JP3080500B2 - 化合物超電導線材の製造方法 - Google Patents

化合物超電導線材の製造方法

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    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Wire Processing (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は内部拡散法による特にN
b―Sn系の化合物超電導線材の製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】Nb―Sn超電導線材は核融合、加速
器、物性研究用などの高磁界を必要とする機器に不可欠
な材料となっており、特に10T以上の高磁界で使用す
るためには、線材に第三元素としてTiを添加し上部臨
界磁場を上げ、高磁界での臨界電流密度を改善するのが
一般的手法である。また線材の交流損失を下げるため
に、Cuマトリックス(母材)を高抵抗化することが必
要で、マトリックスに対してMn等を添加することも行
われている。即ち、内部Sn拡散法によるNb―Sn超
電導線材製造においては、例えば、純Cuマトリックス
中にNb芯が分散したビレットの中心に、例えば、溶融
Sn中にスポンジTiを加え鋳型に鋳込むことで得たS
n−Ti合金棒を配し、またマトリックスにMn添加C
u合金を用い細線化加工を施した後、Nb―Sn化合物
生成熱処理を行っていた。なお、この分野の技術につい
ては、例えば刊行物{ADV.CRYO.ENGR.M
ATER.,vol.32 p995〜1002(19
86)}に示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、溶融S
n中にスポンジTiを溶かし、鋳型に鋳こむことでSn
−Ti合金棒を得る際に、合金棒の冷却過程でSn―T
i金属間化合物が生成し、しかもその成長が速く、粒径
〜100μmに成長した。細線化工程において、そのS
n―Ti金属間化合物がSn材より大きくなり、線材の
マトリックスを破壊し、さらにマトリックスとして用い
られたCu―Mn合金が硬いために断線が頻発し、線材
製造上の信頼性が非常に低く、安定して長い線材を得る
のは困難であり、Sn中のTi濃度、Cu中のMn濃度
をかなり下げる必要があった。
【0004】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、量産性、信頼性に優れた、また高磁界特
性に優れた化合物超電導線材の製造方法を得ることを目
的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物超電導線
材の製造方法は、複数のNb芯およびNb基合金芯の少
なくとも一種とSn材とが、CuおよびCu基合金の少
なくとも一種の母材によって分離されるように配置した
複合線材を、細線加工するものにおいて、上記Sn材
が、上記細線加工工程でのSn材の径を越えない径の金
属粒子を、Sn金属に分散したものであることを特徴と
する方法である。
【0006】また、金属粒子がTi、Ga、Ge、I
n、Zr、HfおよびTaの少なくとも一種であり、そ
の径が10μm以下のものである。
【0007】本発明の別の発明の化合物超電導線材の製
造方法は、複数のNb芯およびNb基合金の少なくとも
一種と、Sn―Ti合金とが、互いにCu母材によって
分離され、かつ上記母材と上記Sn―Ti合金とがCu
―Snによって分離されるように配置した複合線材を、
細線加工する方法である。
【0008】また、上記複合線材を、複数のNb芯が分
散したCu母材にSn―Ti合金を配し、300〜10
00℃で10分〜1000時間熱処理して得る。
【0009】
【作用】本発明において、細線化工程にわたって、Sn
材の径を越えない径の金属粒子(10μm以下)をSn
材に分散したので、線材の母材を破壊するのを防ぐこと
ができ、量産性、信頼性に優れた製造方法となる。ま
た、金属粒子がTi、Ga、Ge、In、Zr、Hfお
よびTaであると高磁界特性に優れたものとなる。
【0010】本発明の別の発明において、Cu―Snが
Sn―TiとCu母材を分離し、細線化中Cu―Snが
Sn―Tiより硬くなるため、細線化工程でSn―Ti
によりCuマトリックスが破壊されるのを防止する。
【0011】
【実施例】
実施例1.Snシートの表面をワイヤーブラシで粗研磨
し、その上に粒径約10μmのTi微粒子をまぶしなが
ら、ロール状に巻き、さらに溝ロールで加工することに
よって直径20mmのTi微粒子が分散したSn材の棒
を得た。次に中心に直径20.5mmの穴が開けられた
直径50mmの純CuマトリックスにNb芯が分散した
ビレットの中心穴に、そのSn―Ti微粒子複合棒を挿
入した。得られた複合ビレットは、直径1mmまでの引
き抜き加工を実施したが、線材の断線は見られず、量産
性の高い、特性均一性に優れたNb−Sn化合物超電導
線材を得ることができた。また線材の断面観察を行う
と、図1に示すような中心Sn部分に〜10μmのTi
微粒子が分散していた。なお、図1は本発明の一実施例
に係わる細線加工した複合線材の断面構成図であり、図
中1はSn材、2は金属粒子であるTi微粒子、3はN
b芯、4はCu母材、5はSn拡散バリヤ、6は安定化
Cuである。
【0012】比較例1.実施例1におけるSn―Ti微
粒子複合棒の代わりに、従来の加熱溶解(1000℃)
で作製した、Sn―Ti合金棒を用いて作製した線材を
同様な細線加工工程で引き抜き加工を行ったが、直径5
mm以下において、断線が多発し、直径1mmまでの引
き抜き加工においては数m以上の線材を得ることは不可
能であった。そのSn―Ti合金棒の断面観察による
と、〜100μmのSn―Ti金属間化合物が存在し、
それが純Cuマトリックスを破壊しNb芯を破断させて
いる部分が多く観察された。
【0013】実施例2.約300℃で溶融したSn溶湯
中に粒径5μmのTi微粒子を投入し、Ti棒で充分攪
拌し、直径20mmの鋳型に鋳こんだ直後、プレスによ
って圧力をかけながら冷却し、Sn―Ti微粒子複合イ
ンゴットを得た。インゴット中のTi微粒子の一部はS
n中に固溶したと思われるが、大部分は金属Tiの微粒
子として存在していた。次に中心に直径20.5mmの
穴が開けられた直径50mmの純CuマトリックスにN
b芯が分散したビレットの中心穴に、そのSn―Ti微
粒子複合インゴットを挿入した。得られた複合ビレット
は直径1mmまでの伸線加工を施したが、線材の断線は
見られず、量産性の高い、特性均一性に優れたNb―S
n化合物超電導線材を得ることができた。また線材の断
面観察を行うと、図2に示すような中心Sn部分に〜4
μmのTi微粒子が分散していた。なお、図2は本発明
の他の実施例に係わる細線加工した複合線材の断面構成
図である。
【0014】実施例3.中心に直径5.5mmの穴を開
けた直径20mmのSn棒に、粒径10μmのTi微粉
末をプレスによって直径5mmに成形したものを詰めて
Sn―Tiの複合体を得た。次に中心に直径20.5m
mの穴が開けられた直径50mmの純Cuマトリックス
にNb芯が分散したビレットの中心穴に、そのSn―T
i複合体を挿入した。得られた複合ビレットは直径1m
mまでの細線加工を施したが、線材の断線は見られず、
量産性の高い、特性均一性に優れたNb―Sn化合物超
電導線材を得ることができた。線材の断面観察を行う
と、図3に示すような線材中心部分に直径約50μmの
Ti占積部分が観察された。なお、図3は本発明のさら
に他の実施例に係わる細線加工した複合線材の断面構成
図である。
【0015】なお上記実施例ではSnへの添加元素とし
てTiの微粒子について述べたが、それ以外の高磁界に
おける臨海電流密度を向上させるGa、Ge、In、Z
r、HfおよびTa等の微粒子を用いても良く、これら
金属粒子の添加量は20wt%以下が望ましい。またC
r、Ni、Fe、MgおよびMnをマトリックスに添加
するとマトリックスの抵抗を高め、Nbフィラメント間
の近接効果を低下させ、交流損失を下げることができ、
Nb芯の代わりにNb基合金芯を用いても良い。
【0016】実施例4.Snのブロックを坩堝に入れ、
アルゴン雰囲気中で約1200℃まで加熱することで溶
かし、スポンジTiをSn−10wt%Tiとなるよう
にSn溶湯中に添加した。Sn―Tiの溶湯は良く攪拌
した後に内径25mmの鉄製の鋳型に鋳込み、Sn―T
i合金インゴットを得、外周切削により直径20mmの
Sn−Ti合金棒を得た。次に中心に直径20.5mm
の穴が開けられた直径50mmの純Cuマトリックスに
Nb芯が分散したビレットの中心穴に、上記のようにし
て得たSn―Ti合金棒を挿入した。その後数回の引き
抜き加工によって直径10mmまで加工した後、アルゴ
ンガス中で700℃、30分の熱処理を施し、アルゴン
ガスを吹き付け急冷した。この段階において、線材断面
を観察すると、図4に示すような、中心Sn―Ti合金
芯の周囲に厚さ約1mmのブロンズ層が生成していた。
また中心のSn―Ti合金芯部分には約100μmのS
n―Ti金属間化合物が観察された。なお、図4は本発
明の別の発明の一実施例に係わる複合線材の断面構成図
であり、図中7はSn―Ti合金芯、8はCu―Sn層
(ブロンズ)である。さらに直径1mmまでの引き抜き
加工を続けたが、線材の断線は見られず、線材の断面観
察を行うと、中心のSn―Ti合金芯部分にあった約1
00μmのSn―Ti金属間化合物は10μm以下に粉
砕されており、Cuマトリックスへのくい込み等の悪影
響も皆無であった。中心のSn―Ti合金芯とNb芯の
間に形成されたブロンズ層は細線化が進むにつれ、徐々
に加工硬化し、最終的には純Cuマトリックスの3倍の
硬度を持つに至り、細線化工程において硬いSn―Ti
金属間化合物を粉砕し、純Cuマトリックスの破壊を防
ぎ、量産性の高い、特性の均一性に優れたNb―Sn化
合物線材を得ることができた。
【0017】比較例2.実施例4において、直径10m
mまで加工した後の700℃における熱処理を施さなか
った線材も実施例4と同様な細線化工程で引き抜き加工
を行ったが、直径5mm以下において、断線が多発し、
直径1mmまでの引き抜き加工においては数m以上の線
材を得ることは不可能であった。また線材の断面観察に
おいては、依然としてSn―Ti合金芯部分に〜100
μmのSn―Ti金属間化合物が存在し、それが純Cu
マトリックスに突き刺さっている部分も見られた。
【0018】実施例5.Snのブロックを坩堝に入れ、
アルゴン雰囲気中で約1200℃まで加熱することで溶
かし、スポンジTiをSn―10wt%Tiとなるよう
にSn溶湯中に添加した。Sn―Tiの溶湯は良く攪拌
した後に内径25mmの鉄製の鋳型に鋳込み、Sn―T
i合金インゴットを得、外周切削により直径20mmの
Sn―Ti合金棒を得た。その合金棒を内径21mmの
Cu―10wt%Sn合金パイプに詰め、引き抜き加工
によって直径20mmの(Cu―Sn)―(Sn―T
i)複合棒を得た。次に中心に直径20.5mmの穴が
開けられた直径50mmの純CuマトリックスにNb芯
が分散したビレットの中心穴に、その(Cu―Sn)―
(Sn―Ti)複合棒を挿入し、図5に示すような複合
ビレットを得た。図5は本発明の別の発明の他の実施例
に係わる複合線材の断面構成図である。さらに、引く抜
き加工によって直径1mmまで加工したが、断線は起こ
らず、実施例4に示した本発明による線材と同様な効果
を持つ量産性の高い、特性の信頼性に優れた線材を得る
ことができた。
【0019】実施例6.Snのブロックを坩堝に入れ、
アルゴン雰囲気中で〜1200℃まで加熱することで溶
かし、スポンジTiをSn―10wt%Tiとなるよう
にSn溶湯中に添加した。Sn―Tiの溶湯は良く攪拌
した後に内径25mmのヒーターによって約700℃に
加熱した純Cu鋳型に鋳こんだ。鋳型は加熱されていた
ために冷却速度は遅く、鋳こんだ溶湯の周囲に約2mm
のブロンズ拡散層が生じた。得られたSn―Ti合金は
鋳型内周に生じたブロンズ層を残すようにしながら、鋳
型ごと外周を切削し、外周にブロンズ層を持つSn―T
i合金棒を得、溝ロール圧延により、直径20mmまで
加工した。次に中心に直径20.5mmの穴が開けられ
た直径50mmの純CuマトリックスにNb芯が分散し
たビレットの中心穴に、そのCu―Sn―Ti合金棒を
挿入し、図6に示すような複合ビレットを得た。図6は
本発明の別の発明のさらに他の実施例に係わる複合線材
の断面構成図である。さらに、引く抜き加工によって直
径1mmまで加工したが、断線は起こらず、実施例4に
示した本発明による線材と同様な効果を持つ線材を得る
ことができた。
【0020】
【発明の効果】本発明は、以上説明した通り、複数のN
b芯およびNb基合金芯の少なくとも一種とSn材と
が、CuおよびCu基合金の少なくとも一種の母材によ
って分離されるように配置した複合線材を、細線加工す
るものにおいて、上記Sn材が、上記細線加工工程での
Sn材の径を越えない径(例えば10μm以下)の金属
粒子を、Sn金属に分散したものであることにより、量
産性、信頼性に優れた化合物超電導線材の製造方法を得
ることができる。また、上記発明において、上記金属粒
子がTi、Ga、Ge、In、Zr、HfおよびTaの
少なくとも一種であるとさらに高磁界特性に優れた化合
物超電導線材となる。
【0021】また、本発明の別の発明は、複数のNb芯
およびNb基合金芯の少なくとも一種と、Sn―Ti合
金とが、互いにCu母材によって分離され、かつ上記母
材と上記Sn―Ti合金とがCu―Snによって分離さ
れるように配置した複合線材を、細線加工することによ
り、高磁界特性に優れ、しかも量産性、信頼性に優れた
化合物超電導線材の製造方法を得ることができ、例えば
上記複合線材を、複数のNb芯が分散したCuマトリッ
クスにSn―Ti合金を配し、300〜1000℃で1
0分〜1000時間熱処理して得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わる伸線処理した複合線
材の断面構成図である。
【図2】本発明の他の実施例に係わる伸線処理した複合
線材の断面構成図である。
【図3】本発明のさらに他の実施例に係わる伸線処理し
た複合線材の断面構成図である。
【図4】本発明の別の発明の一実施例に係わる複合線材
の断面構成図である。
【図5】本発明の別の発明の他の実施例に係わる複合線
材の断面構成図である。
【図6】本発明の別の発明のさらに他の実施例に係わる
複合線材の断面構成図である。
【符号の説明】
1 Sn材 2 金属粒子 3 Nb芯 4 Cu母材 7 Sn―Ti合金芯 8 Cu―Sn
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−174354(JP,A) 特開 平4−129109(JP,A) 特開 平4−294008(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 12/00 - 13/00 B21F 19/00 C22F 1/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のNb芯およびNb基合金芯の少な
    くとも一種とSn材とが、CuおよびCu基合金の少な
    くとも一種の母材によって分離されるように配置した複
    合線材を、細線加工するものにおいて、上記Sn材が、
    上記細線加工工程でのSn材の径を越えない径の金属粒
    子を、Sn金属に分散したものであることを特徴とする
    化合物超電導線材の製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項第1項記載のものにおいて、金属
    粒子がTi、Ga、Ge、In、Zr、HfおよびTa
    の少なくとも一種であることを特徴とする化合物超電導
    線材の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項第1項記載のものにおいて、金属
    粒子の径が10μm以下であることを特徴とする化合物
    超電導線材の製造方法。
  4. 【請求項4】 複数のNb芯およびNb基合金芯の少な
    くとも一種と、Sn―Ti合金とが、互いにCu母材に
    よって分離され、かつ上記母材と上記Sn―Ti合金と
    がCu―Snによって分離されるように配置した複合線
    材を、細線加工する化合物超電導線材の製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項第4項記載のものにおいて、複合
    線材を、複数のNb芯が分散したCu母材にSn―Ti
    合金を配し、300〜1000℃で10分〜1000時
    間熱処理して得ることを特徴とする化合物超電導線材の
    製造方法。
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