LT3625B - Schottky barrier diode including n region in back branch of voltmeter characteristic - Google Patents
Schottky barrier diode including n region in back branch of voltmeter characteristic Download PDFInfo
- Publication number
- LT3625B LT3625B LTIP375A LTIP375A LT3625B LT 3625 B LT3625 B LT 3625B LT IP375 A LTIP375 A LT IP375A LT IP375 A LTIP375 A LT IP375A LT 3625 B LT3625 B LT 3625B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- ohmic
- barrier
- semiconductor substrate
- diode
- contact
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Išradimas priskiriamas puslaidininkinei elektronikai ir gali būti panaudotas radioelektriniuose prietaisuose, skirtuose stiprinti ir generuoti signalus, taip pat loginėse schemose bei atminties elementuose.
Yra žinomas λ-diodas, sudarytas iš komplanarinės lauko tranzistorių poros (I.I.Nečajevas. λ-diodas ir jo galimybės H Radijas, 1984, Nr.2, 54 pusk).
Šio λ-diodo trūkumai, lyginant jį su pateikiamu techniniu sprendimu, yra jo sudėtinga schema, žymiai sudėtingesnė gamybos technologija, žemas patikimumas (daugiau elementų) ir dėl to siaura pritaikymo sritis.
Pats artimiausias techninis sprendimas yra Šotki barjero diodas, sudarytas iš puslaidininkinio padėklo, kurio priešingi paviršiai padengti metalo sluoksniais, formuojančiais ominį ir užtvarinį kontaktus. Užtvarinio kontakto, turinčio Šotki barjerą, metalo sluoksnyje papildomai sudaryta mažiausiai viena kito metalo sritis, kuri yra ominis intarpas (neužtvarinis ominis kontaktas). Kiekvieno iš ominių intarpų mažiausias matmuo yra didesnis už užtvarinio kontakto nuskurdintos puslaidininkinio padėklo vidaus srities plotį (TSRS aut.l. Nr.1435097, 1987).
Šis žinomas Šotki barjero diodas turi esminių trūkumų. Pirmiausia, smarkiai apribojamos puslaidininkinės medžiagos, ant kurios paviršiaus galima sudaryti ominį kontaktą metalo sluoksniu, pasirinkimas. Daugeliui puslaidininkinių medžiagų ši technologija apskritai netinka, ir ominis kontaktas formuojamas kitu būdu. Be to, formuojant dviejų skirtingų metalų duotos geometrijos struktūrą puslaidininkio paviršiuje, būtina tapatinti abiejų metalų piešinius planarinėje technologijoje, o tai apsunkina technologinį procesą ir mažina tinkamų struktūrų išeigą. Tai būna ypač svarbu, naudojant submikroninę technologiją.
Išradimo tikslas - supaprastinti Šotki barjero diodo gamybos technologiją.
Šis tikslas pasiekiamas turint tokios konstrukcijos Šotki barjero diodą. Minėtas diodas sudarytas iš puslaidininkinio padėklo, padengto metalo sluoksniais, kurie yra ominis ir užtvarinis kontaktai ir turi bent vieną ominį intarpą, kurio mažiausias matmuo yra didesnis už užtvarinio kontakto nuskurdintos puslaidininkinio padėklo vidaus srities plotį. Nauji pateikiamo techninio sprendinio požymiai, lyginant jį su žinomais, yra šie: minėtas ominis intarpas suformuotas puslaidininkiniame padėkle prie vieno iš jo paviršių, o virš jo užtvarinį kontaktą sudarančiame metalo sluoksnyje padaryta anga, nedidesnė už ominį intarpą, be to, ominis ir užtvarinis kontaktai atlikti priešingose arba toje pačioje puslaidininkinio padėklo pusėje.
Tai, kad ominis kontaktas suformuotas puslaidininkiniame padėkle prie vieno iš jo paviršių, o virš ominio intarpo užtvarinį kontaktą sudarančiame ir dengiančiame puslaidininkinį padėklą metalo sluoksnyje padaryta anga, kuri nedidesnė už ominį intarpą, be to, ominis ir užtvarinis kontaktai atlikti priešingose arba toje pačioje puslaidininkinio padėklo pusėje, leidžia atsisakyti dviejų skirtingų ir specialiai parinktų pagal geometriją metalų sluoksnių, formuojant Šotki barjero diodą, ir tai žymiai supaprastina minėto diodo gamybos technologiją.
Lyginant pateiktą Šotki barjero diodą su žinomais techniniais sprendimais, tokios struktūros diodo nebuvo rasta, o skiriamųjų požymių visuma, leidžianti pasiekti teigiamą efektą, taip pat nėra žinoma. Tokiu būdu galima pripažinti, jog pateiktas techninis sprendimas turi naujus ir esminius skirtumus.
brėž. pavaizduota siūlomo Šotki barjero diodo struktūra. 2 brėž. - šio diodo voltamperinė charakteristika.
Siūlomo Šotki barjero diodą sudaro puslaidininkinis padėklas 1, ominis (neužtvarinis) kontaktas 2, užtvarinis kontaktas 3, kurį sudaro metalo sluoksnis, formuojantis Šotki barjerą, ominiai intarpai 4, kurie yra puslaidininkinio padėklo 1 vidaus sritys, turinčios didelį elektrinį laidumą, nuskurdintos puslaidininkinio padėklo vidaus sritys 5 (didelės varžos sritys), kurios susiformuoja metalo sluoksnio 3 ir puslaidininkinio padėklo 1 tūryje.
Diodas dirba tokiu būdu:
Kvazineutralios srities 6, esančios po ominiais intarpais 4, varža yra kaip ir vienalyčio puslaidininkio. Padavus į užtvarinį kontaktą 3 atgalinę įtampą, nuskurdinta puslaidininkinio padėklo vidaus sritis 5 didėja ir dėl kraštinių efektų prasiskverbia po ominiais intarpais 4. Susiformuoja sudėtinga nuskurdintos puslaidininkinio padėklo vidaus srities 5 bei kvazineutralios srities 6 skiriamoji riba. Esant mažoms atgalinės įtampos reikšmėms, kvazineutrali sritis 6 siekia ominius intarpus 4, o esant didelėms, visos po ominiais intarpais 4 esančios sritys tampa nuskurdintomis puslaidininkinio padėklo vidaus sritimis 5 taip kaip vienalyčio Šotki kontakto atveju. Tokiu būdu, esant nedidelėms atgalinės įtampos reikšmėms, diodas yra didelio laidumo, o esant didelėms - šuoliu pereina į būseną, kurioje jis yra mažo laidumo, būdingo įprastiniams Šotki barjero diodams. Tokiu būdu, atgalinėje diodo voltamperinės charakteristikos šakoje susiformuoja N tipo ruožas (2 brėž.).
Šotki barjerą sudarančio metalo sluoksnio 3 ir ominių intarpų 4 konfigūracija gali būti labai įvairi. Ominiai intarpai 4 gali būti formuojami įvairiais būdais, kaip pvz., difuzijos, atitinkamų cheminių elementų jonų implantacijos, dujinės arba skystinės epitaksijos ir pan. Metalo sluoksnis 3 ominių intarpų 4 srityje (legiravimo srityje) nėra būtinas, kadangi pati ta sritis pasižymi laidumu. Būtent tai ir suteikia galimybę išspręsti suderinamumo problemą, gaminant tarpusavyje derančius diodus, naudojant submikroninę technologiją. Lyginant siūlomą techninį sprendimą su žinomais, žymiai supaprastinama jo gamybos technologija ir praplečiama jo panaudojimo sritis.
Claims (1)
- IŠRADIMO APIBRĖŽTISŠotki barjero diodas, turintis N tipo ruožą atgalinėje voltamperinės charakteristikos šakoje, sudarytas iš puslaidininkinio padėklo, padengto metalo sluoksniais, kurie yra ominis ir užtvarinis kontaktai, ir turintis bent vieną ominį intarpą, kurio mažiausias matmuo yra didesnis nei nuskurdintos puslaidininkinio padėklo vidaus srities plotis, besiskiriantis tuo, kad puslaidininkiniame padėkle prie vieno iš jo paviršių suformuotas minėtas ominis intarpas, virš kurio užtvarinį kontaktą sudarančiame metalo sluoksnyje padaryta anga, nedidesnė už ominį intarpą, be to, užtvarinis ir ominis kontaktai atlikti priešingose arba toje pačioje puslaidininkinio padėklo pusėje.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LTIP375A LT3625B (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Schottky barrier diode including n region in back branch of voltmeter characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LTIP375A LT3625B (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Schottky barrier diode including n region in back branch of voltmeter characteristic |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LTIP375A LTIP375A (en) | 1994-10-25 |
| LT3625B true LT3625B (en) | 1995-12-27 |
Family
ID=19721101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LTIP375A LT3625B (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Schottky barrier diode including n region in back branch of voltmeter characteristic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT3625B (lt) |
-
1993
- 1993-02-26 LT LTIP375A patent/LT3625B/lt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LTIP375A (en) | 1994-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016837A (ko) | 반도체 기억장치 및 그의 제조방법 | |
| KR850005733A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR940006179A (ko) | 반도체 장치와 그 제작방법 | |
| KR930020690A (ko) | 동적 메모리 셀 | |
| KR900019227A (ko) | 적층형 캐피시터를 갖춘 반도체기억장치 및 그 제조방법 | |
| KR960036120A (ko) | 절연게이트형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR890015352A (ko) | 다이나믹형 반도체기억장치와 그 제조방법 | |
| KR940022866A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970067716A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR890011106A (ko) | 에미터 스위칭 형태로 집적된 고-전압 바이폴라 파워 트랜지스터 및 저-전압 mos 파워 트랜지스터 구조 및 이의 제조방법 | |
| TW200632428A (en) | Active matrix substrate and its manufacturing method | |
| KR910019235A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR920020671A (ko) | 골드구조를 가지는 반도체소자의 제조방법 | |
| KR900019234A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR920015577A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910019178A (ko) | 반도체 접촉 구조 및 그 접촉 방법 | |
| KR890008949A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| LT3625B (en) | Schottky barrier diode including n region in back branch of voltmeter characteristic | |
| KR860009489A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0277153A (ja) | 半導体装置 | |
| US4550489A (en) | Heterojunction semiconductor | |
| KR950028154A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| CN1130802A (zh) | 半导体器件电容器及其制造方法 | |
| KR960032687A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR850004878A (ko) | 반도체 기억장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 19990226 |