NO150532B - Anordning ved nivaamaaler - Google Patents

Anordning ved nivaamaaler Download PDF

Info

Publication number
NO150532B
NO150532B NO821682A NO821682A NO150532B NO 150532 B NO150532 B NO 150532B NO 821682 A NO821682 A NO 821682A NO 821682 A NO821682 A NO 821682A NO 150532 B NO150532 B NO 150532B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
rhenium
carrier
hours
cell
platinum
Prior art date
Application number
NO821682A
Other languages
English (en)
Other versions
NO821682L (no
NO150532C (no
Inventor
Bjoern R Hope
Original Assignee
Bjoern R Hope
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NO811752A external-priority patent/NO149331C/no
Application filed by Bjoern R Hope filed Critical Bjoern R Hope
Priority to NO821682A priority Critical patent/NO150532C/no
Priority to JP57501536A priority patent/JPS58500869A/ja
Priority to US06/463,885 priority patent/US4535628A/en
Priority to EP82901544A priority patent/EP0079355A1/en
Priority to PCT/NO1982/000028 priority patent/WO1982004122A1/en
Publication of NO821682L publication Critical patent/NO821682L/no
Priority to DK0215/83A priority patent/DK21583D0/da
Priority to FI830194A priority patent/FI71197C/fi
Publication of NO150532B publication Critical patent/NO150532B/no
Publication of NO150532C publication Critical patent/NO150532C/no

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/28Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
    • G01F23/296Acoustic waves
    • G01F23/2965Measuring attenuation of transmitted waves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/28Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
    • G01F23/296Acoustic waves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/28Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
    • G01F23/296Acoustic waves
    • G01F23/2961Acoustic waves for discrete levels
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02836Flow rate, liquid level
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S367/00Communications, electrical: acoustic wave systems and devices
    • Y10S367/908Material level detection, e.g. liquid level

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Lock And Its Accessories (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

Katalytisk elektrode for bruk i brenselceller.
Oppfinnelsen angår nye, katalysator-taærende elektroder. Mere spesielt angår oppfinnelsen elektroder som inneholder en blanding av platina og rhenium på en elektrodeledende bærer, som kan anven-
des som anode og katode i en forbrenningscelle eller elektrolytisk celle, i hvilken det benyttes en vandig elektrolytt.
Det er kjent elektrokjemiske celler for oksydering av et brennbart utgangsmate-riale som tilføres kontinuerlig fra en ytre kilde. Slike celler innbefatter så vel forbrenningsceller som elektrokjemiske celler, som må tilføres elektrisk energi for at oksydering skal finne sted. Forbrenningscellen kan drives utelukkende som en ener-
gi- eller kraft-produserende innretning, eller hvis man fra cellen fjerner partielle oksydasjonsprodukter, kan cellen benyttes til samtidig å produsere så vel elektrisk energi som også verdifulle organiske, kjemiske produkter. Den samlede reaksjon i en forbrenningscelle utgjøres av summen av to stort sett innbyrdes uavhengige halv-cellereaksjoner. Ved anoden blir et flytende brennstoff, som har en lavere oksydasjons-grad enn karbondioksyd, oksydert elektrokjemisk, under frigivelse av elektroder til anoden. Ved katoden blir en oksyderende gass redusert under opptaging av elektroner, så det dannes ioner. Oksyderende gas-
ser, som klor, luft, oksygen og N02 er egnet for bruk i forbrenningsceller. Det indre parti av den elektriske' strømkrets fullfø-
res ved ioneoverføring gjennom en elektrolytt mellom vedkommende elektroder,
mens elektronoverføring fra anoden tii katoden utenfor forbrenningscellen komplet-terer den elektriske strømkrets.
De ovennevnte elektrolytiske celler at-skiller seg fra de foran beskrevne forbrenningsceller derved at elektroner tilføres til en katode i cellene fra en ytre kilde, hvil-
ket medfører at hydrogen utvikles fra elektrolytten og at det inntrer anodisk oksydering av brennstoffet. De produkter som kan utvinnes fra en elektrokjemisk celle er karbonholdige forbindelser som har lavere oksydasjonstrinn enn karbonmonoksyd, f. eks. alkoholer, karbonsyrer, ketoner osv.
Brenselelektrodens eller anodens funk-sjon ved den anodiske oksydasjon av et forbrennbart brennstoff er stort sett uavhengig av den katodetype som anvendes. Derfor kan en elektrode som er egnet for
å bevirke anodisk oksydasjon benyttes så
vel i en forbrenningscelle, som i en elektrokjemisk celle. Anodisk oksydasjon inntrer når brennstoffet kommer i berøring så vel med elektrodens elektroledende over-flate som med elektrolytten. I celler hvor det benyttes en vandig elektrolytt, og som arbeider ved lave temperaturer, f. eks. opp til ca. 315°C og vanligere mellom ca. 80 og 150°C, anvendes det katalysatorer for å øke reaksjonshastigheten. Det er klart at hvis selve katalysatoren utgjør en god elektrisk leder, kan denne benyttes som elektrode. Men av mange grunner, f. eks.
av hensyn til omkostninger, konstruk-sjonsmessige krav osv., består elektrodene
som regel av en elektrodebasis av et metall som er belagt med det katalytiske materiale. Elektrodens basismateriale kan bestå av et hvilket som helst egnet elektrisk ledende materiale, som f. eks. metall eller karbon. Karbon har vist seg å være særlig fordelaktig, da det kan anvendes i elektroder av så vel diffusjons- som av ikke-diffusjonstype. En diffusjonselek-trode for denne oppfinnelses formål er en elektrode som tillater at et brennstoff passerer gjennom dens struktur. En ikke-diffusjons-elektrode er en som er praktisk talt ugjennomtrengelig for gjennomgang av et brennstoff.
Det er før blitt forsøkt å anvende forskjellige metaller og enkle oksyder av disse som katalysatorer for forbrenningselek-troder. Blant slike foreslåtte metaller kan nevnes kobber, sølv, gull og metaller i det periodiske systems gruppe VIII. Enkelte av disse metaller har imidlertid utilstrekkelig katalytisk evne, og andre undergår kjemisk forandring, slik at de danner en opp-løselig forbindelse som reagerer med den anvendte elektrolytt, eller absorberer gas-ser eller forbindelser. Eksempelvis kan nikkel nok motstå kjemisk angrep i et basisk medium, f. eks. i en alkalimetall-hydroksydoppløsning, men det er helt uskikket for bruk som katalysator i et sterkt surt medium; i et sådant medium har det vist seg nødvendig å anvende et av de såkalte edle metaller, f. eks. platina, gull, iridium, osv.
Effektiviteten av en anodisk katalysator i celler av denne type fremgår av dens evne til å vedlikeholde spenningen når strømmen flyter fra halv-cellen, dvs til å redusere spenningstap med økning av strømtetthet. Effekten er beregnet ut fra polarisasjon, spenningstap og strømtetthet. Det effektive system har lav polarisasjon ved høy strømtetthet.
Det er nå blitt funnet, at en blanding av platina og rhenium gir et meget virk-somt katalytisk materiale for akselerering av den kjemiske reaksjon mellom et brennbart fluidum og forbrenningselektroden, som i det følgende kalles anoden. Denne katalytiske aktivitet kan opprettholdes i lange driftsperioder, både i sure og i basiske elektrolytter. Katalysatoren i henhold til den foreliggende oppfinnelse benyttes i forbindelse med en elektrisk ledende basisbæredel. En slik basisbæredel kan bestå av karbon, metall, en organisk membran som er belagt med et elektrisk ledende materiale eller et ikke-ledende materiale, som f. eks. glass eller keramikk, som er blitt belagt med et elektrisk ledende materiale. Elektroder som har en ikke-ledende basis-struktur med påført ledende materiale, er kjent.
Når det trekkes strøm fra en celle, vil alltid noen polarisasjon, representert ved et spenningsfall, opptre ved hver enkelt elektrode, og derved nedsette spenningen eller potensialet mellom anoden og katoden i cellen, eller hvis det dreier seg om en elektrolytisk reaktor, styrken av den strøm som passerer gjennom samme. Metallblandings-katalysatoren i henhold til den foreliggende oppfinnelse gir en overraskende lav polarisasjon. Denne lave polarisasjon er særlig overraskende når man tar i betrakt-ning den meget store polarisasjon som opp-nås når rhenium alene benyttes som katalysator.
Platina-rhenium-katalysatorblandin-gen er inert like overfor så vel basiske som sure elektrolytter under de reaksjonsfor-hold som opptrer i en forbrenningscelle, i hvilken det anvendes en vanlig elektrolytt. Eksempelvis kan katalysatoren og elektrodene i henhold til den foreliggende oppfinnelse anvende sterke baser som KOH, NaOH, LiOH, vandige oppløsninger av sterke syrer som f. eks. H2S04, H,,P04, HC1, HNOs eller pereddiksyre og med vandige karbonatelektrolytter, som f. eks. K2CO:i, KHCO,, og Na2COs - NaHCO.,. Da den anodiske halv-cellereaksjon er stort sett uavhengig av den katodiske halvcelle-reaksjon, kan anodene i henhold til den foreliggende oppfinnelse anvendes i forbindelse med en hvilken som helst av de før kjente forbrenningsceller eller elektrolytiske katoder.
Platina-rheniumkatalysatoren i henhold til oppfinnelsen har vist seg å være effektiv som katode i en forbrenningscelle. En elektrisk ledende basisdel som er blitt belagt med Pt-Re-katalysator i henhold til oppfinnelsen har effektivt katalysert re-duksjonen av det primære oksydasjons-middel i en forbrenningscelles katode. Primære oksydasjonsmidler som er egnet for bruk i forbrenningsceller er f. eks. slike stoffer som luft, molekylært oksygen, klor, salpetersyre, nitrogenoksyd og salpeter-syrling.
For fremstilling av de porøse kataly-satorbærende elektroder i henhold til den foreliggende oppfinnelse blir platina-rheniumblandingen dannet in situ på bæredelen. Ved denne fremgangsmåte blir den porøse, f. eks. bæredel først dyppet i en vandig oppløsning av en blanding av rheniumheptoksyd og klorplatinasyre i fra ca.
0,1 til ca. 10 timer. Den nevnte oppløsning inneholder en hovedmengde av klorplatinasyre og en mindre andel av rheniumheptoksyd. Det foretrukne område er fra ca. 10 pst. til ca. 40 pst. rheniumheptoksyd, og den foretrukne fuktetid er fra ca. 0,5 til ca. 6 timer. Den belagte basis blir deretter tørket ved å oppvarmes til ca. 105°C. Etter at bæredelen er blitt tørket, blir den ved hjelp av CO opphetet til ca. 425°C i opp til 5 timer, fortrinnsvis i 2—4 timer. Den belagte basis eller bæredel blir deretter opphetet i en hydrogenstrøm i ca. 3 timer ved en temperatur over 650 °C, fortrinnsvis mellom 815 og 925°C. Hvis en forholdsvis uporøs basisbæredel skal bli katalytisk belagt, kan platina-rhenium-blandingen bli børstet eller dusjet på basisbæredelen. Ba-sisdelen tørkes deretter ved ca. 105° C, og opphetes derpå i ca. 3 timer i en hydro-genstrøm ved over 650°C, fortrinnsvis mellom 815 og 925°C. Hvis en forholdsvis lite porøs basisbæredel skal belegges katalytisk, kan en platina-rhenium-blanding børstes eller dusjes på basisbæredelen. Deretter tørkes bæredelen ved ca. 105°C og opphetes derpå i hydrogen til over 650°C i 2—6 timer, fortrinnsvis ved ca. 870°C i 3 timer. Ved denne høytemperaturbehandling av platina-rhenium-forbindelsen i hydrogen blir metallionene omdannet til metall.
Tilberedning av karbonholdige strukturer for bruk som elektroder eller som bestanddeler av katalysatorholdige elektroder, er vanlig kjent i teknikken. Van-ligvis blir slike strukturer fremstilt ved at findelte partikler av grafitt og kalsinert koks, sammen med et bindemiddel, som f. eks. bek, formes til formstykker under høyt trykk, og sintres en viss tid ved for-høyet temperatur. Deretter kan porøsite-ten økes etter ønske ved oppheting i en karbondioksydatmosfære.
Katalysatoren i henhold til den foreliggende oppfinnelse har vist seg å være effektiv i forbindelse med fluide, karbonholdige brennstoffer. Blant slike brennstoffer kan nevnes mettede hydrokarboner som metan, etan, butan; umettede hydrokarboner som f. eks. cykloheksen, acetylen og hydroksylerte hydrokarboner som f. eks. metanol, etanol, etylenglykol.
Den vedføyde tegning viser skjematisk en enkel forbrenningscelle i hvilken det benyttes en anode i henhold til den foreliggende oppfinnelse; cellen har en be-holder 21, en katode 22 og en anode 23. Katoden 22 og anoden 23 er innbyrdes for-bundet gjennom ledninger 25 og 24 og mot-standsinnretninger 26, som kan bestå av en hvilken som helst innretning for ut-nyttelse av elektrisk strøm, eller bare ut-gjøre en forlengelse av ledningene 25 og 24. Beholderen 21 kan bestå av glass, kera-misk materiale, polypropylen, hårdkaut-sjuk, metall eller annet egnet materiale. Beholderen 21 danner et elektrolyttrom som her er vist i udekket tilstand, selv om det i praksis som regel vil være dekket. Katoden 22 og anoden 23 kan bestå av en hul, porøs sylinder av metallplater eller
-gittere, av ikke-ledere som er blitt belagt med metall, av karbonplater eller andre egnede former av ledende materiale. Anoden 23 er belagt med en katalysator som inneholder en hovedmengde av platina og en mindre mengde av rhenium, fortrinnsvis fra 10—40 vektspst. rhenium. Katoden kan være impregnert med en egnet metall-katalysator. Elektrolyttrommet som dannes av beholderen 21 er ved en ione-permeabel membran 27 delt i et katolyttrom 30 og et anolyttrom 31. Membranen 27 er ikke av vesentlig betydning for cellen. Membranen 27 kan utgjøres av en hvilken som helst av
de kjente, ione-permeable membraner, f. eks. de som er beskrevet i U.S. patent nr. 2 913 511.
Hvis katoden 22 og anoden 23 er. po-røse karbonsylindere, blir et fluid oksyderingsmiddel, f. eks. luft, oksygen, klor til-ført til det indre av katoden 22 gjennom ledningen 28, og et fluid brennstoff, f. eks. etan, cykloheksen, metanol, tilføres i gass-form gjennom ledningen 29 til det indre av anoden 23. Hvis anoden og katoden ikke består av hule, porøse karbonsylindere, blir et fluid oksyderingsmiddel, f. eks. luft, oksygen, klor, nitrogendioksyd, tilført til katolyttrommet gjennom ledningen 32, og et fluid brennstoff, f. eks. etan, propan, acetylen, alkohol, cykloheksen, osv. tilføres til anolyttrommet gjennom ledningen 33.
De følgende eksempler belyser oppfinnelsen, uten å begrense den.
Eksempel 1.
En sylindrisk elektrode av porøst karbon ble impregnert med en katalysator i henhold til denne oppfinnelse på den føl-gende måte: Sylinderen ble først dyppet i en vandig oppløsning av en blanding av 10 pst. rheniumheptoksyd og 90 pst. klorplatinasyre, i ca. 4 timer. Deretter ble karbonmassen tørket ved å opphetes til ca. 105°C. Derpå ble karbonmassen opphetet sammen med CO i 3 timer ved 425°C. Deretter ble karbonmassen opphetet sammen med hydrogen ved 870°C i 3 timer for å redusere metallionene i forbindelsene til de frie metaller rhenium og platina.
Eksempel 2.
Elektroder i henhold til den foreliggende oppfinnelse og elektroder, som var
forsynt med påføring av edelmetallkata-lysatorer, ble testet i en forbrenningscelle,
i hvilken det ble anvendt 30 vektspst. svo-velsyre ved atmosfærisk trykk. Cellen ble
drevet ved en temperatur mellom ca. 77
og 82°C. Oksygenelektroden (katoden) var
i hvert enkelt tilfelle en porøs karbonsy-linder som var impregnert med en platina-holdig katalysator og det benyttede oksy-dasjonsmiddel var molekylært oksygen. Det anvendte brensel var etan, som i form av damp ble ledet inn i en porøs, hul kar-bonsylinderanode. Sammenligning av virkningen av Pt-Rh-katalysatoren og av den kjente edelmetallkatalysator er angitt i den følgende tabell:
Strekene betegner at ingen aktivitet
forefinnes. Rhenium kan ha aktivitet når
det først er blitt dannet, men virkningen
avtar meget hurtig.
Eksempel 3.
En Pt-Rh-elektrode i henhold til oppfinnelsen ble testet i en forbrenningscelle, i hvilken det ble benyttet forskjellige karbonholdige brennstoffer. Resultatene er angitt i den følgende tabell:

Claims (4)

1. Katalytisk elektrode for bruk i
brenselceller omfattende en elektroledende bærer og et metallbelegg, karakterisert ved at metallbelegget består av en platina-rhenium blanding hvori platina er tilstede i en mengde fra 90 til 60 pst. og rhenium er tilstede i en mengde fra 10 til 40 pst.
2. Fremgangsmåte til fremstilling av katalytisk elektrode for brenselcelle som angitt i påstand 1, omfattende en metall-belagt elektroledende bærer, karakterisert ved at den elektroledende bærer først behandles med en vandig oppløs-ning inneholdende klorplatinasyre og rhe- nium-héptoksyd tilstede i en mengde på 90 til 60 pst. klorplatinasyre og 10 til 40 pst. rheniumheptoksyd, hvoretter den således behandlede bærer oppvarmes i karbonmonoksyd i 2 til 6 timer ved 315—480°C hvoretter bæreren oppvarmes i hydrogen i 2—5 timer ved 760—980°C.
3. Fremgangsmåte ifølge påstand 2, karakterisert ved at den behandlede bærer oppvarmes i karbonmonoksyd i 3 timer ved 425°C.
4. Fremgangsmåte ifølge påstand 2, karakterisert ved at den behandlede bærer oppvarmes i hydrogen i 3 timer ved 870°C. Anførte publikasjoner:
NO821682A 1981-05-22 1982-05-19 Anordning ved nivaamaaler. NO150532C (no)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO821682A NO150532C (no) 1981-05-22 1982-05-19 Anordning ved nivaamaaler.
JP57501536A JPS58500869A (ja) 1981-05-22 1982-05-21 レベル測定装置
US06/463,885 US4535628A (en) 1981-05-22 1982-05-21 Apparatus for level measurements
EP82901544A EP0079355A1 (en) 1981-05-22 1982-05-21 An apparatus for level measurements
PCT/NO1982/000028 WO1982004122A1 (en) 1981-05-22 1982-05-21 An apparatus for level measurements
DK0215/83A DK21583D0 (da) 1981-05-22 1983-01-20 Apparat til niveaumalinger
FI830194A FI71197C (fi) 1981-05-22 1983-01-20 Anordning foer nivaomaetningar

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO811752A NO149331C (no) 1981-05-22 1981-05-22 Anordning ved maaling av akustiske transmisjonsegenskaper av minst et maalemedium, f.eks. for maaling av nivaaer av maalemediet
NO821682A NO150532C (no) 1981-05-22 1982-05-19 Anordning ved nivaamaaler.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO821682L NO821682L (no) 1982-11-23
NO150532B true NO150532B (no) 1984-07-23
NO150532C NO150532C (no) 1984-10-31

Family

ID=26647770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO821682A NO150532C (no) 1981-05-22 1982-05-19 Anordning ved nivaamaaler.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4535628A (no)
EP (1) EP0079355A1 (no)
JP (1) JPS58500869A (no)
DK (1) DK21583D0 (no)
FI (1) FI71197C (no)
NO (1) NO150532C (no)
WO (1) WO1982004122A1 (no)

Families Citing this family (183)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623264A (en) * 1985-04-26 1986-11-18 Southland Corporation Temperature sensing using ultrasonic system and movable target
GB8520793D0 (en) * 1985-08-20 1985-09-25 Formula Systems Ltd Liquid level responsive apparatus
NL8602189A (nl) * 1986-08-28 1988-03-16 Shell Int Research Werkwijze en inrichting voor het detecteren van het fluidumniveau in een te vullen reservoir.
US4811595A (en) * 1987-04-06 1989-03-14 Applied Acoustic Research, Inc. System for monitoring fluent material within a container
NL8801836A (nl) * 1988-07-20 1990-02-16 Enraf Nonius Delft Inrichting voor het bepalen van het niveau van het grensvlak tussen een eerste en een tweede medium in een reservoir.
BE1002682A3 (nl) * 1988-12-29 1991-04-30 B & R Internat Werkwijze en inrichting voor het meten van ten minste een parameter van een vloeistof in een tank.
AU1430792A (en) * 1991-04-11 1992-11-17 Jean-Baptiste Menut Ultrasonic detector, detection method for liquid media and ultrasonic transmitter control method
AU2369192A (en) * 1991-07-25 1993-02-23 Whitaker Corporation, The Liquid level sensor
CN1045658C (zh) * 1991-07-29 1999-10-13 基·雷/森索尔有限公司 带有自动自测功能的探测方法及其超声探测器
US5428984A (en) * 1993-08-30 1995-07-04 Kay-Ray/Sensall, Inc. Self test apparatus for ultrasonic sensor
DK21095A (da) * 1995-03-01 1996-09-02 Unitor Denmark As Fremgangsmåde og apparat til måling og indikering af væskestanden i en beholder
FI97829C (fi) * 1995-06-07 1997-02-25 Acutest Oy Mittausmenetelmä ja -laitteisto rajapintojen määrittämiseksi
GB9518151D0 (en) 1995-09-06 1995-11-08 Amp Great Britain Interchangeable vessel Having a Level Sensor Therewith
DE19718965C2 (de) * 1997-05-05 2001-04-19 Endress Hauser Gmbh Co Verfahren und Anordnung zur Überwachung eines vorbestimmten Füllstands in einem Behälter
DE10009019C1 (de) * 2000-02-25 2001-08-30 Hartmut Siegel Vorrichtung zur Inhaltsüberprüfung von Behältern
GB0722256D0 (en) 2007-11-13 2007-12-27 Johnson Matthey Plc Level measurement system
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) * 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7377580B1 (ja) * 2022-11-10 2023-11-10 康楽株式会社 圧電板fpcモジュールと超音波液位センサプローブ

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB829741A (en) * 1955-12-23 1960-03-09 Heem V D Nv A method and device for measuring small distances, especially the liquid level in liquid tanks
FR1235054A (fr) * 1959-09-10 1960-07-01 Fr D Automation Soc Indicateur de niveau par faisceau d'ondes ultrasonores
US3213438A (en) * 1962-01-11 1965-10-19 Gen Motors Corp Feedback controlled sonic liquid detector
US3326042A (en) * 1964-12-30 1967-06-20 John D Ross Ultrasonic liquid level indicator
GB1194694A (en) * 1966-07-18 1970-06-10 Nat Sonics Corp Ultrasonic Liquid/Fluid Interface Locating Apparatus and Method
US3456715A (en) * 1966-08-16 1969-07-22 Gen Dynamics Corp Apparatus for the measurement of levels of high temperature materials
GB1361052A (en) * 1971-07-09 1974-07-24 Radun Controls Ltd Transducer devices
US3838593A (en) * 1972-11-06 1974-10-01 Exxon Research Engineering Co Acoustic leak location and detection system
NO141967C (no) * 1973-04-05 1980-06-11 Bjoern R Hope Apparat for nivaamaaling av frittflytende stoffer, faste stoffer eller kombinasjon av disse i tanker, beholdere, basseng eller lignende
US3969941A (en) * 1973-11-08 1976-07-20 E. Rapp Electronik Gmbh Level detector for liquids and other flowable masses
CH627840A5 (en) * 1975-07-11 1982-01-29 Vnii K Tsvetmetavtomatika Method and device for monitoring the position of gas/liquid and liquid/liquid interfaces of media in a container
US4123753A (en) * 1976-09-29 1978-10-31 Marine Moisture Control Company, Inc. Ullage measuring device
US4229798A (en) * 1978-01-30 1980-10-21 Alistair Francis McDermott Liquid storage tank contents gauge
US4182177A (en) * 1978-05-19 1980-01-08 Kamyr, Incorporated Sound emission level detection
US4212201A (en) * 1978-08-23 1980-07-15 Shell Oil Company Ultrasonic sensor
DE2911216A1 (de) * 1979-03-22 1980-10-02 Heinrichs Messgeraete Josef Fluessigkeitsstandanzeiger o.dgl.
US4403508A (en) * 1981-06-10 1983-09-13 Langlois Gary N Locating interfaces in vertically-layered materials and determining concentrations in mixed materials utilizing acoustic impedance measurements

Also Published As

Publication number Publication date
DK21583A (da) 1983-01-20
JPS58500869A (ja) 1983-05-26
DK21583D0 (da) 1983-01-20
NO821682L (no) 1982-11-23
US4535628A (en) 1985-08-20
FI830194L (fi) 1983-01-20
EP0079355A1 (en) 1983-05-25
WO1982004122A1 (en) 1982-11-25
FI71197B (fi) 1986-08-14
FI830194A0 (fi) 1983-01-20
NO150532C (no) 1984-10-31
FI71197C (fi) 1986-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO150532B (no) Anordning ved nivaamaaler
US3291753A (en) Catalyst preparation
US4426269A (en) Method of stabilizing electrodes coated with mixed oxide electrocatalysts during use in electrochemical cells
US3287171A (en) Platinum-rhenium anodic oxidation catalyst
US3492164A (en) Fuel cell electrode
US3239382A (en) Fuel cell catalysts
US4397730A (en) Electrolytic cells with alkaline electrolytes containing trifluoromethylane sulfonic acid
US4585532A (en) Method for using anodes having NiCo2 O4 catalyst for the electrolysis of potassium hydroxide solutions and method of making an anode containing NiCo2 O4 catalyst
US6733639B2 (en) Electrode
KR100551329B1 (ko) 가스 확산 전극 및 그 제조방법, 그리고 가스 확산 전극을 포함하는 전해 전지
Jaccaud et al. New chlor-alkali activated cathodes
US4214970A (en) Novel electrocatalytic electrodes
RU93804U1 (ru) Электрохимическая ячейка для получения водорода
Chang et al. An investigation of thermally prepared electrodes for oxygen reduction in alkaline solution
US3196050A (en) Method of preparing a catalyst impregnated carbon electrode
US3198667A (en) Method of impregnating porous electrode with catalyst
KR890002700B1 (ko) 전해조용 전극 및 그 제조방법과 이를 이용한 전해조
US3231428A (en) Fuel cell with catalytic electrodes
Melder et al. Tuning electrocatalytic water oxidation by MnO x through the incorporation of abundant metal cations
US3615840A (en) Fuel cell and fuel cell electrode comprising a sulfurated compound of tungsten and oxygen
US3262817A (en) Electrochemical cell electrodes
JPH045493B2 (no)
US3507701A (en) Process of using fuel cell including tungsten oxide catalyst
US3796647A (en) Apparatus for hydrogen production
US3287172A (en) Electrode and method for preparation thereof