MXPA05010302A

MXPA05010302A - Metodo y dispositivo para proteger moduladores interferometricos contra descarga electroestatica.

Info

Publication number: MXPA05010302A
Application number: MXPA05010302A
Authority: MX
Inventors: Philip D Floyd
Original assignee: Idc Llc
Priority date: 2004-09-27
Filing date: 2005-09-26
Publication date: 2006-04-18
Also published as: US7405861B2; AU2005211605A1; TW200628391A; KR20060092922A; SG121169A1; RU2005129927A; EP1640321A2; BRPI0503947A; TWI353333B; JP2006095682A; US7951634B2; EP1640321A3; CA2520622A1; US20080268620A1; US20060077504A1

Abstract

Un dispositivo de MEMS tal como un modulador interferometrico incluye un elemento de proteccion contra ESD integrado con capacidad para desviar a tierra un exceso de corriente portada por un conductor electrico en el dispositivo de MEMS. El elemento de proteccion puede ser un diodo y se puede formar depositando una pluralidad de capas de semi-conductor impurificado sobre el substrato en el cual se forma el dispositivo de MEMS.

Description

METODO Y DISPOSITIVO PARA PROTEGER MODULADORES INTERFEROMETRICOS CONTRA DESCARGA ELECTROESTÁTICA CAMPO DE LA INVENCION El campo de la invención se refiere a sistemas micro-electromecánicos (ME S) .

ANTECEDENTES DE LA INVENCION Los sistemas micro-electromecánicos (MEMS) incluyen elementos micro-mecánicos, servomotores, y componentes electrónicos. Los elementos micro-mecánicos se pueden crear utilizando procedimientos de deposición, grabado químico y otros procedimientos de micro-maquinado que ataquen químicamente y separen partes de los substratos y/o capas de material depositado o que agreguen capas para formar dispositivos eléctricos y electromecánicos. Un tipo de dispositivo de MEMS se denomina un modulador interferométrico . Un modulador interferométrico puede comprender un par de placas conductoras, de las cuales una o ambas pueden ser transparentes y/o reflectantes en su totalidad o en parte y con capacidad de movimiento relativo después que se aplica una señal eléctrica apropiada. Una placa puede comprender una capa estacionaria depositada sobre un substrato, la otra placa puede comprender una membrana metálica separada de la capa estacionaria por un espacio de aire. Dichos dispositivos tienen una amplia gama de aplicaciones, y podría ser benéfico en la técnica utilizar y/o modificar las características de estos tipos de dispositivos de modo tal que se puedan explotar sus características para mejorar productos existentes y crear productos novedosos que aún no se desarrollan.

BREVE DESCRIPCION DE LA INVENCION El sistema, método, y dispositivos descritos en la presente invención tienen cada uno varios aspectos, ni uno solo de los cuales es el único responsable de sus atributos deseables. Sin limitar el campo de esta invención, sus características más prominentes se discuten brevemente a continuación. Después de considerar esta discusión, y en particular después de leer la sección titulada "Descripción Detallada de las Modalidades Preferidas" se entenderá la manera en la cual las diversas modalidades descritas en la presente invención proveen ventajas sobre otros métodos y dispositivos de despliegue. Una modalidad provee un dispositivo de MEMS que incluye un elemento movible, un conductor eléctrico configurado para llevar una corriente de accionamiento que sea efectiva para accionar al elemento movible, y un elemento de protección unido en forma operable al conductor eléctrico. El elemento de protección está configurado para disipar por lo menos parcialmente a tierra una corriente en exceso portada por el conductor eléctrico. El elemento movible, el conductor eléctrico y el elemento de protección están integrados sobre un substrato. Otra modalidad provee un dispositivo de MEMS que incluye medios para accionar un elemento movible y medios para proteger los medios de accionamiento contra un exceso de corriente. Los medios de accionamiento y los medios protectores están integrados sobre un substrato. Otra modalidad provee un modulador interferométrico que incluye un electrodo integrado con un substrato y configurado para portar una corriente de accionamiento, y un elemento de protección conectado al electrodo y configurado para desviar por lo menos parcialmente a tierra un exceso de corriente portada por el electrodo. El elemento de protección está integrado con el substrato. Otra modalidad provee un dispositivo de despliegue que incluye un substrato, una pluralidad de moduladores interferométricos formados sobre el substrato, y una pluralidad de elementos de protección integrados con la pluralidad de moduladores interferométricos sobre el substrato. La pluralidad de elementos de protección están conectados eléctricamente para proteger por lo menos parcialmente a la pluralidad de moduladores interferométricos contra una descarga electroestática. Otra modalidad provee un método para elaborar un dispositivo de modulador interferométrico que incluye depositar una primera capa de electrodo sobre un substrato, depositar una capa de sacrificio sobre la primera capa de electrodo, y depositar una segunda capa de electrodo sobre la capa de sacrificio. El método también incluye depositar una pluralidad de capas de semi-conductor impurificado sobre el substrato y formar un plano de tierra sobre el substrato. El plano de tierra y la pluralidad de capas de semi-conductor impurificado están configuradas para desviar a tierra una corriente en exceso portada por lo menos una de la primera capa de electrodo y la segunda capa de electrodo . Estas y otras modalidades se describen con mayor detalle más adelante.

BREVE DESCRIPCION DE IAS FIGURAS A continuación se describen estos y otros aspectos de esta invención con referencia a las figuras de modalidades preferidas (no a escala) las cuales pretenden ilustrar y no limitar la invención La figura 1 es una vista isométrica que muestra una porción de una modalidad de una pantalla de modulador interferométrico en la cual una capa reflectante movible de un primer modulador interferométrico está en una posición relajada y una capa reflectante movible de un segundo modulador interferométrico está en una posición accionada. La figura 2 es un diagrama de bloques de sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que incorpora una pantalla de modulador interferométrico 3 x 3. La figura 3 es un diagrama de posición de espejo movible contra voltaje aplicado para una modalidad de ejemplo de un modulador interferométrico de la figura 1. La figura 4 es una ilustración de un conjunto de voltajes de hilera y columna que se pueden utilizar para excitar una pantalla de modulador interferométrico . La figura 5A ilustra un cuadro de ejemplo de datos de despliegue en la pantalla de modulador interferométrico 3 x 3 de la figura 2. La figura 5B ilustra un cronograma de ejemplo para señales de hilera y columna que puede utilizarse para escribir el cuadro de la figura 5A. La figura 6A es una sección transversal del dispositivo de la figura 1. La figura 6B es una sección transversal de una modalidad alternativa de un modulador interferométrico. La figura 6C es una sección transversal de otra modalidad alternativa de un modulador interferométrico. La figura 7 es una vista en planta esquemática de un arreglo de dispositivos de modulador interferométrico, las conexiones de hilera y columna correspondientes, y los elementos de protección electroestática de ejemplo. La figura 8 es una vista en sección lateral de una modalidad de un elemento de protección. La figura 9 es una vista en sección lateral de una modalidad alternativa de un elemento de protección. La figura 10 es una vista en sección lateral de una modalidad de un dispositivo de modulador interferométrico individual de un arreglo de dispositivos de modulador interferométrico con un elemento de protección integrado . La figura 11 es una vista en sección lateral de una modalidad complementaria de un dispositivo de modulador interferométrico individual de un arreglo de dispositivos de modulador interferométrico con un elemento de protección integrado . La figura 12? es un diagrama de circuito de diodo Zener estándar y la figura 12B es una vista en sección lateral de una modalidad de un elemento de protección de ESD de diodo Zener estándar correspondiente.

La figura 13A es un diagrama de circuito de diodo Zener de baja capacitancia y la figura 13B es una vista en sección lateral de una modalidad de un elemento de protección ESD de diodo Zener de baja capacitancia correspondiente. La figura 14A es un diagrama de circuito de diodo Zener simétrico y la figura 14B es una vista en sección lateral de una modalidad de un elemento de protección ESD de diodo Zener simétrico correspondiente. La figura 15A es un diagrama de circuito de diodo Zener espalda a espalda y la figura 15B es una vista en sección lateral de una modalidad de un elemento de protección contra ESD de diodo Zener espalda a espalda correspondiente . La figura 16A es un diagrama de circuito de diodo simétrico de baja capacitancia y la figura 16B es una vista en sección lateral de una modalidad de un elemento de protección contra ESD de diodo simétrico de baja capacitancia correspondiente. Las figuras 17A-17G ilustran aspectos de una modalidad de un procedimiento para elaborar al modulador interferométrico integrado mostrado en la figura 10. Las figuras 18A y 18B son diagramas de bloque de sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de despliegue visual que comprende una pluralidad de moduladores interferométricos .

DESCRIPCION DETALLADA DE LAS MODALIDADES PREFERIDAS Una modalidad preferida es un modulador interferométrico con un elemento de protección contra descarga electroestática (ESD) integrado. El elemento de protección puede ser un diodo tal como un diodo Zener de oposición, un diodo Zener estándar, un diodo Zener de baja capacitancia, diodo Zener simétrico y diodo simétrico de baja capacitancia. El elemento de protección integrado se puede formar depositando capas de semi-conductor impurificado configuradas de manera apropiada sobre el substrato de modulador interferométrico . La siguiente descripción detallada está dirigida a algunas modalidades especificas de la invención. Sin embargo, la invención se puede modalizar en una multitud de maneras diferentes. En esta descripción, se hace referencia a las figuras en las cuales partes similares están designadas con números similares a lo largo de la misma. Como será evidente a partir de la siguiente descripción, la invención se puede implementar en cualquier dispositivo que esté configurado para desplegar una imagen, ya sea en movimiento (por ejemplo, video) o estacionaria (por ejemplo, imagen fija) , y ya sea textual o gráfica. De manera más particular, se contempla que la invención se puede implementar en, o estar asociada con, una variedad de dispositivos electrónicos tales como, pero sin limitarse a, teléfonos móviles, dispositivos inalámbricos, asistentes de datos personales (PDA) , computadoras de mano o portátiles, receptores/navegadores de GPS, cámaras, reproductores de MP3, cámaras de video, consolas de juegos, relojes de pulsera, relojes, calculadoras, monitores de televisión, pantallas de panel plano, monitores de computadora, indicadores de automóvil (por ejemplo, indicador del odómetro, etc) , controles y/o indicadores de la cabina del piloto, pantalla de visores de cámara (por ejemplo, pantalla de una cámara retrovisora en un vehículo) , fotografías electrónicas, carteleras o anuncios electrónicos, proyectores, estructuras arquitectónicas, empacado, y estructuras estéticas (por ejemplo despliegue de imágenes en una pieza de joyería) . También se pueden utilizar dispositivos MEMS de estructura similar a aquellos descritos en la presente invención en aplicaciones sin pantalla tales como en dispositivos de conmutación electrónica . En la figura 1 se ilustra una modalidad de pantalla de modulador interferométrico que comprende un elemento de pantalla de MEMS interferométrico . En estos dispositivos, los pixeles pueden estar en estado brillante u oscuro. En el estado brillante ("encendido" o "abierto"), el elemento de pantalla refleja una porción grande de luz visible incidente a un usuario. Cuando está en estado oscuro ("apagado" o "cerrado") , el elemento de pantalla refleja poca luz visible incidente hacia el usuario. Dependiendo de la modalidad, pueden estar invertidas las propiedades de reflectancia de luz de los estados "encendido" y "apagado". Los pixeles de MEMS pueden estar configurados para reflejar en forma predominante en colores seleccionados, lo que permite una pantalla a colores además de blanco y negro. La figura 1 es una vista isométrica que muestra dos pixeles adyacentes en una serie de pixeles de una pantalla visual, en la cual cada pixel comprende un modulador interferométrico de MEMS. En algunas modalidades, una pantalla de modulador interferométrico comprende un arreglo de hilera/columna de estos moduladores interferométricos . Cada modulador interferométrico incluye un par de capas reflectantes posicionadas a una distancia variable y controlable una de la otra para formar una cavidad óptica resonante con por lo menos una dimensión variable. En una modalidad, una de las capas reflectantes se puede mover entre dos posiciones. En la primera posición, referida en la presente invención como el estado liberado, la capa movible se posiciona a una distancia relativamente grande desde una capa fija parcialmente reflectante. En la segunda posición, la capa movible se posiciona más de cerca adyacente a la capa parcialmente reflectante. La luz incidente que se refleja desde las dos capas interfiere de manera constructiva o destructiva dependiendo de la posición de la capa reflectante movible, produciendo ya sea un estado general reflectante o no reflectante para cada pixel. La porción representada del arreglo de pixel en la figura 1 incluye dos moduladores interferométricos adyacentes 12a y 12b. En el modulador interferométrico 12a a la izquierda, se ilustra una capa movible y altamente reflectante 14a en una posición liberada a una distancia predeterminada desde una capa parcialmente reflectante fija 16a. En el modulador interferométrico 12b a la derecha, la capa movible, altamente reflectante 14b se ilustra en una posición accionada adyacente a la capa parcialmente reflectante, fija 16b. Las capas fijas 16a, 16b son eléctricamente conductoras, parcialmente transparentes y parcialmente reflectantes, y se pueden fabricar, por ejemplo, depositando una o más capas de cada uno de cromo y óxido de indio-estaño sobre un substrato transparente 20. Las capas tienen patrones de bandas paralelas, y pueden formar electrodos de hilera en un dispositivo de despliegue como se describe más adelante. Las capas movibles 14a, 14b se pueden formar como una serie de bandas paralelas de una capa o capas de metal depositadas (ortogonales a los electrodos de hilera 16a, 16b) depositada sobre la parte superior de los postes 18 y un material intercalado de sacrificio depositado entre los postes 18. Cuando el material de sacrificio se elimina mediante ataque químico, las capas de metal deformables 14a, 14b se separan de las capas de metal fijas por un espacio 19 definido. Se puede utilizar un material altamente conductor y reflectante tal como aluminio para las capas deformables, y estas bandas pueden formar electrodos de columna en un dispositivo de despliegue. Sin voltaje aplicado, la cavidad 19 permanece entre las capas 14a, 16a y la capa deformable está en un estado mecánicamente relajado como se ilustra mediante el pixel 12a en la figura 1. Sin embargo, cuando se aplica una diferencia de potencial a una hilera y columna seleccionadas, se carga el capacitor formado en la intersección de los electrodos de hilera y columna en el pixel correspondiente, y las fuerzas electroestáticas jalan los electrodos juntos. Si el voltaje es lo suficientemente alto, la capa movible se deforma y es empujada contra la capa fija (se puede depositar sobre la capa fija un material dieléctrico, que no se ilustra en esta figura, para evitar el corto circuito y controlar la distancia de separación) como se ilustra mediante el pixel 12b a la derecha en la figura 1. El comportamiento es el mismo sin tomar en cuenta la polaridad de la diferencia de potencial aplicado. De esta manera, el accionamiento de hilera/columna que puede controlar los estados de pixel reflectante contra no reflectante es análogo en muchas maneras al utilizado en las tecnologías de LCD convencionales y otras pantallas. Las figuras 2 a 5B ilustran un procedimiento y sistema de ejemplo para utilizar un arreglo de moduladores interferométricos en una aplicación de pantalla. La figura 2 es un diagrama de bloques de sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que puede incorporar aspectos de la invención. En la modalidad de ejemplo, el dispositivo electrónico incluye un procesador 21 el cual puede ser cualquier microprocesador de uso general de un solo chip o de chips múltiples tal como un microprocesador ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, un 8051, un MIPS®, un Power PC®, un ALPHA®, o cualquier microprocesador para propósitos especiales tal como un procesador de señal digital, un microcontrolador, o un arreglo de compuerta programable. Como se acostumbra en la técnica, el procesador 21 puede estar configurado para que ejecute uno o más módulos de software. Además de ejecutar un sistema operativo, el procesador puede estar configurado para que ejecute una o más aplicaciones de software, incluyendo un navegador de red, una aplicación telefónica, un programa de correo electrónico, o cualquier otra aplicación de software. En una modalidad, el procesador 21 también está configurado para que se comunique con un controlador de arreglo 22. En una modalidad, el controlador de arreglo 22 incluye un circuito excitador de hilera 24 y un circuito excitador de columna 26 que proveen señales a un arreglo de pixel 30. La sección transversal del arreglo ilustrado en la figura 1 se muestra mediante las lineas 1-1 en la figura 2. Para moduladores interferométricos de MEMS, el protocolo de accionamiento de hilera/columna puede tomar ventaja de una propiedad de hxstéresis de estos dispositivos ilustrada en la figura 3. Este podría requerir, por ejemplo, una diferencia de potencial de 10 voltios para hacer que una capa movible se deforme desde el estado liberado hasta el estado accionado. Sin embargo, cuando el voltaje se reduce desde aquel valor, la capa movible mantiene su estado a medida que el voltaje cae de regreso por debajo de 10 voltios. En la modalidad de ejemplo de la figura 3, la capa movible no se libera completamente hasta que el voltaje cae por debajo de 2 voltios. Por lo tanto, existe un intervalo de voltaje, aproximadamente 3 a 7 voltios en el ejemplo ilustrado en la figura 3, en el cual existe una ventana de voltaje aplicado dentro del cual el dispositivo es estable en cualquiera de los estados liberado o accionado. Esto se conoce en la presente invención como la "ventana de histéresis" o "ventana de estabilidad". Para un arreglo de pantalla que tiene las características de histéresis de la figura 3, el protocolo de accionamiento de hilera/columna se puede diseñar de manera tal que durante la aplicación de pulsos de hilera, los pixeles en la hilera pulsada que se van a accionar se exponen a una diferencia de voltaje de aproximadamente 10 voltios, y los pixeles que se van a liberar se exponen a una diferencia de voltaje cercana a cero voltios. Después del pulso, los pixeles quedan expuestos a una diferencia de voltaje en estado constante de 5 voltios aproximadamente, de modo tal que estos permanecen en cualquier estado en el que la aplicación de pulso de hilera los coloque. Después que se escribe, cada pixel observa una diferencia de potencial dentro de la "ventana de estabilidad" de 3-7 voltios en este ejemplo. Esta característica hace que el diseño de pixel ilustrado en la figura 1 sea estable bajo las mismas condiciones de voltaje aplicado en cualquiera del estado accionado o liberado preexistente. Debido a que cada pixel del modulador interferométrico, ya sea en estado accionado o liberado, es esencialmente un capacitor formado por las capas reflectantes fija y movible, este estado estable se puede mantener a un voltaje dentro de la ventana de histéresis casi sin disipación de energía. Esencialmente no fluye corriente hacia el pixel si el potencial aplicado es fijo. En aplicaciones típicas, se puede crear un cuadro de despliegue reafirmando el conjunto de electrodos de columna de conformidad con el conjunto deseado de pixeles accionados en la primera hilera. Después se aplica un pulso de hilera al electrodo de la hilera 1, accionando los pixeles correspondientes a las líneas de columna reafirmadas. El conjunto reafirmado de electrodos de columna se cambia después para que corresponda con el conjunto deseado de pixeles accionados en la segunda hilera. Después se aplica un pulso al electrodo de la hilera 2, accionando los pixeles apropiados en la hilera 2 de conformidad con los electrodos de columna reafirmados. Los pixeles de la hilera 1 no se ven afectados por el pulso de hilera 2, y permanecen en el estado en el cual estos se fijan durante el pulso de hilera 1. Esto se puede repetir para la serie completa de hileras en un modo secuencial para producir el cuadro. En general, los cuadros se renuevan y/o actualizan con nuevos datos de despliegue repitiendo continuamente este procedimiento en algún número deseado de cuadros por segundo. También se conoce y se puede utilizar una amplia variedad de protocolos para excitar electrodos de hilera y columna de arreglos de pixeles para producir cuadros de despliegue en conjunto con la presente invención. Las figuras 4, 5?, y 5B ilustran un posible protocolo de accionamiento para crear un cuadro de despliegue en el arreglo 3x3 de la figura 2. La figura 4 ilustra un posible conjunto de niveles de voltaje de columna e hilera que se puede utilizar para pixeles que presentan las curvas de histéresis de la figura 3. En la modalidad de la figura 4, el accionamiento de un pixel puede implicar ajustar la columna apropiada a -Vpoiarización, y la hilera apropiada a +??, lo cual puede corresponder a -5 voltios y a +5 voltios respectivamente. La liberación del pixel se puede lograr fijando la columna apropiada a "•"^polarización* y la hilera apropiada al mismo +??, lo que produce una diferencia de potencial de cero voltios a través del pixel. En aquellas hileras en las cuales el voltaje de hilera se mantiene en cero voltios, los pixeles son estables en cualquier estado en el que estos originalmente estaban, sin tomar en cuenta si la columna está en +Vp0larizaciónf ~Vpolarización ¦ La figura 5B es un cronograma que muestra una serie de señales de hilera y columna aplicadas al arreglo 3x3 de la figura 2, lo cual da como resultado el arreglo de pantalla ilustrado en la figura 5?, en el cual los pixeles accionados son no reflectantes. Antes de escribir el cuadro ilustrado en la figura 5?, los pixeles pueden estar en cualquier estado, y en este ejemplo, todas las hileras están a 0 voltios, y todas las columnas están a +5 voltios. Con estos voltajes aplicados, todos los pixeles son estables en sus estados accionado o liberado existentes. En el cuadro de la figura 5A, se accionan los pixeles (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) y (3,3). Para lograr esto, durante un "tiempo de linea" para la hilera 1, las columnas 1 y 2 se fijan a -5 voltios, y la columna 3 se ajusta a +5 voltios. Esto no cambia el estado de ninguno de los pixeles, debido a que todos los pixeles permanecen en la ventana de estabilidad de 3-7 voltios. La hilera 1 se pulsa después con un pulso que va desde 0, hasta 5 voltios, y de regreso a cero. Esto acciona los pixeles (1,1) y (1,2) y libera el pixel (1,3). En el arreglo no se ve afectado ninguno de los otros pixeles. Para ajusfar la hilera 2 según se desee, la columna 2 se ajusta a -5 voltios, y las columnas 1 y 3 se ajustan a +5 voltios. El mismo pulso aplicado a la hilera 2 acciona después el pixel (2,2) y libera los pixeles (2,1) y (2,3) . De nuevo, no se ve afectado ninguno de los otros pixeles del arreglo. La hilera 3 se configura de manera similar fijando las columnas 2 y 3 a -5 voltios, y la columna 1 a +5 voltios.

El pulso de la hilera 3 fija los pixeles de la hilera 3 como se muestra en la figura 5?. Después de escribir el cuadro, los potenciales de hilera son cero, y los potenciales de columna pueden permanecer ya sea en +5 o en -5 voltios, y la pantalla queda entonces estable en el arreglo de la figura 5A. Se apreciará que se puede utilizar el mismo procedimiento para arreglos de docenas o cientos de hileras y columnas. También se apreciará que se pueden variar ampliamente la temporizacion, secuencia y niveles de voltajes utilizados para efectuar el accionamiento de hilera y columna dentro de los principios generales señalados anteriormente, y que el ejemplo anterior es únicamente para ejemplo, y que se puede utilizar cualquier método de accionamiento de voltaje con los sistemas y métodos descritos en la presente invención. Los detalles de la estructura de moduladores interferométricos que funcionan de conformidad con los principios indicados anteriormente pueden variar ampliamente. Por ejemplo, las figuras 6A-6C ilustran tres modalidades diferentes de la estructura de espejo movible. La figura 6A es una sección transversal de la modalidad de la figura 1, en la cual se deposita una banda de material metálico 14 sobre soportes 18 que se extienden ortogonalmente . En la figura 6B, el material reflectante movible 14 está unido a soportes únicamente en las esquinas, sobre los fijadores 32. En la figura 6C, el material reflectante movible 14 está suspendido de una capa deformable 34. Esta modalidad tiene beneficios debido a que se pueden optimizar el diseño estructural y los materiales utilizados para el material reflectante 14 con respecto a las propiedades ópticas, y se pueden optimizar el diseño y materiales estructurales utilizados para la capa deformable 34 con respecto a las propiedades mecánicas deseadas. La producción de diversos tipos de dispositivos interferométricos se describe en una variedad de documentos publicados, incluyendo, por ejemplo, la solicitud publicada E.U.A. 2004/0051929. Se puede utilizar una amplia variedad de técnicas conocidas para producir las estructuras antes descritas que implican una serie de pasos de deposición de material, aplicación de patrón y grabado químico. Los dispositivos de EMS (tales como los moduladores interferométricos) son vulnerables al daño proveniente de eventos de descarga electroestática (ESD) . ESD es la transferencia de carga entre dos materiales a potenciales eléctricos diferentes. Los materiales se pueden cargar electro-estáticamente en varias maneras. Por ejemplo, la carga electroestática se puede crear por el contacto y separación de dos materiales similares o disímiles, por ejemplo, una persona caminando a través del piso genera una carga electroestática a medida que las suelas del zapato entran en contacto y después se separan de la superficie del piso. También se puede crear una carga electroestática sobre un material en otras maneras tales como mediante inducción, bombardeo iónico, o contacto con otro objeto cargado. El potencial electroestático de un material electro-estáticamente cargado puede ser de varios miles de voltios. Un dispositivo de E S se puede cargar electro-estáticamente, por ejemplo, durante la fabricación, empacado, evaluación o uso, debido a que el dispositivo y/o conexiones metálicas hacen contacto o contactos y separaciones con diversas superficies. La transferencia de carga electroestática hacia o desde un dispositivo de MEMS es un ejemplo de un evento de ESD. La corriente eléctrica que fluye como resultado de un evento de ESD puede dañar un dispositivo de MEMS debido al tamaño relativamente pequeño del componente o componentes del dispositivo de MEMS y a los voltajes relativamente altos que pueden estar implicados. Por ejemplo, se puede diseñar un conductor eléctrico en un dispositivo de MEMS para que funcione a voltajes en el intervalo de 0.1 aproximadamente hasta 25 voltios aproximadamente. Un potencial electroestático de miles de voltios que resulte de un evento de ESD puede dar como resultado flujos de corriente en exceso que ocasionan, por ejemplo, fusión del metal, disociación de las juntas, y/o falla de óxido, lo que conduce al daño y/o falla del dispositivo. Tal como se utiliza en la presente invención, el término "exceso de corriente" se refiere a una cantidad de corriente eléctrica en un conductor eléctrico de un dispositivo de MEMS que está en exceso de la cantidad para la cual el conductor se diseñó para portar o una cantidad que ocasione o tenga el potencial de ocasionar daño a un dispositivo de MEMS que contenga o que esté unido al conductor eléctrico. El término "dispositivo de MEMS", incluye dispositivos de MEMS que están en el procedimiento de ser fabricados, empacados, evaluados y/o unidos a otros dispositivos, y por lo tanto incluye dispositivos de MEMS "no liberados" (es decir, con un material de sacrificio que ocupa la cavidad en la cual se adapta posteriormente el movimiento) y dispositivos de MEMS liberados parcialmente, asi como dispositivos de MEMS que han sido incorporados en otros productos o dispositivos. Por ejemplo, el término "modulador interferométrico" incluye tanto moduladores interferométricos funcionando asi como moduladores interferométricos no liberados. Una modalidad provee un dispositivo de MEMS que está por lo menos parcialmente protegido de un exceso de corriente (ocasionado por, por ejemplo, un evento de ESD) mediante un elemento de protección. El dispositivo de MEMS puede incluir un elemento movible y un conductor eléctrico configurado para portar una corriente de accionamiento que sea efectiva para accionar al elemento movible. El dispositivo de MEMS también puede incluir un elemento de protección unido en forma operable al conductor eléctrico y configurado para desviar por lo menos parcialmente a tierra una corriente en exceso portada por el conductor eléctrico. El elemento movible, conductor eléctrico y elemento de protección de preferencia están integrados sobre un substrato. Varios aspectos de una modalidad de dispositivo de MEMS se ilustran más adelante en el contexto de un modulador interferométrico . Sin embargo, se entenderá que estos aspectos se pueden aplicar a otras configuraciones de modulador interferométrico (tales como aquellas ilustradas en la figura 6) y también otros dispositivos de MEMS. La figura 7 es una ilustración en planta esquemática de un arreglo de modulador interferométrico 100 que comprende una pluralidad de dispositivos de modulador interferométrico 102 el cual en esta modalidad está dispuesto en un arreglo sustancialmente rectangular. La pluralidad de dispositivos de modulador interferométrico 102 están conectados entre si mediante las lineas de hilera 104 y las lineas de columna 106 correspondientes. Las lineas de columna e hilera 104, 106 son conductores eléctricos que se extienden en general a través del arreglo 100 en una orientación sobrepuesta de manera tal que cada dispositivo de modulador interferométrico 102 del arreglo 100 se pueda direccionar direccionando las lineas de hilera y columna 104, 106 que se intersectan correspondientes. El arreglo de modulador interferométrico 100 y los dispositivos de modulador interferométrico individuales 102 de los mismos pueden estar sujetos a daño o mal funcionamiento después de una exposición no deseada a una corriente en exceso tal como la ocasionada por un evento de ESD. Por consiguiente, el arreglo de modulador interferométrico 100 está provisto con una pluralidad de elementos de protección 110 que, en esta modalidad, se proveen a cada lado de las lineas de hilera y columna 104, 106 en una correspondencia uno a uno. En otras modalidades, sin embargo, una pluralidad de lineas de hilera y/o columna 104, 106 puede estar conectada en paralelo a un solo elemento de protección 110 e incluso en otras modalidades, se puede conectar una sola linea de hilera o columna 104, 106 a elementos de protección múltiples 110. Por lo tanto, la correspondencia uno a uno entre las lineas de hilera o columna 104, 106 y los elementos de protección 110 mostrado en la figura 7 es simplemente una modalidad particular. Los elementos de protección 110 se interconectan entre las lineas de hilera y columna 104, 106 correspondientes de tal manera que una corriente en exceso que aparezca en una linea de hilera o columna 104, 106 se desvie mediante un elemento de protección correspondiente 110 a tierra para reducir la probabilidad de daño o mal funcionamiento del dispositivo o dispositivos de modulador interferométrico correspondientes 102. La figura 7 ilustra los elementos de protección 110 con el carácter de circuito para un arreglo de diodo Zener de oposición. Sin embargo, se apreciará que esto es simplemente una modalidad particular de un elemento de protección 110 y que se pueden emplear como los elementos de protección 110, en otras modalidades, otros elementos de circuito, incluyendo diodos (por ejemplo, que funcionen bajo un mecanismo de interrupción en avalancha) fusibles, circuitos limitadores conmutados de manera activa, o similares. Los elementos de protección 110 pueden ser elementos de protección simétricos incluyendo, por ejemplo, los elementos de protección ilustrados en las figuras 14-16 y discutidos más adelante . La figura 8 ilustra una vista en sección lateral de un modalidad de un elemento de protección 110 con mayor detalle. En esta modalidad, un conductor eléctrico que corresponde genéricamente a cualquiera de la linea de hilera 104 o la linea de columna 106 está conectado a una capa de semi-conductor 112 de tipo n+ intensamente impurificado. Un estructura de cavidad de semi-conductor 114 de tipo p+ intensamente impurificado se implanta, deposita o de alguna otra manera se forma en una variedad de materias conocidas . Se forma una capa de semi-conductor 115 de tipo n+ intensamente impurificado y se conecta adicionalmente a una tierra de circuito 111. La capa de semi-conductor 115 de tipo n+ intensamente impurificado puede comprender el mismo material como el utilizado en la capa de semi-conductor 112 de tipo n+ intensamente impurificado o un material diferente. El semi-conductor 112 de tipo n+, el semi-conductor 114 de tipo p+ y el semi-conductor 115 de tipo n+ juntos definen una junta n-p-n que forma un circuito correspondiente a la modalidad de diodo 110 Zener de oposición ilustrada en la figura 7. Las capas semi-conductoras 112, 144, 115, de preferencia comprenden silicio amorfo depositada mediante deposición de vapor quimico incrementada por plasma ("PECVD") . La figura 9 ilustra una modalidad alternativa de un elemento de protección 110' que es similar en operación al elemento de protección 110 como se ilustra en la figura 8, pero con la diferencia que en vez que se forme el semi-conductor de tipo p+ como una estructura de cavidad dentro de la capa de semi-conductor 112 de tipo n+ como se muestra en la figura 8, en la modalidad de elemento de protección 110' de la figura 9, el semi-conductor 114' de tipo p+ se forma como una capa sobrepuesta sobre la capa 112' de semi-conductor de tipo n+. Una capa de semi-conductor 115' de tipo n+ intensamente impurificado se forma sobre la capa 114' y se conecta a la tierra de circuito 111. Por lo tanto, en una modalidad, las corrientes en exceso indeseables en las lineas de hilera o columna 104, 106 inducen una polarización inversa a las juntas n-p-n de los elementos de protección 110 y si es de magnitud suficiente inducirá una interrupción inversa de una junta p-n. La magnitud a la cual se presenta la interrupción inversa se puede seleccionar controlando la cantidad de impurificante en los semi-conductores 112, 114, 115 y el espesor de las capas. Típicamente, las concentraciones de impurificante p+ y n+ en las capas de semi-conductor de silicio amorfo 112, 114, 115 son de aproximadamente 1018 crrf 3 o mayores (átomos de impurificante por centímetro cúbico) y cada una de las capas 112, 114, 115 tiene un espesor en el intervalo de 500 Á aproximadamente hasta 5000 Á aproximadamente. La interrupción inversa típicamente es mediante un mecanismo Zener, mecanismo en avalancha y/o una combinación de los mismos. Los elementos de protección 110 permiten que una corriente de interrupción inversa relativamente grande se pueda conducir a través de los elementos de protección 110 en una manera que en muchas situaciones es no destructiva para los elementos de protección 110. Por lo tanto, en estas modalidades, dependiendo de la magnitud de la corriente en exceso indeseable experimentada por el arreglo de modulador interferométrico 100, los elementos de protección 110 pueden proveer protección para eventos de ECD múltiples. La figura 10 ilustra una vista en sección lateral de una modalidad particular de un dispositivo de modulador interferométrico 102 individual de un arreglo de moduladores interferométricos 100 que está provisto con un elemento de protección 110 integrado o incorporado. En esta modalidad, el dispositivo de modulador interferométrico 102 comprende un substrato 116 que sustancialmente es ópticamente transparente así como también provee soporte estructural para el arreglo de modulador interferométrico 100. Se forma una capa óptica 120 sobre el substrato 116. En esta modalidad, la capa óptica 120 comprende una capa de óxido de indio-estaño (ITO) y una capa de cromo. La capa óptica 120 funciona en una manera similar a la capa reflectante 16 en la figura 1 como se discutió anteriormente. La capa óptica 120 es un conductor eléctrico y es por lo menos parcialmente transparente desde el punto de vista óptico, y puede ser referido en la presente invención como un electrodo. Una capa dieléctrica 122 se forma sobre la capa óptica 120. Durante el funcionamiento, la capa dieléctrica 122 evita cortos eléctricos entre la capa óptica 120 y una capa mecánica/de espejo 126 movible. La capa mecánica/de espejos 126 está soportada sobre el substrato 116 mediante una pluralidad de postes 124 que se extienden verticalmente . La capa mecánica/de espejo 126 es un conductor eléctrico y es ópticamente reflectante, y se puede hacer referencia al mismo en la presente invención como un electrodo. La capa mecánica/de espejo 126 funciona en una manera similar a la capa reflectante 14 movible ilustrada en la figura 1 y discutida anteriormente. La capa mecánica/de espejo 126 junto con los postes de soporte 124 definen un espacio 130 en el espacio intersticial entre la capa mecánica/de espejo 126 y la capa dieléctrica 122. Durante la operación, la capa óptica 120 y la capa mecánica/de espejo 126 portan ambas una corriente de accionamiento que es efectiva para accionar la capa mecánica/de espejo 126 en una forma general descrita anteriormente con referencia a la figura 1. La figura 10 también muestra que el arreglo de modulador interferométrico 100 comprende también un elemento de protección integrado 110 dispuesto sobre el substrato 116. El elemento de protección 110 comprende una capa de semi-conductor 112 de tipo n+ depositada sobre la capa óptica 120, la capa semi-conductora 114 de tipo p+ depositada sobre la capa de semi-conductor 112 de tipo n+, y el semi-conductor 115 de tipo n+ depositada sobre la capa de semi-conductor 114 de tipo p+. Por lo tanto, las capas 112, 114, 115 forman un diodo Zener de oposición del tipo general ilustrado en la figura 9. El elemento de protección 110 está dispuesto cerca o en una orilla exterior o periferia del arreglo de modulador interferométrico 100 y sobre el substrato 116. El elemento de protección 110 está unido a un plano a tierra 132 que se forma sobre el semiconductor 115 de tipo n+ y conectado a una tierra de circuito (no mostrado) . El plano a tierra 132 es un conductor eléctrico y comprende un metal (aluminio en la modalidad ilustrada) . El elemento de protección 110 está conectado a la capa óptica 120 (un conductor eléctrico) y configurado de manera tal que las corrientes en exceso indeseables (por ejemplo eventos de ESD) que aparecen sobre la capa óptica 120 polaricen las juntas n-p-n definidas por el semi-conductor 115 de tipo n+, el semi-conductor 114 de tipo p+, y el semi-conductor 112 de tipo n+, lo que ocasiona una interrupción inversa de este arreglo n-p-n y desvian por lo menos parcialmente a tierra el exceso de corriente portada por la capa óptica 120. Esta invención no queda limitada por la teoría de operación, y por lo tanto pueden ser operacionales otros mecanismos para desviar a tierra el exceso de corriente, en lugar de, o además de, la interrupción inversa del arreglo n-p-n. La figura 11 es una vista en sección lateral de una modalidad adicional en la cual el arreglo de modulador interfere-métrico 100 comprende un modulador interferométrico 102 y un elemento de protección 110 integrado, dispuesto sobre el substrato 116. La modalidad del elemento de protección 110 ilustrada en la figura 11 es sustancialmente similar en operación a la modalidad de elemento de protección 110 ilustrada y descrita con respecto a la figura 10, pero con la diferencia que el elemento de protección 110 de la figura 11 es complementario en construcción y está configurado para conexión a la capa mecánica/de espejo 126 del modulador interferométrico 102. Se apreciará que se puede formar cualquiera de la capa mecánica/de espejo 126 o la capa óptica 120 como las lineas de hilera o columna 104, 106, dependiendo de la configuración particular del arreglo 100 asi como de las convenciones para designar los conductores eléctricos correspondientes como lineas de hilera o columna 104, 106. En la modalidad ilustra en la figura 11, el elemento de protección 110 está conectado a la capa mecánica/de espejo 126 del modulador interferométrico 102. El elemento de protección 110 ilustrado en la figura 11 es sustancialmente similar al elemento de protección 110 ilustrado en la figura 10, excepto porque el semi-conductor 112 de tipo n+, el semi-conductor 114 de tipo p+, el semi-conductor 115 de tipo n+, y el plano a tierra 132 están invertidos con respecto a la disposición ilustrada en la figura 10. Por lo tanto, en una forma análoga a la previamente descrita, un exceso de corriente que aparezca en la capa mecánica/de espejo 126 polariza inversamente la junta n-p-n definida por el semi-conductor 115 de tipo n+, el semi-conductor 114 de tipo p+, y el semi-conductor de tipo n+ 112, desviando por lo menos una porción de la corriente en exceso hacia el plano a tierra 132. El elemento de protección 110 provee por lo tanto protección al dispositivo de modulador interferométrico 102 contra corrientes en exceso indeseables tales como aquellas que resultan de uno o más eventos de ESD. Como se ilustra en la figura 7 y se discutió anteriormente, los elementos de protectores y los moduladores interferométricos se pueden acomodar en diversas configuraciones para formar un dispositivo de despliegue que comprenda una pluralidad de moduladores interferométricos y una pluralidad de elementos de protección. Por ejemplo, cualquier interferométrico particular puede tener dos electrodos, el primero de los cuales está unido a un primer elemento de protección, y el segundo de los cuales está unido a un segundo elemento de protección. De preferencia, la pluralidad de moduladores interferométricos y la pluralidad de elementos de protección están integrados sobre un substrato. El término "integración" tal como se utiliza en la presente invención,, se refiere a componentes que se forman mediante técnicas de fabricación de semi-conductor (por ejemplo, la deposición y aplicación de diseño) sobre el mismo substrato. La integración sobre un substrato se puede lograr de diversas maneras. Por ejemplo, en las modalidades ilustradas en las figuras 10 y 11, el modulador interferométrico 102 (que incluye al electrodo movible 126 y al electrodo 120) y el elemento de protección 110 están integrados sustancialmente a los mismos niveles sobre el substrato. Se apreciará que las figuras 1-17 no están necesariamente a escala, y por lo tanto, por ejemplo, los tamaños y distancias relativos entre diversas estructuras pueden ser diferentes de lo que se indica en las modalidades ilustradas. Las figuras 7-8 ilustran los elementos de protección 110 con el carácter de circuito para un arreglo de diodo Zener de oposición y las figuras 10-11 ilustran la integración de dicho elemento de protección 110 con el substrato 116. Sin embargo, se pueden utilizar otros elementos de protección además de o en lugar de los elementos de protección 110, en configuraciones tales como aquellas ilustradas en las figuras 10-11 o en otras configuraciones. Por ejemplo, las figuras 12-16 ilustran una variedad de diagramas de circuito de diodo y configuraciones de capa de diodo correspondientes adecuadas para uso como elementos de protección integrada en dispositivos de MEMS. En cada una de las figuras 12-16, se pueden depositar las diversas capas de n, p, n+ y p+ mediante técnicas de PECVD conocidas por los expertos en el campo, con espesores de capa y niveles de impurificación que se seleccionan mediante experimentación rutinaria para que el elemento de protección resultante experimente disociación inversa a un nivel de corriente en exceso que provea el grado deseado de protección. Típicamente, las capas n, p, n+ y p+ comprenden silicio amorfo, con concentraciones de impurificante para las capas p+ y n+ de 1018 cm~3 o mayores (átomos de impurificante por centímetro cúbico) y las concentraciones de impurificante para las capas p y n menores de 1018 cirf3 (átomos de impurificante por centímetro cúbico) . El espesor de cada una de las capas n, p, n+ y p+ ilustradas en las figuras 12-16 típicamente está en el intervalo de 500 Á aproximadamente hasta 5000 Á aproximadamente, pero podrían ser más altos o más bajos en situaciones particulares. En cada una de las figuras 12-16, se debe entender que se pueden depositar las diversas capas n, p, n+ y p+ en orden invertido, dependiendo de la configuración del modulador interferométrico y del conductor eléctrico al cual está conectado de manera operable el elemento de protección. Por ejemplo, como se discutió anteriormente, el elemento de protección 110 de la figura 11 es complementario en construcción para el elemento de protección 110 de la figura 10. La figura 12 muestra un diagrama de circuito de diodo Zener estándar (figura 12A) y una vista en sección lateral de un elemento de protección de diodo Zener estándar integrado 110-12 correspondiente (figura 12B) . La figura 12B muestra una capa del semi-conductor 114 de tipo p+ altamente impurificado depositada sobre un plano a tierra 132 (conectado a una tierra de circuito,. no mostrada) , y una capa del semi-conductor de tipo n+ altamente impurificado depositada sobre la capa 114. Un conductor eléctrico (correspondiente genéricamente a cualquiera de la linea de hilera 104 o la linea de columna 106) se forma en el semi-conductor 115 de tipo n÷. La figura 13 muestra un diagrama de circuito de diodo Zener de baja capacitancia (figura 13A) y una vista en sección lateral de un elemento de protección 110-13 de diodo Zener de baja capacitancia integrado, correspondiente (figura 13B) . La figura 13B muestra una capa del semi-conductor 114 de tipo p+ altamente impurificado depositada sobre un plano a tierra 132 (conectado a una tierra de circuito, no mostrado) , y una capa del semi-conductor 115 de tipo n+ altamente impurificado depositada sobre la capa 114. Una capa de semi-conductor de tipo n 117 se deposita sobre la capa 115, y una capa de semi-conductor 118 de tipo p se deposita sobre la capa 117. En el semi-conductor tipo p 118 se forma un conductor eléctrico (correspondiente en términos genéricos a cualquiera de una linea de hilera 104 o linea de columna 106) . La figura 14 muestra un diagrama de circuito de diodo Zener simétrico (figura 14A) y una vista en sección lateral de un elemento de protección 110-14 de diodo Zener simétrico integrado, correspondiente (figura 14B) . La figura 14B muestra una capa del semi-conductor de tipo p+ altamente impurificado depositada sobre un plano a tierra 132 (conectado a una tierra de circuito, no mostrada) , y la capa del semi-conductor 115 de tipo n+ altamente impurificado depositada sobre la capa 114. Sobre la capa 115 se deposita una capa de semi-conductor 119 tipo p+ altamente impurificado. El semi-conductor de tipo p+ altamente impurificado 119 puede comprender el mismo material como el usado en el semi-conductor de tipo p+ altamente impurificado 114 o un material diferente. En el semi-conductor 119 de tipo p+ altamente impurificado se forma un conductor eléctrico (que corresponde genéricamente a cualquiera de una linea de hilera 104 o linea de columna 106) . La figura 15 muestra un diagrama de circuito de diodo Zener de oposición (figura 15A) y una vista en sección lateral de un elemento de protección 110-15 de diodo Zener de oposición, integrado, correspondiente (figura 15B) . En la figura 9 se ilustra un elemento de protección 110' de diodo de Zener de oposición similar. La figura 15B muestra una capa del semi-conductor 112' de tipo n+ altamente impurificado depositada sobre un plano a tierra 132 (conectado a una tierra de circuito, no mostrada) , y una capa del semi-conductor 114' de tipo p+ altamente impurificado depositada sobre la capa 112' . En la capa 114' se deposita una capa del semi-conductor 115' tipo n+ altamente impurificado. El semi-conductor 112' de tipo n+ altamente impurificado comprende el mismo material que el utilizado en el semi-conductor 115 de tipo p+ altamente impurificado o un material diferente. Un conductor eléctrico (correspondiente genéricamente a cualquiera de una linea de hilera 104 o línea de columna 106) se forma en el semi-conductor 115 de tipo n+ altamente impurificado. La figura 16 muestra un diagrama de circuito de diodo simétrico de baja capacitancia (figura 16A) y una vista en sección lateral de un elemento de protección 110-16 de diodo simétrico de baja capacitancia, integrado, correspondiente (figura 16B) . La figura 16B muestra que el lado izquierdo del elemento de protección 110-16 es similar al elemento de protección 110-13 de diodo Zener de baja capacitancia ilustrado en la figura 13, que comprende una capa de semi-conductor 114a de tipo p+ altamente impurificado depositada sobre un plano a tierra 132 (conectado a una tierra de circuito, no mostrada) , una capa del semi-conductor 115a de tipo n+ altamente impurificado depositada sobre la capa 114a, una capa de semi-conductor 117a de tipo n depositada sobre la capa 115a, y una capa de semi-conductor 118a de tipo p depositada sobre la capa 117a. Como se ilustra adicionalmente en la figura 16B, el lado derecho del elemento de protección 110-116 se separa del lado izquierdo mediante un aislante 121, y comprende las mismas capas que el lado izquierdo pero en orden inverso. Por lo tanto, el lado derecho del elemento de protección 110-16, comprende una capa de semi-conductor 118b de tipo p depositada sobre el plano a tierra 132, una capa de semi-conductor 117b de tipo n depositada sobre la capa de semi-conductor 118b de tipo p, una capa de semiconductor 115b de tipo n+ altamente impurificado depositada sobre la capa 117b, y una capa del semi-conductor 114b de tipo p+ altamente impurificado depositada sobre la capa 115b. Un conductor eléctrico (correspondiente genéricamente a cualquiera de una linea de hilera 104 o linea de columna 106) se forma sobre el semi-conductor 118a de tipo p, el aislador 121 y el semi-conductor 114b de tipo p+ altamente impurificado . El arreglo de modulador interferométrico 100 que incluye los elementos de protección 110 integrados como se describe ofrece la ventaja de una estructura relativamente simple que puede proveer protección ESD efectiva en una manera que no incrementa de manera significativa la extensión o huella global del arreglo 100. Además, los elementos de protección 110 se pueden fabricar fácilmente con materiales que se utilizan de antemano en la formación de modalidades de los dispositivos de modulador interferométrico 102. Por ejemplo, el plano a tierra 132 puede ser formado de manera rápida y efectiva a partir de aluminio o aleaciones de aluminio las cuales también se pueden utilizar fácilmente para formar porciones del modulador interferométrico, incluyendo, por ejemplo, las capas mecánicas y/o de espejo. Las capas de semi-conductor de tipo n+ 112, 115 y la capa de semi-conductor de tipo p+ 114 en algunas modalidades comprenden silicio impurificado, y el silicio se puede emplear fácilmente en la fabricación del arreglo de modulador interferométrico 100. Por ejemplo, el silicio se puede emplear de manera conveniente como una capa de sacrificio en pasos intermedios en la formación del espacio 130 Una modalidad provee un dispositivo de ME S que incluye medios para accionar un elemento movible y medios para proteger los medios de accionamiento contra una corriente en exceso. Los medios de accionamiento y los medios protectores están integrados sobre un substrato, por ejemplo, sobre un substrato 116 como se describió anteriormente. El elemento movible puede comprender una capa mecánica y/o de espejo, por ejemplo, la capa mecánica/de espejo 126. Los medios de accionamiento pueden comprender un conductor eléctrico, y por lo tanto pueden comprender la capa óptica 120 /o la capa mecánica/de espejo 126. Los medios de accionamiento se pueden configurar para aportar una corriente de accionamiento que sea efectiva para accionar al elemento movible, como se describió anteriormente para la modalidad en la cual la capa óptica 120 y la capa mecánica/de espejo 126 portan ambas una corriente de accionamiento que es efectiva para accionar la capa mecánica/de espejo 126. Los medios protectores pueden comprender un elemento de protección unido en forma operable a los medios de accionamiento y configurados para desviar por lo menos parcialmente a tierra el exceso de corriente. Por ejemplo, los medios protectores pueden comprender un elemento de protección 110 como se describió anteriormente, y por lo tanto pueden comprender, por ejemplo, por lo menos uno de un diodo Zener de oposición, diodo Zener estándar, diodo Zener de baja capacitancia, diodo Zener simétrico, o diodo simétrico de baja capacitancia. ?na modalidad provee un método para elaborar un dispositivo de modulador interferométrico que incluye un elemento de protección integrado. Varios aspectos de dicho método se ilustran en la serie de vistas en sección transversal mostradas en la figura 17, las cuales muestran pasos en un procedimiento para elaborar el arreglo de modulador interferométrico 100 mostrado en la figura 10. Se pueden emplear métodos de deposición conocidos tales como deposición de vapor químico térmica (WCVD térmica") , deposición de vapor física ("PVD") y PECVD para depositar las diversas capas antes discutidas. La figura 17A ilustra la deposición de la primera capa óptica 120 sobre el substrato 116. En esta modalidad, la capa óptica 120 comprende una capa de óxido de indio-estaño (ITO) y una capa de cromo, y por lo tanto es un conductor eléctrico y se puede hacer referencia al mismo en la presente invención como la primera capa de electrodo 120 debido a que, en esta modalidad, éste funciona tanto como un electrodo y como un espejo en el modulador interferométrico resultante. Una capa dieléctrica 122 se forma sobre la capa óptica 120. La capa dieléctrica 122 puede comprender un óxido de silicio (por e emplo, S1O2) . En la modalidad ilustrada, el substrato 116 es vidrio, pero también se pueden utilizar otros materiales transparentes tales como plástico. En un paso no mostrado, la capa dieléctrica 122 se enmascara y ataca químicamente para formar una ventana que exponga la primer capa de electrodo 120 subyacente. La figura 17B muestra la deposición de una capa de semi-conductor 112 de tipo n+ a través de la ventana y sobre la primer capa de electrodo 120. Se puede utilizar la impurificación in situ para impurificar la capa de semiconductor de tipo n+ hasta el grado deseado. La figura 17C muestra la deposición de una capa de sacrificio 123 de silicio amorfo sobre la capa dieléctrica 122 y la deposición de una capa 114 de silicio amorfo impurificado de tipo p+ sobre la capa de semi-conductor 112 de tipo n+. La deposición de las capas de silicio amorfo 123, 114 se puede lograr en pasos separados mediante enmascaramiento y grabado químico apropiados. En una modalidad alternativa, se deposita una capa individual de silicio amorfo sobre tanto la capa eléctrica 122 así como la capa de semiconductor 112 de tipo n+, y la capa de silicio amorfo 114 se impurifica a p+ enmascarando la capa individual para exponer la porción 114 e impurificarla, tal como mediante impurificación por difusión o bombardeo iónico hasta el grado deseado. La figura 17D ilustra el enmascaramiento ataque químico de la capa de sacrificio 123 para formar aberturas, después el llenado de las aberturas con un óxido de silicio (por ejemplo S1O2) o un polímero para formar los postes 124. La figura 17E ilustra un modulador interferométrico no liberado 101 y un elemento de protección 110 formado mediante enmascaramiento de la capa dieléctrica 122 y la capa de sacrificio 123, deposición del semi-conductor 115 de tipo n+ sobre la capa de semi-conductor 114 de tipo p+ mediante PECVD in situ, después deposición de una capa de aluminio 126 sobre la capa de sacrificio 123 y los postes 124, y en forma concurrente la deposición de una capa de aluminio 132 sobre la capa de semi-conductor 114 de tipo p+. La capa de electrodo 126 es un conductor eléctrico y es ópticamente reflectante, y se puede hacer referencia al mismo en la presente invención como una capa mecánica/de espejo. La figura 17F muestra la formación de una capa de estabilización 127 (tal como un polímero o Si02) sobre el elemento de protección 110. La figura 17G muestra la formación del modulador interferométrico 102 liberado mediante remoción de la capa de sacrificio 123 por ataque químico con un producto para ataque químico apropiado (por ejemplo, XeF2 y/o F2 gaseoso) para formar el espacio 130 en el espacio intersticial entre la capa de electrodo 126 y la capa dieléctrica 122. La capa de estabilización 127 se presenta durante el ataque químico para evitar el ataque químico del elemento de protección 110 y se retira posteriormente como se muestra en la figura 17G. La capa de aluminio 132 que permanece sobre la capa de semi-conductor de tipo p+ 114 se une a una tierra de circuito (no mostrada) y por lo tanto es un plano a tierra. La capa de semi-conductor 112 de tipo n+ depositada sobre la primera capa de electrodo 120, la capa de semi-conductor 114 de tipo p+ depositada sobre la capa de semi-conductor 112 de tipo +, el semi-conductor 115 de tipo n+ depositado sobre la capa de semi-conductor 114 de tipo p+, y el plano a tierra de aluminio 132 están configurados para desviar a tierra un exceso de corriente portado por la primera capa de electrodo 120 del modulador interferométrico 102. Se pueden depositar y utilizar otras configuraciones integradas del plano a tierras y capas de semi-conductor impurificadas para desviar a tierra un exceso de corriente portada por lo menos por una de la primera capa de electrodo, y la segunda capa de electrodo. Por ejemplo, el procedimiento ilustrado en la figura 17 implica la deposición del plano a tierra 132 sobre las capas de semi-conductor impurificado 112, 114, 115. En la figura 17 se ilustra una variación del procedimiento que implica depositar la pluralidad de capas de semi-conductor impurificado sobre el plano a tierra que se puede utilizar para elaborar al modulador interferométrico ilustrado en la figura 11. Aunque el elemento de protección 110 se ilustra en la figura 7 en proximidad al modulador interferométrico 102, se entiende que el elemento de protección 110 puede estar colocado cerca o en una orilla externa o periferia del arreglo de modulador interferométrico 100 y sobre el substrato 116. Las figuras 18A y 18B son diagramas de bloque de sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de despliegue 2040. El dispositivo de despliegue 2040 puede ser, por ejemplo, un teléfono celular o móvil. Sin embargo, los mismos componentes del dispositivo de despliegue 2040 o variaciones ligeras de los mismos también son ilustrativos de diversos tipos de dispositivos de despliegue tales como televisiones y reproductores de medios electrónicos portátiles . El dispositivo de despliegue 2040 incluye un alojamiento 2041, una pantalla 2030, una antena 2043, un altavoz 2045, un dispositivo de alimentación 2048, y un micrófono 2046. El alojamiento 2041 generalmente se forma mediante cualquiera de una variedad de procedimientos de fabricación como los bien conocidos por los expertos en la técnica, incluyendo moldeo por inyección, y formación al vacío. Además, el alojamiento 2041 se puede elaborar a partir de cualquiera de una variedad de materiales, incluyendo pero sin limitarse a plástico, metal, vidrio, hule, y cerámica, o una combinación de los mismos. En una modalidad, el alojamiento 2041 incluye porciones removibles (no mostradas) que se pueden intercambiar con otras porciones xemovibles de color diferente, o que contienen logos, imágenes o símbolos diferentes. La pantalla 2030 del dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo puede ser cualquiera de una variedad de pantallas, incluyendo una pantalla bi-estable, como la descrita en la presente invención. En otras modalidades, la pantalla 2030 incluye una pantalla de panel plano, tales como de plasma, EL, OLED, STN LCD, o TFT LCD como las descritas anteriormente, o una pantalla de panel no plano, tal como un CRT u otro dispositivo de tubo, como es bien sabido por los expertos en la técnica. Sin embargo, para los propósitos de describir la presente modalidad, la pantalla 2030 incluye una pantalla de modulador interferométrico, como se describe en la presente invención. Los componentes de una modalidad de dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo se ilustran en forma esquemática en la figura 8B. El dispositivo de despliegue de ejemplo 2040 ilustrado incluye un alojamiento 2041 y puede incluir componentes adicionales encerrados por lo menos parcialmente en el mismo. Por ejemplo, en una modalidad, el dispositivo de despliegue de ejemplo 2040 incluye una interfaz de red 2027 que incluye una antena 2043 que está acoplada a un transceptor 2047. El transceptor 2047 está conectado al procesador 2021, el cual está conectado al hardware de acondicionamiento 2052. El hardware de acondicionamiento 2052 puede estar configurado para acondicionar una señal (por ejemplo filtrar una señal) . El hardware de acondicionamiento 2052 está conectado a un altavoz 2045 y a un micrófono 2046. El procesador 2021 también está conectado a un dispositivo de alimentación 2048 y un controlador de excitador 2029. El controlador de excitador 2029 está acoplado a una memoria temporal de cuadro 2028, y al controlador de arreglo 2022, el cual a su vez está acoplado a un arreglo de pantalla 2030. Una fuente de poder 2050 suministra energía a todos los componentes según sea requerido por el diseño particular de dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo. La interfaz de red 2027 incluye la antena 2043 y el transceptor 2047 para que el dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo se pueda comunicar con uno o más dispositivos a través de una red. En una modalidad, la interfaz de red 2027 también puede tener algunas capacidades de procesamiento para aligerar los requerimientos del procesador 2021. La antena 2043 es cualquier antena conocida por los expertos en la técnica para transmitir y recibir señales. En una modalidad, la antena transmite y recibe señales de RF de conformidad con la norma IEEE 802.11, incluyendo IEEE 802.11(a), (b) , o (g) . En otra modalidad, la antena transmite y recibe señales de RF de conformidad con la norma BLUETOOTH. En el caso de un teléfono celular, la antena está diseñada para recibir señales de CDMA, GSM, AMPS u otras señales conocidas que se utilizan para comunicarse dentro de una red de telefonía celular inalámbrica. El transceptor 2047 pre-procesa las señales recibidas desde la antena 2043 para que éstas pueden ser recibidas y manipuladas adicionalmente por el procesador 2021. El transceptor 2047 también procesa señales recibidas desde el procesador 2021 para que éstas pueden ser transmitidas desde el dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo a través de la antena 2043. En una modalidad alternativa, el transceptor 2047 se puede reemplazar por un receptor. Incluso en otra modalidad alternativa, la interfaz de red 2027 puede ser reemplazada por una fuente de imagen, la cual puede almacenar o generar datos de imagen que serán enviados al procesador 2021. Por ejemplo, la fuente de imagen puede ser un disco de video digital (DVD) o una unidad de disco duro que contenga datos de imagen, o un módulo de software que genere datos de imagen. El procesador 2021 controla en general la operación global del dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo. El procesador 2021 recibe datos, tales como datos de imagen comprimidos provenientes de la interfaz de red 2027 o de una fuente de imagen, y procesa los datos en datos de imagen sin tratamiento o en un formato que pueda ser procesado fácilmente como datos de imagen sin tratamiento. El procesador 2021 envía después los datos procesados al controlador de excitador 2029 o a la memoria temporal de cuadro 2028 para su almacenamiento. Los datos sin tratamiento típicamente se refieren a la información que identifica las características de imagen en cada ubicación dentro de una imagen. Por ejemplo, dichas características de imagen pueden incluir color, saturación, y nivel de escala de grises. En una modalidad, el procesador 2021 incluye un microcontrolado , CPU, o unidad lógica para controlar el funcionamiento del dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo. El hardware de acondicionamiento 2052 por lo general incluye amplificadores y filtros para transmitir señales hacia el altavoz 2045, y para recibir señales provenientes del micrófono 2046. El hardware de acondicionamiento 2052 puede ser componentes independientes dentro del dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo, o pueden estar incorporados dentro del procesador 2021 u otros componentes. El controlador de excitador 2029 toma los datos de imagen sin tratamiento generados por el procesador 2021 ya sea directamente a partir del procesador 2021 o a partir de la memoria temporal de cuadro 2028 y le vuelve a dar formato a los datos de imagen sin tratamiento en forma apropiada para transmisión a alta velocidad hacia el controlador de arreglo 2022. Específicamente, el controlador de excitador 2029 vuelve a formatear los datos de imagen sin tratamiento en un flujo de datos que tiene un formato tipo cuadrícula, de modo tal que éste tenga un orden de tiempo adecuado para escudriñamiento a través del arreglo de pantalla 2030. Después, el controlador de excitador 2029 envía la información formateada hacia el controlador de arreglo 2022. Aunque un controlador de excitador 2029, tal como un controlador de LCD, con frecuencia está asociado con el procesador de sistema 2021 como un circuito integrado independiente (CI) , dichos controladores se pueden implementar de muchas maneras. Estos pueden estar empotrados en el procesador 2021 como hardware, empotrados en el procesador 2021 como software, o completamente integrados en el hardware con el controlador de arreglo 2022. Típicamente, el controlador de arreglo 2022 recibe la información formateada proveniente del controlador de excitador 2029 y vuelve a formatear los datos de video en un conjunto paralelo de formas de onda que se aplican muchas veces por segundo a los cientos y algunas veces miles de guias que provienen de la matriz x-y de pixeles de la pantalla. En una modalidad, el controlador de excitador 2029 , el controlador de arreglo 2022 , y el arreglo de pantalla 2030 son apropiados para cualquiera de los tipos de pantallas descritas en la presente invención. Por ejemplo, en una modalidad, el controlador de excitador 2029 es un controlador de pantalla convencional o un controlador de pantalla bi-estable (por ejemplo, un controlador de modulador interferométrico) . En otra modalidad, el controlador de arreglo 2022 es un excitador convencional o un excitador de pantalla bi-estable (por ejemplo, una pantalla de modulador interferométrico) . En una modalidad, un controlador de excitador 2029 está integrado con el controlador de arreglo 2022 . Dicha modalidad es común en sistemas altamente integrados tales como teléfonos celulares, relojes, y otras pantallas de área pequeña. Incluso en otra modalidad, el arreglo de pantalla 2030 es un arreglo de pantalla típico o un arreglo de pantalla bi-estable (por ejemplo, una pantalla que incluye un arreglo de moduladores interferométricos) . El dispositivo de alimentación 2048 permite que un usuario controle la operación del dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo. En una modalidad, el dispositivo de alimentación 2048 incluye un teclado, tal como un teclado QWERTY o un teclado de teléfono, un botón, un interruptor, una pantalla sensible al tacto, una membrana sensible a la presión o calor. En una modalidad, el micrófono 2046 es un dispositivo de alimentación para el dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo. Cuando se utiliza el micrófono 2046 para alimentar datos al dispositivo, los comandos de voz pueden ser provistos por un usuario para controlar las operaciones del dispositivo de despliegue 2040 de ejemplo. La fuente de poder 2050 puede incluir una variedad de dispositivos de almacenamiento de energía como los conocidos por el experto en la técnica. Por ejemplo, en una modalidad, la fuente de poder 2050 es una batería recargable, tal como una batería de níquel-cadmio o una batería de ión de litio. En otra modalidad, la fuente de poder 2050 es una fuente de energía renovable, un capacitor, o una celda solar, incluyendo una celda solar de plástico, y pintura de celda solar. En otra modalidad, la fuente de poder 2050 está configurada para recibir energía a partir de una toma de corriente en la pared. En algunas implementaciones la capacidad de programación de control reside, como se describió anteriormente, en un controlador de excitador el cual se puede ubicar en varios lugares en el sistema de despliegue electrónico. En algunos casos la capacidad de programación de control reside en el controlador de arreglo 2022. Los expertos en la técnica reconocen que la optimización antes descrita se puede implementar en cualquier número de componentes de hardware y/o software y en diversas configuraciones. Se pueden utilizar otros flujos de proceso para elaborar dispositivos de modulador interferométrico que incluyan elementos de protección integrados. Por ejemplo, se puede fabricar sobre un substrato un arreglo de dispositivos de modulador interferométrico, después se enmascaran. Después se pueden fabricar sobre el substrato uno o más elementos de protección, por ejemplo, sobre una periferia no enmascarada del substrato, después se conectan al arreglo de moduladores interferométricos . Dicho procedimiento también se puede efectuar en orden inverso, por ejemplo, dichos uno o más elementos protectores se pueden fabricar sobre el substrato, después se enmascaran, seguido por la fabricación de los moduladores interferométricos sobre el substrato y conexión a los elementos de protección. Los moduladores interferométricos integrados y los elementos de protección descritos en la presente invención se pueden incorporar en cualquier dispositivo que esté configurado para desplegar una imagen, como se discutió anteriormente. Dicha incorporación por lo general implica la unión eléctrica de los moduladores interferométricos integrados y los elementos de protección a algunos otros componentes tales como fuentes de poder, circuitos integrados de controlador, memoria, etc. De preferencia, dichas conexiones eléctricas hacia los moduladores interferométricos integrados se efectúan a través de los elementos de protección integrados descritos en la presente invención. Los moduladores interferométricos y los elementos de protección integrados también se pueden unir eléctricamente a diversos tipos de equipo de prueba durante la fabricación. Dichas uniones también de preferencia se efectúan mediante los elementos de protección integrados descritos en la presente invención. Estos elementos de protección integrados son particularmente convenientes para la protección de los moduladores interferométricos integrados durante la fabricación y evaluación. Aunque los trabajadores en dicho ambiente de fabricación pueden estar instruidos para tomar las precauciones adecuadas para evitar exponer los dispositivos de MEMS a eventos de ESD, en la práctica real algunos trabajadores podrían no tomar dichas precauciones en todos los casos . Los elementos de protección integrados como los descritos en la presente invención se pueden utilizar para proveer protección contra ESD que empieza en o cerca del momento en el que se fabrica el dispositivo de MEMS, con lo cual se reduce la probabilidad de daño durante pasos de procesamiento subsiguientes y se incrementa el rendimiento de fabricación. Los expertos en la técnica entenderán que se pueden efectuar numerosas y diversas modificaciones sin alejarse del campo de la presente invención. Por lo tanto, se debe entender claramente que las formas de la presente invención son únicamente ilustrativas y que no pretenden limitar el campo de la presente invención.

Claims

NOVEDAD DE LA INVENCION Habiendo descrito el presente invento se considera como novedad y por lo tanto se reclama como propiedad lo contenido en las siguientes: REIVINDICACIONES

1. - Un dispositivo de MEMS, que comprende: medios para accionar un elemento movible; y medios para proteger los medios de accionamiento contra una corriente en exceso; los medios de accionamiento y los medios protectores están integrados sobre un substrato.

2. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque los medios de accionamiento comprenden un conductor eléctrico.

3. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque los medios de accionamiento están configurados para portar una corriente de accionamiento que sea efectiva para accionar los medios movibles.

4. - El dispositivo de MEMS de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque los medios protectores comprenden un elemento de protección unido en forma operable a los medios de accionamiento y configurado para desviar por lo menos parcialmente a tierra el exceso de corriente.

5. - El dispositivo de EMS de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque los medios de protección comprenden por lo menos uno de un diodo Zener de oposición, diodo Zener estándar, diodo Zener de baja capacitancia, diodo Zener simétrico, o diodo simétrico de baja capacitancia.

6. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque: los medios de accionamiento comprenden un conductor eléctrico configurado para portar una corriente de accionamiento que sea efectiva para accionar al elemento movible; los medios protectores comprenden un elemento de protección unido en forma operable al conductor eléctrico y configurados para desviar por lo menos parcialmente a tierra un exceso de corriente portada por el conductor eléctrico, y el elemento movible, conductor eléctrico y elemento de protección están integrados sobre un substrato .

7. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 6, caracterizado porque el elemento de protección comprende un diodo.

8. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 7, caracterizado porque el diodo es un diodo Zener de oposición, un diodo Zener estándar, un diodo Zener de baja capacitancia, un diodo Zener simétrico, o un diodo simétrico de baja capacitancia.

9. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 7, caracterizado porque el diodo comprende una pluralidad de capas de semi-conductor impurificado .

10. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 6, caracterizado porque el elemento movible, el conductor eléctrico, y el elemento de protección están sustancialmente a un mismo nivel sobre el substrato.

11. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 1, que comprende un modulador interferométrico .

12. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 11, caracterizado porque el modulador interferométrico comprende: un electrodo integrado con el substrato y configurado para portar una corriente de accionamiento; y un elemento de protección conectado al electrodo y configurado para por lo menos desviar parcialmente a tierra un exceso de corriente portado por el electrodo, estando el elemento de protección integrado con el substrato.

13. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 12, caracterizado porque el elemento de protección comprende un diodo.

14. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque el diodo es un diodo Zener de oposición, un diodo Zener estándar, un diodo Zener de baja capacitancia, un diodo Zener simétrico, o diodo simétrico de baja capacitancia.

15. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque el diodo comprende una pluralidad de capas de semi-conductor impurificado .

16. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 12, caracterizado porque el electrodo y el elemento de protección están sustancialmente al mismo nivel sobre el substrato.

17. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 12, que comprende también un espejo unido en forma operable al electrodo.

18. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 17, que comprende también un segundo espejo separado de y sustancialmente paralelo al primer espej o .

19. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 18, que comprende también un segundo electrodo unido en forma operable al segundo espejo.

20. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 19, que comprende también un segundo elemento de protección unido en forma operable al segundo electrodo y configurado para desviar por lo menos parcialmente a tierra un segundo exceso de corriente portada por el segundo electrodo.

21. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 20, caracterizado porque el segundo elemento de protección comprende un diodo.

22. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 21, caracterizado porque el diodo es un diodo Zener de oposición, un diodo Zener estándar, diodo Zener de baja capacitancia, diodo Zener simétrico, o diodo simétrico de baja capacitancia.

23. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 1, que comprende: una pluralidad de moduladores interferométricos formados sobre el substrato; y una pluralidad de elementos de protección integrados con la pluralidad de moduladores interferométricos sobre el substrato; la pluralidad de elementos de protección están conectados eléctricamente para proteger por lo menos parcialmente a la pluralidad de moduladores interferométricos contra una descarga electroestática . 24.- El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 23, caracterizado porque la pluralidad de elementos de protección comprende una pluralidad de capas de semi-conductor impurificado. 25.- El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 23 , caracterizado porque la pluralidad de moduladores interferométricos están conectados mediante lineas de hilera y columna. 26. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 25, caracterizado porque las lineas de columna e hilera están unidas a la pluralidad de elementos de protección. 27. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 23, caracterizado porque la pluralidad de moduladores interferométricos está configurada para formar un dispositivo de despliegue. 28. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 1, que comprende también: un procesador que está en comunicación eléctrica con por lo menos uno de dichos medios móviles y dichos medios de accionamiento, estando configurado dicho procesador para procesar datos de imagen; y un dispositivo de memoria en comunicación eléctrica con dicho procesador. 29.- El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 28, que comprende también un circuito excitador configurado para enviar por lo menos una señal a por lo menos uno de dichos medios móviles y dichos medios de accionamiento. 30.- El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 29, que comprende también un controlador configurado para enviar por lo menos una porción de dichos datos de imagen hacia dicho circuito excitador. 31. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 28, que comprende también un módulo de fuente de imagen configurado para enviar dichos datos de imagen a dicho procesador. 32. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 31, caracterizado porque dicho módulo de fuente de imagen comprende por lo menos uno de un receptor, transceptor, y transmisor. 33. - El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 28, que comprende también un dispositivo de alimentación configurado para recibir datos de alimentación y para comunicar dichos datos de alimentación al procesador. 34. - Un método para elaborar un dispositivo de modulador interferométrico que comprende: depositar una primera capa de electrodo sobre un substrato; depositar una capa de sacrificio sobre la primera capa de electrodo; depositar una segunda capa de electrodo sobre la capa de sacrificio; depositar una pluralidad de capas de semiconductor impurificadas sobre el substrato; y formar un plano a tierra sobre el substrato, el plano a tierra y la pluralidad de capas de semi-conductor impurificado están configuradas para desviar a tierra un exceso de corriente portado por lo menos por uno de la primera capa de electrodo y la segunda capa de electrodo. 35. - El método de conformidad con la reivindicación 34, que comprende también remover la capa de sacrificio. 36.- El método de conformidad con la reivindicación 34, que comprende también depositar el plano a tierra sobre la pluralidad de capas de semi-conductor impurificado . 37.- El método de conformidad con la reivindicación 34, que comprende también depositar la pluralidad de capas de semi-conductor impurificado sobre el plano a tierra. 38. - El método de conformidad con la reivindicación 34, que comprende también depositar el plano a tierra cerca de una periferia del substrato. 39. - Un modulador interferométrico que se elabora mediante el método de conformidad con la reivindicación 34.