaszonej (0,75 mil. stezonego HC1 (wody) PH 8,2). Powleczone podloze zostalo poddane suszeniu w temperaturze pokojo¬ wej w czasie okolo 4 godzin, po czym zostalo umieszczone w prózniowym naczyniu do wytraca¬ nia i powleczone 40 mikronowa warstwa selenu.Plyta posiada wlasnosci elektryczne zasadniczo identyczne jak normalne plyty selenowe, przy czym uzyskano wyrazne odbirtM kserograficzne, a przy próbie tasma samoprzylepna typu „Scotch" nie na¬ stapilo zadne odrywanie materialu od podloza.Wymieniona plyta wykazala jednak maksymalna wartosc CSN równa 6,5 w porównaniu z wartoscia 9,5 w przykladzie I. Na plycie wystapily mtitaropek- niecia przy próbie na zginanie z trzpieniem o sred¬ nicy 25,4 mm lub 50,8 mm.Przyklad IV. Podloze mosiezne o grubosci 0,1 mm okolo 180 mm dlugosci i okolo 130 mm szerokosci zostalo odtluszczone para trójchloroety¬ lenu po czym bylo moczone w roztworze chromu¬ jacym (Kenvert 30 —C), splukane woda zdejoni¬ zowana i wysuszone na powietrzu.- Oczyszczone podloze powleczonio do grubosci warstwy okolo 3 mikrony przyczepna mieszanina skladajaca sie z okolo 2 czesci wagowych dwumetoksyHmetylo- -siMlo-izobutylc^etyleno-dwuaminy, 1 czesci wago¬ wej winylo-trójiaceto^ksysilanu, w okolo 40 czes¬ ciach wagowych toluenu i 5 czesciach wagowych wody zdejonizowanej. Powleczone podloze zostalo nastepnie wysuszone na powietrzu w ciagu okolo 1 godziny, w. temperaturze otoczenia, a nastepnie bylo suszone w piecu w ciagu \/z godziny w tem¬ peraturze okolo 70°C. Nastepnie umieszczono pod¬ loze w prózniowym naczyniu do wytracania, w któ¬ rym zostalo ono powleczone okolo 50 mikronowa warstwa stopu selenowego, który zawieral okolo 17,5% wagowo arsenu i 1000 czesci wagowych sodu na milion czesci stopu. Po osadzeniu stopu selenu zestaw zostal poddany obróbce cieplnej w ciagu okolo 15 godzin w temperaturze okolo 50°C. Stop selenowy byl dobrze przyczepiony do podloza, nie wystepowaly oznaki luszczenia sie. Plyta posiadala doskonale wlasciwosci elektryczne a przy zastoso¬ waniu jej uzyskano bardzo dobre odbitki ksero¬ graficzne. Plyta miala wartosc CSN okolo 9 i zgi¬ nala sie bez pekniec przy przechodzeniu przez trzpienie stalowe o srednicy 25,4 mm i 50,8 mm.Przyklad V. Powtórzono przyklad IV z za¬ stosowaniem spoiwa organopolisiloksanowego za¬ miast dwumetoksy-metylo-sililo4zobuitylo-etyleno- -dwuaminy i winylo-trójacetoksysilanu. Jakkolwiek wlasnosci elektryczne plyty byly doskonale i nie mozna bylo golym okiem zauwazyc luszczenia sie, to jednak w przygotowanej plycie wystapilo kilka mikropekniec. W porównaniu z wartoscia CSN wynoszaca okolo 9 w przykladzie IV, plyta miala wartosc CSN jedynie okolo 6.Przyklad VI. Powtórzono przyklad IV przy uzyciu dwunietoksy-metylo-sililo-izobUrtylo-etyleno- -dwuaminy bez wmyio-trójaceto-ksysilanu. Wlas¬ nosci elektryczne plyty byly bardzo dobre. Przy80 007 11 12 zginaniu plyity na trzpieniach o srednicy 25,4 mm i 50,8 mm wystapily bardzo nieliczne mikirapejbnie- cia. Plyta wytrzymala calkowicie próbe tasma Scotch. Wartosc CSN wynosila okolo 8.Przyklad VII. Poiwitórzioiio proces z przykla¬ du I przy zastosowaniu na podloze czystej stali nierdzewnej o grulbosci 0,00 mm, zamiast mosiadzu.Uzyskano wyniki podobne do uzyskanych w przy¬ kladzie I.Przyklad VIII. Powtórzono proces z przykla- du I przy zastosowaniu warstwy posredniej o gru¬ bosci 0,1 mikrona, zamiast warstwy o grubosci 1 mikrona. Uzyskano wyniki podobne do uzyska¬ nych w przykladzie I.Przyklad IX. Proces wedlug przykladu I zo¬ staje powtórzony przy zastosowaniu okolo 5 mi¬ kronowej grubosci warstwy posredniej, zamiast 1 mikronowej; grubosci tej warstwy. Uzyskano wy¬ niki podobne do uzyskanych w przykladzie I.Przyklad X—XII. Przyklady VII—IX zostaja powtórzone przy zastosowaniu warstwy posredniej wedlug przykladu III. Uzyskano wyniki podobne do uzyskanych w przykladzie III.Przyklady XIII^XV. Trzy bebny aluminio¬ we stosowane w powielaczu kserograficznym typ 813, powleczono warstwa posrednia wedlug przy¬ kladu I, stosujac znana technike powlekania hy- dralicznego i wysuszano w piecu suszarndczym w ciagu okolo 4 minut w temperaturze okolo 140°C. Powleczone bejbny umieszczono w próznio¬ wym naczyniu do wytracania i powleczono war¬ stwami szklistego selenu o grubosci okolo 20, 40 i 60 mikronów, a nastepnie poddano obróbce ciepl¬ nej w ciagu 40 godzin w temperaturze okolo 100°C.Bebny umieszczona w powielaczu 913 i przy uzy¬ ciu, kazdego z nich uzyskano dobre odbitki ksero- 10 15 25 30 35 graficzne. Po wykonaniu 500 odbitek nie zaolbeser- wowano zadnych mikrojpekniec. PL PL PL PL