JP2002317232A - Sn−Ti系化合物を含むSn基合金、その製造方法、及びそれを用いたNb3Sn超電導線材の先駆体 - Google Patents
Sn−Ti系化合物を含むSn基合金、その製造方法、及びそれを用いたNb3Sn超電導線材の先駆体Info
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Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- BLOIXGFLXPCOGW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Sn] Chemical compound [Ti].[Sn] BLOIXGFLXPCOGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910001134 stannide Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910008839 Sn—Ti Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 19
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 36
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HFYPIIWISGZGRF-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Sn].[Sn].[Sn] Chemical compound [Nb].[Sn].[Sn].[Sn] HFYPIIWISGZGRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D7/00—Casting ingots, e.g. from ferrous metals
- B22D7/005—Casting ingots, e.g. from ferrous metals from non-ferrous metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0184—Manufacture or treatment of devices comprising intermetallic compounds of type A-15, e.g. Nb3Sn
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
- Y10S420/901—Superconductive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12708—Sn-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12819—Group VB metal-base component
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
金中に均一に分散し、更に鋳造に際してインゴットに引
け巣が生じないSn−Ti系化合物を含むSn基合金、
及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、真空、または不活性ガス雰囲
気下で、Snを1300〜1500℃に加熱溶融し、こ
れに0.1〜5%のTiを添加して加熱溶融し、この溶
湯を直接または受け口を介して銅製の鋳型に鋳込む、微
細なSn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法、
この方法で得られた0.1〜5%のTiを含み、かつS
n−Ti系化合物の最大粒径が30μm以下で、平均粒
径が20〜15μmのSn−Ti系化合物を含むSn基
合金、並びにこのSn基合金を使用した内部拡散法によ
るNb3Sn線材の先駆体である。 【効果】 このSn基合金を使用して作られた内部拡散
法によるNb3Sn線材は、優れた超電導特性を示す。
また、本発明の方法によれば、インゴットの製造時に引
け巣の発生がない。
Description
Nb3Sn超電導線材の製造に用いられるSn−Ti系
化合物を含むSn基合金、その製造方法、及びこれを使
用したNb3Sn超電導線材の先駆体に関するものであ
る。
法によるNb3Sn化合物を使用する方法が提案されて
いる。ここで、内部拡散法とは、Nb金属棒が相互接触
しない様、多数組み込まれたCu基金属体の中心部にS
n金属棒を組み込んだ構造のモジュールと呼ばれるNb
3Sn超電導線材の先駆体を伸線加工して、約650℃
に加熱してSnの拡散熱処理によりNb金属と反応さ
せ、最終的に超電導材料として有用なNb3Sn線材を
製造する方法である。この内部拡散法によるNb3Sn
超電導線材の高磁界での超電導特性を向上させる為に、
Sn基体にTiを添加したSn−Ti系化合物を含むS
n基合金を使用することで、Sn金属を使用したNb3
Sn線材に比べ超電導特性のより改善されたものが得ら
れることが知られている。しかし、ここで用いられるS
n−Ti系化合物を含むSn基合金は、Ti添加Sn基
体を製造するに当たってSnの融点232℃とTiの融
点1670℃の間に大きな差があること、また、Tiに
おいては酸化が著しいことのために、通常の溶融鋳造で
は未融解Ti及びTi酸化物が発生し、これらのSn基
合金中への混入によって欠陥が生ずるという問題があ
る。
を含むSn基合金を製造する方法として、例えば、不活
性ガス雰囲気下で、Snを600〜1750℃に加熱溶
融し、これにSnの重量比で0.3〜6.5%のTiを
添加して、500〜1750℃で、鋳鉄製またはステン
レス製の鋳型に鋳造する方法が提案されている(特公平
6−76625号公報)。
囲気中での溶融と鋳鉄製またはステンレス製の鋳型を使
用して鋳造したSn−Ti系化合物を含むSn基合金で
は、Sn−Ti系化合物の微細化が十分に進んでいない
為に超電導特性の向上が望めないという問題があった。
また、得られたSn−Ti系化合物を含むSn基合金イ
ンゴットの引け巣が大きく、Sn−Ti系化合物を含む
Sn基合金の歩留りが悪く、Sn−Ti系化合物を含む
Sn基合金の製造方法の改善が必要であった。本発明
は、この様な従来の方法の問題を解決する為に考えられ
たものであり、微細な粒状の粒径のSn−Ti系化合物
がSn基合金中に均一に分散し、更に鋳造に際してイン
ゴットに引け巣が生じないSn−Ti系化合物を含むS
n基合金とその製造方法を得ることを目的としている。
対して重量基準で0.1〜5%のTiが添加されたSn
−Ti系化合物を含むSn基合金において、そのSn−
Ti系化合物粒子の最大粒径が30μm以下で、かつ平
均粒径が20〜15μmの範囲にあるSn−Ti系化合
物を含むことを特徴とするSn基合金である。
雰囲気下で、Snを1300〜1500℃に加熱溶融
し、これにSnに対して重量基準で0.1〜5%のTi
を添加して1300〜1500℃に加熱溶融し、この溶
湯を銅製の鋳型に鋳込むことを特徴とする、微細に分散
したSn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法で
ある。
雰囲気下で、Snを1300〜1500℃に加熱溶融
し、これにSnに対して重量基準で0.1〜5%のTi
を添加して1300〜1500℃に加熱溶融し、この溶
湯を鋳型の上に載置したカーボン製の受口を介して、銅
製の鋳型に鋳込むことを特徴とする、微細に分散したS
n−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法である。
基金属材と請求項1記載の微細に分散したSn−Ti系
化合物を含むSn基合金が多数本、相互接触しない様に
配置されているNb3Sn超電導線材の先駆体である。
i系化合物を含むSn基合金は、以下に述べる方法によ
って、Snに対して重量基準で0.1〜5%、好ましく
は0.5〜3%の割合でSn基体にTiを添加し、微粒
状のSn−Ti系化合物をSn基体中に形成せしめたS
n基合金である。このSn基合金中に分散するSn−T
i系化合物は、その最大粒子径が30μmで、平均粒子
径が20〜15μmの範囲であり、より好ましくは、最
大粒子径が15μmで、平均粒子径が10〜5μmの範
囲である。この本発明のSn基合金に含まれるSn−T
i系化合物は、その主成分がTi6Sn5の組成からなる
合金であり、Ti6Sn5を70重量%以上、好ましくは
90重量%以上含むものであり、最も好ましくは全てが
Ti6Sn5である。このほかにもTi5Sn3等を含んで
もよい。
系化合物を含むSn基合金は、真空、或いは不活性ガス
雰囲気下で、Snを1300〜1500℃に加熱溶融
し、これにSnに対して重量基準で0.1〜5%、好ま
しくは0.5〜3%のTiを添加して1300〜150
0℃に加熱溶融し、この溶湯を銅製の鋳型に鋳込むこと
によって、或いは鋳込みの際に鋳型の上に載置したカー
ボン製の受口を介して、銅製の鋳型に鋳込むことによっ
て得ることができる。本発明で使用する銅製の鋳型は、
材質が銅であれば単純な銅製の鋳型のほかに、水冷の銅
製鋳型、その他の種々の形態のものを使用することがで
きる。
性ガス雰囲気下で、Sn及びTiを1300〜1500
℃の範囲の温度で加熱・溶融することが必要である。ま
た、鋳込みに際しては、材質が銅製の鋳型を用いて鋳込
むことが必要である。鋳型が従来から使用されている材
質が鋳鉄製またはステンレス製の鋳型を用いて鋳造した
Sn基合金ではSn−Ti系化合物の微細化が十分に進
行せず、50μm以上の比較的粒子径の大きいSn−T
i系化合物を含むものしか得られない。また、鋳型とし
て銅製のものを使用しても、加熱溶融温度が1300℃
未満では従来の方法と同様に、Sn基合金中のSn−T
i系化合物の微細化が十分に進行せず、50μm程度の
比較的粒子径の大きいSn−Ti系化合物を多く含むも
のしか得られない。
または不活性ガス雰囲気下で、Sn及びTiを1300
〜1500℃の範囲の温度で加熱・溶融し、さらに銅製
の鋳型を用いて鋳造することによって、最大粒子径が3
0μmで、平均粒子径が20〜15μmの範囲の微細に
分散した微粒状のSn−Ti系化合物を含んだSn基合
金を得ることができる。加熱・溶融温度は1400〜1
450℃とすることが更に好ましく、この場合は最大粒
子径が15μmで、平均粒子径が10〜5μmの範囲の
Sn−Ti系化合物を含んだSn基合金を得ることがで
きる。これは銅製の鋳型の使用によって、鋳型の熱伝導
率が向上して急冷効果が増すため、Sn−Ti系化合物
を含むSn基合金中に含まれるSn−Ti系化合物が微
細分散するためである。なお、鋳込み温度が1500℃
を超えるとSn基合金中に含まれるSn−Ti系化合物
の微細化の効果はあるが、1500℃を超えるような高
温度を使用するため鋳型の寿命が短くなるという問題が
あり、特に量産の場合には好ましくない。
のSn−Ti系化合物粒子の大きさの測定は、Sn基合
金の断面の研磨を行ない、光学顕微鏡でその断面の写真
を撮影し、その写真から9.5×7.3cmの画面内の
10個の粒子についてSn−Ti系化合物が粒状であれ
ば直径を、針状であれば短辺方向の長さを測定し、その
最大値と平均値を求める。
Sn基合金では、冷却時の収縮率が大きいためインゴッ
トが固化する際の引け巣が大きく、従ってSn−Ti系
化合物を含むSn基合金の歩留まりが悪くなるという問
題があった。これに対して、本発明の方法においては、
鋳型の上に載置したカーボン製の受口を介して、Snと
Tiの溶湯を鋳型に鋳込むという方法を採用するもので
ある。このような方法を採用することにより、受口の溶
湯が押し湯の作用をしてインゴットの収縮する部分を埋
めて、引け巣の形成が防止でき、製品の歩留まりが向上
する。
物を含むSn基合金は、これを使用してNb3Sn超電
導線材の先駆体を製造することができる。即ち、Cu基
金属材中に、Nb基金属材と共に、上記のSn−Ti系
化合物を含むSn基合金とを多数本、相互接触しない様
に配置した構造のNb3Sn超電導線材の先駆体であ
る。更に具体的には、内部に多数本のNb金属棒を組み
込んだ、棒状のCu基金属材の中央部に、上記のSn−
Ti系化合物を含むSn基合金の金属棒を組み込んだ構
造のNb3Sn超電導線材の先駆体である。
よってNb3Sn超電導線材を製造することができる。
即ち、まず、この本発明の先駆体を複数個組み合せて最
終的な目的とする直径になるまで伸線加工し、Nb−S
n複合線を作る。次に、このNb−Sn複合線を約60
0〜800℃に加熱してSnの拡散処理を行ない、複合
線内のSnを拡散させてNbと反応させ、最終的にニオ
ブ三錫(Nb3Sn)を形成させて、超電導特性の優れ
たNb3Sn超電導線材が得られる。この際、本発明の
Sn基合金中の微細に分散したSn−Ti系化合物粒子
はこの反応の過程で消失するが、前述のように、最大粒
子径が30μmで、平均粒子径が20〜15μmの範囲
のSn−Ti系化合物粒子を含むSn基合金使用する場
合は優れた超電導特性を示すが、この範囲を超えるより
大きなSn−Ti系化合物粒子を含むSn基合金を使用
した場合には、十分な超電導特性を示さない。
明する。 実施例1:Sn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造
は、不活性ガス雰囲気中で溶融鋳造が可能な高周波加熱
炉にてArガス雰囲気で次の様に行った。初めに、溶解
ルツボ内にSnを50Kgと、添加材室に7〜8mm
角、厚さ1mmの片状Tiを1Kg(Snに対する重量
基準で2.0重量%のTiを配合)入れた。一方、内面
に離形剤を塗布した、外径220mm×内径(1)85m
m×内径(2)60mm×高さ510mmの銅製の鋳型を
準備した。次に高周波加熱炉内及び添加材室内を10-3
Torr台まで真空引きした後、炉内のO2濃度が1p
pm以下になっていることを確認してから高周波加熱を
開始した。まず、Snを1300℃まで加熱し、融解し
たところで、Arガスを導入すると同時に、添加材室の
TiをSnの溶湯中に添加し30分間保持する。その
後、1430℃に加熱してArガスを再導入した後、予
め準備した上記の銅製の鋳型に鋳込んだ。
物を含むSn基合金の品質検査を行い、Ti添加量は目
標2.0重量%Tiに対し、略目標の2.02重量%T
iのインゴットが得られた。このインゴットの断面の顕
微鏡観察の結果、Sn基合金中のSn−Ti系化合物の
粒径が最大で15μmで、平均粒径が10μmで、主た
るSn−Ti系化合物であるTi6Sn5が含まれる割合
がほぼ100%の微細分散化したSn−Ti系化合物を
含むSn基合金のインゴットが得られた。
Sn基合金インゴットは、内部拡散法Nb3Sn超電導
線材の製造に用いられる為に、次の様な加工を実施し
た。即ち、インゴットの頭・底部の収縮巣の部分を切断
除去しかつ少微なインゴット表面欠陥を除去する為、外
周切削し所定のビレット状とし、次に押出し機とドロー
ベンチによる引抜き加工で指定された外径に仕上げた。
このSn基合金を用いて、Nb、Cuとともに最終形状
まで伸線と熱拡散処理を行なって、内部拡散法によって
Nb3Sn超電導線材を製造した。このようにして得た
本発明のSn基合金を使用したNb3Sn超電導線材の
超電導特性評価では、第1図に示す様に電流特性が従来
法によるSn基合金を用いたNb3Sn線の臨界電流密
度650A/mm2に対し、750A/mm2となり約1
5%向上した。
不均一性を示す値も、従来法のものが20であるのに対
し、Sn−Ti化合物の微細分散化が進んだ実施例1で
得た本発明のものでは30に向上した。尚、n値は超電
導線の長手方向の不均一性を示すものであるが、更に詳
しくは、第1図に示すようなSn基合金を使用したNb
3Sn超電導線材の電流(I)−電圧(V)曲線におい
て、その立ち上がりの部分をV∝Inで表した場合の冪
指数nを意味し、線材中の超電導フィラメント径の不揃
い、長手方向の均一性、安定化材との接触抵抗等の線材
の良否の判定に利用する指標であり、数値が大きいほど
線材の特性が良いことを表す。
基合金の製造は、不活性ガス雰囲気が保持される溶解鋳
造が可能な高周波溶解炉にてArガス雰囲気中で行っ
た。始めに、Sn20Kgを1300℃で溶解し、この
温度で約60分保持した後に、粒状のスポンジTiの
0.5Kg(Snに対し重量基準で2.5重量%のTi
を配合)をSn溶湯中に添加しカーボン棒で攪拌した。
この状態で5分間保持して溶湯表面のスラグを除去し
て、溶湯温度1200℃で、第4図に示すステンレス製
の鋳型を用いて鋳造した。
物を含むSn基合金は、品質検査の結果、目標2.5重
量%のTiに対し、2.3重量%のTiであった。実施
例1と同様にしてSn基合金中のSn−Ti系化合物の
粒径を測定したところ、最大で50μmで、平均粒径が
40μmのSn−Ti系化合物を含むSn基合金のイン
ゴットが得られた。更に、このSn−Ti系化合物を含
むSn基合金は、実施例1と同様の方法によって、内部
拡散法によりNb3Sn超電導線材に加工した。このN
b3Sn超電導線材の電流特性は、第1図に示すように
臨界電流密度650A/mm2であった。
以外は、実施例1と同様の条件と方法でSn基合金イン
ゴットを作った。Sn基合金中のSn−Ti系化合物の
粒子径を測定したところ、最大で30μmで、平均粒径
が15μmであった。
以外は、実施例1と同様の条件と方法でSn基合金イン
ゴットを作った。Sn基合金中のSn−Ti系化合物の
粒子径を測定したところ、最大で50μmのものを多く
含み、平均粒径が30μmであった。
以外は、実施例1と同様の条件と方法でSn基合金イン
ゴットを作った。Sn基合金中のSn−Ti系化合物の
粒子径を測定したところ、最大で15μm、平均粒径が
10μmであり、Sn−Ti系化合物が微細に分散した
Sn基合金が得られたが、合金の鋳型への焼付きが起こ
り、鋳型の損傷が激しかった。
へ鋳込んでいたが、ここでは第2図に示す様にカーボン
製の受口2を介して銅製の鋳型1へ鋳込む以外は、全て
実施例1と同一の条件と方法でSn−Ti系化合物を含
むSn基合金の溶解鋳造を行った。ここで得られたSn
−Ti系化合物を含むSn基合金を実施例1と同様にし
て品質検査と超電導特性評価行った。その結果、Sn基
合金中のTi量は2.15重量%であり、Sn−Ti系
化合物の粒径は最大で15μmで、平均粒径が10μ
m、Sn−Ti系化合物の組成はすべてTi6Sn5であ
った。その後、実施例1と同様の方法によって、内部拡
散法によりNb3Sn超電導線材に加工し、このNb3S
n超電導線材の評価を行なったところ、電流特性で73
9A/mm2、n値が28であり、実施例1と同等のも
のであった。また、受口2を介して銅製の鋳型1に鋳込
むことにより、第3図に示す様なインゴットが得られ、
受口内の湯が押湯の働きをして、第5図に示す様なイン
ゴットに発生する引け巣がなくなり、歩留りが向上し
た。
加熱溶融している所へTiを添加したが、ここでは、加
熱溶融前にSnとTiを溶解ルツボに入れる方法で行な
った。即ち、はじめに、溶解ルツボ内にSnを50Kg
と、7〜8mm角、厚さ1mmの片状Tiを1Kg(S
nに対する重量基準で2.0重量%のTiを配合)入れ
た。一方、内面に離形剤を塗布した、外径220mm×
内径(1)85mm×内径(2)60mm×高さ510mm
の銅製の鋳型を準備した。次に高周波加熱炉内及び添加
材室内を10-3Torr台まで真空引きした後、炉内の
O2濃度が1ppm以下になっていることを確認してか
ら高周波加熱を開始した。まず、SnとTiを1300
℃まで加熱し、融解したところで、Arガスを導入し、
30分間保持する。その後、1430℃に加熱してAr
ガスを再導入した後、第2図に示す様なカーボン製の受
け口2を介して銅製の鋳型1に鋳込んだ。
Sn基合金を実施例1と同様にして品質検査と超電導特
性評価行った。その結果、Sn基合金中のTi量は1.
95重量%であり、Sn−Ti系化合物の粒径は最大で
15μmで、平均粒径が10μm、Sn−Ti系化合物
の組成はすべてTi6Sn5であった。その後、実施例1
と同様の方法によって、内部拡散法によりNb3Sn超
電導線材に加工し、このNb3Sn超電導線材の評価を
行なったところ、電流特性で742A/mm2、n値が
31であり、実施例1と同等のものであった。また、受
口2を介して銅製の鋳型1に鋳込むことにより、第3図
に示す様なインゴットが得られ、受口内の湯が押湯の働
きをしてインゴットに引け巣が発生せず、歩留りが向上
した。
たTiを撹拌する為に、異物や溶湯表面のドロス(Sn
やTiの酸化物)がインゴット全体に撹拌され、これら
が原因で、超電導線材の製造過程での断線を引き起こす
という問題があったが、加熱溶解前にSnとTiを溶解
ルツボに同時に入れるこの実施例4の方法で得られたイ
ンゴットを使用した場合には、このような問題は発生し
なかった。
溶解装置を大型化し、複数本の溶解鋳造をしても、得ら
れる Sn−Ti系化合物を含むSn基合金の品質が変
化することがないことはいうまでもない。
不活性ガス雰囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、冷却性
の優れた銅製または水冷銅製の鋳型に鋳込む方法で得ら
れるSn−Ti系化合物を含むSn基合金であり、Sn
−Ti系化合物が30μm以下の微粒子として微細分散
しており、Nb3Sn超電導線材に使用した場合に優れ
た超電導特性を示すという効果を奏する。
囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、冷却性の優れた銅製
または水冷銅製の鋳型に鋳込む方法で得られるSn−T
i系化合物を含むSn基合金であり、Sn−Ti系化合
物が30μm以下の微粒子として微細分散しており、N
b3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性
を示すという効果を奏する。
囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、冷却性の優れた銅製
または水冷銅製の鋳型に鋳込む方法で得られるSn−T
i系化合物を含むSn基合金であり、Sn−Ti系化合
物が30μm以下の微粒子として微細分散しており、N
b3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性
を示すという効果を奏する。
囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、冷却性の優れた銅製
または水冷銅製の鋳型に鋳込む、Sn−Ti系化合物を
含むSn基合金の製造方法であり、Sn−Ti系化合物
が30μm以下の微粒子として微細分散しており、Nb
3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性を
示すという効果を奏する。
囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、カーボンの受口を介
して冷却性の優れた銅製または水冷銅製の鋳型に鋳込
む、Sn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法で
あり、Sn−Ti系化合物が30μm以下の微粒子とし
て微細分散しており、Nb3Sn超電導線材に使用した
場合に優れた超電導特性を示す。更に、受口の湯が押湯
の働きをするので、引け巣が発生せず、インゴットの歩
留りを向上させる効果があるという効果を奏する。
囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、冷却性の優れた銅製
または水冷銅製の鋳型に鋳込む、Sn−Ti系化合物を
含むSn基合金の製造方法であり、Sn−Ti系化合物
が30μm以下の微粒子として微細分散しており、Nb
3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性を
示すという効果を奏する。
囲気中でSnとTiを溶解鋳造し、冷却性の優れた銅製
または水冷銅製の鋳型に鋳込む、Sn−Ti系化合物を
含むSn基合金の製造方法であり、Sn−Ti系化合物
が30μm以下の微粒子として微細分散しており、Nb
3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性を
示すという効果を奏する。
b3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性
を示す、Nb3Sn超電導線材の先駆体として有用であ
るという効果を奏する。
b3Sn超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性
を示す、Nb3Sn超電導線材の先駆体として有用であ
るという効果を奏する。
造したSn−Ti系化合物を含むSn基合金を内部拡散
法Nb3Sn線材先駆体に用いた、内部拡散法Nb3Sn
線材の超電導電流特性を示す図である。
み方法を示す図である。
方法によって得られたSn−Ti系化合物を含むSn基
合金インゴットの断面図を示したものである。
Sn−Ti系化合物を含むSn基合金インゴットの断面
図を示したものである。
ン製受口、3 Sn−Ti溶湯合金、4 高周波加熱
炉、5 実施例3により得られたSn基合金インゴッ
ト、6 押湯部分、7 引け巣、8 比較例1に使用す
る鋳造用鋳型(ステンレス)、9 Sn−Ti溶湯合
金、10 高周波加熱炉、11 比較例1により得られ
たSn基合金インゴット、12 引け巣。
Claims (9)
- 【請求項1】 Snに対して重量基準で0.1〜5%の
Tiが添加されたSn−Ti系化合物を含むSn基合金
において、そのSn−Ti系化合物粒子の最大粒径が3
0μm以下で、かつ平均粒径が20〜15μmの範囲に
あるSn−Ti系化合物を含むことを特徴とするSn基
合金。 - 【請求項2】 Sn−Ti系化合物が、Ti6Sn5を主
成分とする合金であることを特徴とする請求項1記載の
Sn基合金。 - 【請求項3】 Sn−Ti系化合物粒子が、最大粒径が
15μm以下で、かつ平均粒径が10〜5μmの範囲に
あることを特徴とする請求項1又は2記載のSn基合
金。 - 【請求項4】 真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、S
nを1300〜1500℃に加熱溶融し、これにSnに
対して重量基準で0.1〜5%のTiを添加して130
0〜1500℃に加熱溶融し、この溶湯を銅製の鋳型に
鋳込むことを特徴とする、微細に分散したSn−Ti系
化合物を含むSn基合金の製造方法。 - 【請求項5】 真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、S
nを1300〜1500℃に加熱溶融し、これにSnに
対して重量基準で0.1〜5%のTiを添加して130
0〜1500℃に加熱溶融し、この溶湯を鋳型の上に載
置したカーボン製の受口を介して、銅製の鋳型に鋳込む
ことを特徴とする、微細に分散したSn−Ti系化合物
を含むSn基合金の製造方法。 - 【請求項6】 Sn及びTiの加熱溶融温度が、140
0〜1450℃であることを特徴とする、請求項4又は
5記載のSn基合金の製造方法。 - 【請求項7】 不活性ガス雰囲気が、アルゴンガス雰囲
気であることを特徴とする、請求項4乃至6のいずれか
に記載のSn基合金の製造方法。 - 【請求項8】 Cu基金属中に、1本又は複数本のNb
基金属棒と1本又は複数本の請求項1記載の微細に分散
したSn−Ti系化合物を含むSn基合金が、相互接触
しない様に組み込まれた構造のNb3Sn超電導線材の
先駆体。 - 【請求項9】 内部に複数本のNb金属棒を組み込ん
だ、棒状のCu基金属材の中心部に、請求項1記載のS
n基合金棒を組み込んだ構造であることを特徴とする、
請求項8記載のNb3Sn超電導線材の先駆体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001121195A JP3946966B2 (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | Sn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法 |
US09/983,340 US6548187B2 (en) | 2001-04-19 | 2001-10-24 | Sn based alloy containing Sn—Ti compound, and precursor of Nb3SN superconducting wire |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001121195A JP3946966B2 (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | Sn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002317232A true JP2002317232A (ja) | 2002-10-31 |
JP3946966B2 JP3946966B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=18971120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001121195A Expired - Fee Related JP3946966B2 (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | Sn−Ti系化合物を含むSn基合金の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6548187B2 (ja) |
JP (1) | JP3946966B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2236634B1 (en) | 2009-04-01 | 2016-09-07 | Bruker BioSpin AG | Sn based alloys with fine compound inclusions for Nb3Sn superconducting wires |
JP5438531B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2014-03-12 | 株式会社Shカッパープロダクツ | Nb3Sn超電導線材の製造方法、及びNb3Sn超電導線材 |
CN107541638A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 陕西友力实业有限公司 | 一种微波真空炉冶炼镍合金的方法 |
KR102167888B1 (ko) | 2019-10-03 | 2020-10-21 | 케이. 에이. 티. (주) | 초전도 선재용 Sn-Ti 합금 분말, 그 제조방법 및 이를 이용한 초전도 선재의 제조방법 |
KR102172104B1 (ko) | 2020-09-16 | 2020-11-02 | 케이. 에이. 티. (주) | 초전도 선재용 Sn-Ti 합금 분말, 그 제조방법 및 이를 이용한 초전도 선재의 제조방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61183979A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Yoshiro Saji | 超電導磁気遮蔽体 |
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- 2001-04-19 JP JP2001121195A patent/JP3946966B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-24 US US09/983,340 patent/US6548187B2/en not_active Expired - Lifetime
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JP6999066B2 (ja) | 2019-10-03 | 2022-01-18 | ケー.エー.ティー.株式会社 | 超伝導線材用Sn・Ti合金粉末、その製造方法、及びそれを利用した超伝導線材の製造方法 |
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CN113373404B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-09-27 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020153119A1 (en) | 2002-10-24 |
US6548187B2 (en) | 2003-04-15 |
JP3946966B2 (ja) | 2007-07-18 |
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