NO150532B - Anordning ved nivaamaaler - Google Patents
Anordning ved nivaamaaler Download PDFInfo
- Publication number
- NO150532B NO150532B NO821682A NO821682A NO150532B NO 150532 B NO150532 B NO 150532B NO 821682 A NO821682 A NO 821682A NO 821682 A NO821682 A NO 821682A NO 150532 B NO150532 B NO 150532B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- rhenium
- carrier
- hours
- cell
- platinum
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- DBJYYRBULROVQT-UHFFFAOYSA-N platinum rhenium Chemical compound [Re].[Pt] DBJYYRBULROVQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 22
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- -1 e.g. H2S04 Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000036647 reaction Effects 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018967 Pt—Rh Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000011329 calcined coke Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/296—Acoustic waves
- G01F23/2965—Measuring attenuation of transmitted waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/296—Acoustic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/296—Acoustic waves
- G01F23/2961—Acoustic waves for discrete levels
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/028—Material parameters
- G01N2291/02836—Flow rate, liquid level
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S367/00—Communications, electrical: acoustic wave systems and devices
- Y10S367/908—Material level detection, e.g. liquid level
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Lock And Its Accessories (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
Katalytisk elektrode for bruk i brenselceller.
Oppfinnelsen angår nye, katalysator-taærende elektroder. Mere spesielt angår oppfinnelsen elektroder som inneholder en blanding av platina og rhenium på en elektrodeledende bærer, som kan anven-
des som anode og katode i en forbrenningscelle eller elektrolytisk celle, i hvilken det benyttes en vandig elektrolytt.
Det er kjent elektrokjemiske celler for oksydering av et brennbart utgangsmate-riale som tilføres kontinuerlig fra en ytre kilde. Slike celler innbefatter så vel forbrenningsceller som elektrokjemiske celler, som må tilføres elektrisk energi for at oksydering skal finne sted. Forbrenningscellen kan drives utelukkende som en ener-
gi- eller kraft-produserende innretning, eller hvis man fra cellen fjerner partielle oksydasjonsprodukter, kan cellen benyttes til samtidig å produsere så vel elektrisk energi som også verdifulle organiske, kjemiske produkter. Den samlede reaksjon i en forbrenningscelle utgjøres av summen av to stort sett innbyrdes uavhengige halv-cellereaksjoner. Ved anoden blir et flytende brennstoff, som har en lavere oksydasjons-grad enn karbondioksyd, oksydert elektrokjemisk, under frigivelse av elektroder til anoden. Ved katoden blir en oksyderende gass redusert under opptaging av elektroner, så det dannes ioner. Oksyderende gas-
ser, som klor, luft, oksygen og N02 er egnet for bruk i forbrenningsceller. Det indre parti av den elektriske' strømkrets fullfø-
res ved ioneoverføring gjennom en elektrolytt mellom vedkommende elektroder,
mens elektronoverføring fra anoden tii katoden utenfor forbrenningscellen komplet-terer den elektriske strømkrets.
De ovennevnte elektrolytiske celler at-skiller seg fra de foran beskrevne forbrenningsceller derved at elektroner tilføres til en katode i cellene fra en ytre kilde, hvil-
ket medfører at hydrogen utvikles fra elektrolytten og at det inntrer anodisk oksydering av brennstoffet. De produkter som kan utvinnes fra en elektrokjemisk celle er karbonholdige forbindelser som har lavere oksydasjonstrinn enn karbonmonoksyd, f. eks. alkoholer, karbonsyrer, ketoner osv.
Brenselelektrodens eller anodens funk-sjon ved den anodiske oksydasjon av et forbrennbart brennstoff er stort sett uavhengig av den katodetype som anvendes. Derfor kan en elektrode som er egnet for
å bevirke anodisk oksydasjon benyttes så
vel i en forbrenningscelle, som i en elektrokjemisk celle. Anodisk oksydasjon inntrer når brennstoffet kommer i berøring så vel med elektrodens elektroledende over-flate som med elektrolytten. I celler hvor det benyttes en vandig elektrolytt, og som arbeider ved lave temperaturer, f. eks. opp til ca. 315°C og vanligere mellom ca. 80 og 150°C, anvendes det katalysatorer for å øke reaksjonshastigheten. Det er klart at hvis selve katalysatoren utgjør en god elektrisk leder, kan denne benyttes som elektrode. Men av mange grunner, f. eks.
av hensyn til omkostninger, konstruk-sjonsmessige krav osv., består elektrodene
som regel av en elektrodebasis av et metall som er belagt med det katalytiske materiale. Elektrodens basismateriale kan bestå av et hvilket som helst egnet elektrisk ledende materiale, som f. eks. metall eller karbon. Karbon har vist seg å være særlig fordelaktig, da det kan anvendes i elektroder av så vel diffusjons- som av ikke-diffusjonstype. En diffusjonselek-trode for denne oppfinnelses formål er en elektrode som tillater at et brennstoff passerer gjennom dens struktur. En ikke-diffusjons-elektrode er en som er praktisk talt ugjennomtrengelig for gjennomgang av et brennstoff.
Det er før blitt forsøkt å anvende forskjellige metaller og enkle oksyder av disse som katalysatorer for forbrenningselek-troder. Blant slike foreslåtte metaller kan nevnes kobber, sølv, gull og metaller i det periodiske systems gruppe VIII. Enkelte av disse metaller har imidlertid utilstrekkelig katalytisk evne, og andre undergår kjemisk forandring, slik at de danner en opp-løselig forbindelse som reagerer med den anvendte elektrolytt, eller absorberer gas-ser eller forbindelser. Eksempelvis kan nikkel nok motstå kjemisk angrep i et basisk medium, f. eks. i en alkalimetall-hydroksydoppløsning, men det er helt uskikket for bruk som katalysator i et sterkt surt medium; i et sådant medium har det vist seg nødvendig å anvende et av de såkalte edle metaller, f. eks. platina, gull, iridium, osv.
Effektiviteten av en anodisk katalysator i celler av denne type fremgår av dens evne til å vedlikeholde spenningen når strømmen flyter fra halv-cellen, dvs til å redusere spenningstap med økning av strømtetthet. Effekten er beregnet ut fra polarisasjon, spenningstap og strømtetthet. Det effektive system har lav polarisasjon ved høy strømtetthet.
Det er nå blitt funnet, at en blanding av platina og rhenium gir et meget virk-somt katalytisk materiale for akselerering av den kjemiske reaksjon mellom et brennbart fluidum og forbrenningselektroden, som i det følgende kalles anoden. Denne katalytiske aktivitet kan opprettholdes i lange driftsperioder, både i sure og i basiske elektrolytter. Katalysatoren i henhold til den foreliggende oppfinnelse benyttes i forbindelse med en elektrisk ledende basisbæredel. En slik basisbæredel kan bestå av karbon, metall, en organisk membran som er belagt med et elektrisk ledende materiale eller et ikke-ledende materiale, som f. eks. glass eller keramikk, som er blitt belagt med et elektrisk ledende materiale. Elektroder som har en ikke-ledende basis-struktur med påført ledende materiale, er kjent.
Når det trekkes strøm fra en celle, vil alltid noen polarisasjon, representert ved et spenningsfall, opptre ved hver enkelt elektrode, og derved nedsette spenningen eller potensialet mellom anoden og katoden i cellen, eller hvis det dreier seg om en elektrolytisk reaktor, styrken av den strøm som passerer gjennom samme. Metallblandings-katalysatoren i henhold til den foreliggende oppfinnelse gir en overraskende lav polarisasjon. Denne lave polarisasjon er særlig overraskende når man tar i betrakt-ning den meget store polarisasjon som opp-nås når rhenium alene benyttes som katalysator.
Platina-rhenium-katalysatorblandin-gen er inert like overfor så vel basiske som sure elektrolytter under de reaksjonsfor-hold som opptrer i en forbrenningscelle, i hvilken det anvendes en vanlig elektrolytt. Eksempelvis kan katalysatoren og elektrodene i henhold til den foreliggende oppfinnelse anvende sterke baser som KOH, NaOH, LiOH, vandige oppløsninger av sterke syrer som f. eks. H2S04, H,,P04, HC1, HNOs eller pereddiksyre og med vandige karbonatelektrolytter, som f. eks. K2CO:i, KHCO,, og Na2COs - NaHCO.,. Da den anodiske halv-cellereaksjon er stort sett uavhengig av den katodiske halvcelle-reaksjon, kan anodene i henhold til den foreliggende oppfinnelse anvendes i forbindelse med en hvilken som helst av de før kjente forbrenningsceller eller elektrolytiske katoder.
Platina-rheniumkatalysatoren i henhold til oppfinnelsen har vist seg å være effektiv som katode i en forbrenningscelle. En elektrisk ledende basisdel som er blitt belagt med Pt-Re-katalysator i henhold til oppfinnelsen har effektivt katalysert re-duksjonen av det primære oksydasjons-middel i en forbrenningscelles katode. Primære oksydasjonsmidler som er egnet for bruk i forbrenningsceller er f. eks. slike stoffer som luft, molekylært oksygen, klor, salpetersyre, nitrogenoksyd og salpeter-syrling.
For fremstilling av de porøse kataly-satorbærende elektroder i henhold til den foreliggende oppfinnelse blir platina-rheniumblandingen dannet in situ på bæredelen. Ved denne fremgangsmåte blir den porøse, f. eks. bæredel først dyppet i en vandig oppløsning av en blanding av rheniumheptoksyd og klorplatinasyre i fra ca.
0,1 til ca. 10 timer. Den nevnte oppløsning inneholder en hovedmengde av klorplatinasyre og en mindre andel av rheniumheptoksyd. Det foretrukne område er fra ca. 10 pst. til ca. 40 pst. rheniumheptoksyd, og den foretrukne fuktetid er fra ca. 0,5 til ca. 6 timer. Den belagte basis blir deretter tørket ved å oppvarmes til ca. 105°C. Etter at bæredelen er blitt tørket, blir den ved hjelp av CO opphetet til ca. 425°C i opp til 5 timer, fortrinnsvis i 2—4 timer. Den belagte basis eller bæredel blir deretter opphetet i en hydrogenstrøm i ca. 3 timer ved en temperatur over 650 °C, fortrinnsvis mellom 815 og 925°C. Hvis en forholdsvis uporøs basisbæredel skal bli katalytisk belagt, kan platina-rhenium-blandingen bli børstet eller dusjet på basisbæredelen. Ba-sisdelen tørkes deretter ved ca. 105° C, og opphetes derpå i ca. 3 timer i en hydro-genstrøm ved over 650°C, fortrinnsvis mellom 815 og 925°C. Hvis en forholdsvis lite porøs basisbæredel skal belegges katalytisk, kan en platina-rhenium-blanding børstes eller dusjes på basisbæredelen. Deretter tørkes bæredelen ved ca. 105°C og opphetes derpå i hydrogen til over 650°C i 2—6 timer, fortrinnsvis ved ca. 870°C i 3 timer. Ved denne høytemperaturbehandling av platina-rhenium-forbindelsen i hydrogen blir metallionene omdannet til metall.
Tilberedning av karbonholdige strukturer for bruk som elektroder eller som bestanddeler av katalysatorholdige elektroder, er vanlig kjent i teknikken. Van-ligvis blir slike strukturer fremstilt ved at findelte partikler av grafitt og kalsinert koks, sammen med et bindemiddel, som f. eks. bek, formes til formstykker under høyt trykk, og sintres en viss tid ved for-høyet temperatur. Deretter kan porøsite-ten økes etter ønske ved oppheting i en karbondioksydatmosfære.
Katalysatoren i henhold til den foreliggende oppfinnelse har vist seg å være effektiv i forbindelse med fluide, karbonholdige brennstoffer. Blant slike brennstoffer kan nevnes mettede hydrokarboner som metan, etan, butan; umettede hydrokarboner som f. eks. cykloheksen, acetylen og hydroksylerte hydrokarboner som f. eks. metanol, etanol, etylenglykol.
Den vedføyde tegning viser skjematisk en enkel forbrenningscelle i hvilken det benyttes en anode i henhold til den foreliggende oppfinnelse; cellen har en be-holder 21, en katode 22 og en anode 23. Katoden 22 og anoden 23 er innbyrdes for-bundet gjennom ledninger 25 og 24 og mot-standsinnretninger 26, som kan bestå av en hvilken som helst innretning for ut-nyttelse av elektrisk strøm, eller bare ut-gjøre en forlengelse av ledningene 25 og 24. Beholderen 21 kan bestå av glass, kera-misk materiale, polypropylen, hårdkaut-sjuk, metall eller annet egnet materiale. Beholderen 21 danner et elektrolyttrom som her er vist i udekket tilstand, selv om det i praksis som regel vil være dekket. Katoden 22 og anoden 23 kan bestå av en hul, porøs sylinder av metallplater eller
-gittere, av ikke-ledere som er blitt belagt med metall, av karbonplater eller andre egnede former av ledende materiale. Anoden 23 er belagt med en katalysator som inneholder en hovedmengde av platina og en mindre mengde av rhenium, fortrinnsvis fra 10—40 vektspst. rhenium. Katoden kan være impregnert med en egnet metall-katalysator. Elektrolyttrommet som dannes av beholderen 21 er ved en ione-permeabel membran 27 delt i et katolyttrom 30 og et anolyttrom 31. Membranen 27 er ikke av vesentlig betydning for cellen. Membranen 27 kan utgjøres av en hvilken som helst av
de kjente, ione-permeable membraner, f. eks. de som er beskrevet i U.S. patent nr. 2 913 511.
Hvis katoden 22 og anoden 23 er. po-røse karbonsylindere, blir et fluid oksyderingsmiddel, f. eks. luft, oksygen, klor til-ført til det indre av katoden 22 gjennom ledningen 28, og et fluid brennstoff, f. eks. etan, cykloheksen, metanol, tilføres i gass-form gjennom ledningen 29 til det indre av anoden 23. Hvis anoden og katoden ikke består av hule, porøse karbonsylindere, blir et fluid oksyderingsmiddel, f. eks. luft, oksygen, klor, nitrogendioksyd, tilført til katolyttrommet gjennom ledningen 32, og et fluid brennstoff, f. eks. etan, propan, acetylen, alkohol, cykloheksen, osv. tilføres til anolyttrommet gjennom ledningen 33.
De følgende eksempler belyser oppfinnelsen, uten å begrense den.
Eksempel 1.
En sylindrisk elektrode av porøst karbon ble impregnert med en katalysator i henhold til denne oppfinnelse på den føl-gende måte: Sylinderen ble først dyppet i en vandig oppløsning av en blanding av 10 pst. rheniumheptoksyd og 90 pst. klorplatinasyre, i ca. 4 timer. Deretter ble karbonmassen tørket ved å opphetes til ca. 105°C. Derpå ble karbonmassen opphetet sammen med CO i 3 timer ved 425°C. Deretter ble karbonmassen opphetet sammen med hydrogen ved 870°C i 3 timer for å redusere metallionene i forbindelsene til de frie metaller rhenium og platina.
Eksempel 2.
Elektroder i henhold til den foreliggende oppfinnelse og elektroder, som var
forsynt med påføring av edelmetallkata-lysatorer, ble testet i en forbrenningscelle,
i hvilken det ble anvendt 30 vektspst. svo-velsyre ved atmosfærisk trykk. Cellen ble
drevet ved en temperatur mellom ca. 77
og 82°C. Oksygenelektroden (katoden) var
i hvert enkelt tilfelle en porøs karbonsy-linder som var impregnert med en platina-holdig katalysator og det benyttede oksy-dasjonsmiddel var molekylært oksygen. Det anvendte brensel var etan, som i form av damp ble ledet inn i en porøs, hul kar-bonsylinderanode. Sammenligning av virkningen av Pt-Rh-katalysatoren og av den kjente edelmetallkatalysator er angitt i den følgende tabell:
Strekene betegner at ingen aktivitet
forefinnes. Rhenium kan ha aktivitet når
det først er blitt dannet, men virkningen
avtar meget hurtig.
Eksempel 3.
En Pt-Rh-elektrode i henhold til oppfinnelsen ble testet i en forbrenningscelle, i hvilken det ble benyttet forskjellige karbonholdige brennstoffer. Resultatene er angitt i den følgende tabell:
Claims (4)
1. Katalytisk elektrode for bruk i
brenselceller omfattende en elektroledende bærer og et metallbelegg, karakterisert ved at metallbelegget består av en platina-rhenium blanding hvori platina er tilstede i en mengde fra 90 til 60 pst. og rhenium er tilstede i en mengde fra 10 til 40 pst.
2. Fremgangsmåte til fremstilling av katalytisk elektrode for brenselcelle som angitt i påstand 1, omfattende en metall-belagt elektroledende bærer, karakterisert ved at den elektroledende bærer først behandles med en vandig oppløs-ning inneholdende klorplatinasyre og rhe- nium-héptoksyd tilstede i en mengde på 90 til 60 pst. klorplatinasyre og 10 til 40 pst. rheniumheptoksyd, hvoretter den således behandlede bærer oppvarmes i karbonmonoksyd i 2 til 6 timer ved 315—480°C hvoretter bæreren oppvarmes i hydrogen i 2—5 timer ved 760—980°C.
3. Fremgangsmåte ifølge påstand 2, karakterisert ved at den behandlede bærer oppvarmes i karbonmonoksyd i 3 timer ved 425°C.
4. Fremgangsmåte ifølge påstand 2, karakterisert ved at den behandlede bærer oppvarmes i hydrogen i 3 timer ved 870°C.
Anførte publikasjoner:
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO821682A NO150532C (no) | 1981-05-22 | 1982-05-19 | Anordning ved nivaamaaler. |
JP57501536A JPS58500869A (ja) | 1981-05-22 | 1982-05-21 | レベル測定装置 |
US06/463,885 US4535628A (en) | 1981-05-22 | 1982-05-21 | Apparatus for level measurements |
EP82901544A EP0079355A1 (en) | 1981-05-22 | 1982-05-21 | An apparatus for level measurements |
PCT/NO1982/000028 WO1982004122A1 (en) | 1981-05-22 | 1982-05-21 | An apparatus for level measurements |
DK0215/83A DK21583D0 (da) | 1981-05-22 | 1983-01-20 | Apparat til niveaumalinger |
FI830194A FI71197C (fi) | 1981-05-22 | 1983-01-20 | Anordning foer nivaomaetningar |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO811752A NO149331C (no) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Anordning ved maaling av akustiske transmisjonsegenskaper av minst et maalemedium, f.eks. for maaling av nivaaer av maalemediet |
NO821682A NO150532C (no) | 1981-05-22 | 1982-05-19 | Anordning ved nivaamaaler. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO821682L NO821682L (no) | 1982-11-23 |
NO150532B true NO150532B (no) | 1984-07-23 |
NO150532C NO150532C (no) | 1984-10-31 |
Family
ID=26647770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO821682A NO150532C (no) | 1981-05-22 | 1982-05-19 | Anordning ved nivaamaaler. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4535628A (no) |
EP (1) | EP0079355A1 (no) |
JP (1) | JPS58500869A (no) |
DK (1) | DK21583D0 (no) |
FI (1) | FI71197C (no) |
NO (1) | NO150532C (no) |
WO (1) | WO1982004122A1 (no) |
Families Citing this family (183)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4623264A (en) * | 1985-04-26 | 1986-11-18 | Southland Corporation | Temperature sensing using ultrasonic system and movable target |
GB8520793D0 (en) * | 1985-08-20 | 1985-09-25 | Formula Systems Ltd | Liquid level responsive apparatus |
NL8602189A (nl) * | 1986-08-28 | 1988-03-16 | Shell Int Research | Werkwijze en inrichting voor het detecteren van het fluidumniveau in een te vullen reservoir. |
US4811595A (en) * | 1987-04-06 | 1989-03-14 | Applied Acoustic Research, Inc. | System for monitoring fluent material within a container |
NL8801836A (nl) * | 1988-07-20 | 1990-02-16 | Enraf Nonius Delft | Inrichting voor het bepalen van het niveau van het grensvlak tussen een eerste en een tweede medium in een reservoir. |
BE1002682A3 (nl) * | 1988-12-29 | 1991-04-30 | B & R Internat | Werkwijze en inrichting voor het meten van ten minste een parameter van een vloeistof in een tank. |
AU1430792A (en) * | 1991-04-11 | 1992-11-17 | Jean-Baptiste Menut | Ultrasonic detector, detection method for liquid media and ultrasonic transmitter control method |
AU2369192A (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-23 | Whitaker Corporation, The | Liquid level sensor |
CN1045658C (zh) * | 1991-07-29 | 1999-10-13 | 基·雷/森索尔有限公司 | 带有自动自测功能的探测方法及其超声探测器 |
US5428984A (en) * | 1993-08-30 | 1995-07-04 | Kay-Ray/Sensall, Inc. | Self test apparatus for ultrasonic sensor |
DK21095A (da) * | 1995-03-01 | 1996-09-02 | Unitor Denmark As | Fremgangsmåde og apparat til måling og indikering af væskestanden i en beholder |
FI97829C (fi) * | 1995-06-07 | 1997-02-25 | Acutest Oy | Mittausmenetelmä ja -laitteisto rajapintojen määrittämiseksi |
GB9518151D0 (en) | 1995-09-06 | 1995-11-08 | Amp Great Britain | Interchangeable vessel Having a Level Sensor Therewith |
DE19718965C2 (de) * | 1997-05-05 | 2001-04-19 | Endress Hauser Gmbh Co | Verfahren und Anordnung zur Überwachung eines vorbestimmten Füllstands in einem Behälter |
DE10009019C1 (de) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hartmut Siegel | Vorrichtung zur Inhaltsüberprüfung von Behältern |
GB0722256D0 (en) | 2007-11-13 | 2007-12-27 | Johnson Matthey Plc | Level measurement system |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) * | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
JP7377580B1 (ja) * | 2022-11-10 | 2023-11-10 | 康楽株式会社 | 圧電板fpcモジュールと超音波液位センサプローブ |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB829741A (en) * | 1955-12-23 | 1960-03-09 | Heem V D Nv | A method and device for measuring small distances, especially the liquid level in liquid tanks |
FR1235054A (fr) * | 1959-09-10 | 1960-07-01 | Fr D Automation Soc | Indicateur de niveau par faisceau d'ondes ultrasonores |
US3213438A (en) * | 1962-01-11 | 1965-10-19 | Gen Motors Corp | Feedback controlled sonic liquid detector |
US3326042A (en) * | 1964-12-30 | 1967-06-20 | John D Ross | Ultrasonic liquid level indicator |
GB1194694A (en) * | 1966-07-18 | 1970-06-10 | Nat Sonics Corp | Ultrasonic Liquid/Fluid Interface Locating Apparatus and Method |
US3456715A (en) * | 1966-08-16 | 1969-07-22 | Gen Dynamics Corp | Apparatus for the measurement of levels of high temperature materials |
GB1361052A (en) * | 1971-07-09 | 1974-07-24 | Radun Controls Ltd | Transducer devices |
US3838593A (en) * | 1972-11-06 | 1974-10-01 | Exxon Research Engineering Co | Acoustic leak location and detection system |
NO141967C (no) * | 1973-04-05 | 1980-06-11 | Bjoern R Hope | Apparat for nivaamaaling av frittflytende stoffer, faste stoffer eller kombinasjon av disse i tanker, beholdere, basseng eller lignende |
US3969941A (en) * | 1973-11-08 | 1976-07-20 | E. Rapp Electronik Gmbh | Level detector for liquids and other flowable masses |
CH627840A5 (en) * | 1975-07-11 | 1982-01-29 | Vnii K Tsvetmetavtomatika | Method and device for monitoring the position of gas/liquid and liquid/liquid interfaces of media in a container |
US4123753A (en) * | 1976-09-29 | 1978-10-31 | Marine Moisture Control Company, Inc. | Ullage measuring device |
US4229798A (en) * | 1978-01-30 | 1980-10-21 | Alistair Francis McDermott | Liquid storage tank contents gauge |
US4182177A (en) * | 1978-05-19 | 1980-01-08 | Kamyr, Incorporated | Sound emission level detection |
US4212201A (en) * | 1978-08-23 | 1980-07-15 | Shell Oil Company | Ultrasonic sensor |
DE2911216A1 (de) * | 1979-03-22 | 1980-10-02 | Heinrichs Messgeraete Josef | Fluessigkeitsstandanzeiger o.dgl. |
US4403508A (en) * | 1981-06-10 | 1983-09-13 | Langlois Gary N | Locating interfaces in vertically-layered materials and determining concentrations in mixed materials utilizing acoustic impedance measurements |
-
1982
- 1982-05-19 NO NO821682A patent/NO150532C/no unknown
- 1982-05-21 EP EP82901544A patent/EP0079355A1/en not_active Ceased
- 1982-05-21 WO PCT/NO1982/000028 patent/WO1982004122A1/en not_active Application Discontinuation
- 1982-05-21 US US06/463,885 patent/US4535628A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-05-21 JP JP57501536A patent/JPS58500869A/ja active Pending
-
1983
- 1983-01-20 DK DK0215/83A patent/DK21583D0/da not_active Application Discontinuation
- 1983-01-20 FI FI830194A patent/FI71197C/fi not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK21583A (da) | 1983-01-20 |
JPS58500869A (ja) | 1983-05-26 |
DK21583D0 (da) | 1983-01-20 |
NO821682L (no) | 1982-11-23 |
US4535628A (en) | 1985-08-20 |
FI830194L (fi) | 1983-01-20 |
EP0079355A1 (en) | 1983-05-25 |
WO1982004122A1 (en) | 1982-11-25 |
FI71197B (fi) | 1986-08-14 |
FI830194A0 (fi) | 1983-01-20 |
NO150532C (no) | 1984-10-31 |
FI71197C (fi) | 1986-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO150532B (no) | Anordning ved nivaamaaler | |
US3291753A (en) | Catalyst preparation | |
US4426269A (en) | Method of stabilizing electrodes coated with mixed oxide electrocatalysts during use in electrochemical cells | |
US3287171A (en) | Platinum-rhenium anodic oxidation catalyst | |
US3492164A (en) | Fuel cell electrode | |
US3239382A (en) | Fuel cell catalysts | |
US4397730A (en) | Electrolytic cells with alkaline electrolytes containing trifluoromethylane sulfonic acid | |
US4585532A (en) | Method for using anodes having NiCo2 O4 catalyst for the electrolysis of potassium hydroxide solutions and method of making an anode containing NiCo2 O4 catalyst | |
US6733639B2 (en) | Electrode | |
KR100551329B1 (ko) | 가스 확산 전극 및 그 제조방법, 그리고 가스 확산 전극을 포함하는 전해 전지 | |
Jaccaud et al. | New chlor-alkali activated cathodes | |
US4214970A (en) | Novel electrocatalytic electrodes | |
RU93804U1 (ru) | Электрохимическая ячейка для получения водорода | |
Chang et al. | An investigation of thermally prepared electrodes for oxygen reduction in alkaline solution | |
US3196050A (en) | Method of preparing a catalyst impregnated carbon electrode | |
US3198667A (en) | Method of impregnating porous electrode with catalyst | |
KR890002700B1 (ko) | 전해조용 전극 및 그 제조방법과 이를 이용한 전해조 | |
US3231428A (en) | Fuel cell with catalytic electrodes | |
Melder et al. | Tuning electrocatalytic water oxidation by MnO x through the incorporation of abundant metal cations | |
US3615840A (en) | Fuel cell and fuel cell electrode comprising a sulfurated compound of tungsten and oxygen | |
US3262817A (en) | Electrochemical cell electrodes | |
JPH045493B2 (no) | ||
US3507701A (en) | Process of using fuel cell including tungsten oxide catalyst | |
US3796647A (en) | Apparatus for hydrogen production | |
US3287172A (en) | Electrode and method for preparation thereof |