NO20140621A1 - Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller - Google Patents
Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solcellerInfo
- Publication number
- NO20140621A1 NO20140621A1 NO20140621A NO20140621A NO20140621A1 NO 20140621 A1 NO20140621 A1 NO 20140621A1 NO 20140621 A NO20140621 A NO 20140621A NO 20140621 A NO20140621 A NO 20140621A NO 20140621 A1 NO20140621 A1 NO 20140621A1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- ingot
- ingots
- master alloy
- calcium
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 129
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 129
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 241000234314 Zingiber Species 0.000 title abstract 5
- 235000006886 Zingiber officinale Nutrition 0.000 title abstract 5
- 235000008397 ginger Nutrition 0.000 title abstract 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 48
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 24
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 24
- OSMSIOKMMFKNIL-UHFFFAOYSA-N calcium;silicon Chemical compound [Ca]=[Si] OSMSIOKMMFKNIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/06—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt at least one but not all components of the crystal composition being added
- C30B11/065—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt at least one but not all components of the crystal composition being added before crystallising, e.g. synthesis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Foreliggende oppfinnelse vedrører rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter, en silisiummasterlegering for økning av effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra silisiumingotene, fremgangsmåte for å øke utbyttet ved fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter fra en silisiumsmelte ved rettet størkning. Videre omfatter foreliggende oppfinnelse en fremgangsmåte for fremstilling av nevnte silisiummasterlegering.
Description
Oppfinnelsens tittel
Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller.
Oppfinnelsens felt.
Foreliggende oppfinnelse omfatter en silisiumsammensetning for øket utbytte av multikrystallinske silisiumingoter, og for økning av effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra silisiumingotene. I tillegg omfatter foreliggende oppfinnelse en fremgangsmåte for å øke utbyttet når multikrystallinske silisiumingoter fremstilles fra en silisiumsmelte ved rettet størkning. Videre omfatter foreliggende oppfinnelse en silisiummasterlegering og en fremgangsmåte for fremstilling av nevnte silisiummasterlegering for tilsetning til silisiumsmelten for fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller, og for å øke effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra silisiumingotene.
Bakgrunnsteknikk
Ved rettet størkning av silisium for fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter dannes en såkalt "rødsone" langs den ytre delen av silisium ingoten, i den nedre enden av ingoten og ved toppenden av ingoten. Rødsonen er typisk 2-3 cm tykk og kan kjennetegnes ved en kort levetid for minoritetsbærere. Levetiden for minoritetsbærere i rødsoneområdet måles til under kvalitetskravet på omkring 2 us. Rødsoneområdet av rettet størknede ingoter blir derfor normalt kuttet bort og følgelig ikke anvendt for wafers for solcelleproduksjon. Rødsoneområdet av rettet størknede ingoter reduserer utbyttet av ingoten. Rødsonen opptrer både i polysilisium og i kompensert silisium (silisium inneholdende både bor og fosfor) selv om rødsonen normalt er tykkere i kompensert silisium enn i polysilisium.
Årsaken til dannelsen av rødsone ved den nedre enden, langs veggene og ved den øvre enden av rettet størknede silisiumingoter har vært relatert til forskjellige typer defekter; se Y.Boulfrad: Investigation of the Red Zone of multicrystalline Silicon Ingots for Solar cells; doktoravhandling ved NTNU, Norge 2012:84. Hovedtypen av defekt forårsakes av Fe og 0 som diffunderer inn i det faste silisiumet fra digelen og/eller fra belegget anvendt i digelen. Ytterligere defekter, så som dislokasjoner og
en synergistisk effekt mellom de forskjellige typene defekter, kan også være til stede. Videre er det en tendens at partikler er til stede nær den øvre enden av rettet størknede silisiumingoter. Den øvre delen av ingotene må også av denne grunnen kuttes av og reduserer dermed utbyttet.
Før å øke utbyttet av silisiumingotene er det ønskelig å minimere eller totalt unngå dannelse av rødsonen, spesielt i den nedre enden av silisiumingotene hvilket vil øke den anvendelige delen av silisiumingotene egnet for wafers og solcelleprosessering. Det ville videre være fordelaktig om innholdet av partikler nær den øvre enden av den rettet størknede silisium ingoten kunne reduseres.
Oppsummering av oppfinnelsen
Hensikten med foreliggende oppfinnelse er å løse eller i det minste lette problemene omtalt ovenfor. Nærmere bestemt er en hensikt med oppfinnelsen å tilveiebringe en silisiumingot og en fremgangsmåte hvori utbyttet ved fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter for solceller fra en silisiumsmelte er øket, ved å forbedre de elektriske egenskapene (levetid av minoritetsbærere og solcelleeffektivitet) av ingoten i både rødsonen og i bulken av ingoten.
Foreliggende oppfinnelse omfatter rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter, hvor nevnte ingoter omfatter elementært kalsium tilsatt til en silisiumsmelte i en mengde valgt fra minst ett av de følgende områdene: 5-9,99 ppmw, 10-500 ppmw, 500-550 ppmw. Utbyttet av den rettet størknede multikrystallinske silisium ingoten økes hvilket resulterer i høyere utnyttelse av ingoten når den kuttes til wafers, følgelig økes waferutbyttet. Videre tilveiebringes en silisiumsammensetning ifølge foreliggende oppfinnelse hvori elementært kalsium er tilsatt til silisiumsmelten i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 5-9,99, 10-500, 10-250, 20-250, 10-150, 20-150,10-100, 10-150 ppmw. Silisiumsmelten er valgt blant polysilisium og kompensert silisium.
Foreliggende oppfinnelse omfatter en silisiummasterlegering for tilsetning til silisium ved fremstilling av rettet størknet multikrystallinsk silisiumingot for å øke utbyttet og forbedre de elektriske egenskapene av ingoten, hvor nevnte silisiummasterlegering omfatter elementært kalsium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, idet den gjenværende delen er silisium av høy renhet.
Videre omfatter foreliggende oppfinnelse en silisiummasterlegering for øket utbytte i multikrystallinske silisiumingoter hvor nevnte silisiummasterlegering omfatter elementært kalsium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, idet den gjenværende delen er silisium av høy renhet. Videre tilsettes nevnte silisiummasterlegering eventuelt til en silisiumsmelte ved rettet størkning av silisiumingot.
Videre er en fremgangsmåte for å øke utbyttet av rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter også omfattet hvori elementært kalsium tilsettes til silisiumsmelten i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 5-9,99 ppmw, 10-500 ppmw, 500-550 ppmw før silisiumsmelten underkastes rettet størkning i en digel. Ifølge foreliggende oppfinnelse tilsettes kalsium til silisiumsmelten i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 5-9,99, 10-500, 10-250, 20-250, 10-150, 20-150,10-100, 10-150, 500-550 ppmw.
Foreliggende oppfinnelse omfatter en fremgangsmåte for fremstilling av en silisiummasterlegering for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter, hvilken fremgangsmåte omfatter tilsetning av elementært kalsium til et smeltet silisium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, homogenisering av den resulterende legeringen og størkning av nevnte legering for å tilveiebringe nevnte masterlegering. Silisiummasterlegeringen blir eventuelt tilsatt til en silisiumsmelte ved rettet størkning av en silisiumingot.
Silisiumsmelten, som også bør forstås som smeltet silisium, kan velges blant minst en av de følgende: en silisiumsmelte av høy renhet, kompensert silisium og polysilisium. Ifølge oppfinnelsen tilsettes den ovenfor omtalte
silisiummasterlegeringen til en charge omfattende silisium for fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter med øket utbytte. Ifølge foreliggende oppfinnelse fremstilles silisiumingoter med øket utbytte ved rettet størkning av multikrystallinske silisiumingoter fra nevnte silisiumsmelte. Foreliggende oppfinnelse vedrører også
anvendelse av en masterlegering omfattende elementært kalsium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, idet den gjenværende delen er silisium av høy renhet for rettet størkning av multikrystallinsk silisiumingot for økning av utbyttet og for forbedring av de elektriske egenskapene av nevnte ingot.
Foreliggende oppfinnelse vedrører følgelig en fremgangsmåte for å minimere eller fjerne rødsonen i multikrystallinske silisiumingoter, hvori elementært kalsium i en mengde mellom 10 og 500 ppmw tilsettes til silisiumet før silisiumet underkastes rettet størkning i en digel.
Videre vedrører foreliggende oppfinnelse en fremgangsmåte for å minimere eller fjerne rødsonen i rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter, hvori elementært kalsium tilsettes til en silisiumsmelte i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 5-9,99 ppmw, 10-500 ppmw, 500-550 ppmw før silisiumet underkastes rettet størkning i en digel.
Ifølge en foretrukket utførelsesform tilsettes det elementære kalsiumet til silisiumet i en mengde på mellom 20 og 250 ppmw.
Elementært kalsium kan tilsettes til silisiumet i digelen for rettet størkning før silisiumet smeltes eller etter at silisiumet er smeltet.
Det er overraskende funnet at tilsetningen av små mengder av elementært kalsium i vesentlig grad reduserer omfanget av rødsonen i rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter.
Effekten av reduksjon av rødsonen ved tilsetning av elementært kalsium til silisium før rettet størkning er funnet å være effektiv både for bordopet polysilisium og for såkalt kompensert silisium av høy renhet som inneholder både bor og fosfor.
En kortere del av den nedre enden av den rettet størknede silisium ingoten kan følgelig kuttes bort før dannelsen av wafers, derved økes utbyttet av ingotene. Det samme gjelder for den øvre enden av ingoten og sidene av ingotene.
Kort beskrivelse av tegningene.
Figur 1 er et diagram som viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra den nedre delen av ingoter A og B i eksempel 1 som en funksjon av mm fra bunnen av ingotene. Figur 2 er et diagram som viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra hele høyden av ingoter A og B i eksempel 1 som en funksjon av mm fra bunnen av ingotene. Figur 3 er et diagram som viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra den nedre delen av ingoter C og D i eksempel 1 som en funksjon av mm fra bunnen av ingotene. Figur 4 er et diagram som viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra hele høyden av ingoter C og D i eksempel 1 som en funksjon av mm fra bunnen av ingotene. Figur 5 er et diagram som viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra den nedre delen av ingoter E, F og G i eksempel 2 som en funksjon av mm fra bunnen av ingotene. Figur 6 er et diagram som viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra hele høyden av ingoter E, F, og G i eksempel 2 som en funksjon av mm fra bunnen av ingotene. Figur 7 viser IR bilde av kloss fra en G5 ingot med tilsetning av silisium-kalsium masterlegering til høyre og uten tilsetning av silisium-kalsium masterlegering til venstre. Figur 8 viser levetidskan av en kloss nær senteret fra alle fire sider, a) for en ingot med 100% virgin polysilisium fremstilt uten tilsats av silisium-kalsium masterlegering med midlere levetid 4,0 us , b) for en ingot med 100% ESS<®>med tilsats av silisium-kalsium masterlegering med midlere levetid 5,3 us og c) for en ingot med 100%
ESS<®>med tilsetning av silisium-kalsium masterlegering (bunn) og midlere levetid 7,1 us. Skala for levetidskan fra 0,4 til 8 us.
Figur 9 viser effektivitet av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra nærheten av senterkloss og hjørnekloss fra G5 ingot med tilsetning av silisium-kalsium masterlegering sammenlignet med referanse ingoter (nabostilt til senterkloss) av 100% virgin polysilisium og 100% ESS<®>fremstilt i den samme ovnen. Alle wafers ble prosessert ved International Solar Energy Research Centre i Konstanz, Tyskland,
(ISC).
Detaljert beskrivelse
"Kalsium " innenfor rammen av foreliggende oppfinnelse skal forstås som elementært kalsium.
I forbindelse med foreliggende oppfinnelse er det observert at tilsetning av kalsium til silisiumchargen når det fremstilles rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter i signifikant grad kan forbedre egenskapene av ingoten, spesielt den såkalte rødsonen (områder med lav levetid) nær digelen, for derved å øke utbyttet av ingoten. I tillegg er det ifølge oppfinnelsen observert forbedring av celleeffektivitetene av solceller fra dette området.
Siden smeltetemperaturen av kalsium er langt lavere enn smeltetemperaturen av silisium er det en utfordring ved tilsetning av elementært kalsium til silisiumchargen at kalsium smelter ved lavere temperatur enn silisium. Dette kan forårsake reaksjoner av smeltet kalsium med belegget og digelen. Disse reaksjonene kan i noen tilfeller forårsake vedheng av ingoten til digelen, hvilket kan føre til oppsprekking av ingoten.
I en utførelsesform av foreliggende oppfinnelse tilsettes elementært kalsium som en silisium-kalsiummasterlegering inneholdende kalsium i området 0,5-20 vekt-%. Silisium-kalsiummasterlegeringen kan deretter tilsettes til silisiumchargen når det fremstilles multikrystallinsk silisiumingot. Tilsetning av kalsium i form av en silisium-kalsiummasterlegering ifølge foreliggende oppfinnelse vil sikre smelting av kalsium nær smeltetemperaturen for silisium. I en utførelsesform av foreliggende oppfinnelse vil tilsetning av en silisium-kalsiummasterlegering til en silisiumsmelte for fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter sikre en forenklet tilsetning av kalsium og løse eventuelle problemer som tilsetning av elementært kalsium kan forårsake.
Eksempel 1.
Fire rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter A, B, C og D på 16 kg hver fremstilles samtidig i en ovn med fire størkningskammere. Dette betyr at alle fire ingoter A til D ble fremstilt under nøyaktig samme betingelser. Ingot A var en polysilisium ingot som var dopet med bor for å oppnå en resistivitet på mellom 1 og 1,3 ohm cm målt ved den nedre enden av ingoten uten tilsats av kalsium. Ingot B var et polysilisium med tilsats av 40 ppmw elementært kalsium, i henhold til foreliggende oppfinnelse. Ingot C var kompensert silisium inneholdende både bor og fosfor fremstilt ved Elkem Solar AS, (ESS<®>), og som har en resistivitet på mellom 1 og 1,3 ohm cm målt ved den nedre av ingoten. Ingot D var kompensert silisium fremstilt ved Elkem Solar AS, (ESS<®>), med tilsetning av 40 ppmw elementært kalsium, i henhold til foreliggende oppfinnelse.
Høyden av ingotene A til D var 145 mm og tverrsnittsarealet var 220 mm x 220 mm. 5 mm ble kuttet bort fra den nedre enden av ingotene A til D. Som angitt ovenfor kuttes normalt 3-5 cm fra ingoter som anvendes for kutting av wafers. Normale kutt ble gjort på langsidene av ingotene. Reduksjonen av rødsone kunne følgelig bare demonstreres i den nedre delen av ingotene. Wafers ble kuttet langs høyden av de fire ingotene A til D og bearbeidet til solceller ved anvendelse av konvensjonelle bearbeidelsesmetoder, og effektiviteten av solcellene ble målt. Resultatet for effektiviteten av solceller fremstilt fra ingoter A og B er vist i figurer 1 og 2 og resultatene for ingoter C og D fremstilt fra kompensert silisium fremstilt av Elkem Solar AS er vist i figurer 3 og 4.
Figur 1 viser effektiviteten av solceller fremstilt av wafers kuttet fra den nedre delen av ingoter A og B. Som vist i figur 1 var effektiviteten for solceller fremstilt av wafers fra ingot B (polysilisium hvortil det var tilsatt 40 ppmw elementært kalsium) langt høyere enn for solceller framstilt fra wafers fra den nedre delen av ingot A som ikke inneholdt elementært kalsium.
Det fremgår videre fra figur 1 at solceller fremstilt fra wafers kuttet bare ca. 5 mm fra bunnen av ingot B hadde en effektivitet på nesten 16%, mens en solcelle fremstilt fra en wafer kuttet ca. 10 mm fra bunnen av ingot A viste en effektivitet på under 15%.
Endelig fremgår det fra figur 1 at solceller fremstilt fra den nedre delen av ingot B nådde ca. 17% effektivitet for wafers kuttet 15 mm fra den nedre enden av ingoten, mens den samme effektiviteten for solceller fremstilt fra wafers fra ingot A først når 17% når de kuttes ca. 25 mm fra den nedre enden av ingot A.
Figur 2 viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet langs hele høyden av ingot A og ingot B.
Det fremgår fra figur 2 at solceller fremstilt fra wafers fra ingot B har en høy effektivitet langs den samlede høyden av ingoten. Figur 3 viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra de nedre delene av ingoter C og D. Som vist i figur 3 viser solceller fremstilt fra wafers kuttet fra den nedre enden av ingot D (kompensert silisium fremstilt ved Elkem Solar AS med tilsetning av 40 ppmw elementært kalsium) en langt høyere effektivitet enn solceller fremstilt fra wafers fra den nedre enden av ingot C (kompensert silisium fremstilt ved Elkem Solar AS uten kalsiumtilsats). Figur 4 viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet langs hele høyden av ingot C og ingot D. Det fremgår at solcellene fremstilt fra ingot D i snitt har en høyere effektivitet enn solcellene kuttet langs høyden av ingot C.
Dette viser at tilsetningen av elementært kalsium ikke negativt påvirker effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra hoveddelen av ingotene, men viser tendens til å øke effektiviteten.
Den vesentlige økningen i effektivitet for solceller fremstilt fra wafers kuttet ved den nedre enden av ingoter B og D inneholdende 40 ppmw elementært kalsium sammenlignet med effektiviteten for solceller fremstilt fra wafers kuttet fra ingoter A og C, viser at tilsetningen av elementært kalsium til silisiumet før den rettede størkningen i vesentlig grad reduserer rødsonen i silisiumingotene, spesielt i den nedre enden av ingotene.
Eksempel 2.
Tre rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter E, F og G på 16 kg hver ble fremstilt i samme firekammerovn som beskrevet i eksempel 1. Ingot E ble fremstilt fra kompensert silisium inneholdende både bor og fosfor fremstilt av Elkem Solar AS (ESS<®>), som har en resistivitet på mellom 1 og 1,3 ohm cm målt ved den nedre enden av ingoten. Ingot F var kompensert silisium fremstilt ved Elkem Solar AS, (ESS<®>), med tilsetning av 100 ppmw elementært kalsium i henhold til oppfinnelsen. Ingot G var polysilisium med tilsetning av 100 ppmw elementært kalsium i henhold til oppfinnelsen og dopet med bor for å oppnå en resistivitet på mellom 1 og 1,3 ohm cm målt ved den nedre enden av ingoten.
Høyden og tverrsnittet av ingoter E til G var de samme som beskrevet i eksempel 1. Videre ble 5 mm kuttet bort fra de nedre endene av ingoter E til G. Normale kutt ble utført fra sidene av ingotene.
Wafers ble kuttet langs høyden av ingoter E til G og bearbeidet til solceller ved anvendelse av konvensjonelle bearbeidelsesmetoder, og effektiviteten av solcellene ble målt, og resultatene er vist i figurer 5 og 6.
Figur 5 viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra den nedre delen av ingoter E, F og G. Som vist i figur 5 var effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers fra ingot F (kompensert silisium hvortil det var tilsatt 100 ppmw elementært kalsium) og ingot G (polysilisium hvortil det var tilsatt 100 ppmw elementært kalsium), langt høyere enn for solceller fremstilt fra wafers fra den nedre delen av ingot E, som ikke inneholdt kalsium. Det fremgår videre fra figur 5 at solceller fremstilt fra wafers kuttet bare ca. 5 mm fra bunnen av ingot F og G hadde en effektivitet på mer enn 16% til over 17%, mens solceller fremstilt fra wafers kuttet ca. 10 mm fra bunnen av ingot E viste en effektivitet på under 15%.
Endelig fremgår det fra figur 5 at solcellene fremstilt fra den nedre delen av ingot F og G nådde ca. 17% effektivitet for wafers kuttet bare 5 mm fra den nedre enden av ingotene, mens den samme effektiviteten for solceller fremstilt fra wafers fra ingot E først når 17% effektivitet når de kuttes ca. 25 mm fra den nedre enden av ingot A.
Figur 6 viser effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet langs hele høyden av ingoter E, F og G. Det fremgår fra figur 6 at solcellene fremstilt fra wafers fra ingoter F og G har en høyere effektivitet langs hele høyden av ingotene selv mot toppen av ingotene. For ingot E starter effektiviteten å avta ved ca. 65 mm fra bunnen av ingoten.
Eksempel 2 viser at tilsetning av 100 ppmw elementært kalsium øker effektiviteten av den nedre delen av ingotene i vesentlig grad og sågar mer enn for waferne ifølge eksempel 1 med tilsetning av 40 ppmw elementært kalsium.
Eksempler 1 og 2 viser klart at rødsone er mer eller mindre eliminert med tilsetning av elementært kalsium til silisium ifølge oppfinnelsen. Resultatene viser også at tynnere sidekutt og toppkutt kan utføres samtidig som en høy effektivitet av solcellene opprettholdes.
En fremgangsmåte er ved foreliggende oppfinnelse oppfunnet for å sikre en sikker og hensiktsmessig inkorporering av kalsium når den tilsettes som en silisium-kalsiummasterlegering til en charge for fremstilling av rettet størknet multikrystallinsk silisiumingot. Kalsium tilsettes som en silisium-kalsiummasterlegering med høyt Si-innhold (80-99,5 vekt-%).
En fremgangsmåte for tilsetning av kalsium til en silisiumsmelte gjennom en masterlegering er en mer sikker og forutsigbar fremgangsmåte for tilsetning av kalsium.
Eksempel 3
Eksempel 3 beskriver en fremgangsmåte for fremstilling av en silisium-kalsiummasterlegering i følge foreliggende oppfinnelse. Silisium-kalsiummasterlegeringen som sådan og fremgangsmåten for fremstilling av denne må finne sted under rene betingelser og må vise en homogen fordeling av kalsium. Silisium av høy renhet, som Elkem Solar Silicon ®, smeltes fortrinnsvis under inert atmosfære. Kalsium tilsettes til smeltet silisium i en mengde i området 0,5-20 vekt-%. Den smeltede chargen homogeniseres deretter ved grundig blanding ved omrøring og blir deretter størknet. Størkningen må utføres under nøye kontrollerte betingelser for å sikre rask avkjøling av den smeltede chargen. Dette kan gjøres som en tynn støping av lav høyde ved å helle den smeltede chargen i avkjølte kopperdigler. Det er viktig at kalsiumet er homogent fordelt i den størknede masterlegeringen.
Flere silisium-kalsiummasterlegeringer er fremstilt ved å smelte ren silisiumcharge og deretter tilsette kalsium til chargen for å oppnå en legering inneholdende 0,5 til 20 vekt-% kalsium. Den smeltede masterlegeringen homogeniseres i noen minutter og bråkjøles deretter raskt. Nivået av legeringselementer er fra 0,5-20%. Masterlegeringen kan fremstilles i forskjellige former, for eksempel som sylindriske former på 20-50 mm diameter og lengde varierende fra 10-100 mm. En typisk størrelse for mengden av tilsatt masterlegering er 100-300 g for en G5 ovn på 400-500 kg.
Ved en inert atmosfære i dette eksempelet skal det forstås at inert atmosfære betyr minst en av følgende gasser: nitrogen, argon.
I foreliggende eksempel blir masterlegeringen som nevnt bråkjølt raskt hvilket skal forstås som en avkjølingshastighet på minst 10°C/min, fortrinnsvis på minst 50°C/min eller mer.
Eksempel 4:
Dette eksempelet vedrører fremstilling av rettet størknede silisiumingoter hvor kalsium tilsettes til silisiumsmelten i form av en silisium-kalsiummasterlegering. I henhold til oppfinnelsen er tilsetning av kalsium i form av en silisium-kalsiummasterlegering, hvori prosentdelen av legeringselementer er i området 0,5-20 vekt-%, testet i en industriell ingot av størrelse G5. Ingot størrelse G5 refererer til generasjon 5 ingotovn som er vanlig kjent for en fagperson. Både referanseingoter, polysilisium og kompensert silisium fremstilt av Elkem Solar AS (ESS<®>), og en ingot ifølge foreliggende oppfinnelse, ble fremstilt i den samme ovnen under de samme betingelsene. I ingoten ifølge oppfinnelsen ble det anvendt kompensert silisium fremstilt av Elkem Solar AS (ESS<®>), med tilsetning av 150 gram av en silisium-kalsiummasterlegering til chargen omfattende silisiumet.
Inneslutnings (partikkel) innholdet i referanseingotene og i ingoten i henhold til oppfinnelsen som avslørt ved IR-billeddannelse i figur 7 ble redusert i ingoten hvor silisium-kalsiummasterlegering var tilsatt til silisiumet (figuren til høyre sammenlignet med ingoten uten masterlegering til venstre i figur 7). Figur 8 viser levetidsskan for en nabostilt til senterklossen fra alle fire sider, a) for en ingot med 100% virgin polysilisium fremstilt uten tilsetning av silisium-kalsiummasterlegering og midlere levetid 4,0 us , b) for en ingot med 100% ESS<®>med tilsetning av silisium-kalsiummasterlegering og midlere levetid 5,3 us og c) for en ingot med 100% ESS<®>med tilsetning av silisium-kalsiummasterlegering (bunn) og midlere levetid 7,1 us. Skala for levetidssskan fra 0,4 til 8 us.
Wafers fra den samme klossposisjonen ble bearbeidet til solceller ved ISC Konstanz i den samme cellebatchen. Figur 9 viser som nevnt ovenfor effektiviteten av solceller fremstilt fra wafers kuttet fra nabostilling til senterkloss og hjørnekloss fra G5 ingot med tilsetning av silisium-kalsiummasterlegering sammenlignet med referanseingoter (nabostilt til senterkloss) til 100% virgin polysilisium og 100% ESS<®>fremstilt i samme ovn. Alle wafers ble bearbeidet ved International Solar Energy Research Centre i Konstanz, Tyskland, (ISC). Resultatene i figur 9 viser en økning på 0,3% absolutt i effektivitet for gjennomsnittet av de hele klossene sammenlignet med polysilisiumreferansen, og sågar sammenlignet med referansen på 100% ESS® .
Selv om det er beskrevet utførelsesformer av oppfinnelsen vil det være åpenbart for fagmannen at andre utførelsesformer som inkorporerer konseptene kan anvendes. Disse og andre eksempler på oppfinnelsen illustrert ovenfor er utelukkende ment som eksempler og det reelle omfanget av oppfinnelsen er bestemt utelukkende fra de etterfølgende kravene.
Claims (13)
1.
Rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter, hvori nevnte ingot omfatter elementært kalsium tilsatt til en silisiumsmelte i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 5-9,99 ppmw, 10-500 ppmw, 500-550 ppmw.
2.
Rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter ifølge krav 1, hvori elementært kalsium er tilsatt til silisiumsmelten i en mengde valgt fra minst et av følgende områder: 5-9,99, 10-500, 10-250, 20-250, 10-150, 20-150,10-100, 10-150, 500-550 ppmw.
3.
Rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter ifølge krav 1, hvori nevnte silisiumsmelte er valgt fra polysilisium og kompensert silisium.
4.
Silisiummasterlegering for tilsetning til silisium ved fremstilling av rettet størknet multikrystallinsk silisiumingot for å øke utbyttet og elektriske egenskaper av ingoten, hvori nevnte silisiummasterlegering omfatter elementært kalsium i en mengde valgt fra minst et av følgende områder: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, idet den gjenværende delen er silisium av høy renhet.
5.
Silisiummasterlegering for øket utbytte i multikrystallinske silisiumingoter, hvori nevnte silisiummasterlegering omfatter elementært kalsium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, idet den gjenværende delen er silisium av høy renhet.
6.
Silisiummasterlegering ifølge krav 5, hvor nevnte silisiummasterlegering eventuelt tilsettes til en silisiumsmelte ved rettet størkning av silisiumingot.
7.
Fremgangsmåte for å øke utbyttet av rettet størknede multikrystallinske silisiumingoter,
hvori elementært kalsium tilsettes til silisiumsmelten i en mengde valgt fra minst et av følgende områder: 5-9,99 ppmw, 10-500 ppmw, 500-550 ppmw før silisiumsmelten underkastes rettet størkning i en digel.
8.
Fremgangsmåte ifølge krav 7, hvori elementært kalsium tilsettes til silisiumsmelten i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 5-9,99, 10-500, 10-250, 20-250, 10-150, 20-150,10-100, 10-150, 500-550 ppmw.
9.
Fremgangsmåte for fremstilling av en silisiummasterlegering for økning av utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter, hvor fremgangsmåten omfatter tilsetning av elementært kalsium til smeltet silisium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, homogenisering av den resulterende legeringen og størkning av legeringen for å tilveiebringe nevnte silisiummasterlegering.
10.
Fremgangsmåte ifølge krav 9, hvor nevnte silisiummasterlegering eventuelt tilsettes til en silisiumsmelte ved rettet størkning av en silisiumingot.
11.
Fremgangsmåte ifølge et hvilket som helst av krav 8-9, hvori silisiumsmelten er valgt blant minst en av de følgende: en silisiumsmelte av høy renhet, kompensert silisium og polysilisium.
12.
Fremgangsmåte ifølge krav 9, hvor nevnte silisiummasterlegering tilsettes til en charge omfattende silisium for fremstilling av multikrystallinske silisiumingoter med øket utbytte.
13.
Anvendelse av en masterlegering omfattende elementært kalsium i en mengde valgt fra minst et av de følgende områdene: 0,5-20 vekt-%, 1-15 vekt-%, 5-15 vekt-%, idet den gjenværende delen er silisium av høy renhet for rettet størkning av multikrystallinsk silisiumingot for økning av utbyttet og elektriske egenskaper for nevnte ingot.
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20140621A NO339608B1 (no) | 2013-09-09 | 2014-05-15 | Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller |
| EP14843034.1A EP3044350A4 (en) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells |
| CN201480049485.1A CN105723020B (zh) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | 多晶硅锭、硅母合金、用于提高太阳能电池的多晶硅锭的产率的方法 |
| SG11201601750SA SG11201601750SA (en) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells |
| US14/916,406 US10483428B2 (en) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells |
| PCT/NO2014/050165 WO2015034373A1 (en) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells |
| CA2920969A CA2920969C (en) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells |
| BR112016005004-5A BR112016005004B1 (pt) | 2013-09-09 | 2014-09-09 | Método para aumentar o rendimento de lingotes de silício |
| CL2016000452A CL2016000452A1 (es) | 2013-09-09 | 2016-02-26 | Lingotes de silicona multicristalina, aleacion maestra de silicona, procedimiento para aumentar el rendimiento de lingotes de silicona multicristalina para celulas solares |
| SA516370689A SA516370689B1 (ar) | 2013-09-09 | 2016-03-07 | سبائك من السيليكون متعدد التبلور والسبيكة الأساسية للسيليكون |
| US16/023,317 US10693031B2 (en) | 2013-09-09 | 2018-06-29 | Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20131216A NO336720B1 (no) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | Fremgangsmåte for forbedring av effektiviteten av solceller. |
| PCT/NO2013/000046 WO2015034367A1 (en) | 2013-09-09 | 2013-10-01 | Method for improving efficiency of solar cells |
| NO20140621A NO339608B1 (no) | 2013-09-09 | 2014-05-15 | Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20140621A1 true NO20140621A1 (no) | 2015-03-10 |
| NO339608B1 NO339608B1 (no) | 2017-01-09 |
Family
ID=52628714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20140621A NO339608B1 (no) | 2013-09-09 | 2014-05-15 | Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10483428B2 (no) |
| EP (1) | EP3044350A4 (no) |
| CN (1) | CN105723020B (no) |
| BR (1) | BR112016005004B1 (no) |
| CA (1) | CA2920969C (no) |
| CL (1) | CL2016000452A1 (no) |
| NO (1) | NO339608B1 (no) |
| SA (1) | SA516370689B1 (no) |
| SG (1) | SG11201601750SA (no) |
| WO (1) | WO2015034373A1 (no) |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0002135B1 (en) | 1977-11-21 | 1982-11-03 | Union Carbide Corporation | Improved refined metallurgical silicon and process for the production thereof |
| US4200621A (en) | 1978-07-18 | 1980-04-29 | Motorola, Inc. | Sequential purification and crystal growth |
| NO152551C (no) * | 1983-02-07 | 1985-10-16 | Elkem As | Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium. |
| DE3804248A1 (de) * | 1988-02-11 | 1989-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zum abtrennen von verunreinigungen aus einer siliziumschmelze durch gerichtete erstarrung |
| US5431869A (en) * | 1993-01-12 | 1995-07-11 | Council Of Scientific & Industrial Research | Process for the preparation of polycrystalline silicon ingot |
| NO180532C (no) * | 1994-09-01 | 1997-05-07 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
| US6319313B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-11-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| NO313132B1 (no) * | 1999-12-08 | 2002-08-19 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for rensing av silisium |
| US6479108B2 (en) | 2000-11-15 | 2002-11-12 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
| NO333319B1 (no) | 2003-12-29 | 2013-05-06 | Elkem As | Silisiummateriale for fremstilling av solceller |
| JP4850501B2 (ja) | 2005-12-06 | 2012-01-11 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 高純度シリコンの製造装置及び製造方法 |
| WO2008026688A1 (fr) | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Kyocera Corporation | Procédé de formation d'un moule pour la production d'un lingot de silicium, procédé de production d'un substrat pour élément de cellule solaire, procédé de production d'un élément de cellule solaire et moule pour la production d'un lingot de silicium |
| US20110167961A1 (en) * | 2008-08-11 | 2011-07-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for purifying material containing metalloid element or metal element as main component |
| US8329133B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-12-11 | Gt Crystal Systems, Llc | Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon |
| CN101423220B (zh) | 2008-11-17 | 2011-04-06 | 上海普罗新能源有限公司 | 一种多温区硅材料提纯与铸锭的方法及其装置 |
| NO331026B1 (no) * | 2009-09-23 | 2011-09-12 | Elkem Solar As | Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium |
| KR20130074464A (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 주식회사 포스코 | 실리콘의 탈린방법 |
| US20130192302A1 (en) | 2012-02-01 | 2013-08-01 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Crucibles for holding molten material and methods for producing them and for their use |
-
2014
- 2014-05-15 NO NO20140621A patent/NO339608B1/no unknown
- 2014-09-09 EP EP14843034.1A patent/EP3044350A4/en active Pending
- 2014-09-09 CA CA2920969A patent/CA2920969C/en active Active
- 2014-09-09 SG SG11201601750SA patent/SG11201601750SA/en unknown
- 2014-09-09 BR BR112016005004-5A patent/BR112016005004B1/pt active IP Right Grant
- 2014-09-09 US US14/916,406 patent/US10483428B2/en active Active
- 2014-09-09 CN CN201480049485.1A patent/CN105723020B/zh active Active
- 2014-09-09 WO PCT/NO2014/050165 patent/WO2015034373A1/en active Application Filing
-
2016
- 2016-02-26 CL CL2016000452A patent/CL2016000452A1/es unknown
- 2016-03-07 SA SA516370689A patent/SA516370689B1/ar unknown
-
2018
- 2018-06-29 US US16/023,317 patent/US10693031B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20180309014A1 (en) | 2018-10-25 |
| US10693031B2 (en) | 2020-06-23 |
| BR112016005004B1 (pt) | 2022-10-11 |
| SA516370689B1 (ar) | 2019-09-12 |
| CN105723020A (zh) | 2016-06-29 |
| US10483428B2 (en) | 2019-11-19 |
| CN105723020B (zh) | 2019-04-09 |
| SG11201601750SA (en) | 2016-04-28 |
| CL2016000452A1 (es) | 2016-12-09 |
| CA2920969A1 (en) | 2015-03-12 |
| EP3044350A4 (en) | 2017-05-17 |
| CA2920969C (en) | 2019-11-05 |
| NO339608B1 (no) | 2017-01-09 |
| BR112016005004A2 (pt) | 2021-08-03 |
| EP3044350A1 (en) | 2016-07-20 |
| US20160225937A1 (en) | 2016-08-04 |
| WO2015034373A1 (en) | 2015-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108677059B (zh) | Cu-15Ni-8Sn铜合金、铜合金棒及其制备方法 | |
| JP2012524837A (ja) | ケーブル用の高い延伸性を有するアルミニウム合金材料及びその製造方法 | |
| JP2012524837A5 (no) | ||
| EP2835436B1 (en) | Aluminum alloy sheet for electric cell case, having excellent moldability, heat dissipation, and weldability | |
| JP2012097327A (ja) | 熱間及び冷間加工性を向上させた銅合金とその製造方法及び該銅合金から得られる銅合金条又は合金箔 | |
| CN107230508B (zh) | 一种石墨烯稀土铝合金高导材料电缆的制备方法 | |
| US20110036534A1 (en) | Process for producing lithium-containing alloy material | |
| CN115094263B (zh) | 铜铬锆系合金用变质剂合金、其制备方法及应用 | |
| CN111793758A (zh) | 架空导线用高导电率耐热铝合金单丝及其制备方法 | |
| CN110241342B (zh) | 一种高锰含量铝锰中间合金及其制备方法 | |
| CN105002409B (zh) | 一种Mg‑Mn中间合金及其制备方法 | |
| NO20140621A1 (no) | Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller | |
| CN110819853A (zh) | 一种高导电率软铝单丝及其制备方法 | |
| JP2002317232A (ja) | Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金、その製造方法、及びそれを用いたＮｂ３Ｓｎ超電導線材の先駆体 | |
| CN111809074B (zh) | 一种镧-碳-镁复合材料、碲铜合金材料及其制备方法 | |
| KR101782394B1 (ko) | Cu-Fe계 합금 잉곳 및 그 제조방법 | |
| JP2011012300A (ja) | 銅合金及び銅合金の製造方法 | |
| CN111187936B (zh) | 铜熔体深度脱氧剂及脱氧方法 | |
| CN115261665B (zh) | 铜铁磷系合金用变质剂、其制备方法及应用 | |
| CN109207759B (zh) | 非时效型高强度高导电率铝合金架空导线及其制备方法 | |
| JP2004183084A (ja) | ニッケル−亜鉛母合金およびその製造方法 | |
| RU2514500C1 (ru) | Сплав на основе свинца | |
| CN117701957A (zh) | 一种高导电率高强度铝合金单丝材料及其制备方法 | |
| CN113005311A (zh) | 5xxx系铝合金熔体净化剂及其制备方法 | |
| CN117926046A (zh) | 一种铜铈中间合金的生产方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CHAD | Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften) |
Owner name: REC SOLAR NORWAY AS, NO |